專利名稱：在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備的制作方法
技術領域：
本實用新型所屬領域為光電子材料領域，特別涉及的是在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備。
背景技術：
沉積導電膜或半導體材料常用的升華法，目前公開的多是以近空間蒸發(fā)法(主要為電阻蒸發(fā))，蒸發(fā)源(常見為坩堝)以點源或條源的方式布置，采用半導體材料的蒸汽由下向上沉積在基片的下表面，經(jīng)結(jié)晶成膜的方式。這種走片方式必然會造成傳送基片行走機構(gòu)(如輥輪)與蒸發(fā)源蒸汽上升沉積需要無干涉及無污染的盡量大面積的基片的矛盾。這種方式能滿足實驗室作樣片或科研的要求，不能滿足大面積基片規(guī)?；a(chǎn)的要求。美國First Solar公司公開了“一種沉積半導體材料的裝置和方法”(專利號U.S. Pat. No. 6，037，241)。其主要技術特征是一個具有滲透性的加熱器(碳化硅+石墨燒結(jié)而成)，一或兩套用載流氣體輸送半導體粉料入加熱器內(nèi)腔的螺桿或振動供料系統(tǒng)，半導體粉料由載流氣體輸送到加熱器內(nèi)腔中受熱蒸發(fā)，形成的蒸汽和載流氣體向外滲過加熱器，在加熱器的保溫隔熱外罩的約束引導下，蒸汽和載流氣體流出外罩的狹縫開口，沉積到傳送系統(tǒng)連續(xù)送進的基片表面上，沉積成半導體膜層。美國First Solar公司公開的專利，雖然用蒸汽由上向下沉積法解決了蒸汽由下向上沉積的上述問題，但由于載流氣體和半導體粉料從加熱器兩端引入，且載流氣體、固體粉料配比在軸向輸送上分布因空氣動力學原因肯定不均勻，致使在寬幅面基片的兩邊沿至中部的供料不均勻而產(chǎn)生的熱蒸發(fā)的蒸汽不均勻，同時，由于送料(不管是振動送料還是螺桿送料)存在脈動現(xiàn)象，導致蒸發(fā)量在時間上存在脈動現(xiàn)象，導致沉積的膜層厚度在基片前進方向上前后不均勻，所以也沒能解決大面積沉積導電膜或半導體材料的均勻性問題。同時，由于載流氣體的存在，降低了半導體蒸汽的分壓，存在降低半導體膜層的成膜速率和性能的問題。再則，蒸發(fā)氣體在熱基片沉積過程中，存在沉積——反沉積的現(xiàn)象，而美國FirstSolar公司公開技術沒有報道“反沉積”現(xiàn)象和解決“反沉積”的方法或措施，沒有保證晶體生長和穩(wěn)定結(jié)晶的方法或措施，不能不說是該公開技術的一個缺陷。實用新型內(nèi)容針對已有技術存在的問題，本實用新型的目的是為了提供一種能解決大面積沉積導電膜或半導體材料的均勻性問題的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備。本實用新型的目的是這樣來實現(xiàn)的本實用新型在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，設備至少有一臺熱蒸發(fā)沉積裝置，該裝置有具有滲透性微孔的管狀加熱器，包容管狀加熱器且與管狀加熱管之間形成套管空間的管狀保溫隔熱罩，在管狀保溫隔熱罩上面對玻璃或金屬基片處有軸向狹縫開口，導電膜材料或半導體材料置于管狀加熱器內(nèi)，導電膜材料或半導體材料被管狀加熱器加熱蒸發(fā)，產(chǎn)生的蒸汽在蒸汽壓的作用下滲過管狀加熱器上的微孔、在管狀保溫隔熱罩和管狀加熱器之間形成的套管空間引導下流出保溫隔熱罩軸向狹縫開口、沉積在傳動裝置連續(xù)傳送到狹縫開口附近的玻璃或金屬基片上，經(jīng)結(jié)晶形成導電膜或半導體膜層。