專利名稱：發(fā)光面板、發(fā)光面板的制造方法以及成膜系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及具有層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層的發(fā)光面板、發(fā)光面板的制造方法以及成膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
這種發(fā)光面板，作為下一代的顯示以及照明用面板受到期待，近年來，研究、開發(fā)取得進展。關(guān)于一般的發(fā)光面板的構(gòu)成，以有機EL顯示面板為例進行說明，在有機EL顯示面板中，在TFT (薄膜晶體管)基板上形成有層間絕緣膜，在該層間絕緣膜上按各子像素形成有陽極(像素電極)。各個陽極被透明導電層覆蓋。在相鄰的陽極之間分別形成有堤。另一方面，在各陽極上，隔著透明導電層層疊有預定顏色的有機發(fā)光層。在各個陽極與層疊在該各個陽極的層疊的有機發(fā)光層之間，根據(jù)需要，形成有空穴注入層、空穴輸送層或空穴注入兼輸送層。并且，在各有機發(fā)光層上遍及整個面板形成有陰極(共用電極)。在陰極與各有機發(fā)光層之間，根據(jù)需要，形成有電極注入層、電子輸送層或電子注入兼輸送層。另外，作為與有機EL顯示面板的層疊構(gòu)造相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻，有專利文獻I中記載的文獻。專利文獻1:日本特開平5-163488號公報

發(fā)明內(nèi)容
有機EL顯示面板等發(fā)光面板中的、從陽極到陰極的功能層(以下、也將從陽極到陰極的功能層ー并記作”發(fā)光功能層”。)中的幾個功能層，使用真空成膜裝置(磁控濺射裝置、蒸鍍裝置等)來成膜。下面，作為真空成膜裝置以磁控濺射裝置為例，假設使用該裝置成膜的功能層是透明導電層以及空穴注入層，來說明課題。透明導電層以及空穴注入層各自使用分別的磁控濺射裝置成膜。在各磁控濺射裝置中，配置靶構(gòu)件，在該靶構(gòu)件背面配置多個磁控管。因此，在分別成膜透明導電層以及空穴注入層時，會產(chǎn)生因多個磁控管的磁場引起的膜厚不均。在此，多個磁控管的配置位置在兩個磁控濺射裝置中相同。因此，透明導電層以及空穴注入層各自的膜厚存在相同的不均。例如，在對發(fā)光面板中的第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域進行比較的情況下，在第一發(fā)光區(qū)域中的透明導電層以及空穴注入層的膜厚都比在第二發(fā)光區(qū)域中的透明導電層以及空穴注入層的膜厚厚。也就是說，在透明導電層中的膜厚厚的部分之上層疊空穴注入層中的膜厚厚的部分，在透明導電層中的膜厚薄的部分之上層疊空穴注入層中的膜厚薄的部分。因此，在作為發(fā)光功能層來看的情況下，在第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域存在大的膜厚差。于是,作為結(jié)果,在發(fā)光面板產(chǎn)生輝度(brightness)不均。其原因認為是在第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域中光學距離、電阻值不同。以上，作為真空成膜裝置以磁控濺射裝置為例進行了說明，但是在使用蒸鍍裝置來成膜的情況下也會產(chǎn)生同樣的課題。這是因為在蒸鍍裝置中雖然不配置磁控管，但是取而代之配置蒸鍍源，會因蒸鍍源的配置位置產(chǎn)生膜厚不均。因此，本發(fā)明的目的在于，提供ー種減小發(fā)光功能層的膜厚不均的發(fā)光面板。為了解決上述課題，本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板，具有基板和形成于所述基板上的發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層是多個功能層層疊而成的，多個功能層中包括第一功能層以及第二功能層，在將從層疊方向的一方觀察所述發(fā)光功能層時在與層疊方向交叉的方向上相鄰或分離的兩個區(qū)域中的一方稱為第一發(fā)光區(qū)域、將另一方稱為第二發(fā)光區(qū)域的情況下，所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。在本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板中,所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。也就是說，第一功能層和第二功能層的膜 厚分布不同。因此，在本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板中，盡管在第一功能層以及第ニ功能層的各自存在膜厚厚的部分和薄的部分，但是與第一功能層和第二功能層的膜厚分布相同的情況相比，第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的膜厚差減小。由于發(fā)光面板中的膜厚不均減小，所以能夠減小該發(fā)光面板中的輝度不均。


圖1 (a)是表示本發(fā)明的實施方式I的顯示裝置100的電構(gòu)成的框圖，(b)是表示顯示面板105所具有的一個像素電路的電路構(gòu)成以及與其周邊電路的連接的圖。圖2是示意表示顯示面板105的主要部分的局部剖面圖。圖3是示意表示顯示面板1050的微小區(qū)域A以及微小區(qū)域B各自中的、透明導電層和空穴注入層的膜厚的圖。圖4 Ca)是表示透明導電層的膜厚分布的圖，(b)是表示空穴注入層的膜厚分布的圖，(C)是表示透明導電層以及空穴注入層的層疊膜的輝度分布的圖。圖5是示意表示顯示面板105的微小區(qū)域a以及微小區(qū)域b各自中的透明導電層和空穴注入層的膜厚的圖。圖6 Ca)是表示磁控濺射裝置內(nèi)的構(gòu)成的圖，(b)是示意表示基板21、靶構(gòu)件22、以及多個磁控管25的配置關(guān)系的圖，(c)是示意表示形成在基板21上的功能層26的圖。圖7 (a)是示意表示第一磁控濺射裝置中的、基板31、靶構(gòu)件32、以及多個磁控管35的配置關(guān)系的圖，(b)是示意表示由第一磁控濺射裝置形成在基板31上的透明導電層36的圖，(c)是示意表示第二磁控濺射裝置中的基板41、靶構(gòu)件42、以及多個磁控管45的配置關(guān)系的圖，(d)是示意表示由第二磁控濺射裝置形成在基板41上的空穴注入層46的圖，(e)是不意表不層疊膜56的圖。圖8 (a)是示意表示第一磁控濺射裝置中的、基板61、靶構(gòu)件62、以及多個磁控管65的配置關(guān)系的圖，(b)是示意表示由第一磁控濺射裝置形成在基板61上的透明導電層66的圖，(c)是示意表示第二磁控濺射裝置中的、基板71、靶構(gòu)件72、以及多個磁控管75的配置關(guān)系的圖，(d)是示意表示由第二磁控濺射裝置形成在基板71上的空穴注入層76的圖，(e)是不意表不層置I旲86的圖。圖9是表示顯示面板105的制造エ序的一例的圖。圖10是表示顯示面板105的制造エ序中的圖9所示的工程后續(xù)部分的一例的エ序圖。圖11是示意表示顯示面板1051的微小區(qū)域a以及微小區(qū)域b各自中的陽極以及空穴注入層的膜厚的圖。
