專利名稱：用于薄膜沉積的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及用于薄膜沉積的方法和系統(tǒng)，并且更具體地講，本發(fā)明涉及這樣的用于薄膜沉積的方法和系統(tǒng)，其包括處理室，所述處理室被構(gòu)造成在反應(yīng)氣和吹凈氣依次被供入到處理室中時提供分層式氣流，并且所述處理室被虛擬地劃分成多個空間， 從而所述各虛擬的空間在處理室內(nèi)移動時，針對多個基片能夠完成原子層沉積，因而減少了處理進(jìn)行時間。
背景技術(shù)：
大體上，半導(dǎo)體器件或平板顯示器通過多個エ序被制造。特別地，在晶片或玻璃 (此后稱為“基片”)上沉積薄膜的エ序不可避免地被完成。通過濺射、化學(xué)蒸鍍(CVD)、原子層沉積(ALD)等實現(xiàn)這種薄膜沉積。具體地，原子層沉積(ALD)是這樣ー種過程，即通過連續(xù)地將反應(yīng)劑輸入到用于形成薄膜的處理室內(nèi)而通過兩種或多種反應(yīng)劑的分解與吸收將薄膜分單位地沉積為原子層。具體地，第一反應(yīng)氣以脈沖化的方式被供應(yīng)到處理室內(nèi)，從而在處理室內(nèi)化學(xué)沉積至基片的下層，并且與其物理耦合的剰余的第一反應(yīng)氣以吹凈(purging)的方式被排出。然后， 第二反應(yīng)氣也通過脈沖化和吹凈的方式被供應(yīng)并被排出，從而通過第二反應(yīng)氣與第一反應(yīng)氣(即、第一反應(yīng)劑)之間的某種化學(xué)反應(yīng)，所期望的薄膜能夠沉積在基片上。通過原子層沉積所制造的薄膜的實施例包括Al2O3, Ta203> TiO2以及Si3O4薄膜。因為原子層沉積使得甚至在600°C或更低的低溫也能夠形成具有良好臺階覆蓋率 (step coverage)的薄膜，所以所期望的是原子層沉積將廣泛應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體器件的制造。在如上所述的原子層沉積中，相應(yīng)的氣體完成脈沖化與吹凈處理一次所需的時間段被稱為ー循環(huán)。然而，因為用于原子層沉積的傳統(tǒng)設(shè)備通過擴(kuò)散板的噴嘴孔以點式方式而非平面的方式供應(yīng)氣體，所以氣體在處理室內(nèi)并沒有被均勻地分布，因而使得薄膜的均勻性變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決如上所述的問題，并且本發(fā)明的各方面為提供用于薄膜沉積的方法和系統(tǒng)，其包括處理室，所述處理室被構(gòu)造成在反應(yīng)氣和吹凈氣被連貫地供入處理室內(nèi)時提供層流狀氣流(laminar gasflow)并且虛擬地劃分成多個空間，從而在虛擬劃分的空間在處理室內(nèi)移動時，針對多個基片能夠?qū)崿F(xiàn)原子層沉積，因而減小了處理時間。根據(jù)本發(fā)明的ー個方面，薄膜沉積系統(tǒng)包括包括外室，在其ー側(cè)上具有開ロ ；處理室，其在所述外室內(nèi)安置，并且在所述處理室的ー側(cè)上具有開ロ ；第一門，該第一門打開或關(guān)閉所述處理室的開ロ ；料盒保持件，其連接至所述第一門的內(nèi)壁，并且在所述料盒保持件上裝載至少一個料盒；第二門，該第二門打開或關(guān)閉所述外室的開ロ ；連接構(gòu)件，其將所述第一門連接至所述第二門；以及移動單元，其使得所述第一門和所述料盒保持件與所述第 ニ門一起水平地往復(fù)運(yùn)動。