管狀加熱器的微孔可僅使半導體材料的蒸汽在氣壓作用下可以滲透，固體或液體不能滲透過管狀加熱器，置于管狀加熱器內(nèi)的導電膜材料或半導體材料可呈固態(tài)的棒狀，置于管狀加熱器內(nèi)的導電膜材料或半導體材料可呈液態(tài)的液體狀，置于管狀加熱器內(nèi)的導電膜材料或半導體材料可呈固態(tài)的粉狀，管狀保溫隔熱罩可以是陶瓷燒結(jié)而成，管狀加熱器可以是碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成。上述設備中，管狀加熱器上有內(nèi)、外表面貫通的微孔，微孔的孔徑為1 20μπι，上述的管狀加熱器上的微孔孔徑為3 10 μ m。上述設備中，管狀加熱器至少一端有工藝或反應氣體送入機構(gòu)。上述設備中，套管空間有工藝或反應氣體送入機構(gòu)。上述設備中，熱蒸發(fā)沉積裝置之后設有穩(wěn)定熱量、蒸汽壓或蒸汽分壓、及對未沉積蒸汽起反射功能、與基片共同形成狹縫的輔助沉積結(jié)晶板，輔助沉積結(jié)晶板可由陶瓷燒結(jié)制成，有通電加熱功能，輔助沉積結(jié)晶板優(yōu)選的是由碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成，有通電加熱功能。上述的設備中，輔助沉積結(jié)晶板與基片共同形成的狹縫間隙為3 15mm，沉積結(jié)晶板在基片移動方向的長度為300 1500mm，依不同沉積材料的結(jié)晶時間和送片速度可優(yōu)先選取。上述設備中，管狀保溫隔熱罩外有用不銹鋼金屬板包覆復合保溫隔熱纖維或保溫隔熱陶瓷組成的保溫隔熱層，不銹鋼金屬板外布置有通冷卻介質(zhì)的管路。上述設備中，傳動裝置傳送的基片沉積膜面距氣體流出軸向狹縫開口距離為0. 3 20mm，傳動裝置使基片呈水平方向運動，氣體流出狹縫開口呈水平方向安裝，對基片由上往下沉積或者由下向上沉積。上述設備中有進片室或放卷室、有加熱段、沉積段、熱處理段的沉積室和出片室或收卷室，熱蒸發(fā)沉積裝置位于沉積室中，進片室或放卷室、出片室或收卷室的兩端設置密封門鎖，將沉積室與大氣隔絕，至少在沉積室中設置抽氣系統(tǒng)和保護氣體充氣系統(tǒng)。本實用新型在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，在環(huán)境氣氛可控、加熱溫度可控、基片傳送速度可控的密閉的設備內(nèi)腔中a.將需沉積的導電膜材料或半導體材料置于具有滲透性微孔的管狀加熱器內(nèi)；b.管狀加熱器對導電膜材料或半導體材料進行加熱，加熱蒸發(fā)產(chǎn)生導電膜材料或半導體材料蒸汽，蒸汽在蒸汽壓的作用下滲過管狀加熱器；c.具有滲透性的管狀加熱器置于管狀保溫隔熱罩內(nèi)且與保溫隔熱罩之間形成套管空間，滲過管狀加熱器的蒸發(fā)氣體在套管空間引導下流出管狀保溫隔熱罩的軸向狹縫開Π ；d.由軸向狹縫開口流出的導電膜材料或半導體材料蒸汽、沉積在傳動裝置連續(xù)傳送到狹縫開口的玻璃或金屬基片上，經(jīng)結(jié)晶成為導電膜或半導體膜層。本實用新型解決了在大面積沉積導電膜或半導體材料的均勻性問題，質(zhì)量高。


圖1為在基片上沉積碲化鎘的設備結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1中A— A剖視圖。[0029]圖3為圖2中B— B剖視圖。圖4為在基片上沉積銅銦鎵硒設備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖4中C一C的剖視圖。圖6為在卷材上沉積銅銦鎵硒設備結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為在基片上沉積二氧化錫設備結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為圖7中的D— D剖視圖。
