專利名稱：一種太陽能硅片邊緣的不對稱倒角的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及太陽能硅片加工中的中間產(chǎn)品，具體涉及一種太陽能硅片邊緣的不對稱倒角。
背景技術(shù)：
在磨削加工領(lǐng)域，將工件邊緣棱角去除的工藝稱作倒角，經(jīng)過倒角的工件邊緣形狀也稱為倒角。從倒角剖面看，倒角形狀有圓弧狀、斜線狀等。對于薄片狀工件，當(dāng)邊緣兩側(cè)均有倒角，并且倒角形狀相同時，構(gòu)成一種對稱倒角，邊緣兩側(cè)的倒角相對于位于薄片狀工件一半厚度處且平行于薄片狀工件表面的平面對稱。將經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割成太陽能硅片，太陽能硅片邊緣表面比較粗糙，存在棱角、毛刺、崩邊等缺陷，甚至還會出現(xiàn)裂縫以及其他缺陷，導(dǎo)致單太陽能硅片邊緣機械強度降低，還有顆粒沾污。這就需要將太陽能硅片邊緣倒角以消除所述缺陷。見圖1所示， 倒角就是磨削太陽能硅片1邊緣，獲得弧形倒角2，或者梯形倒角3，見圖2所示，在太陽能硅片加工領(lǐng)域分別稱為R型倒角、T型倒角，都屬于對稱倒角，是單太陽能硅片普遍采用的兩種類型倒角。倒角的頂點到倒角末端的垂直距離h = T/2，T為單太陽能硅片厚度。作為制作太陽能硅片的襯底片，要求單太陽能硅片在經(jīng)過擴散后將一側(cè)的擴散層去除，目前使用的具有R型倒角或者T型倒角的太陽能硅片在經(jīng)過所述去除加工后，此時的太陽能硅片邊緣兩側(cè)倒角相對于位于此時的太陽能硅片一半厚度處的太陽能硅片表面不對稱，構(gòu)成不對稱倒角，見圖3、圖4所示，這種不對稱倒角造成太陽能硅片邊緣的內(nèi)應(yīng)力大，容易導(dǎo)致崩邊、暗紋碎片，碎片率上升，成本增加。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種太陽能硅片邊緣不對稱倒角的技術(shù)方案，用于解決太陽能硅片在后續(xù)擴散層去除加工后出現(xiàn)的崩邊和暗紋碎片等問題，同時可還降低碎片率，降低生產(chǎn)成本。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是提供了一種太陽能硅片邊緣的不對稱倒角，所述太陽能硅片是由硅單晶棒切割而成的中間品，呈片狀，所述中間品的太陽能硅片包括去除層保留層，其特征在于，所述太陽能硅片邊緣的倒角為不對稱倒角，所述不對稱倒角包括連接為一體的去除層邊緣倒角和保留層邊緣倒角，其中保留層邊緣的倒角為對稱倒角，去除層邊緣的倒角為保留層邊緣倒角的一側(cè)邊的延伸。作為優(yōu)選的技術(shù)方案是，所述去除層邊緣的倒角的一端與去除層太陽能硅片的表面相交，另一端與太陽能硅片保留層邊緣的倒角的一端相連，太陽能硅片保留層邊緣的倒角的另一端與太陽能硅片保留層的一表面相交。作為優(yōu)選的技術(shù)方案還包括，所述太陽能硅片的厚度為535士 10 μ m，所述太陽能硅片邊緣倒角的頂點到過保留層的倒角末端的垂直距離為130士 100 μ m范圍內(nèi)，所述太陽能硅片邊緣的倒角的頂點到去除層邊緣的倒角末端的垂直距離為500士 100 μ m范圍內(nèi)，所述太陽能硅片邊緣的倒角的延長線與太陽能硅片表面間的夾角為30士2°范圍內(nèi)。本實用新型的優(yōu)點和有益效果在于該邊緣具有不對稱倒角的太陽能硅片在經(jīng)過擴散工藝后，需要去除的一側(cè)擴散層就是去除層4，去除該去除層4后的太陽能硅片只有保留層5，這時的太陽能硅片邊緣倒角就只有保留層倒角7，而保留層倒角7相對于位于保留層5 —半厚度處且平行于太陽能硅片表面的平面對稱，所以保留層倒角7是一種對稱倒角， 見圖6所示，因而因應(yīng)力的原因?qū)е碌谋肋?、暗紋碎片現(xiàn)象減少，提高了成品率，降低了成本。在實際生產(chǎn)加工過程中，由于邊緣應(yīng)力造成的碎片率降低至0.3%，在后續(xù)的芯片制造過程中碎片率降低至0. 75%。