根據(jù)本發(fā)明的另ー個方面，薄膜沉積系統(tǒng)可以包括料盒，其裝載多個基片，以使得各基片之間彼此隔開恒定的距離，并且相應(yīng)的基片之間的距離為層流(分層的流)之間的距離；處理室，其中所述處理室接收所述料盒，以使得所述料盒與所述處理室的內(nèi)壁之間的距離為層流之間的距離，并且，在所述處理室內(nèi)，所述各基片經(jīng)受原子層沉積；供氣単元，其中所述供氣単元安置在所述處理室的一個側(cè)壁上并且將氣體沿與所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒內(nèi)安置的所有基片，從而所述氣體以層流狀被提供至各基片的前端、 各基片之間的空間、以及基片與處理室的壁之間的空間；以及排氣單元，其中所述排氣単元在所述處理室內(nèi)安置在與供氣單元相反的側(cè)部上，并且所述排氣単元通過在所述各基片的后側(cè)抽吸氣體而將氣體從所述處理室排出。


通過結(jié)合附圖給出的實施例的以下說明將清楚本發(fā)明的上述和其它方面、特定和優(yōu)點，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明ー個實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示意性實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的連接構(gòu)件的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的處理室內(nèi)裝載的料盒的剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的剖視圖；并且圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明實施的薄膜沉積系統(tǒng)的處理室的視圖；圖9和10示出了本發(fā)明的操作過程。
具體實施例方式現(xiàn)在，參照附圖將說明本發(fā)明的示意性實施例。參看圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的薄膜沉積系統(tǒng)1包括外室10 ；處理室 20 ；門11、21 ；料盒保持件30 ；連接構(gòu)件70 ；以及移動單元60。外室10在其ー側(cè)上形成開ロ 12，料盒C被傳送經(jīng)過該開ロ。外室10接收/容納多個處理室20。每個處理室20接收料盒C，其中，基片被裝載在所述料盒上，從而在所述處理室內(nèi)，詳細(xì)如下所述地在基片上實現(xiàn)原子層沉積。處理室形成有開ロ 22 ；并包括用于打開或關(guān)閉該開ロ的第一門21以及用于打開或關(guān)閉外室的開ロ 12的第二門11。第一門21通過連接構(gòu)件70連接至第二門11。接著， 將更加詳細(xì)地說明這種結(jié)構(gòu)。在此，第一門21與第二門11之間的距離tl大于外室的開ロ 12與處理室的開ロ 22之間的距離t2，即tl > t2。另外，在第一門21的內(nèi)壁上設(shè)有能夠裝載多個料盒C的料盒保持件30。這樣，第二門11、第一門21和料盒保持件30固定地彼此相連，并且處理室還包括移動單元60，其中該移動単元使得第一與第二門以及料盒保持件同時沿水平方向往復(fù)運(yùn)動。移動單元60包括諸如傳統(tǒng)滾珠絲杠構(gòu)件的絲杠61 ；在所述絲杠61旋轉(zhuǎn)時往復(fù)運(yùn)動的螺母構(gòu)件62 ；夾具63，其將所述螺母構(gòu)件62連接至第二門11 ；以及用于使得所述絲杠61旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動源(未示出)。系統(tǒng)還包括供氣單元40，其中該供氣單元將源氣和吹凈氣通過外室10供入處理室20內(nèi)；以及排氣單元50，其使得氣體從處理室20排出。盡管圖中未示出，但是系統(tǒng)還可以包括位于外室10與處理室20之間的加熱器。加熱器將處理室20維持在恒定的溫度。根據(jù)該實施例的薄膜沉積系統(tǒng)的主要部件將參照圖3進(jìn)行說明。參看圖3，將第一門21連接至第二門11的連接構(gòu)件70由彈性可擴(kuò)展的伸縮探針(pogo pin)構(gòu)件制成。