具體實施方式
實施例1 圖1 圖3給出了本實施例1在基片上沉積碲化鎘的設備圖。本實施例1設備適用于在玻璃基片已有的透明導電膜層(TCO)和硫化鎘膜層之上沉積太陽能吸收膜層一硫化鎘膜層，基片規(guī)格為1200mX600mm，碲化鎘膜層2 4 μ m，生產(chǎn)方式為連續(xù)式生產(chǎn)。設備如圖1所示有進片室1、包括加熱段2— 1、沉積段2—2、熱處理段2— 3的沉積室2，出片室3和風冷室4。進片室和出片室的兩端分別設置密封門鎖1一1、1一2、3—1、3—2，將沉積室與大氣隔絕。進片室、出片室和沉積室分別設置抽氣系統(tǒng)7和保護氣體充氣系統(tǒng)9。上述的密封門鎖、抽氣和充氣系統(tǒng)在現(xiàn)有真空設備制造中屬于成熟技術，不再贅述。在沉積室3設置了一臺碲化鎘熱蒸發(fā)沉積裝置5。如圖1、圖2和圖3所示，蒸發(fā)沉積裝置5有一個具有滲透性微孔的管狀加熱器10，一個包容管狀加熱器的其上有軸向狹縫開口 14的管狀保溫隔熱罩11，二者之間形成套管空間12。置于管狀加熱器內(nèi)的碲化鎘棒狀料13被管狀加熱器加熱蒸發(fā)，產(chǎn)生的蒸汽在蒸汽壓的作用下滲過管狀加熱器上的微孔，在保溫隔熱罩和管狀加熱器之間形成的套管空間12引導下、流出保溫隔熱罩軸向的狹縫開口 14，沉積在傳動裝置6連續(xù)傳送到軸向狹縫開口的玻璃基片16的已有透明導電膜層(TCO)和硫化鎘膜層之上，經(jīng)結(jié)晶形成碲化鎘膜層。管狀加熱器的微孔僅碲化鎘蒸汽在蒸汽壓作用下可以滲透，加熱過程中的液態(tài)碲化鎘不能滲透過管狀加熱器。加熱器管狀體是碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成，組織結(jié)構(gòu)有內(nèi)外表面貫通的微孔，微孔的孔徑為5 10 μ m。管狀保溫隔熱罩管狀體是氧化硅鋁陶瓷燒結(jié)而成。管狀設備有固態(tài)棒狀料送料機構(gòu)，也可選配固態(tài)狀粉料的送料機構(gòu)。在真空設備制造技術中，在真空設備制造技術中，固態(tài)棒狀料或粉狀料的送料機構(gòu)都是成熟技術，在此不作贅述。在熱蒸發(fā)沉積裝置之后設有輔助沉積結(jié)晶板8如圖1所示，該板由碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)制成，有通電加熱功能。管狀保溫隔熱罩上的保溫隔熱層15由保溫隔熱纖維(或保溫隔陶瓷)、包覆保溫隔熱纖維或保溫隔熱陶瓷的不銹鋼金屬板組成。不銹鋼金屬板外布置有管路，管路通冷卻介質(zhì)。在進片室，開密封門鎖1一1，基片在大氣狀態(tài)下被送入，關密封門鎖1一1，抽氣至SxlO-2Pa,充保護氣體使真空度至500士 10 (設定值與化合物或半導體材料沉積和結(jié)晶所需真空度相關，不同材料分別選取)。開密封門鎖1一2，傳送基片至加熱段，關密封門鎖1一2，充保護氣體使室內(nèi)氣壓略低于或等于大氣壓，等待下一張基片送入。上述為一個進片循環(huán)。在沉積室(加熱段、沉積段、熱處理段)，開始加熱前，抽氣至SxKT2Pii,再充保護氣體使真空度至500Ρ !，再加熱；正常工作時，抽氣和充保護氣體維持真空度穩(wěn)定在500士10Pa。