圖12是示意表示顯示面板1052的微小區(qū)域a以及微小區(qū)域b各自中的透明導電層、空穴注入層、以及陽極的膜厚的圖。圖13 (a)是示意表示第一磁控濺射裝置中的基板61、靶構(gòu)件62、以及多個磁控管65的配置關(guān)系的圖，(b)是示意表示第二磁控濺射裝置中的基板71、靶構(gòu)件72、以及多個磁控管75的配置關(guān)系的圖，(c)是示意表示用于陽極成膜的第三磁控濺射裝置中的基板91、靶構(gòu)件92、以及多個磁控管95的配置關(guān)系的圖。圖14是例示了顯示裝置100的外觀的圖。
具體實施例方式<實施方式>本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板，具有基板和形成于所述基板上的發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層是多個功能層層疊而成的，多個功能層中包括第一功能層以及第ニ功能層，在將從層疊方向的一方觀察所述發(fā)光功能層時在與層疊方向交叉的方向上相鄰或分離的兩個區(qū)域中的一方稱為第一發(fā)光區(qū)域、將另一方稱為第二發(fā)光區(qū)域的情況下，所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。在本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板中,所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。也就是說，第一功能層和第二功能層的膜厚分布不同。因此，在本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板中，盡管在第一功能層以及第ニ功能層的各自存在膜厚厚的部分和薄的部分，但是與第一功能層和第二功能層的膜厚分布相同的情況相比，第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的膜厚差減小。由于發(fā)光面板中的膜厚不均減小，所以能夠減小該發(fā)光面板中的輝度不均。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一功能層和所述第二功能層可以是由真空成膜法成膜的層。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一功能層和所述第二功能層可以在層疊方向上相鄰。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述多個功能層中可以還包括陽極、和夾著所述第一功能層以及第ニ功能層與所述陽極相對向的陰極，所述第一功能層是層疊于所述陽極上的透明導電層，所述第二功能層是層疊于所述透明導電層上的電荷注入層。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一功能層可以由ITO或IZO構(gòu)成，所述第二功能層可以由氧化金屬構(gòu)成。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述多個功能層可以還包括第三功能層，所述第一發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚厚。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第三功能層可以是陽極，所述多個功能層還包括夾著所述第一功能層以及第ニ功能層與所述陽極相對向的陰極，所述第一功能層是層疊于所述陽極上的透明導電層，所述第二功能層是層疊于所述透明導電層上的電荷注入層。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第三功能層可以由鋁、銀、或鋁以及銀中的任一方的合金構(gòu)成。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第三功能層可以是陰極，所述多個功能層還包 括夾著所述第一功能層以及第ニ功能層與所述陰極相對向的陽極，所述第一功能層是層疊于所述陽極上的透明導電層，所述第二功能層是層疊于所述透明導電層上的電荷注入層。在此，作為本發(fā)明的一方案的發(fā)光面板的制造方法，所述發(fā)光面板具有基板和在所述基板上層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層，所述多個功能層包括第一功能層以及第ニ功能層，所述制造方法包括第一エ序，由第一成膜裝置形成所述第一功能層；以及第ニエ序，由第二成膜裝置形成所述第二功能層，在將從層疊方向的一方觀察所述發(fā)光功能層時在與層疊方向交叉的方向上相鄰或分離的兩個區(qū)域中的一方稱為第一發(fā)光區(qū)域、將另一方稱為第二發(fā)光區(qū)域的情況下，所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一成膜裝置可以是第一磁控濺射裝置，所述第二成膜裝置可以是第二磁控濺射裝置。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一磁控濺射裝置可以具有第一靶構(gòu)件;第一靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第一靶構(gòu)件的；以及多個第一磁控管，配置于所述第一靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第一靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面，所述第二磁控濺射裝置具有第二靶構(gòu)件；第二靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第二靶構(gòu)件；以及多個第二磁控管，配置于所述第二靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第二靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面，將所述基板，在所述第一磁控濺射裝置內(nèi)に配置成與所述第一靶構(gòu)件相對向之后，在所述第二磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第二靶構(gòu)件相對向，所述多個第一磁控管各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二磁控管各自相對于所述基板的位置。在本方案的發(fā)光面板的制造方法中，在第一磁控濺射裝置和第二磁控濺射裝置中磁控管的配置不同，所以第一功能層和第二功能層的膜厚分布不同。因此，與第一功能層和第二功能層的膜厚分布相同的情況相比，能夠減小第一功能層和第二功能層的層疊膜的膜厚差。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述多個第一磁控管可以以第一間隔等間隔配置，所述多個第二磁控管以第二間隔等間隔配置，所述第一間隔與所述第二間隔相等。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一功能層與所述第二功能層可以在層疊方向上相鄰。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述多個功能層中可以還包括第三功能層，所述制造方法包括由第三磁控濺射裝置形成第三功能層的第三エ序，所述第一發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第三功能層膜厚厚。