具體地，連接構(gòu)件70包括固定至第二門11的大直徑區(qū)段71 ；固定至第一門21的小直徑區(qū)段72;以及壓縮彈簧73，其中該壓縮彈簧在大直徑區(qū)段71內(nèi)彈性支承小直徑區(qū)段72。此外，通過伸縮探針構(gòu)件所實現(xiàn)的連接構(gòu)件70在其外周上還設(shè)有附加的壓縮彈簧74，其中該附加的壓縮彈簧具有與壓縮彈簧73相比更高的彈性系數(shù)。因而，第一門21與第二門11之間的距離能夠是改變的而并非是固定的，從而第一門21和第二門11能夠彼此相互接近或彼此相互遠(yuǎn)離。此外，第一門21和第二門11中的每個設(shè)有密封構(gòu)件Ila或21b，其通過機(jī)械密封件、0形環(huán)或現(xiàn)有技術(shù)中已知的其它密封構(gòu)件實現(xiàn)。例如，第一門21的密封構(gòu)件21a是機(jī)械密封件，而第二門的密封構(gòu)件Ila是0形環(huán)。圖4示出了在處理室20內(nèi)裝載的料盒C。參看圖4，多個基片以直立的姿態(tài)(沿豎直方向地或者相對于豎直方向以特定的角度傾斜地)在料盒C內(nèi)被裝載。接著，將參照圖2、5和6說明薄膜沉積系統(tǒng)的操作。首先，隨著第一門21和第二門11的打開，多個接收基片的料盒C被安裝在料盒保持件30上，其中所述料盒保持件30連接至第一門21的一側(cè)(見圖2)。接著，在絲杠61通過主要地使得驅(qū)動源驅(qū)動而被旋轉(zhuǎn)時，螺母構(gòu)件62直線地移動，以使得彼此相連的第一和第二門21、11移動，從而第一門21關(guān)閉處理室的開口 22。同時，料盒保持件30進(jìn)入處理室20，從而料盒C通過料盒保持件被轉(zhuǎn)移到處理室20內(nèi)。在此階段中，第二門11并未接觸外室10的側(cè)壁(見圖5)。接著，在絲杠61通過輔助地使得驅(qū)動源驅(qū)動而被旋轉(zhuǎn)時，第二門11通過如上所述同一方法直線地移動，從而第二門11關(guān)閉外室10的開口 12。然而，第一門21和料盒保持件30處于如圖6所示的同一狀態(tài)，并且在壓縮彈簧73、74被收縮時，將第一門21連接至第二門11的料盒保持件30被收縮(如圖6所示)。這樣，隨著料盒C被轉(zhuǎn)移到處理室20內(nèi)并且外室10和處理室20被關(guān)閉，源氣和吹凈氣被交替地供入到處理室內(nèi)，以針對基片實現(xiàn)原子層沉積。因而，在該實施例中，料盒(或基片)的轉(zhuǎn)移以及外室和處理室的關(guān)閉在同時完成。明顯地，該實施例的上述說明僅僅出于示意性的目的提供，并且在不脫離本發(fā)明的前提下可以實現(xiàn)各種不同的改型和改變。例如，第一門和第二門之間的距離可以小于處理室的開口與外室的開口之間的距離。在這種情況中，第二門通過驅(qū)動源的主要驅(qū)動被移動以關(guān)閉外室的開口，并且第一門然后通過驅(qū)動源的輔助驅(qū)動被移動以關(guān)閉處理室。在另一實施例中，薄膜沉積系統(tǒng)可以取消外室。在這種情況中，用于打開或關(guān)閉外室的第二門以及用于將第二門連接至第一門的連接構(gòu)件也被取消，并且移動單元可以直接連接至第一門。在該實施例中，料盒保持件連接至第一門的內(nèi)壁。因而，在第一門關(guān)閉處理室時，料盒可以被轉(zhuǎn)移到處理室內(nèi)。因而，在該實施例中，料盒(或基片)的轉(zhuǎn)移與處理室的關(guān)閉也是同時完成的。接著，參見圖7和8，將詳細(xì)說明根據(jù)該實施例的處理室20。在處理室20內(nèi)，多個料盒C以串聯(lián)(in-line)布置的方式被轉(zhuǎn)移，從而允許同時處理多個基片，其中每個料盒C接收以直立的姿態(tài)(沿豎直方向地或者相對于豎直方向以特定的角度傾斜地)布置的基片S。