在出片室，抽氣至8Χ10_2Ρει，充保護氣體至室內(nèi)真空度至500士 101 ，開密封門鎖3— 1，基片被送入，抽氣至SxKT2Pii,充保護氣體至室內(nèi)真空度等于或略低于大氣壓，開密封門鎖3— 1，基片被送出，關密封門鎖3— 2，抽氣至SxKT2Pii,充保護氣體至室內(nèi)真空度500士 10 ，等待下一張基片送入。上述為一個出片循環(huán)。在風冷室，通入大量冷卻氣體(如氬氣)對玻璃基片強制快速冷卻，使玻璃產(chǎn)生鋼化或半鋼化效果。這種技術在玻璃加工中屬成熟技術，不再贅述。該設備采用傳動裝置5使基片呈水平方向運動，氣體流出狹縫開口呈水平方向安裝，碲化鎘蒸汽由上往下沉積在連續(xù)運動的已有透明導電膜層(TCO膜)和硫化鎘膜層的玻璃基片上，經(jīng)結(jié)晶形成碲化鎘膜層。選用含鐵量低于0. 012%的鈉鈣普通超白玻璃，不使用耐高溫的高硼硅或高硼硅鋁玻璃，大大節(jié)約基片成本。該設備可以以連續(xù)生產(chǎn)方式在規(guī)格達1200mmX600mm的玻璃基片已有的透明導電膜層(TCO)和硫化鎘膜層之上，制出滿足碲化鎘太陽能電池技術要求的膜層厚度達2 4μπι的碲化鎘多晶膜層。實施例2 圖4、圖5給出了本實施例2銅錮鎵硒蒸發(fā)沉積設備。本實施例2銅銦鎵硒蒸發(fā)沉積設備適用于在玻璃基片已有的導電膜層(Mo膜)之上沉積太陽能吸收膜層——銅銦鎵硒膜層，玻璃基片規(guī)格為1200mmX600 mm，銅銦鎵硒膜層厚度2 μ m。本實施例2設備結(jié)構(gòu)基本與實施例1同。不同處是在沉積室內(nèi)相間排列三段沉積段、三段熱處段。三臺熱蒸發(fā)沉積裝置5分別位于三段沉積段中。同時沉積室內(nèi)引入了反應氣體硒或硒化氫蒸汽送入機構(gòu)17。如圖4、圖5所示，采用三臺熱蒸發(fā)沉積裝置按膜層沉積順序在玻璃基片已有的導電膜層(Mo膜)之上分別沉積富銦的銅銦鎵硒、富銅的銅銦鎵硒和富銦的銅銦鎵硒膜層。每臺熱蒸發(fā)沉積裝置5中有一個具有滲透性的管狀加熱器10，管狀加熱器與反應氣體硒或硒化氫蒸汽送入機構(gòu)17相連，一個包容管狀加熱器的管狀保溫隔熱罩11，管狀加熱器10與管狀保溫隔熱罩11之間形成套管空間12，置于加熱器內(nèi)的銅銦鎵棒狀料20被加熱器加熱蒸發(fā)，產(chǎn)生的蒸汽與硒或硒化氫蒸汽反應形成銅銦鎵硒混合氣體，混合氣體在蒸汽壓的作用下滲過管狀加熱器的微孔，在套管空間12引導下，流出保溫隔熱罩軸向的狹縫狀開口 14，沉積在傳動裝置6連續(xù)傳送到狹縫開口的玻璃基片16已有的導電膜層(Mo膜)之上，再經(jīng)熱處理段進一步硒化處理后，結(jié)晶形成太陽能吸收層——銅銦鎵硒膜層。管狀加熱器的微孔僅銅銦鎵硒蒸汽在蒸汽壓作用下可以滲透，加熱過程中產(chǎn)生的銅或銦或鎵液體不能滲透過管狀加熱器。加熱器管狀體是碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成，組織結(jié)構(gòu)有內(nèi)外表面貫通的微孔，微孔的孔徑為5 10 μ m。保溫隔熱罩管狀體是氧化硅鋁陶瓷燒結(jié)而成，保溫隔熱罩外壁上有一條軸向的氣5/6頁
