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      化學(xué)氣相沉積法涂層裝置的制作方法

      文檔序號(hào):3383535閱讀:290來源:國知局
      專利名稱:化學(xué)氣相沉積法涂層裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明創(chuàng)造涉及一種給模具或刀片涂層的裝置,具體地涉及一種采用化學(xué)氣相沉積法對(duì)模具或刀片或金屬零件的表面均勻涂層的裝置。
      背景技術(shù)
      在機(jī)加工企業(yè),大量使用鋼質(zhì)模具,硬質(zhì)合金模具,硬質(zhì)合金刀片及金屬零部件, 現(xiàn)有產(chǎn)品,大都是直接采用鋼材或合金加工后,即使用,由于表面無涂層,其耐磨損性能差, 使用壽命短,給企業(yè)造成生產(chǎn)成本提高,也有對(duì)鋼質(zhì)模具,硬質(zhì)合金模具,硬質(zhì)合金刀片及金屬零部件等表面進(jìn)行涂層的,但大都采用物理法,涂層不均勻,附著力低,因此同樣影響使用壽命。
      發(fā)明內(nèi)容為了解決以上問題,本發(fā)明創(chuàng)造提供一種采用化學(xué)氣相沉積原理的涂層裝置,采用本發(fā)明創(chuàng)造的涂層裝置,基體涂層均勻度高,涂層具有較高的附著力,提高了產(chǎn)品的耐磨損性和耐缺損性。本發(fā)明創(chuàng)造采用的技術(shù)方案是化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,包括反應(yīng)爐,反應(yīng)爐內(nèi)設(shè)有支撐筒,支撐筒上端設(shè)有排氣帽,支撐筒內(nèi)從上到下依次為沉積區(qū)、氣體分配區(qū)和預(yù)熱區(qū);沉積區(qū)內(nèi)設(shè)有若干托盤,托盤上設(shè)有若干通氣孔I ;氣體分配區(qū)內(nèi)支架I固定擋板, 擋板上端安裝至少三層隔板,支架II固定隔板,隔板上設(shè)有若干通氣孔II ;預(yù)熱區(qū)內(nèi)安裝若干層預(yù)熱板,進(jìn)氣管的出口端與氣體分配區(qū)相通,支撐筒在預(yù)熱區(qū)部位的下端設(shè)有尾氣入口,預(yù)熱區(qū)的下端設(shè)有尾氣出口。上述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置在氣體分配區(qū)內(nèi)不同層隔板上的通氣孔II的孔徑相同或不同。上述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置在氣體分配區(qū)內(nèi)從最下層隔板向最上層隔板,不同層隔板上的通氣孔II的孔徑依次增加。上述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置設(shè)有加熱爐,反應(yīng)爐置于加熱爐內(nèi)。上述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置加熱爐分成若干段加熱區(qū),每段加熱區(qū)由接線柱、加熱裝置和熱電偶組成。上述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置加熱爐內(nèi)從內(nèi)到外依次設(shè)有絕緣隔離層、保溫層I和保溫層II。本發(fā)明創(chuàng)造的有益效果是化學(xué)氣相沉積法(CVD)是將各種混合氣體充入高溫的反應(yīng)管內(nèi),以化學(xué)方式,使基體表面生成超硬顆粒物質(zhì)的技術(shù)工程。是從氣體狀態(tài),不經(jīng)過液體,直接過渡為固體狀態(tài)的生長方式,形成幾微米到十幾微米厚度的膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是①由于在氣體分配區(qū)采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu),使混合氣體在上升過程中,經(jīng)擋板和隔板的兩次分散,不僅降低了流速,而且使氣體以更加均勻分布的狀態(tài)進(jìn)入沉積區(qū),進(jìn)而對(duì)托盤內(nèi)的基體進(jìn)行均勻的涂層。②本發(fā)明創(chuàng)造采用化學(xué)氣相沉積法的原理,采用常壓熱CVD法,對(duì)基體表面進(jìn)行TiC,TiCN, TiN的CVD涂層。由氣態(tài)直接在基體表面涂層,涂層均勻度高,以基體為硬質(zhì)合金為例,附著力可達(dá)100N以上,提高了產(chǎn)品的耐磨性和耐腐蝕性,降低了高溫時(shí)化學(xué)粘著磨損,從而延長了產(chǎn)品的使用壽命,為企業(yè)節(jié)約了生產(chǎn)成本。