專(zhuān)利名稱(chēng)：一種用于pecvd多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于PECVD帶有可以提高大面積鍍膜均勻性的多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟(jì)建設(shè)的快速發(fā)展，微電子技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展，PECVD等離子體處理設(shè)備的開(kāi)發(fā)和使用也日益廣泛。PECVD即為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，在化學(xué)氣相沉積時(shí)，為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，可以利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，這種化學(xué)氣相沉積方法稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，實(shí)施該種加工方法的設(shè)備為PECVD設(shè)備。用于太陽(yáng)能領(lǐng)域等薄膜沉積系統(tǒng)主要為大型平板式PECVD設(shè)備，一種典型的板式PECVD系統(tǒng)將多個(gè)太陽(yáng)能電池片裝入載板中，將該載板傳輸至工藝腔內(nèi)，預(yù)熱到設(shè)定溫度后，通入工藝氣體，設(shè)定功率離化工藝氣體產(chǎn)生等離子體，進(jìn)而完成薄膜沉積。板式PECVD使用的基片通常較小，僅用于晶體太陽(yáng)能硅片減反射工藝使用，板式PECVD在鍍膜過(guò)程中，一個(gè)反應(yīng)周期內(nèi)設(shè)備中僅有一個(gè)裝有電池片的載板，在完成整個(gè)反應(yīng)周期后，才能進(jìn)行下一次鍍膜，設(shè)備產(chǎn)出率較低。另外，硅片表面織構(gòu)化所生成的金字塔尖端的狀態(tài)就對(duì)等離子體放電產(chǎn)生影響，而目前硅片的電導(dǎo)率的不同也影響到等離子場(chǎng)的均勻性，導(dǎo)致等離子場(chǎng)的均勻性較不穩(wěn)定，造成載板內(nèi)的電池片沉積的SiN膜層厚度不一致。因此，如何提高PECVD設(shè)備鍍膜均勻性，就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問(wèn)題。實(shí)用新型的內(nèi)容針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置。在相同的條件下，具有該多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置的PECVD能夠一次處理多個(gè)電池片，該裝置可以提高SiN膜層厚度的均勻性，從而具有較高的產(chǎn)能，提高了 PECVD設(shè)備的生產(chǎn)效率。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案一種用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，包括排氣區(qū)體、進(jìn)水管、回水管、硅烷進(jìn)氣口及氨氣進(jìn)氣口，其中進(jìn)水管、回水管、硅烷進(jìn)氣口及氨氣進(jìn)氣口均分布在排氣區(qū)體上。所述排氣區(qū)體底部設(shè)有底部氣孔噴頭，該底部氣孔噴頭通過(guò)管路與氨氣進(jìn)氣口連接。所述底部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。所述排氣區(qū)體端部設(shè)有端部氣孔噴頭，該端部氣孔噴頭通過(guò)管路與硅烷進(jìn)氣口連接。所述端部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。所述排氣區(qū)體包括第一排氣區(qū)、第二排氣區(qū)及第三排氣區(qū)。所述排氣區(qū)體內(nèi)設(shè)有防護(hù)槽。所述防護(hù)槽為U形或V形。[0017]所述防護(hù)槽采用不銹鋼或碳纖維材料。所述硅烷進(jìn)氣口設(shè)在排氣區(qū)體的左側(cè)和右側(cè)。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)1.本實(shí)用新型是將多個(gè)被加工件分別在各工藝區(qū)域內(nèi)加工，在同等的占地面積的條件下，該裝置能夠一次處理較多的被加工件，從而具有較高的產(chǎn)能，提高了 PECVD設(shè)備的
生產(chǎn)效率。2.本實(shí)用新型的各工藝區(qū)域分別安裝有進(jìn)氣裝置和排氣裝置，這樣，當(dāng)各工藝區(qū)域的反應(yīng)對(duì)于反應(yīng)氣體的需求量不同時(shí)，可以分別調(diào)節(jié)進(jìn)入不同工藝區(qū)域內(nèi)的氣體量，便于調(diào)整各個(gè)工藝區(qū)域鍍膜的均勻性，提高了設(shè)備的加工精確性。3.本實(shí)用新型是各工藝區(qū)域中根據(jù)需要進(jìn)行不同的工藝過(guò)程，避免了各個(gè)工藝區(qū)域中發(fā)生交叉污染，提高了設(shè)備的工藝可靠性。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1為第一排氣區(qū)，2為第二排氣區(qū)，3為第三排氣區(qū)，4為進(jìn)水管，5為硅烷進(jìn)氣口，6為氨氣進(jìn)氣口，7為氨氣管路，8為回水管。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。如圖1所示，本實(shí)用新型包括排氣區(qū)體、進(jìn)水管4、回水管8、硅烷進(jìn)氣口 5及氨氣進(jìn)氣口 6，其中進(jìn)水管4、回水管8、硅烷進(jìn)氣口 5及氨氣進(jìn)氣口 6均布置在排氣區(qū)體上。所述排氣區(qū)體底部設(shè)有底部氣孔噴頭，底部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。該底部氣孔噴頭通過(guò)管路與氨氣進(jìn)氣口 6連接。所述排氣區(qū)體端部設(shè)有端部氣孔噴頭，端部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。該端部氣孔噴頭通過(guò)管路與硅烷進(jìn)氣口 5連接，硅烷進(jìn)氣口 5設(shè)置在排氣區(qū)體一側(cè)端，或者設(shè)置在排氣區(qū)體左側(cè)端和右側(cè)端，硅烷進(jìn)氣口 5固定有螺栓。