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第三的磁控濺射裝置可以具有第三靶構(gòu)件；第三靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第三靶構(gòu)件；以及多個第三磁控管，配置在所述第三靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第三靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面，所述多個第三磁控管各自相對于所述基板的位置不同于所述多個第一磁控管各自相對于所述基板的位置、以及所述多個第二磁控管各自相對于所述基板的位置。在本方案的發(fā)光面板的制造方法中，在第一磁控濺射裝置、第二磁控濺射裝置、以及第三的磁控濺射裝置中磁控管的配置不同，所以第一功能層、第二功能層、以及第三功能層的膜厚分布互不相同。因此，與第一功能層、第二功能層及第三功能層的膜厚分布相同的情況相比，能夠減小第一功能層、第二功能層及第三功能層的層疊膜的膜厚差。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一成膜裝置可以是第一蒸鍍裝置，所述第二成膜裝置可以是第二蒸鍍裝置。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一蒸鍍裝置可以具有多個第一蒸鍍源，所述第二蒸鍍裝置具有多個第二蒸鍍源，將所述基板，在所述第一蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第一蒸鍍源相對向之后，在所述第二蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第二蒸鍍源相對向，所述多個第一蒸鍍源各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二蒸鍍源各自相對于所述基板的位置。在本方案的發(fā)光面板的制造方法中，在第一蒸鍍裝置和第二蒸鍍裝置中蒸鍍源的配置不同，所以第一功能層和第二功能層的膜厚分布不同。因此，與第一功能層和第二功能層的膜厚分布相同的情況相比，能夠減小第一功能層和第二功能層的層疊膜的膜厚差。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述多個第一蒸鍍源可以以第一間隔等間隔配置，所述多個第二蒸鍍源以第二間隔等間隔配置，所述第一間隔與所述第二間隔相等。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第一功能層和所述第二功能層可以在層疊方向上相鄰。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述多個功能層中可以還包括第三功能層，所述制造方法包括由第三蒸鍍裝置形成第三功能層的第三エ序，所述第一發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚厚。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述第三的蒸鍍裝置可以具有多個第三蒸鍍源，所述多個第三蒸鍍源各自相對于所述基板的位置不同于所述多個第一蒸鍍源各自相對于所述基板的位置、以及所述多個第二蒸鍍源各自相對于所述基板的位置。在本方式的發(fā)光面板的制造方法中，在第一蒸鍍裝置、第二蒸鍍裝置以及第三蒸鍍裝置中蒸鍍源的配置不同，所以第一功能層、第二功能層以及第三功能層的膜厚分布各不相同。因此，與第一功能層、第二功能層以及第三功能層的膜厚分布相同的情況相比，能夠減小第一功能層、第二功能層以及第三功能層的層疊膜的膜厚差。在此，本發(fā)明的一方案的用于制造發(fā)光面板的成膜系統(tǒng)，用于制造如下發(fā)光面板， 所述發(fā)光面板具有基板和在所述基板上層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層，所述多個功能層包括第一功能層以及第二功能層，所述成膜系統(tǒng)，包括第一磁控濺射裝置，形成所述第一功能層；以及第ニ磁控濺射裝置，形成所述第二功能層，所述第一磁控濺射裝置具有 第一靶構(gòu)件；第一靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第一靶構(gòu)件；以及多個第一磁控管，配置于所述第一靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第一靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面，所述第二磁控濺射裝置具有第二靶構(gòu)件；第二靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第二靶構(gòu)件；以及多個第二磁控管，配置于所述第二靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第二靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面，將所述基板，在所述第一磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第一靶構(gòu)件相對向之后，在所述第二磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第二靶構(gòu)件相對向，所述多個第一磁控管各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二磁控管各自相對于所述基板的位置。在此，本發(fā)明的一方案的用于制造發(fā)光面板的成膜系統(tǒng)，用于制造如下發(fā)光面板，所述發(fā)光面板具有基板和在所述基板上層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層，所述多個功能層包括第一功能層以及第二功能層，所述成膜系統(tǒng)，包括第一蒸鍍裝置，形成所述第一功能層；以及第ニ蒸鍍裝置，形成所述第二功能層，所述第一蒸鍍裝置具有多個第一蒸鍍源，所述第二蒸鍍裝置具有多個第二蒸鍍源，將所述基板，在所述第一蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所 述多個第一蒸鍍源相對向之后，在所述第二蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第二蒸鍍源相對向，所述多個第一蒸鍍源各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二蒸鍍源各自相對于所述基板的位置。<實施方式I >在此，作為發(fā)光面板以顯示面板為例進行說明。-顯示裝置100的概略-圖1 (a)是表示包含本發(fā)明的實施方式I的顯示面板105的顯示裝置100的電構(gòu)成的框圖。如圖1 (a)所示，顯示裝置100包括控制電路101、存儲器102、掃描線驅(qū)動電路103、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104、和行列狀配置有像素電路的顯示面板105。顯示面板105例如是電致發(fā)光(以下記作“EL”)顯示面板，也可以設為有機EL顯示面板。圖1 (b)是表示顯示面板105所具有的一個像素電路的電路構(gòu)成以及與其周邊電路的連接的圖。