體流出的軸向狹縫開口 14，開口的平均寬度為8 10mm。在熱蒸發(fā)沉積裝置之后設有輔助沉積結(jié)晶板8，該板與實施例1的輔助沉積結(jié)晶板相似，不再贅述。保溫隔熱層15由保溫隔熱纖維(或保溫隔熱陶瓷)、包覆在保溫隔熱纖維(或保溫隔熱陶瓷)外的不銹鋼金屬板組成。不銹鋼金屬板外布置有管路，管路通冷卻介質(zhì)。傳動裝置6使基片呈水平方向運動，氣體流出狹縫開口呈水平方向安裝，銅銦鎵硒蒸汽由上往下沉積在以lm/min速度連續(xù)運動的玻璃基片已有的導電膜層(Mo膜)之上。該設備可以以連續(xù)生產(chǎn)方式在規(guī)格達1200mmX600mm玻璃基片上，制出滿足銅銦鎵硒太陽能電池技術要求的膜層厚度達2 μ m的銅銦鎵硒膜層。實施例3 圖5、圖6給出了本實施例3卷對卷銅銦鎵硒蒸發(fā)沉積設備圖。本實施例3卷對卷銅銦鎵硒蒸發(fā)沉積設備適用于在已有導電膜層(Mo膜)的不銹鋼基片上沉積太陽能吸收膜層——銅銦鎵硒膜層。不銹鋼基片規(guī)格為幅寬600 mm、銅銦鎵硒膜層厚度2 μ m。本實施例3設備結(jié)構(gòu)基本與實施例2同，不同處是采用放卷室18、收卷室19。三臺熱蒸發(fā)沉積裝置5如圖6所示，按膜層沉積順序分別沉積富銦的銅銦鎵硒、富銅的銅銦鎵硒和富銦的銅銦鎵硒膜層。每臺熱蒸發(fā)沉積裝置5的結(jié)構(gòu)與實施例2的熱蒸發(fā)沉積裝置相似，在此不再贅述。管狀加熱器的微孔僅銅銦鎵硒蒸汽在蒸汽壓作用下可以滲透，加熱過程中產(chǎn)生的銅或銦或鎵液體不能滲透過管狀加熱器。加熱器管狀體是碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成，組織結(jié)構(gòu)有內(nèi)外表面貫通的微孔，微孔的孔徑為5 10 μ m。保溫隔熱罩管狀體是氧化硅鋁陶瓷燒結(jié)而成，保溫隔熱罩在外壁上有一條軸向的氣體流出的狹縫開口，開口的平均寬度為8 10mm。在熱蒸發(fā)沉積裝置之后設有輔助沉積結(jié)晶板8。在放卷室，開密封門鎖18—1，在大氣狀態(tài)下裝入不銹鋼卷材，第一次生產(chǎn)需穿不銹鋼基片至收卷室，正常生產(chǎn)只將新?lián)Q不銹鋼卷材的頭部與上一卷材的尾部焊接，關密封門鎖18— 1，抽氣至8χ10_2Ρει，充保護氣體使真空度至500士 101 ，開密封門鎖18 — 2，連續(xù)放送不銹鋼基片至加熱段，一卷不銹鋼基片快放完時，停止放卷，關密封門鎖18—2，充保護氣體使室內(nèi)氣壓略低于或等于大氣壓，更換新的一卷不銹鋼卷材。上述為一卷不銹鋼卷材放卷循環(huán)。在沉積室(加熱段、沉積段、熱處理段)，開始加熱前，抽氣至SxKT2Pii,再充保護氣體使真空度至500Ρ !，再加熱；正常工作時，抽氣和充保護氣體維持真空度穩(wěn)定在500士10Pa。在收卷室，當改卷的不銹鋼卷材達規(guī)定卷徑時，開密封門鎖19一1，充保護氣體至室內(nèi)真空度等于或略低于大氣壓，開密封門鎖19一2，更換收卷輥，關密封門鎖19一 1，抽氣至8χ10_2!^，充保護氣體至室內(nèi)真空度至500士 10 ，開密封門鎖19一2，繼續(xù)收卷不銹鋼基片。上述為一個收卷循環(huán)。傳動裝置使基片16在沉積段呈水平方向運動，氣體流出狹縫開口呈水平方向安裝，銅銦鎵硒蒸汽由下往上沉積在連續(xù)運動的已有導電膜層(Mo膜)不銹鋼基片上，經(jīng)結(jié)晶
7形成銅銦鎵硒膜層。沉積時，不銹鋼基片以一定間隙靠近狹縫開口，該間隙依基片寬度而定。間隙最優(yōu)為基片寬度小于300mm，間隙為1 3mm ；基片寬度小于630mm，間隙為2 4mm。不銹鋼基片靠近狹縫開口前，被加熱，不銹鋼基片溫度達到450 500°C。不銹鋼基片送到狹縫狀開口沉積膜層之后，對沉積膜層設有一段穩(wěn)定結(jié)晶的熱處理段——硒化段，硒化段的不銹鋼基片溫度最優(yōu)在500 590°C。該設備可以以連續(xù)生產(chǎn)方式在在幅寬600 mm不銹鋼卷材上，制出滿足銅銦鎵硒太陽能電池技術要求的膜層厚度達2 μ m的銅銦鎵硒膜層。