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中太陽能硅片邊緣倒角中的R型對稱倒角示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中太陽能硅片邊緣倒角中的T型對稱倒角示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)中太陽能硅片去除一側(cè)擴散層的后邊緣R型對稱倒角變?yōu)椴粚ΨQ倒角示意圖；圖4是現(xiàn)有技術(shù)中太陽能硅片去除一側(cè)擴散層之后邊緣T型對稱倒角變?yōu)椴粚ΨQ倒角示意圖；圖5是本實用新型太陽能硅片邊緣倒角為不對稱倒角示意圖；圖6是本實用新型太陽能硅片去除層被去除后，邊緣倒角為對稱倒角示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。本實用新型是這樣具體實現(xiàn)的，所涉及的單太陽能硅片是一種在太陽能硅片制造過程中的中間產(chǎn)品，是用于制作芯片的襯底片中的擴散拋光片(DW)，由經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割而成，呈因片狀，厚度為535+10 μ m,被劃分為兩層，見圖5所示，即去除層4和保留層5，太陽能硅片邊緣倒角為不對稱倒角，即太陽能硅片邊緣倒角相對于位于太陽能硅片一半厚度處且平行于單太陽能硅片表面的平面不對稱，并且，與單太陽能硅片被劃分為去除層4和保留層5相對應(yīng)，太陽能硅片邊緣倒角也劃分為兩部分，即去除層倒角6和保留層倒角7，保留層倒角7為對稱倒角，即保留層倒角7相對于位于保留層5 —半厚度處且平行于單太陽能硅片表面的平面對稱。去除層倒角6—端與單太陽能硅片表面相交，另一端與保留層倒角7的一端相連，保留層倒角7的另一端與單太陽能硅片的另一表面相交。單太陽能硅片邊緣倒角的頂點到過保留層倒角7末端且垂直于單太陽能硅片表面的直線的距離Ill 在130 士 IOOym范圍內(nèi)，太陽能硅片邊緣倒角的頂點到去除層倒角6與太陽能硅片表面的交點、且垂直于單太陽能硅片表面的直線的距離Ii2在500士 100 μ m范圍內(nèi)，太陽能硅片邊緣倒角的延長線與單太陽能硅片表面的夾角θ在30士2°范圍內(nèi)。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種太陽能硅片邊緣的不對稱倒角，所述太陽能硅片是由硅單晶棒切割而成的中間品，呈片狀，所述中間品的太陽能硅片包括去除層保留層，其特征在于，所述太陽能硅片邊緣的倒角為不對稱倒角，所述不對稱倒角包括連接為一體的去除層邊緣倒角和保留層邊緣倒角，其中保留層邊緣的倒角為對稱倒角，去除層邊緣的倒角為保留層邊緣倒角的一側(cè)邊的延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片邊緣的不對稱倒角，其特征在于，所述去除層邊緣的倒角的一端與去除層太陽能硅片的表面相交，另一端與太陽能硅片保留層邊緣的倒角的一端相連，太陽能硅片保留層邊緣的倒角的另一端與太陽能硅片保留層的一表面相交。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片邊緣的不對稱倒角，其特征在于，所述太陽能硅片的厚度為535士 10 μ m，所述太陽能硅片邊緣倒角的頂點到過保留層的倒角末端的垂直距離為130士 100 μ m范圍內(nèi)，所述太陽能硅片邊緣的倒角的頂點到去除層邊緣的倒角末端的垂直距離為500士 100 μ m范圍內(nèi)，所述太陽能硅片邊緣的倒角的延長線與太陽能硅片表面間的夾角為30士2°范圍內(nèi)。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能硅片邊緣的不對稱倒角，硅片是由硅單晶棒切割而成的中間品，呈片狀，中間品的硅片包括去除層保留層，該硅片邊緣的倒角為不對稱倒角，不對稱倒角包括連接為一體的去除層邊緣倒角和保留層邊緣倒角，其中保留層邊緣的倒角為對稱倒角，去除層邊緣的倒角為保留層邊緣倒角的一側(cè)邊的延伸。該邊緣具有不對稱倒角的硅片在經(jīng)過擴散工藝后，需要去除的一側(cè)擴散層就是去除層，去除該去除層后的硅片只有保留層，這時硅片邊緣倒角就只有保留層倒角，而保留層倒角相對于位于保留層一半厚度處且平行于硅片表面的平面對稱，所以保留層倒角是一種對稱倒角。因而因應(yīng)力的原因?qū)е碌谋肋?、暗紋碎片現(xiàn)象減少，提高了成品率，降低了成本。
文檔編號B24B9/06GK202185799SQ20112026216
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者李向清, 沈彪, 胡德良 申請人:江陰市愛多光伏科技有限公司