換句話說，多排基片在處理室內(nèi)以串聯(lián)布置結(jié)構(gòu)的方式安置。此外，各排的基片之間的相應(yīng)的空間提供了氣流通道。具體地，在該實施例中，在料盒C在處理室20內(nèi)安置時，料盒C安置成每個料盒與處理室的側(cè)壁之間的距離或者在每個料盒C內(nèi)所接收的相應(yīng)的基片之間的距離為層流之間的距離。正如在此所用，術(shù)語“層流”指的是供入到窄空間內(nèi)并沿特定的方向沒有彌散且顯著不擴(kuò)散地移動的氣體的流。此外，正如在此所用，術(shù)語“層流之間的距離”指的是兩股氣體的層流之間的距離。在該實施例中，層流之間的距離可以是0. 2至10mm。如果層流之間的距離小于0. 2mm，則系統(tǒng)不僅很難進(jìn)行處理和生產(chǎn)，而且很難控制氣體供應(yīng)。如果層流之間的距離超過10mm，則氣體的層流不被維持，造成了氣體的自由彌散。根據(jù)該實施例，不僅每個料盒C內(nèi)的各基片S之間的空間還有每個料盒C與室的每個壁之間的空間以及料盒C或基片S的前端與直供氣凹槽之間的空間根據(jù)層流之間的距離被設(shè)定。在處理室20的一個側(cè)壁觀上形成氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42，以在氣體通過供氣端口27被供應(yīng)時沿側(cè)壁將氣體傳輸至側(cè)壁的前端。氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42包括在處理室的一個側(cè)壁觀的外表面上以臺階的方式形成的凹部41 ；以及關(guān)閉該凹部41的蓋43。當(dāng)然，盡管凹部41由蓋43覆蓋，但是蓋43與凹部41的底表面隔開，以限定使得氣體在凹部41與蓋43之間流動的空間。氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42可以在處理室20的任何側(cè)壁上、例如在上側(cè)壁23、下側(cè)壁對、右側(cè)壁28或左側(cè)壁四上形成。氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42被形成為具有從側(cè)壁觀上的供氣端口 27朝向側(cè)壁的前端逐漸增加的橫截面面積。這種結(jié)構(gòu)允許氣體經(jīng)過氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42到達(dá)處理室20的前側(cè)之前實現(xiàn)氣體的均勻分布。此外，在經(jīng)過氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42時，經(jīng)由供氣端口 27供應(yīng)的氣體維持實現(xiàn)層流狀態(tài)。因而，氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42與蓋43之間的距離設(shè)定成維持層流狀的氣流。接著，將說明該實施例的處理室的操作。首先，在氣體從供氣單元被供應(yīng)至在處理室20的一個側(cè)壁上形成的供氣端口 27時，氣體沿氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42流至處理室的前側(cè)(即側(cè)壁的前端)，同時氣體通過氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42被均勻地擴(kuò)散。然后，沿氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段42被足夠擴(kuò)散的氣體作為層流狀的氣流沿在處理室20的前側(cè)上形成的直供氣凹槽朝向相反的側(cè)壁移動。在到達(dá)基片的前側(cè)、即直供氣凹槽之后，氣體在每個基片上形成薄膜，同時作為層流而移動經(jīng)過各排的基片之間的空間。