如圖1 (b)所示，像素電路208包括柵極線200、數(shù)據(jù)線201、電源線202、開關(guān)晶體管203、驅(qū)動晶體管204、陽極205、保持電容206和陰極207而構(gòu)成。開關(guān)晶體管203以及驅(qū)動晶體管204是薄膜晶體管元件。周邊電路包括掃描線驅(qū)動電路103和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104。另外，由開關(guān)晶體管203、驅(qū)動晶體管204以及保持電容206構(gòu)成驅(qū)動部209。從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104供給的信號電壓經(jīng)由開關(guān)晶體管203施加于驅(qū)動晶體管204的柵極端子。驅(qū)動晶體管204使與該數(shù)據(jù)電壓對應的電流在源扱-漏極端子之間流動。通過該電流向陽極205流動，得到與該電流相應的發(fā)光輝度。-顯示面板105的概略構(gòu)成-圖2是示意表示顯示面板105的主要部分的局部剖面圖。如圖2所示,在TFT基板I上形成有層間絕緣膜2(在本說明書中，將在TFT基板I上形成有層間絕緣膜2的構(gòu)件定義為“基板120”。)，在該層間絕緣膜2上以子像素為単位行列狀形成有陽極3。通過在X軸方向上相鄰的3個子像素的組合構(gòu)成I個像素。在各陽極3上形成透明導電層4，在層間絕緣膜2上形成有空穴注入層5以覆蓋各個透明導電層4。在空穴注入層5上，在相當于相鄰的陽極3之間的區(qū)域分別形成有堤6。在由堤6規(guī)定的各區(qū)域內(nèi)，在空穴注入層5上形成空穴輸送層7，在空穴輸送層7上層疊預定顏色的發(fā)光層8。并且，在發(fā)光層8上，形成電子輸送層9、陰極11以及封止層12，以使電子輸送層9、陰極11以及封止層12分別超越由堤6規(guī)定的區(qū)域而與相鄰的子像素的電子輸送層9、陰極11以及封止層12相連續(xù)。-透明導電層和空穴注入層具有相同的膜厚分布的情況_在說明顯示面板105的特征部分之前，作為該顯示面板105的比較對象，說明兩個功能層具有相同的膜厚分布的顯示面板。在此，作為兩個功能層以透明導電層以及空穴注入層為例進行說明。圖3是示意表示顯示面板1050的微小區(qū)域A以及微小區(qū)域B各自中的透明導電層和空穴注入層的膜厚的圖。微小區(qū)域A以及B是從層疊方向的一方觀察發(fā)光功能層時，在與層疊方向交叉的方向上分離的區(qū)域，例如是由多個像素構(gòu)成的區(qū)域。由于透明導電層以及空穴注入層具有相同的膜厚分布，所以如圖3所示，微小區(qū)域A中的透明導電層4A的膜厚比微小區(qū)域B中的透明導電層4B的膜厚厚，同樣，微小區(qū)域A中的空穴注入層5A的膜厚也比微小區(qū)域B中的空穴注入層5B的膜厚厚。由于具有相同的膜厚分布的透明導電層與空穴注入層層疊，所以與功能層單體的情況相比，在微小區(qū)域A與微小區(qū)域B會產(chǎn)生更大的膜厚差。接著，用實驗驗證了具有相同的膜厚分布的透明導電層和空穴注入層層疊會對輝度帶來怎樣的影響。其中，在此，在玻璃基板上僅層疊透明導電層以及空穴注入層這兩層來進行實驗。作為透明導電層使用了氧化銦鋅(IZ0)，作為空穴注入層使用了氧化鎢(WOx)。圖4是表示透明導電層以及空穴注入層各自的膜厚分布、以及層疊該透明導電層和空穴注入層而成的層疊膜的輝度分布的圖。圖4 (a)表示透明導電層的膜厚分布，圖4(b)表示空穴注入層的膜厚分布。從圖4 (a)、(b)可知，透明導電層以及空穴注入層各自的膜厚不是恒定的，產(chǎn)生了不均。在圖4 (a)、(b)中，顏色濃的部分表示膜厚厚的部分。另外，比較圖4 (a)與圖4 (b)可知，透明導電層以及空穴注入層各自的膜厚分布相同。圖4 (C)表示透明導電層以及空穴注入層的層疊膜的輝度分布。從圖4 (C)可知，透明導電層以及空穴注入層的層疊膜產(chǎn)生了與膜厚不均對應的輝度不均。其原因認為是，在微小區(qū)域A和微小區(qū)域B，光學距離、電阻值不同。因此，認為層疊膜的膜厚差越大，則輝度不均也越大。這樣，由于具有相同的膜厚分布的透明導電層和空穴注入層層疊，也就是說，在透明導電層和空穴注入層的層疊膜的表面產(chǎn)生膜厚差，導致產(chǎn)生輝度不均的問題。-透明導電層和空穴注入層具有不同的膜厚分布的情況-接著，說明顯示面板105的特征部分。在顯示面板105，透明導電層和空穴注入層具有不同的膜厚分布。圖5是示意表示顯示面板105的微小區(qū)域a以及微小區(qū)域b各自中的透明導電層和空穴注入層的膜厚的圖。微小區(qū)域a以及b是從層疊方向的一方觀察發(fā)光功能層時，在與層疊方向交叉的方向上分離的區(qū)域，例如是由多個像素構(gòu)成的區(qū)域。圖5所示，微小區(qū)域a中的空穴注入層5a的膜厚比微小區(qū)域b中的空穴注入層5b的膜厚厚，而微小區(qū)域a中的透明導電層4a的膜厚比微小區(qū)域b中的透明導電層4b的膜厚薄。
也就是說，透明導電層4與空穴注入層5的膜厚分布不同，在透明導電層4中的膜厚薄的部分4a上層疊空穴注入層5中的膜厚厚的部分5a，在透明導電層4中的膜厚厚的部分4b上層疊空穴注入層5中的膜厚薄的部分5b。因此，在顯示面板105中，盡管透明導電層以及空穴注入層各自存在膜厚厚的部分和薄的部分，但是微小區(qū)域a和微小區(qū)域b中透明導電層以及空穴注入層的層疊膜的膜厚的差，與透明導電層以及空穴注入層具有相互相同的膜厚分布的情況相比減小了。因此，能夠減小顯示面板105中的輝度不均。-顯示面板105的各部構(gòu)成-TFT基板I例如是在無堿玻璃、鈉玻璃、無熒光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石 英、丙烯系樹脂、苯こ烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚こ烯、聚酯、硅氧烷系樹脂或氧化鋁等絕緣性材料的基板本體上形成TFT、布線構(gòu)件以及覆蓋該TFT的鈍化膜等(圖未示)的構(gòu)成?；灞倔w也可以是有機樹脂膜。層間絕緣膜2是為了將TFT基板I的表面臺階差調(diào)整為平坦而設置的，由聚酰亞胺系樹脂或丙烯系樹脂等絕緣材料構(gòu)成。陽極3由鋁(Al)或鋁合金形成。另外，陽極3例如也可以由銀(Ag)，銀、鈀和銅的合金，銀、銣和金的合金，鑰和鉻的合金(MoCr),鎳和鉻的合金(NiCr)等形成。透明導電層4作為防止在制造過程中陽極3自然氧化的保護層發(fā)揮作用。透明導電層4的材料只要由對在發(fā)光層8產(chǎn)生的光具有足夠的透光性的導電性材料形成即可，例如，優(yōu)選氧化銦錫(IT0)、IZ0等。這是因為，即使在室溫下進行成膜也能夠得到良好的導電性。空穴注入層5具有將空穴注入到發(fā)光層8的功能。例如，由包括WOx、氧化鑰(MoOx)、氧化鑰鶴(MoxWyOz)等過渡金屬的氧化物的金屬氧化物形成。堤6由樹脂等有機材料形成，具有絕緣性。作為有機材料的例子，可以舉出丙烯系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型酚樹脂等。堤6優(yōu)選具有有機溶劑耐受性。并且，堤6，由于有時要被實施蝕刻處理、烘焙處理等，所以優(yōu)選由對這些處理不會過度變形、變質(zhì)等的耐受性高的材料形成?？昭ㄝ斔蛯?