專利名稱：用于硅片鍍膜的承載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中使用的一種輔助工具，具體涉及一種用于硅片鍍膜的承載裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)如今合理開(kāi)發(fā)利用可再生清潔能源是解決化石能源短缺、環(huán)境污染和溫室效應(yīng)等問(wèn)題的有效途徑。太陽(yáng)能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源，也是清潔能源，不產(chǎn)生任何環(huán)境污染，是理想的替代能源之一。在開(kāi)發(fā)和利用太陽(yáng)能過(guò)程中，太陽(yáng)能光電利用是近幾年來(lái)發(fā)展最快，最具活力的研究領(lǐng)域，也是最具可持續(xù)發(fā)展理想特征的可再生能源發(fā)電技術(shù)，受到全球、全社會(huì)的普遍高度重視。人們?cè)谟行Ю锰?yáng)能光電過(guò)程中，研制了太陽(yáng)能電池。目前，晶體硅太陽(yáng)能電池是市場(chǎng)上太陽(yáng)能電池中的主流產(chǎn)品，其制造流程為表面清洗及織構(gòu)化、擴(kuò)散、清洗刻蝕去邊、鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)形成歐姆接觸、測(cè)試。其中，鍍膜工序是指在制備太陽(yáng)能電池過(guò)程中鍍減反射膜即制備氮化硅薄膜，主要采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀(PECVD)的方法，如日本島津PECVD機(jī)器；這種機(jī)器承載硅片工裝需要石墨碳板，其上設(shè)有一排或多排放硅片的承載位，承載位四周設(shè)有定位孔，在定位孔內(nèi)插入定位銷，然后將硅片放到承載位上，這樣避免了硅片隨石墨碳板在腔內(nèi)運(yùn)行時(shí)發(fā)生移位，產(chǎn)生硅片重疊，因此，硅片鍍膜時(shí)，避免了硅片因移位而發(fā)生鍍膜異?，F(xiàn)象，產(chǎn)生色差。然而，在生產(chǎn)使用中，定位銷容易斷裂，一般斷了定位銷很難拔出，需要在原來(lái)定位銷旁邊重新打定位孔，重新插入定位銷。另外，由于石墨碳板需要定期清洗，清洗前需要人工將定位銷全部撥出，而定位銷在插撥過(guò)程中易發(fā)生斷裂，這造成了定位銷需經(jīng)常更換。 以上不利因素，不僅增加了制造成本，而且操作麻煩，工作效率較低。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供一種用于硅片鍍膜的承載裝置。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種用于硅片鍍膜的承載裝置， 包括石墨碳板，石墨碳板上設(shè)有至少1個(gè)承載位，所述承載位向內(nèi)凹陷形成外承載槽，外承載槽內(nèi)設(shè)有內(nèi)承載槽，內(nèi)承載槽的大小與硅片配合。上述技術(shù)方案中，所述外承載槽的深度為0. 5^1. 2 mm,內(nèi)承載槽的深度為1. (Γ2. 0 mm,內(nèi)承載槽的內(nèi)壁與外承載槽內(nèi)壁的間距為0. 5^1. 5 mm。上文中，所述石墨碳板上一般設(shè)有一排或多排用于放置硅片的承載位，本實(shí)用新型是在各個(gè)承載位均設(shè)置內(nèi)、外承載槽。內(nèi)承載槽的大小與硅片配合，以便將硅片順利的放入內(nèi)承載槽，并能順利取出。所述內(nèi)承載槽一般是呈正方形，也可以在內(nèi)承載槽的四角設(shè)置倒角，與硅片的外形配合。優(yōu)選的技術(shù)方案，所述外承載槽的深度為0. 5 mm,內(nèi)承載槽的深度為1. 0 mm。[0011]上述技術(shù)方案中，所述內(nèi)承載槽和外承載槽為同心結(jié)構(gòu)。即內(nèi)承載槽所在的正方形和外承載槽所在的正方形為同心結(jié)構(gòu)，內(nèi)、外承載槽的邊緣構(gòu)成階梯形結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述內(nèi)承載槽的至少一條底邊設(shè)有凹槽。也可以在內(nèi)承載槽的四條底邊都設(shè)置弧形凹槽，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)承載槽的底部透氣，以方便硅片的取放，降低碎片率。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點(diǎn)是1、本實(shí)用新型在石墨碳板的各個(gè)承載位設(shè)置了與硅片配合的內(nèi)承載槽，因而硅片可以放置于內(nèi)承載槽內(nèi)，而無(wú)需使用定位孔和定位銷的配合結(jié)構(gòu)，不僅減少了定位銷這部分的成本，而且大大方便了操作，提高了工作效率。2、本實(shí)用新型的承載位設(shè)成內(nèi)、外2個(gè)承載槽結(jié)構(gòu)，因而可以將承載槽的深度進(jìn)一步加大，避免了硅片隨石墨碳板在腔體里運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生疊片，同時(shí)外承載槽的設(shè)計(jì)也可避免硅片鍍膜時(shí)邊緣發(fā)紅，避免工藝點(diǎn)的產(chǎn)生，太陽(yáng)能電池片外觀得到了改善，同時(shí)能提升太陽(yáng)能電池的電性能，特別是并聯(lián)電阻，是原來(lái)的2. 5倍左右，從而電池片的轉(zhuǎn)換效率也得到了明顯地提高。3、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制備，適于推廣應(yīng)用。