實施例4圖7、圖8給出了本實施例4 二氧化錫膜層蒸發(fā)沉積設備結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例4設備基本與實施例2同，不同處在于只采用了一臺熱蒸發(fā)沉積裝置5，且蒸發(fā)材料二氧化錫為粉狀。該設備適用于在玻璃基片上沉積二氧化錫膜層作為透明導電膜層(TF0)，基片規(guī)格為1200mx600mm，二氧化錫膜層厚度250nm，面電阻10 Ω / □，光透過率約為80%，生產(chǎn)方式為連續(xù)式生產(chǎn)。熱蒸發(fā)沉積裝置5有一個管狀加熱器10，管狀加熱器與工藝氣體氟化氫(HF)或三氟醋酸(TFA)蒸汽送入機構(gòu)21相連，一個包容管狀加熱器的管狀保溫隔熱罩11，管狀加熱器10與管狀保溫隔熱罩11之間形成套管空間12，置于加熱器內(nèi)的二氧化錫粉料23被加熱器加熱蒸發(fā)，產(chǎn)生的蒸汽與氟化氫(HF)或三氟醋酸(TFA)蒸汽形成混合氣體，混合氣體在蒸汽壓的作用下滲過管狀加熱器的微孔，在套管空間12引導下，流出保溫隔熱罩軸向的狹縫狀開口 14，沉積在傳動裝置5連續(xù)傳送到狹縫開口的玻璃基片16上，結(jié)晶形成摻氟二氧化錫透明導電膜層(TFO :F)。上述設備中如圖7所示，在熱蒸發(fā)沉積裝置之后，設有穩(wěn)定熱量、蒸汽壓或蒸汽分壓、對未沉積蒸汽起反射功能、與基片共同形成狹縫的輔助沉積結(jié)晶板8。輔助沉積結(jié)構(gòu)板由陶瓷燒結(jié)制成，優(yōu)選的是由碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成，有通電加熱功能。管狀加熱器是碳化硅(SiC)加石墨燒結(jié)而成，其上有內(nèi)、外表面貫通的微縫和/或微孔，微縫小于20 μ m,微孔平均應小于10 μ m。保溫隔熱外罩管狀體是氧化硅鋁陶瓷燒結(jié)而成。該設備如圖7所示按本實用新型所述分為進片室、沉積室(加熱段、沉積段、熱處理段)、出片室，進片室和出片室的兩端設置密封門鎖，將沉積室與大氣隔絕。進片室、出片室和沉積室分別設置抽氣系統(tǒng)和保護氣體充氣系統(tǒng)。上述的密封門鎖、抽氣和充氣系統(tǒng)在現(xiàn)有真空設備制造中屬于成熟技術，不再贅述。傳動裝置使基片呈水平方向運動，氣體流出狹縫開口呈水平方向安裝，二氧化錫蒸汽由上往下沉積在以lm/min速度連續(xù)運動的玻璃基片上，結(jié)晶形成二氧化錫膜層。選用含鐵量低于0. 012%的鈉鈣普通超白玻璃。該設備可以以連續(xù)生產(chǎn)的方式在規(guī)格達1200mmX600mm的玻璃基片的上，制備的二氧化錫膜層厚度250nm，面電阻10 Ω / □，光透過率約為80%。上述實施例是對本實用新型的上述內(nèi)容作進一步的說明，但不應將此理解為本實用新型上述主題的范圍僅限于上述實施例。凡基于上述內(nèi)容所實現(xiàn)的技術均屬于本實用新型的范圍。
權利要求1.在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于設備至少有一臺熱蒸發(fā)沉積裝置，該裝置有具有滲透性微孔的管狀加熱器，包容管狀加熱器且與管狀加熱管之間形成套管空間的管狀保溫隔熱罩，在管狀保溫隔熱罩上面對玻璃或金屬基片處有軸向狹縫開口，導電膜材料或半導體材料置于管狀加熱器內(nèi)，導電膜材料或半導體材料被管狀加熱器加熱蒸發(fā)，產(chǎn)生的蒸汽在蒸汽壓的作用下滲過管狀加熱器上的微孔、在管狀保溫隔熱罩和管狀加熱器之間形成的套管空間引導下流出管狀保溫隔熱罩軸向狹縫開口、沉積在傳動裝置連續(xù)傳送到狹縫開口附近的玻璃或金屬基片上，經(jīng)結(jié)晶形成導電膜或半導體膜層。