，例如由日本特開平5-163488號記載的三唑衍生物、噁ニ唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物以及吡唑啉酮衍生物、苯ニ胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代芳基丙烯酰芳烴衍生物、噁唑化合物衍生物、苯こ烯蒽衍生物、9_荷酮衍生物、腙衍生物、苗衍生物、卩卜啉(porphyrin)化合物、芳香族叔胺化合物以及苯こ烯基胺化合物、丁ニ烯化合物、聚苯こ烯衍生物、腙衍生物、三苯甲烷衍生物、四苯基苯(tetraphenyIbenzene)衍生物形成。尤其優(yōu)選，由卟啉化合物、芳香族叔胺化合物以及苯こ烯基胺化合物形成。在發(fā)光層8為有機發(fā)光層的情況下，例如，優(yōu)選由聚芴、聚苯こ烯撐、聚こ炔、聚亞苯基、聚對苯こ烯撐、聚3-己基噻吩、它們的衍生物等高分子材料，日本特開平5-163488號公報中記載的類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁ニ唑化合物、紫環(huán)酮(per inone )化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物(7 ン卜ラセン化合物)、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、
喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、 (chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戍二烯化合物、苗化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、蒽化合物(7 7 9 ★ >化合物)、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2’ -聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)等形成。電子輸送層9例如由日本特開平5-163488號公報的硝基取代9_荷酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、聯(lián)苯醌(Diphenoquinone)衍生物、茈四羧基衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、亞芴基甲烷衍生物、蒽酮衍生物、噁二唑衍生物、紫環(huán)酮衍生物、喹啉配合物衍生物等形成。另外，從使電子注入性進一步提高的觀點出發(fā)，構(gòu)成上述電子輸送層的材料中也可以摻雜Na、Ba、Ca等堿金屬或堿土類金屬。 陰極11例如由ΙΤ0、IZO等形成。封止層12具有抑制發(fā)光層8等暴露于水分或暴露于空氣的功能，例如由氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳化硅(SiC)、含碳氧化硅(SiOC)、氮化鋁(A1N)、氧化鋁(Al2O3)等材料形成。-成膜系統(tǒng)的構(gòu)成_成膜系統(tǒng)例如包括多個真空成膜裝置而構(gòu)成。在此，作為真空成膜裝置以磁控濺射裝置為例進行說明。首先，簡單說明磁控濺射裝置的構(gòu)成。圖6 (a)是表示磁控濺射裝置內(nèi)的構(gòu)成的圖。在磁控濺射裝置(未圖示)內(nèi)，如圖6 (a)所示，基板21與靶構(gòu)件22相對向配置?；?1由基板支架23保持。靶構(gòu)件22由靶構(gòu)件支架24保持，在該靶構(gòu)件支架24中的、與保持有靶構(gòu)件22的面相反側(cè)的面配置有多個磁控管25。圖6 (b)是示意表示基板21、靶構(gòu)件22以及多個磁控管25的配置關(guān)系的圖。如圖6 (b)所示，相對于基板21，多個磁控管25等間隔配置。圖6 (C)是示意表示在基板21上形成的功能層26的圖。其中，該功能層26是由如圖6 (b)所示那樣配置有多個磁控管的磁控濺射裝置成膜的。從圖6 (b)和圖6 (C)可知，功能層26中的、相當于配置有磁控管25的部分的部分26A的膜厚，比相當于不配置磁控管25的部分的部分26b的膜厚厚。也就是說，在功能層26，產(chǎn)生由于多個磁控管的配置引起的膜厚不均。在此基礎上，說明在二個磁控濺射裝置中磁控管的配置相同的情況下和在磁控管的配置不同的情況下，產(chǎn)生怎樣的差異。-在兩個磁控濺射裝置中磁控管的配置相同的情況-首先，說明在兩個磁控濺射裝置中磁控管的配置相同的情況。作為成膜系統(tǒng)，在此假設是串排(in line)型成膜系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括作為第一成膜裝置的成膜透明導電層的第一磁控濺射裝置、以及作為第二成膜裝置的成膜空穴注入層的第二磁控濺射裝置。圖7 (a)是示意表示第一磁控濺射裝置中的、基板31、靶構(gòu)件32以及多個磁控管35的配置關(guān)系的圖。圖7 (b)是示意表示由第一磁控濺射裝置形成在基板31上的透明導電層36的圖。圖7 (C)是示意表示第二磁控濺射裝置中的、基板41、靶構(gòu)件42以及多個磁控管45的配置關(guān)系的圖。圖7 (d)是示意表示由第二磁控濺射裝置形成在基板41上的空穴注入層46的圖。圖7 (a)以及圖7 (C)與圖6 (b)相同，圖7 (b)以及圖7 (d)與圖6 (C)相同。也就是說，第一磁控濺射裝置和第二磁控濺射裝置的磁控管的配置相同，由這些磁控濺射裝置形成的透明導電層36以及空穴注入層46的膜厚分布相同。因此，如圖7 (b)、(d)、(e)所示，若在透明導電層36上層疊空穴注入層46，則透明導電層以及空穴注入層的層疊膜56的最厚部分與最薄部分之差th3，比透明導電層36以及空穴注入層46各自的最厚部分與最薄部分之差thl、th2都大。因此，顯示面板中的輝度不均也變大。-在兩個磁控濺射裝置中磁控管的配置不同的情況_接著，說明在兩個磁控濺射裝置中磁控管的配置不同的情況。圖8 (a)是示意表示第一磁控濺射裝置中的、基板61、靶構(gòu)件62以及多個磁控管65的配置關(guān)系的圖。圖8 (b)是示意表示由第一磁控濺射裝置形成在基板61上的透明導電層66的圖。圖8 (c)是示意表示第二磁控濺射裝置中的、基板71、靶構(gòu)件72以及多個磁控管75的配置關(guān)系的圖。圖8 (d)是示意表示由第二磁控濺射裝置形成在基板71上的空穴注入層76的圖。對圖8 (a)和圖8 (C)進行比較可知，多個磁控管65各自相對于靶構(gòu)件62的位置，與多個磁控管75各自相對于靶構(gòu)件72的位置不同。具體而言，在圖8 (a)和圖8 (c)中，相同點是，多個磁控管以等間隔配置，但是在圖8 (c)中，磁控管配置在相當于圖8 (a)所示的相鄰磁控管之間的各區(qū)域的部分。也就是說，在圖8 (a)和圖8 (C)中，磁控管的配置偏移了半周期。因此，在與基板相對向的靶構(gòu)件面附近的磁場的分布，在圖8 (a)和圖8(c)中不同，其結(jié)果，分別由第一功能層以及第二磁控濺射裝置成膜的透明導電層66以及空穴注入層76的膜厚分布也不同。具體而言，對圖8 (b)和圖8 (d)進行對比可知，與透明導電層66的膜厚厚的部分66a對應的空穴注入層76的部分76a的膜厚薄，與透明導電層66的膜厚薄的部分66b對應的空穴注入層76的部分76b的膜厚厚。因此，在將它們層疊了的情況下，圖8 (e)所示的、層疊膜86的最厚部分與最薄部分之差th4，小于圖7 (e)所示的、層疊膜56的最厚部分與最薄部分之差th3。也就是說，通過使各個磁控濺射裝置中的磁控管的配置不一致，層疊膜86的膜厚差減小。尤其是，在此，在各個磁控濺射裝置中磁控管的配置錯開半周期，所以在透明導電層66的最厚部分層疊空穴注入層76的最薄部分，在透明導電層66的最薄部分層疊空穴注入層76的最厚部分。因此，層疊膜86的膜厚差成為最小。另外，空穴注入層的平均膜厚優(yōu)選與透明導電層中的膜厚最厚的部分和膜厚最薄的部分之差是同等程度。這是因為，能進一步減小層疊膜的膜厚不均。另外，即使在空穴注入層相對于透明導電層來說很薄的情況下，也能夠減小層疊膜的膜厚不均。這是因為，空穴注入層的膜厚分布不因該空穴注入層的厚度而產(chǎn)生。由于如上述那樣層疊膜86的膜厚差減小，所以顯示面板中的輝度不均也減小。