因此，相應(yīng)的排的基片之間的空間構(gòu)成流道，該流道維持層流之間的間距，從而允許氣體像層流那樣在處理室內(nèi)移動。此外，在處理室內(nèi)，多個料盒Cl至C4彼此相鄰地以串聯(lián)布置的結(jié)構(gòu)安置，并且在相鄰的料盒內(nèi)接收的基片Sl至S4也彼此相鄰地布置，從而氣體均勻地流到多個料盒內(nèi)，同時維持層流。在該實施例中，并非是在定制第一反應(yīng)氣的供應(yīng)之后就實現(xiàn)自處理室泵送或吹凈第一反應(yīng)氣的操作，吹凈氣在第一反應(yīng)氣進(jìn)入處理室之后立刻被供應(yīng)，從而第一反應(yīng)氣和吹凈氣在單個真空室內(nèi)共存，同時虛擬地劃分了真空室的內(nèi)部空間。在該實施例中，第一反應(yīng)氣空間指的是處理室的充滿第一反應(yīng)氣的想象的空間，并且第一吹凈氣空間指的是處理室的充滿吹凈氣且與第一反應(yīng)氣空間連續(xù)的想象的空間。此外，第二反應(yīng)氣空間指的是處理室的充滿第二反應(yīng)氣的想象的空間，并且第二吹凈氣空間指的是處理室的充滿吹凈氣且與第二反應(yīng)氣空間連續(xù)的想象的空間。根據(jù)該實施例，第一反應(yīng)氣空間、第一吹凈氣空間、第二反應(yīng)氣空間和第二吹凈氣空間同時沿預(yù)定的方向以特定的速度移動，而并不是維持在特定的位置。具體地，此后將說明形成各氣空間的過程。首先，在第一反應(yīng)氣被供至處理室時，充滿第一反應(yīng)氣的想象的第一反應(yīng)氣空間在真空期內(nèi)創(chuàng)建，并且在處理室內(nèi)從一個場所移動至另一個場所。然而，在停止第一反應(yīng)氣的供應(yīng)之后供應(yīng)吹凈氣時，與第一反應(yīng)氣空間連續(xù)的第一吹凈氣空間在真空室內(nèi)被創(chuàng)建，并且在沿第一反應(yīng)氣的方向推動第一反應(yīng)氣時跟隨在第一反應(yīng)氣空間之后。在此，第一反應(yīng)氣空間與第一吹凈氣空間之間的界面并沒有明顯地形成，在界面處可以出現(xiàn)第一反應(yīng)氣與吹凈氣之間的混合部分。此外，第一反應(yīng)氣的濃度朝向第一反應(yīng)氣空間的中心逐步增加，并且吹凈氣的濃度朝向第一吹凈氣空間的中心逐步增加。如上所述，根據(jù)該實施例，為了實現(xiàn)第一反應(yīng)氣從處理室的完全吹凈，形成第一吹凈氣空間的吹凈氣以比第一反應(yīng)氣大得多的量被供應(yīng)，從而第一反應(yīng)氣由于第一吹凈氣的移動而沿相對于直供氣凹槽相反的方向移動。然后，第二反應(yīng)氣空間通過供應(yīng)第二反應(yīng)氣而與第一吹凈氣空間連續(xù)地被形成。此外，第二吹凈氣空間通過供應(yīng)大量的吹凈氣而與第二反應(yīng)氣空間連續(xù)地被形成，從而第二反應(yīng)氣能夠通過第二吹凈氣空間的移動而被完全地排出。這樣，根據(jù)該實施例，在第一反應(yīng)氣空間、第一吹凈氣空間、第二反應(yīng)氣空間和第二吹凈氣空間依次在處理室內(nèi)移動時，實現(xiàn)原子層沉積。因而，根據(jù)該實施例，反應(yīng)氣供應(yīng)與吹凈像在單個處理室內(nèi)掃描基片的過程那樣連貫地完成，與反應(yīng)氣供應(yīng)和吹凈相對于處理室的總內(nèi)空間被間歇地實現(xiàn)的傳統(tǒng)的過程相比，因而顯著減少了處理室時間同時明顯增