所述排氣區(qū)體包括第一排氣區(qū)1、第二排氣區(qū)2、第三排氣區(qū)3。排氣區(qū)體內(nèi)固接有U形或V形防護(hù)槽。所述防護(hù)槽采用不銹鋼或碳纖維材料。各段多點(diǎn)進(jìn)氣區(qū)分別通過(guò)獨(dú)立的接點(diǎn)接入。各工藝區(qū)域分別安裝有進(jìn)氣裝置和排氣裝置，這樣，當(dāng)各工藝區(qū)域的反應(yīng)對(duì)于反應(yīng)氣體的需求量不同時(shí)，可以分別調(diào)節(jié)進(jìn)入不同工藝區(qū)域內(nèi)的氣體量，便于調(diào)整各個(gè)工藝區(qū)域鍍膜的均勻性，提高了設(shè)備的加工精確性。上述各工藝區(qū)域的進(jìn)氣裝置分別由各自的氣源進(jìn)氣，當(dāng)任一氣源停止供氣時(shí)，不會(huì)影響其他氣源的工作，也就不會(huì)影響其他工藝區(qū)域的工作，從而進(jìn)一步提高了各工藝區(qū)域內(nèi)的進(jìn)氣可控性。多個(gè)氣源均設(shè)置于反應(yīng)腔體的外部，通過(guò)進(jìn)氣裝置將反應(yīng)氣體輸入工藝區(qū)域內(nèi)，各氣源可以輸出不同的工藝氣體，也可以輸出同樣的工藝氣體，也可以輸出不同流量的相同的工藝氣體。各工藝區(qū)域的進(jìn)氣裝置也不局限于由不同的氣源供應(yīng)，也可以多個(gè)工藝區(qū)域由同一氣源供氣，在氣源與各進(jìn)氣裝置之間安裝有至少一個(gè)質(zhì)量流量計(jì)，以便分別控制輸入到各個(gè)不同工藝區(qū)域內(nèi)的氣體流量等。各工藝區(qū)域共用一個(gè)氣源，也可以其中幾個(gè)工藝區(qū)域用一個(gè)氣源，另外幾個(gè)工藝區(qū)域使用另外的氣源。在上述各工藝區(qū)域中根據(jù)需要進(jìn)行不同的工藝過(guò)程中，避免了各個(gè)工藝區(qū)域中發(fā)生交叉污染，提高了設(shè)備的工藝可靠性。具有所述多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置的PECVD反應(yīng)腔室可以為方形的箱式結(jié)構(gòu)，且反應(yīng)腔室的各處的壁厚可以相同。該反應(yīng)腔室也不局限于方形，也可以為其他形式的箱式結(jié)構(gòu)，例如柱狀等。多個(gè)被加工件可以分別在各工藝區(qū)域內(nèi)加工，在同等的占地面積的條件下，本實(shí)用新型能夠一次處理較多的被加工件，從而具有較高的產(chǎn)能，提高了 PECVD設(shè)備的生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求1.一種用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于包括排氣區(qū)體、進(jìn)水管、回水管(8)、硅烷進(jìn)氣口( 及氨氣進(jìn)氣口(6)，其中進(jìn)水管0)、回水管(8)、硅烷進(jìn)氣口(5)及氨氣進(jìn)氣口(6)均布置在排氣區(qū)體上。
2.按權(quán)利要求1所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述排氣區(qū)體底部設(shè)有底部氣孔噴頭，該底部氣孔噴頭通過(guò)管路與氨氣進(jìn)氣口(6)連接。
3.按權(quán)利要求2所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述底部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。
4.按權(quán)利要求1所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述排氣區(qū)體端部設(shè)有端部氣孔噴頭，該端部氣孔噴頭通過(guò)管路與硅烷進(jìn)氣口( 連接。
5.按權(quán)利要求4所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述端部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。
6.按權(quán)利要求1所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述排氣區(qū)體包括第一排氣區(qū)(1)、第二排氣區(qū)( 及第三排氣區(qū)(3)。
7.按權(quán)利要求1所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述排氣區(qū)體內(nèi)設(shè)有防護(hù)槽。
8.按權(quán)利要求7所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述防護(hù)槽為U形或V形。
9.按權(quán)利要求7所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述防護(hù)槽采用不銹鋼或碳纖維材料。
10.按權(quán)利要求1所述的用于PECVD多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置，其特征在于所述硅烷進(jìn)氣口( 設(shè)在排氣區(qū)體的左側(cè)和右側(cè)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型屬于涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于PECVD帶有可以提高大面積鍍膜均勻性的多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置。包括排氣區(qū)體、進(jìn)水管、回水管、硅烷進(jìn)氣口及氨氣進(jìn)氣口，其中進(jìn)水管、回水管、硅烷進(jìn)氣口及氨氣進(jìn)氣口均布置在排氣區(qū)體上。具有該多點(diǎn)進(jìn)氣多區(qū)可調(diào)裝置的PECVD能夠一次處理多個(gè)電池片，該裝置可以提高SiN膜層厚度的均勻性，從而具有較高的產(chǎn)能，提高了PECVD設(shè)備的生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)C23C16/455GK202323019SQ20112044759
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者劉興, 張健, 張冬, 徐寶利, 李士軍, 李松, 洪克超, 王剛, 王學(xué)敏, 許新, 趙崇凌, 趙科新, 郭玉飛, 鐘福強(qiáng), 陸濤 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司