_制造方法_接著,例示顯示面板105的制造工序。圖9、10是表示顯示面板105的制造工序的一例的圖。另外，在圖9、10中，取顯不面板105的一部分不意表不。首先，在形成于TFT基板I上的層間絕緣膜2上成膜Ag薄膜。Ag薄膜的成膜可以使用磁控濺射法、真空蒸鍍法等真空成膜法。接著，在Ag薄膜上成膜ITO薄膜。ITO薄膜的膜厚例如是10 50nm，ITO薄膜的成膜可以使用磁控濺射法、真空蒸鍍法等真空成膜法。例如可以使用圖8 (a)所示的第一磁控濺射裝置。在成膜了 Ag薄膜以及ITO薄膜之后，通過例如用光刻法進行圖形形成，行列狀地形成陽極3以及透明導電層4 (參照圖9 (a))。接著，使用WOx或含有MoxWyOz的組合物，在行列狀地形成有陽極3以及透明導電層4的TFT基板I的表面成膜WOx、MoOx或MoxWyOz的空穴注入層5 (參照圖9 (b))。空穴注入層5的膜厚例如是5 40nm，空穴注入層5的成膜可以使用磁控濺射法、真空蒸鍍法等真空成膜法。例如，可以使用圖8 (c)所示的第二磁控濺射裝置。接著，在空穴注入層5上形成由絕緣性有機材料構(gòu)成的堤材料層。堤材料層的形成例如可以通過涂敷等進行。然后，在堤材料層上重疊具有預定形狀的開口部的掩模，從掩模之上使之感光后，用顯影液洗去多余的堤材料層。由此，完成堤材料層的圖形形成。通過以上所述，完成堤6 (參照圖10 (a))。接著，在由堤6所劃分的各區(qū)域內(nèi)，通過例如噴墨法滴下包含空穴輸送層的材料的組合物墨，使該組合物墨干燥而形成空穴輸送層7。在空穴輸送層7形成后，在由堤6所劃分的各區(qū)域內(nèi)，通過例如噴墨法，滴下包含發(fā)光材料的組合物墨，使該組合物墨干燥而形成發(fā)光層8 (參照圖10 (b))。另外，空穴輸送層7以及發(fā)光層8也可以通過分墨法、噴嘴式涂敷法、旋涂法、凹版印刷、凸版印刷等形成。在發(fā)光層8形成后，形成電子輸送層9以及陰極(例如由ITO薄膜構(gòu)成)11，進而在陰極11上形成封止層12 (參照圖10 (C))。電子輸送層9以及陰極11的成膜可以使用磁
控濺射法、真空蒸鍍法等真空成膜法。如上所述，根據(jù)本實施方式的顯示面板105，透明導電層4和空穴注入層5的膜厚分布不一致，所以透明導電層4的膜厚最厚的部分和空穴注入層5的膜厚最厚的部分不一致而錯開地層疊。同樣，透明導電層4的膜厚最薄的部分和空穴注入層5的膜厚最薄的部分錯開地層疊。因此，能夠減小透明導電層4以及空穴注入層5的層疊膜中的膜厚不均，所以結(jié)果能夠減小顯示面板中的輝度不均。<變形例>以上，以顯示面板為例，基于實施方式說明了本發(fā)明的發(fā)光面板，但是本發(fā)明當然不限于上述實施方式。例如可以想到以下的變形例。(I)微小區(qū)域a中的空穴注入層的膜厚可以比微小區(qū)域b中的空穴注入層的膜厚薄，并且微小區(qū)域a中的透明導電層的膜厚可以比微小區(qū)域b中的透明導電層的膜厚厚。(2)作為由磁控濺射裝置成膜的兩個功能層舉例說明了透明導電層以及空穴注入層，但是也可以是其他功能層(例如、陽極、電子輸送層、陰極等)。另外，這二層功能層不需要一定在層疊方向上相鄰，也可以分離。但是，在該情況下，需要使兩個功能層之間不介有由噴墨等涂敷法形成的功能層。這是因為，在由涂敷法形成的功能層的形狀中不反映該功能層的下層的形狀。在此，作為相互分離的兩個功能層以陽極以及空穴注入層為例進行說明。圖11是示意表示顯示面板1051的微小區(qū)域a以及微小區(qū)域b各自中的陽極以及空穴注入層的膜厚的圖。在圖11所示的顯示面板1051中，微小區(qū)域a中的陽極3a的膜厚比微小區(qū)域b中的陽極3b的膜厚薄，而微小區(qū)域a中的空穴注入層5a的膜厚比微小區(qū)域b中的空穴注入層5b的膜厚厚。即使像這樣兩個功能層相互分離，通過使用磁控管的配置不同的分別的磁控濺射裝置成膜這兩個功能層，也能夠減小層疊膜的膜厚不均。另外，不必限定為兩層功能層，對于三層以上功能層也同樣。在此，作為三個功能層以透明導電層、空穴注入層以及陽極為例進行說明。圖12是示意表示顯示面板1052的微小區(qū)域a以及微小區(qū)域b各自中的透明導電層、空穴注入層以及陽極的膜厚的圖。在圖12所示的顯示面板1052中，微小區(qū)域a中的空穴注入層5a的膜厚比微小區(qū)域b中的空穴注入層5b的膜厚厚，而微小區(qū)域a中的透明導電層4a的膜厚比微小區(qū)域b中的透明導電層4b的膜厚薄。另外，微小區(qū)域a中的陽極3a的膜厚比微小區(qū)域b中的陽極3b的膜厚厚。接著，圖13 (a)是示意表示第一磁控濺射裝置中的、基板61、靶構(gòu)件62、以及多個磁控管65的配置關(guān)系的圖。圖13 (b)是示意表示第二磁控濺射裝置中的、基板71、靶構(gòu)件72以及多個磁控管75的配置關(guān)系的圖。圖13 (c)是示意表示陽極的成膜所使用的第三磁控濺射裝置中的、基板91、靶構(gòu)件92以及多個磁控管95的配置關(guān)系的圖。圖13 Ca)與圖8 Ca)同樣，圖13 (b)與圖8 (C)同樣。也就是說，在圖13 (a)和圖13 (b)中，磁控管的配置偏移半周期，在圖13 (b)中，在相當于圖13 (a)所示的相鄰的磁控管之間的各區(qū)域的部分配置磁控管。另外，在圖13 (a)和圖13 (c)中，磁控管的配置偏移I / 4周期。因此，多個磁控管95各自相對于靶構(gòu)件92的位置，與多個磁控管65各自相對于靶構(gòu)件62的位置、以及多個磁控管75各自相對于靶構(gòu)件72的位置不同。磁控管的配置在所有的磁控濺射裝置中都不同，所以能夠減小由這些裝置成膜的功能層的層疊膜的膜厚差。另外，在此，作為三個功能層以透明導電層、空穴注入層以及陽極為例進行了說明，但是也可以是其他的功能層。(3)說明了空穴輸送層以及電子輸送層分別有一層，但是也可以分別由兩層以上構(gòu)成。在該情況下，可以是各個空穴輸送層的膜厚分布不同，也可以是各個電子輸送層的膜厚分布不同。由此，能夠減小這些層疊膜的膜厚不均。(4)多個磁控管以等間隔配置，但是不一定需要是等間隔。只要在各磁控濺射裝置中多個磁控管配置成多個功能層各自中的、膜厚最厚的部分彼此、最薄部分彼此不層疊即可。因此，只要膜厚分布在多個功能層中不一致即可，可以是任意的配置。例如，可以將多個磁控管配置成間隔逐漸變大，另外，可以將多個磁控管傾斜配置。另外，磁控管的形狀不限于四邊形，也可以是圓形、多邊形。(5)作為真空成膜裝置，以磁控濺射裝置為例進行了說明，但是也可以使用蒸鍍裝置、CVD裝置、濺射裝置、電鍍裝置等。在此，簡單說明使用蒸鍍裝置的情況。在蒸鍍裝置內(nèi)，取代多個磁控管，多個蒸鍍源例如以等間隔與基板相對向配置。使用該蒸鍍裝置而成膜的功能層中的、相當于蒸鍍源的區(qū)域的膜厚，比相當于相鄰的蒸鍍源之間的區(qū)域的膜厚厚。也就是說，在成膜的功能層中，產(chǎn)生因蒸鍍源的配置引起的膜厚不均。因此，通過蒸鍍源的配置不同的分別的蒸鍍裝置成膜各功能層，能夠減小層疊膜的膜厚不均。(6)說明了微小區(qū)域a以及b分別為由多個像素構(gòu)成的區(qū)域，但是也可以設為由I個像素構(gòu)成的區(qū)域，還可以設為比I個像素小的區(qū)域。另外，微小區(qū)域a以及b分別也可以不是以像素為基準的區(qū)域。并且，微小區(qū)域a以及b可以是在與功能層的層疊方向交叉的方向上相鄰的區(qū)域。(7)沒有示出顯示裝置100的外觀,但例如具有圖14所示的外觀。(8)作為發(fā)光面板以顯示裝置用的顯示面板為例進行了說明，但是也可以是照明裝置用的發(fā)光面板。(9)說明了作為第一成膜裝置以第一磁控濺射裝置為例，作為第二成膜裝置以第二磁控濺射裝置為例，用分別的磁控濺射裝置成膜兩個層的情況，但是也可以用同一磁控濺射裝置成膜二個層。在該情況下，通過按每層改變同一磁控濺射裝置內(nèi)的磁控管的配置等等，能夠成膜具有不同膜厚分布的膜。(10)可以是第一成膜裝置為第一 CVD裝置、第二成膜裝置為第二 CVD裝置，也可以