2.如權利要求1所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于管狀加熱器中有內(nèi)、外表面貫通的微孔，微孔的孔徑為1 20μπι。
3.如權利要求2所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于微孔孔徑為3 10 μ m。
4.如權利要求1 3之一所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于管狀加熱器至少一端有反應氣體送入機構(gòu)。
5.如權利要求1 3之一所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于套管空間有反應氣體送入機構(gòu)。
6.如權利要求1 3之一所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于設備中熱蒸發(fā)沉積裝置之后設有穩(wěn)定熱量、蒸汽壓或蒸汽分壓、及對未沉積蒸汽起反射功能、與基片共同形成狹縫的輔助沉積結(jié)晶板。
7.如權利要求6所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于輔助沉積結(jié)晶板與基片共同形成的狹縫間隙為3 15mm，輔助沉積結(jié)晶板在基片移動方向的長度為300 1500mm。
8.如權利要求1 3之一所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于管狀保溫隔熱罩外有用不銹鋼金屬板包覆復合保溫隔熱纖維或保溫隔熱陶瓷組成的保溫隔熱層，不銹鋼金屬板外布置有通冷卻介質(zhì)的管路。
9.如權利要求1 3之一所述的在玻璃或金屬基片沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于傳動裝置傳送的基片沉積膜面距氣體流出軸向狹縫開口距離為0. 3 20mm。
10.如權利要求1 3之一所述的在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，其特征在于設備中有進片室或放卷室、有加熱段、沉積段、熱處理段的沉積室和出片室或收卷室，熱蒸發(fā)沉積裝置位于沉積室中，進片室或放卷室、出片室或收卷室的兩端設置密封門鎖，將沉積室與大氣隔絕，至少在沉積室中設置抽氣系統(tǒng)和保護氣體充氣系統(tǒng)。
專利摘要本實用新型在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備，設備至少有一臺熱蒸發(fā)沉積裝置，該裝置有具有滲透性微孔的管狀加熱器，包容管狀加熱器且與管狀加熱器之間形成套管空間的管狀保溫隔熱罩，導電膜材料或半導體材料置于管狀加熱器內(nèi)，導電膜材料或半導體材料被管狀加熱器加熱蒸發(fā)，產(chǎn)生的蒸汽滲過管狀加熱器上的微孔，在管狀保溫隔熱罩和管狀加熱器之間形成的套管空間引導下流出管狀保溫隔熱罩軸向的狹縫開口，沉積在傳動裝置連續(xù)傳送到狹縫開口附近的玻璃或金屬基片上，經(jīng)結(jié)晶形成導電膜或半導體膜層。本實用新型解決了大面積沉積導電膜或半導體材料的均勻性問題。
文檔編號C23C14/24GK202322984SQ201120473518
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權日2011年11月24日
發(fā)明者甘國工 申請人:甘國工