加了產(chǎn)量。此外，上述過程能夠按照需要被反復(fù)實現(xiàn)多個循環(huán)。應(yīng)該理解的是，在各氣體供應(yīng)的過程中實現(xiàn)排氣操作。如上所述，根據(jù)該實施例，薄膜沉積系統(tǒng)包括處理室和料盒，其中所述料盒布置成在處理室內(nèi)形成層流狀的氣流，在反應(yīng)氣和吹凈氣隨后被供入到處理室內(nèi)時，所述處理室內(nèi)的氣流虛擬地被劃分成多個空間，從而在各虛擬地被劃分的空間以掃描的方式在處理室內(nèi)移動時，在處理室內(nèi)裝載的多個基片上實現(xiàn)原子層沉積，因而減小了處理時間。也就是說，根據(jù)該實施例的薄膜沉積系統(tǒng)允許連貫地實現(xiàn)原子層沉積，同時反應(yīng)氣和吹凈氣被依次地供入到單個處理室內(nèi)，而并不是針對處理室內(nèi)的每種反應(yīng)氣單獨實現(xiàn)泵送或吹凈操作。另外，在根據(jù)該實施例的沉積系統(tǒng)內(nèi)，各基片以多個排的方式布置，從而將氣體供至各基片之間的空間，因而實現(xiàn)均勻薄膜的沉積。此外，在根據(jù)該實施例的沉積系統(tǒng)中，用于打開或關(guān)閉處理室的門與料盒保持件一體形成，從而各料盒能夠在打開或關(guān)閉處理室的同時被裝載或卸載。盡管已經(jīng)說明了一些實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，這些實施例是示意性給出的，并且在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下可以實現(xiàn)各種不同的改型、添加、改變和更改。因此，本發(fā)明的范圍僅僅由權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.ー種薄膜沉積系統(tǒng)，包括料盒，其裝載多個基片，以使得各基片之間彼此隔開恒定的距離，并且相應(yīng)的基片之間的距離為層流之間的距離；處理室，其中所述處理室接收所述料盒，以使得所述料盒與所述處理室的內(nèi)壁之間的距離為層流之間的距離，并且，在所述處理室內(nèi)，所述各基片經(jīng)受原子層沉積；供氣單元，其中所述供氣単元安置在所述處理室的一個側(cè)壁上并且將氣體沿與所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒內(nèi)安置的所有基片，從而所述氣體以層流狀被提供至各基片的前端、各基片之間的空間、以及基片與處理室的壁之間的空間；以及排氣單元，其中所述排氣単元在所述處理室內(nèi)安置在與供氣單元相反的側(cè)部上，并且所述排氣単元通過在所述各基片的后側(cè)抽吸氣體而將氣體從所述處理室排出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在干，所述供氣単元包括在所述處理室的其上安置有所述供氣単元的側(cè)壁上形成的直供氣凹槽，并且允許氣體通過所述直供氣凹槽以層流的方式從所述側(cè)壁的一側(cè)流至包括其另ー側(cè)的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在干，所述供氣単元包括氣體擴(kuò)散供氣區(qū)段，其中所述氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段在所述處理室的與所述其上安置有所述供氣単元的側(cè)壁相鄰的側(cè)壁上形成，并且通過使得氣體在側(cè)壁的ー側(cè)的入口處均勻擴(kuò)散而將氣體供應(yīng)至所述直供氣凹槽；以及供氣端ロ，其設(shè)置于所述氣體擴(kuò)散供應(yīng)區(qū)段的ー個端部，并且通過所述供氣端ロ將所述氣體供應(yīng)至所述氣體擴(kuò)散區(qū)段。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，層流之間的距離是0.5至10mm。
