專利名稱：單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種濕法刻蝕裝置，尤其是一種單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕
直O(jiān)
背景技術(shù)：
單晶硅電池片的制作主要包括以下步驟制絨、擴散、刻蝕、鍍減反射膜、印刷電極、和電極燒結(jié)。其中，刻蝕是制備單晶硅太陽能電池片的重要工序，其目的是要去除在擴散工藝形成的電池片背面的磷硅玻璃，刻蝕質(zhì)量的好壞直接影響電池片的轉(zhuǎn)換效率。當前主要有兩種刻蝕方法，即干法刻蝕和濕法刻蝕；干法刻蝕是用等離子體等高速離子轟擊要去除的部分，其優(yōu)點是具有各項異性，其缺點是設(shè)備復(fù)雜、能耗高、刻蝕表面粗糙；濕法刻蝕是利用腐蝕液與需去除部分的化學反應(yīng)來進行刻蝕，其優(yōu)點是設(shè)備要求低、 刻蝕表面光滑平整，其缺點是不具有各項異性，通常在刻蝕是需要將不需要刻蝕的部分先保護起來，造成工藝復(fù)雜。濕法刻蝕近年來有許多改進，如專利號為CN201010187523. 3的專利采用的技術(shù)就不需要對非刻蝕面進行保護，較傳統(tǒng)的濕法刻蝕工藝有明顯的改進，可以省去掩膜工序； 然而，其方法不適合工業(yè)化生產(chǎn)，因為其方法是將腐蝕液附著于一種特制的墊子上，然后將待腐蝕的硅片至于該墊子上，保持電池片需刻蝕面與腐蝕液接觸來進行腐蝕，腐蝕的過程中會發(fā)生化學反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物也講附著于墊子上而不能及時排出，因此每一片硅片腐蝕時的腐蝕液成分都不相同，不能保證產(chǎn)品的一致性，另外在工業(yè)化生產(chǎn)時，墊子的制作成及處理成本也將十分巨大。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對目前單晶硅太陽能電池片濕刻法中刻蝕裝置所存在的刻蝕工藝中需要掩沒或墊子、工藝復(fù)雜的問題，提出一種單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置。本實用新型的技術(shù)方案是一種單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，它包括刻蝕槽和多個滾輪，刻蝕槽內(nèi)裝有刻蝕液，多個滾輪均安裝在刻蝕槽內(nèi)，浸沒在刻蝕液中。本實用新型的多個滾輪轉(zhuǎn)動所引起的腐蝕液面的液流方向與單晶硅太陽能電池片在該刻蝕裝置中的運動方向相同。。本實用新型的多個滾輪的直徑均為23-27mm，相鄰滾輪之間的軸心距為30-34 mm。本實用新型的多個滾輪的轉(zhuǎn)速均為20 35r / min。本實用新型的有益效果本實用新型使用時，不需要在刻蝕前對電池片正面進行掩膜保護，因此也不需要在刻蝕完成后去除掩膜層，同時也不存在前面背景技術(shù)里論述的專利CN201010187523. 3中存在的問題；電池片在腐蝕液中浸入的深度及刻蝕時間可以通過滾輪的轉(zhuǎn)速進行調(diào)節(jié)， 使用該裝置生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池片的工業(yè)化平均轉(zhuǎn)換效率達到18. 5%以上。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、刻蝕槽，2、腐蝕液，3、滾輪，4腐蝕液面，5單晶硅太陽能電池片。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。如圖1所示，一種單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，它包括刻蝕槽1和多個滾輪 3，刻蝕槽1內(nèi)裝有刻蝕液2，多個滾輪3均安裝在刻蝕槽1內(nèi)，浸沒在刻蝕液2中。本實用新型的多個滾輪3轉(zhuǎn)動所引起的腐蝕液面的液流方向與單晶硅太陽能電池片5在該刻蝕裝置中的運動方向相同；多個滾輪3的直徑均為23-27mm，相鄰滾輪3之間的軸心距為30-34 mm。。本實用新型的多個滾輪3的轉(zhuǎn)速均為20 35r / min ；電池片在腐蝕液中浸入的深度及刻蝕時間可以通過滾輪的轉(zhuǎn)速進行調(diào)節(jié)。具體實施時是腐蝕槽1和滾輪3是用特殊材料制成，能耐強酸腐蝕；腐蝕液2為氫氟酸、硝酸和硫酸按特殊配比配成的混合液，它具有本裝置要求的密度和黏度。本裝置的工作過程如下， 首先、電池片在傳輸結(jié)構(gòu)作用下進入刻蝕槽1 ’滾輪3在外置電機的作用下轉(zhuǎn)動，由于腐蝕液2具有一定的黏度，根據(jù)流體力學原理，它會在滾輪3的作用下產(chǎn)生一定的速度；具有一定速度的腐蝕液2會給電池片一個作用力，并與腐蝕液2對電池片的浮力一起使電池片漂浮在腐蝕液表面并產(chǎn)生一個水平方向的速度，電池片以這個水平速度通過刻蝕槽1。本實用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，其特征是它包括刻蝕槽(1)和多個滾輪 (3),刻蝕槽(1)內(nèi)裝有刻蝕液(2)，多個滾輪(3)均安裝在刻蝕槽(1)內(nèi)，浸沒在刻蝕液(2) 中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，其特征是所述的多個滾輪(3)轉(zhuǎn)動所引起的腐蝕液面的液流方向與單晶硅太陽能電池片(5)在該刻蝕裝置中的運動方向相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，其特征是所述的多個滾輪(3)的直徑均為23-27mm，相鄰滾輪(3)之間的軸心距為30-34 mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，其特征是所述的多個滾輪(3)的轉(zhuǎn)速均為20 !35r / min。
專利摘要一種單晶硅太陽能電池片濕法刻蝕裝置，它包括刻蝕槽(1)和多個滾輪(3)，刻蝕槽(1)內(nèi)裝有刻蝕液(2)，多個滾輪(3)均安裝在刻蝕槽(1)內(nèi)，浸沒在刻蝕液(2)中。本實用新型使用時，不需要在刻蝕前對電池片正面進行掩膜保護，電池片在腐蝕液中浸入的深度及刻蝕時間可以通過滾輪的轉(zhuǎn)速進行調(diào)節(jié)，使用該裝置生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池片的工業(yè)化平均轉(zhuǎn)換效率達到18.5%以上。
文檔編號C23F1/24GK201962364SQ20112002508
公開日2011年9月7日 申請日期2011年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月25日
發(fā)明者全余生, 程鵬飛, 龔雙龍 申請人:東方電氣集團(宜興)邁吉太陽能科技有限公司