是第一成膜裝置為第一蒸鍍裝置、第二成膜裝置為第二蒸鍍裝置。另外，也可以是組合了磁控濺射裝置、蒸鍍裝置、CVD裝置、濺射裝置以及電鍍裝置中的兩個以上的成膜系統(tǒng)。例如，可以是第一功能層以及第二成膜裝置的一方為磁控濺射裝置、另一方為蒸鍍裝置，也可以是一方為CVD裝置、另一方為蒸鍍裝置，還可以是一方為磁控濺射裝置、另一方為CVD裝置。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠利用于顯示裝置、照明裝置。附圖標記說明100顯示裝置101控制電路102存儲器103掃描線驅(qū)動電路104數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路105顯示面板200柵極線201數(shù)據(jù)線202電源線203開關(guān)晶體管204驅(qū)動晶體管
205陽極
206保持電容
207陰極
208像素電路
209驅(qū)動部
ITFT基板
2層間絕緣膜
3陽極
4透明導電層
5空穴注入層
6堤
7空穴輸送層
8發(fā)光層
9電子輸送層
11陰極
12封止層
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光面板，具有基板和形成于所述基板上的發(fā)光功能層， 所述發(fā)光功能層由多個功能層層疊而成，所述多個功能層中包括第一功能層以及第二功能層， 在將從層疊方向的一方觀察所述發(fā)光功能層時在與層疊方向交叉的方向上相鄰或分離的兩個區(qū)域中的一方稱為第一發(fā)光區(qū)域、將另一方稱為第二發(fā)光區(qū)域的情況下， 所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板， 所述第一功能層和所述第二功能層是由真空成膜法成膜的層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光面板， 所述第一功能層和所述第二功能層在層疊方向上相鄰。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光面板， 所述多個功能層還包括陽極、和夾著所述第一功能層以及第二功能層與所述陽極相對向的陰極， 所述第一功能層是層疊于所述陽極上的透明導電層， 所述第二功能層是層疊于所述透明導電層上的電荷注入層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的發(fā)光面板， 所述第一功能層由ITO或IZO構(gòu)成， 所述第二功能層由氧化金屬構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板， 所述多個功能層中還包括第三功能層， 所述第一發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚厚。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光面板， 所述第三功能層是陽極， 所述多個功能層中還包括夾著所述第一功能層以及第二功能層與所述陽極相對向的陰極， 所述第一功能層是層疊于所述陽極上的透明導電層， 所述第二功能層是層疊于所述透明導電層上的電荷注入層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光面板， 所述第三功能層由鋁、銀、或鋁以及銀中的任一方的合金構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光面板， 所述第三功能層是陰極， 所述多個功能層中還包括夾著所述第一功能層以及第二功能層與所述陰極相對向的陽極， 所述第一功能層是層疊于所述陽極上的透明導電層， 所述第二功能層是層疊于所述透明導電層上的電荷注入層。
10.一種發(fā)光面板的制造方法，所述發(fā)光面板具有基板和在所述基板上層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層，所述多個功能層包括第一功能層以及第二功能層， 所述制造方法包括 第一工序，由第一成膜裝置形成所述第一功能層；以及 第二工序，由第二成膜裝置形成所述第二功能層， 在將從層疊方向的一方觀察所述發(fā)光功能層時在與層疊方向交叉的方向上相鄰或分離的兩個區(qū)域中的一方稱為第一發(fā)光區(qū)域、將另一方稱為第二發(fā)光區(qū)域的情況下， 所述第一發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第一功能層的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第二功能層的膜厚厚。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第一成膜裝置是第一磁控濺射裝置， 所述第二成膜裝置是第二磁控濺射裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第一磁控濺射裝置具有 第一祀構(gòu)件； 第一靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第一靶構(gòu)件；以及 多個第一磁控管，配置于所述第一靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第一靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面， 所述第二磁控濺射裝置具有 第二靶構(gòu)件； 第二靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第二靶構(gòu)件；以及 多個第二磁控管，配置于所述第二靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第二靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面， 所述基板，在所述第一磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第一靶構(gòu)件相對向之后，在所述第二磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第二靶構(gòu)件相對向， 所述多個第一磁控管各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二磁控管各自相對于所述基板的位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述多個第一磁控管以第一間隔等間隔配置， 所述多個第二磁控管以第二間隔等間隔配置， 所述第一間隔與所述第二間隔相等。