③本發(fā)明創(chuàng)造適用于對(duì)硬質(zhì)合金刀片、拉絲模、噴嘴、模具、金屬成型模具和擠壓模具表面的涂層。即可以對(duì)基體表面涂單層,也可以根據(jù)需要涂多層。④反應(yīng)主要在沉積區(qū)進(jìn)行,反應(yīng)溫度經(jīng)常達(dá)到900 2000°C,由于本發(fā)明創(chuàng)造對(duì)加熱爐采用分段式加熱,可以根據(jù)不同區(qū)域的溫度,控制不同分段的溫度,使沉積區(qū)的溫度高,而對(duì)于氣體分配區(qū)和預(yù)熱區(qū)的溫度可以降低加熱爐相對(duì)應(yīng)分段的溫度,節(jié)約了能源。⑤充分利用尾氣的余熱,反應(yīng)后的尾氣經(jīng)反應(yīng)爐和支撐筒之間的尾氣通道和尾氣入口導(dǎo)入預(yù)熱區(qū),進(jìn)一步預(yù)熱混合氣體,充分利用了能源,進(jìn)一步節(jié)約了能源。

      圖1是本發(fā)明創(chuàng)造實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是托盤的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是隔板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明創(chuàng)造實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式
      實(shí)施例1如圖1 圖3所示,化學(xué)氣相沉積法涂層裝置包括反應(yīng)爐(1),反應(yīng)爐(1)內(nèi)設(shè)有支撐筒(3),支撐筒(3)上端設(shè)有排氣帽(2),反應(yīng)爐(1)和支撐筒(3)之間的空隙為尾氣通道,支撐筒(3)內(nèi)從上到下依次為沉積區(qū)(4)、氣體分配區(qū)(5)和預(yù)熱區(qū)(6);沉積區(qū)(4)內(nèi) 設(shè)有若干托盤(41),托盤(41)上設(shè)有若干通氣孔I (42);氣體分配區(qū)(5)內(nèi)支架I (54) 固定擋板(53),擋板(53)上端安裝至少三層隔板(51)(本實(shí)施例安裝四層隔板),支架II (52)固定隔板(51),隔板(51)上設(shè)有若干通氣孔II (55);預(yù)熱區(qū)(6)內(nèi)安裝若干層預(yù)熱板(63),進(jìn)氣管(61)的出口端與氣體分配區(qū)(5)相通,支撐筒(3)在預(yù)熱區(qū)部位的下端設(shè)有尾氣入口(62),預(yù)熱區(qū)(6)的下端設(shè)有尾氣出口(64)。在氣體分配區(qū)(5)內(nèi)從最下層隔板向最上層隔板,不同層隔板(51)上的通氣孔 II (55)的孔徑依次增加。即最下層隔板上的通氣孔的孔徑最小,向上依次增加,最上層隔板上的通氣孔的孔徑最大。實(shí)施例2如圖4所示,一種化學(xué)氣相沉積法涂層裝置在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上,還設(shè)有加熱爐 (7),反應(yīng)爐(1)置于加熱爐(7)內(nèi)。加熱爐(7)分成若干段加熱區(qū)(本實(shí)施例設(shè)置5段加熱區(qū)),每段加熱區(qū)由接線柱 (71)、加熱裝置(73)和熱電偶(72)組成。加熱爐(7)內(nèi)從內(nèi)壁到外壁依次設(shè)有絕緣隔離層(74)、保溫層I (75)和保溫層II (76)。保溫層I (75)采用耐火材料制成,保溫層II (76)采用石棉材料。本發(fā)明創(chuàng)造的工作原理是以在基體上涂TiC層為例,將加熱爐罩在反應(yīng)爐外,利用加熱爐對(duì)反應(yīng)爐加熱。將氣態(tài)的TiCl4和CH4混合后,通入進(jìn)氣管,在預(yù)熱區(qū)預(yù)熱后,進(jìn)入氣體分配區(qū),首先經(jīng)擋板分散,混合氣體經(jīng)擋板四周向上流動(dòng),經(jīng)隔板,穿插通過通氣孔 II,由于通氣孔II的孔徑從下向上,依次增加,混合氣體在上升過程中,降低了流速,以均勻的分布進(jìn)入沉積區(qū)。沉積區(qū)的溫度可達(dá)900 2000°C,混合氣體(即反應(yīng)氣體)向基體表面擴(kuò)散,吸附于基體的表面,在基體表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在基體表面留下不揮發(fā)的固體反應(yīng)產(chǎn)物——即TiC薄膜,而在基體表面產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物,即HCl氣體脫離基體表面,經(jīng)排氣帽流入支撐筒和反應(yīng)爐之間的尾氣通道,向下運(yùn)動(dòng),經(jīng)尾氣入口進(jìn)入預(yù)熱區(qū),利用HCl氣體的余熱對(duì)進(jìn)入的混合氣體進(jìn)一步預(yù)熱,然后經(jīng)尾氣出口排出。