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的A-A剖視圖；圖3是圖2的B部放大圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二中石墨碳板的局部剖視圖。其中1、石墨碳板；2、外承載槽；3、內(nèi)承載槽；4、凹槽。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例一參見(jiàn)圖廣3所示，一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板1，石墨碳板上設(shè)有多個(gè)承載位，所述承載位向內(nèi)凹陷形成外承載槽2，外承載槽內(nèi)設(shè)有內(nèi)承載槽3，內(nèi)承載槽的大小與硅片配合；所述外承載槽的深度為0. 5 mm,內(nèi)承載槽的深度為1. 0 mm,內(nèi)承載槽的內(nèi)壁與外承載槽內(nèi)壁的間距為1.0 mm。所述內(nèi)承載槽和外承載槽為同心結(jié)構(gòu)。上文中，所述石墨碳板上一般設(shè)有多排用于放置硅片的承載位，本實(shí)用新型是在各個(gè)承載位均設(shè)置內(nèi)、外承載槽。內(nèi)承載槽的大小與硅片配合，以便將硅片順利的放入內(nèi)承載槽，并能順利取出。實(shí)施例二參見(jiàn)圖4所示，一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板，石墨碳板上設(shè)有多個(gè)承載位，所述承載位向內(nèi)凹陷形成外承載槽，外承載槽內(nèi)設(shè)有內(nèi)承載槽，內(nèi)承載槽的大小與硅片配合；所述外承載槽的深度為0. 5 1. 2 mm,內(nèi)承載槽的深度為1. 0 2. 0 mm,內(nèi)承載槽的內(nèi)壁與外承載槽內(nèi)壁的間距為0.5 1.5 mm。所述內(nèi)承載槽一般是呈正方形，也可以在內(nèi)承載槽的四角設(shè)置倒角，與硅片的外形配合。所述內(nèi)承載槽和外承載槽為同心結(jié)構(gòu)。即內(nèi)承載槽所在的正方形和外承載槽所在的正方形為同心結(jié)構(gòu)，內(nèi)、外承載槽的邊緣構(gòu)成階梯形結(jié)構(gòu)。所述內(nèi)承載槽的四條底邊都設(shè)置弧形凹槽4，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)承載槽的底部透氣，以方便硅片的取放，降低碎片率。
權(quán)利要求1.一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板(1)，石墨碳板上設(shè)有至少1個(gè)承載位，其特征在于所述承載位向內(nèi)凹陷形成外承載槽O)，外承載槽內(nèi)設(shè)有內(nèi)承載槽(3)，內(nèi)承載槽的大小與硅片配合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片鍍膜的承載裝置，其特征在于所述外承載槽的深度為0. 5^1. 2 mm,內(nèi)承載槽的深度為1. (Γ2. 0 mm,內(nèi)承載槽的內(nèi)壁與外承載槽內(nèi)壁的間距為 0. 5 L 5 mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于硅片鍍膜的承載裝置，其特征在于所述外承載槽的深度為0. 5 mm,內(nèi)承載槽的深度為1. 0 mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片鍍膜的承載裝置，其特征在于所述內(nèi)承載槽和外承載槽為同心結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片鍍膜的承載裝置，其特征在于所述內(nèi)承載槽的至少一條底邊設(shè)有凹槽(4)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板，石墨碳板上設(shè)有至少1個(gè)承載位，所述承載位向內(nèi)凹陷形成外承載槽，外承載槽內(nèi)設(shè)有內(nèi)承載槽，內(nèi)承載槽的大小與硅片配合；所述外承載槽的深度為0.5~1.2mm，內(nèi)承載槽的深度為1.0~2.0mm，內(nèi)承載槽的內(nèi)壁與外承載槽內(nèi)壁的間距為0.5~1.5mm。本實(shí)用新型用于硅片鍍膜工藝，無(wú)需使用定位銷，不僅減少了定位銷這部分的成本，而且大大方便了操作，提高了工作效率。
文檔編號(hào)C23C16/458GK201990727SQ201120044309
公開(kāi)日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2011年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者周秋芳, 孟祥熙, 張春華, 李文, 王虎, 章靈軍, 費(fèi)倍輩, 辛國(guó)軍 申請(qǐng)人:蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司, 阿特斯(中國(guó))投資有限公司