14.根據(jù)權(quán)利要求10 13中任一項所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第一功能層與所述第二功能層在層疊方向上相鄰。
15.根據(jù)權(quán)利要求11 14中任一項所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述多個功能層中還包括第三功能層， 所述制造方法包括由第三磁控濺射裝置形成第三功能層的第三工序、 所述第一發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚厚。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光面板的制造方法，所述第三磁控濺射裝置具有 第三靶構(gòu)件； 第三靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第三靶構(gòu)件；以及 多個第三磁控管，配置在所述第三靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第三靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面， 所述多個第三磁控管各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第一磁控管各自相對于所述基板的位置、以及所述多個第二磁控管各自相對于所述基板的位置。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第一成膜裝置是第一蒸鍍裝置， 所述第二成膜裝置是第二蒸鍍裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第一蒸鍍裝置具有多個第一蒸鍍源， 所述第二蒸鍍裝置具有多個第二蒸鍍源， 所述基板，在所述第一蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第一蒸鍍源相對向之后，在所述第二蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第二蒸鍍源相對向， 所述多個第一蒸鍍源各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二蒸鍍源各自相對于所述基板的位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述多個第一蒸鍍源以第一間隔等間隔配置， 所述多個第二蒸鍍源以第二間隔等間隔配置， 所述第一間隔與所述第二間隔相等。
20.根據(jù)權(quán)利要求17 19中任一項所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第一功能層和所述第二功能層在層疊方向上相鄰。
21.根據(jù)權(quán)利要求17 20中任一項所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述多個功能層中還包括第三功能層， 所述制造方法包括由第三蒸鍍裝置形成第三功能層的第三工序， 所述第一發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域中的第三功能層的膜厚厚。
22.根據(jù)權(quán)利要21所述的發(fā)光面板的制造方法， 所述第三蒸鍍裝置具有多個第三蒸鍍源， 所述多個第三蒸鍍源各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第一蒸鍍源各自相對于所述基板的位置、以及所述多個第二蒸鍍源各自相對于所述基板的位置。
23.一種成膜系統(tǒng)，用于制造發(fā)光面板，所述發(fā)光面板具有基板和在所述基板上層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層，所述多個功能層包括第一功能層以及第二功能層， 所述成膜系統(tǒng)，包括 第一磁控濺射裝置，形成所述第一功能層；以及 第二磁控濺射裝置，形成所述第二功能層， 所述第一磁控濺射裝置具有 第一靶構(gòu)件；第一靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第一靶構(gòu)件；以及 多個第一磁控管，配置于所述第一靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第一靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面， 所述第二磁控濺射裝置具有 第二靶構(gòu)件； 第二靶構(gòu)件支架，保持配置于主面的所述第二靶構(gòu)件；以及 多個第二磁控管，配置于所述第二靶構(gòu)件支架中的與配置有所述第二靶構(gòu)件的主面相反側(cè)的面， 將所述基板，在所述第一磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第一靶構(gòu)件相對向之后，在所述第二磁控濺射裝置內(nèi)配置成與所述第二靶構(gòu)件相對向， 所述多個第一磁控管各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二磁控管各自相對于所述基板的位置。
24. 一種成膜系統(tǒng)，用于制造發(fā)光面板，所述發(fā)光面板具有基板和在所述基板上層疊多個功能層而成的發(fā)光功能層，所述多個功能層包括第一功能層以及第二功能層， 所述成膜系統(tǒng)，包括 第一蒸鍍裝置，形成所述第一功能層；以及 第二蒸鍍裝置，形成所述第二功能層， 所述第一蒸鍍裝置具有多個第一蒸鍍源， 所述第二蒸鍍裝置具有多個第二蒸鍍源， 將所述基板，在所述第一蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第一蒸鍍源相對向之后，在所述第二蒸鍍裝置內(nèi)配置成與所述多個第二蒸鍍源相對向， 所述多個第一蒸鍍源各自相對于所述基板的位置，不同于所述多個第二蒸鍍源各自相對于所述基板的位置。
全文摘要
發(fā)光面板(105)，具有基板和形成于所述基板上的發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層是多個功能層層疊而成的，多個功能層包括第一功能層以及第二功能層，在將從層疊方向的一方觀察所述發(fā)光功能層時在與層疊方向交叉的方向上相鄰或分離的兩個區(qū)域中的一方稱為第一發(fā)光區(qū)域(a)、將另一方稱為第二發(fā)光區(qū)域(b)的情況下，所述第一發(fā)光區(qū)域(a)中的第一功能層(4a)的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域(b)中的第一功能層(4b)的膜厚薄，并且所述第一發(fā)光區(qū)域(a)中的第二功能層(5a)的膜厚比所述第二發(fā)光區(qū)域(b)中的第二功能層(5b)的膜厚厚。
文檔編號C23C14/34GK103026791SQ201180036878
公開日2013年4月3日 申請日期2011年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月8日
發(fā)明者西山誠司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社