      權(quán)利要求1.化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,包括反應(yīng)爐(1),其特征在于反應(yīng)爐(1)內(nèi)設(shè)有支撐筒 (3),支撐筒(3)上端設(shè)有排氣帽(2),支撐筒(3)內(nèi)從上到下依次為沉積區(qū)(4)、氣體分配區(qū) (5)和預(yù)熱區(qū)(6);沉積區(qū)(4)內(nèi)設(shè)有若干托盤(41),托盤(41)上設(shè)有若干通氣孔I (42); 氣體分配區(qū)(5)內(nèi)支架I (54)固定擋板(53),擋板(53)上端安裝至少三層隔板(51),支架II (52)固定隔板(51),隔板(51)上設(shè)有若干通氣孔II (55);預(yù)熱區(qū)(6)內(nèi)安裝若干層預(yù)熱板(63),進(jìn)氣管(61)的出口端與氣體分配區(qū)(5)相通,支撐筒(3)在預(yù)熱區(qū)部位的下端設(shè)有尾氣入口( 62 ),預(yù)熱區(qū)(6 )的下端設(shè)有尾氣出口( 64 )。
      2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,其特征在于在氣體分配區(qū)(5)內(nèi) 不同層隔板(51)上的通氣孔II (55)的孔徑相同或不同。
      3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,其特征在于在氣體分配區(qū)(5)內(nèi) 從最下層隔板向最上層隔板,不同層隔板(51)上的通氣孔II (55)的孔徑依次增加。
      4.如權(quán)利要求1、2或3所述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,其特征在于設(shè)有加熱爐 (7),反應(yīng)爐(1)置于加熱爐(7)內(nèi)。
      5.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,其特征在于加熱爐(7)分成若干段加熱區(qū),每段加熱區(qū)由接線柱(71)、加熱裝置(73)和熱電偶(72)組成。
      6.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,其特征在于加熱爐(7)內(nèi)從內(nèi)到外依次設(shè)有絕緣隔離層(74)、保溫層I (75)和保溫層II (76)。
      7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積法涂層裝置,其特征在于加熱爐(7)分成若干段加熱區(qū),每段加熱區(qū)由接線柱(71)、加熱裝置(73)和熱電偶(72)組成。
      專利摘要本實(shí)用新型創(chuàng)造涉及化學(xué)氣相沉積法涂層裝置。采用的技術(shù)方案是包括反應(yīng)爐,反應(yīng)爐內(nèi)設(shè)有支撐筒,支撐筒上端設(shè)有排氣帽,反應(yīng)爐和支撐筒之間為尾氣通道,支撐筒內(nèi)從上到下依次為沉積區(qū)、氣體分配區(qū)和預(yù)熱區(qū);沉積區(qū)內(nèi)設(shè)有若干托盤),托盤上設(shè)有若干通氣孔Ⅰ;氣體分配區(qū)內(nèi)支架Ⅰ固定擋板,擋板上端安裝至少三層隔板,支架Ⅱ固定隔板,隔板上設(shè)有若干通氣孔Ⅱ;預(yù)熱區(qū)內(nèi)安裝若干層預(yù)熱板,進(jìn)氣管的出口端與氣體分配區(qū)相通,支撐筒在預(yù)熱區(qū)部位的下端設(shè)有尾氣入口,預(yù)熱區(qū)的下端設(shè)有尾氣出口。還設(shè)有加熱爐,反應(yīng)爐置于加熱爐內(nèi)。采用本實(shí)用新型創(chuàng)造的涂層裝置,涂層均勻度高,具有較高的附著力,提高了產(chǎn)品的耐磨損性和耐缺損性。
      文檔編號(hào)C23C16/44GK202214415SQ20112031265
      公開日2012年5月9日 申請日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
      發(fā)明者樸萬成, 李成哲, 李權(quán)星, 王宏剛, 金上萬, 金哲男, 黃宇哲 申請人:沈陽金研機(jī)床工具有限公司
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