5.ー種薄膜沉積系統(tǒng)，包括 外室，在其ー側(cè)上具有開ロ ；處理室，其在所述外室內(nèi)安置，并且在所述處理室的ー側(cè)上具有開ロ ； 第一門，該第一門打開或關(guān)閉所述處理室的開ロ ；料盒保持件，其連接至所述第一門的內(nèi)壁，并且在所述料盒保持件上裝載至少ー個料盒；第二門，該第二門打開或關(guān)閉所述外室的開ロ ； 連接構(gòu)件，其將所述第一門連接至所述第二門；以及移動單元，其使得所述第一門和所述料盒保持件與所述第二門一起水平地往復(fù)運(yùn)動。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在干，所述連接構(gòu)件包括弾性壓縮構(gòu)件，其朝向所述處理室彈性壓縮所述第一門。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在干，所述第一門與所述第二門之間的距離大于所述處理室的開ロ與所述外室的開ロ之間的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在干，所述系統(tǒng)還包括位于所述外室內(nèi)的加熱器，以加熱所述處理室。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在干，兩個或多個處理室在所述外室內(nèi)沿豎直的方向或沿水平的方向安置。
10.ー種薄膜沉積方法，包括1)將裝載有多個基片的料盒安置在處理室內(nèi)，以使得各基片之間的距離和所述料盒與所述處理室之間的距離為隨后將從所述處理室排出的氣體的層流之間的距離；2)將第一反應(yīng)氣供入所述處理室內(nèi)，從而由所述第一處理氣所占據(jù)的第一處理氣空間在所述處理室內(nèi)依次從ー個場所移動至另一個場所；3)將吹凈氣供入所述處理室內(nèi)同時阻擋所述第一反應(yīng)氣，以使得第一吹凈氣空間與所述第一反應(yīng)氣空間連續(xù)地被形成，并且所述第一吹凈氣空間沿與所述第一反應(yīng)氣空間相同的方向移動；4)將第二反應(yīng)氣供入所述處理室內(nèi)同時阻擋所述吹凈氣，以使得第二反應(yīng)氣空間與所述第一吹凈氣空間連續(xù)地被形成，并且所述第二反應(yīng)氣空間沿與所述第一吹凈氣空間相同的方向移動；并且5)將吹凈氣供入所述處理室內(nèi)同時阻擋所述第二反應(yīng)氣，以使得第二吹凈氣空間與所述第二反應(yīng)氣空間連續(xù)地被形成，并且所述第二吹凈氣空間沿與所述第二反應(yīng)氣空間相同的方向移動，其中，在所述操作1)至5)的過程中，沿與供應(yīng)所述反應(yīng)氣和吹凈氣的方向相反的方向沒有停止地進(jìn)行排氣操作，這是通過從所述處理室抽吸并排出所述氣體實現(xiàn)的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在干，完成所述操作1)至5)的循環(huán)被反復(fù)地實現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜沉積系統(tǒng)，包括處理室，其構(gòu)造成在反應(yīng)氣和吹凈氣連貫供入處理室內(nèi)時提供層流狀氣流并且虛擬劃分成多個空間，在虛擬劃分的空間在處理室內(nèi)移動時，針對多個基片實現(xiàn)原子層沉積，減少處理時間。薄膜沉積系統(tǒng)還包括料盒，其內(nèi)裝載多個基片，以使得基片之間隔開恒定的距離，且基片之間的距離為層流之間的距離；接收料盒的處理室，以使得料盒與處理室內(nèi)壁之間的距離為層流之間的距離，且在處理室內(nèi)基片經(jīng)受原子層沉積；供氣單元，其安置在處理室的一側(cè)壁上且將氣體沿與基片布置平行的方向供至料盒內(nèi)安置的基片，從而氣體層流狀提供至基片的前端、基片之間的空間、以及基片與處理室壁之間的空間；以及排氣單元，其在處理室內(nèi)安置在與供氣單元相反的側(cè)部上且通過在基片的后側(cè)抽吸氣體而將氣體從處理室排出。
文檔編號C23C16/455GK102560421SQ20111043437
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者崔圭政, 申雄澈, 白敏 申請人:Ncd有限公司