專利名稱：半導體設備工藝控制方法和半導體設備工藝控制裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領域，特別涉及一種半導體設備工藝控制方法和半導體設備工藝控制裝置。
背景技術(shù)：
在晶硅太陽能電池制造設備中，半導體設備例如:等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱:PECVD)設備，多米用線型(In-line)的硬件結(jié)構(gòu)形式，通過在線型鍍膜技術(shù)(In-line PECVD)達到高效率、高產(chǎn)量的目的。圖1為一種線型PECVD設備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該線型PECVD設備包括:裝載臺1、預熱腔2、工藝腔3、冷卻腔4、卸載臺5和載板回收系統(tǒng)6，其中，載板回收系統(tǒng)6可包括返回臺61、返回臺62和返回臺63。線型PECVD設備對晶片的處理流程包括:處于裝載高位(實線框裝載臺所處的位置)的裝載臺I將晶片裝載到載板上，并降至裝載低位(虛線框裝載臺所處的位置)以接收載板回收系統(tǒng)6返回的載板；載板被傳輸至預熱腔2，預熱腔2對載板上裝載的晶片進行預熱處理；預熱處理后，載板被傳輸至工藝腔3，工藝腔3對載板上裝載的晶片進行鍍膜處理；鍍膜處理后，載板被傳輸至冷卻腔4，冷卻腔4對載板上裝載的晶片進行冷卻處理；冷卻處理后，載板被傳輸至處于裝卸高位(實線框裝卸臺所處的位置)的卸載臺5，卸載臺5將晶片從載板上卸下，降至裝卸低位(虛線框裝卸臺所處的位置)，并將載板傳輸至載板回收系統(tǒng)6上；載板回收系統(tǒng)6通過其返回臺61、返回臺62和返回臺63將載板返回處于裝載低位的裝載臺I上；裝載臺I上升至裝載高位，將晶片裝載到載板上，并進行后續(xù)流程。在PECVD設備對晶片進行工藝處理的整個流程中，為了提高生產(chǎn)效率，需要多塊載板同時運行于PECVD設備的各個腔室中。生產(chǎn)過程中，可通過控制每個腔室的操作參數(shù)控制載板在該腔室中所需要執(zhí)行的操作。當每個載板進入預熱腔2后，預熱腔2均按照相應的預熱腔操作參數(shù)對載板上的晶片進行預熱處理；以及當每個載板進入工藝腔3后，工藝腔3均按照相應的工藝腔操作參數(shù)對載板上的晶片進行鍍膜處理。綜上所述，在實際生產(chǎn)過程中，由于每個載板實際運行情況不同，例如:1號載板進行100次工藝處理后需要進行一次清洗工藝，而2號、3號和4號載板進行120次工藝處理后需要進行一次清洗工藝，因此當對I號載板進行了 100次工藝處理后，停止當前流程，重新手動設置工藝腔操作參數(shù)，并由工藝腔根據(jù)重新設置的工藝腔操作參數(shù)對I號載板進行清洗處理。清洗完畢后，再次手動更改工藝腔操作參數(shù)，并繼續(xù)執(zhí)行對I號、2號、3號和4號載板的生產(chǎn)流程。由于對某一載板進行清洗處理時需要停止正常的工藝處理流程，手動更改工藝腔操作參數(shù)，因此增加了生產(chǎn)時間，從而降低了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導 體設備工藝控制方法和半導體設備工藝控制裝置，在同一腔室中針對不同加工件自動執(zhí)行不同工藝操作參數(shù)，以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導體設備工藝控制方法，包括:識別傳輸至當前腔室中的加工件；從預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，所述加工件操作參數(shù)包括所述加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)；根據(jù)所述當前腔室對應的操作參數(shù)，對所述加工件進行工藝處理。進一步地，所述當前腔室對應的操作參數(shù)包括當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)和當前腔室指定工藝參數(shù)。進一步地，所述從預先設置的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)之前包括:判斷生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)是否小于或者等于設定次數(shù)；若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)；根據(jù)當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對所述加工件進行生產(chǎn)工藝處理；若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)；根據(jù)當前腔室指定工藝參數(shù)，對所述加工件進行指定工藝處理。進一步地，所述根據(jù)當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對所述加工件進行生產(chǎn)工藝處理之后,還包括:對所述生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理。進一步地，所述當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，所述當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。進一步地，對所述預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取的當前腔室對應的操作參數(shù)進行歸類處理，將在相同腔室中具有相同或相近操作參數(shù)的加工件連續(xù)傳輸至腔室。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種半導體設備工藝控制裝置，包括:識別模塊，用于識別傳輸至當前腔室中的加工件；讀取模塊，用于從預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，所述加工件操作參數(shù)包括所述加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)；處理模塊，用于根據(jù)所述當前腔室對應的操作參數(shù)，對所述加工件進行工藝處理。進一步地，所述當前腔室對應的操作參數(shù)包括當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)和當前腔室指定工藝參數(shù)。進一步地，所述裝置還包括判斷模塊，所述讀取模塊包括第一讀取子模塊和第二讀取子模塊，所述處理模塊包括第一處理子模塊和第二處理子模塊，其中:所述判斷模塊，用于判斷生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)是否小于或者等于設定次數(shù)；所述第一讀取子模塊，用于若所述判斷模塊判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)；所述第一處理子模塊，用于根據(jù)所述第一讀取子模塊讀取的當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對所述加工件進行生產(chǎn)工藝處理；所述第二讀取子模塊 ，用于若所述判斷模塊判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)；所述第二處理子模塊，用于根據(jù)所述第二讀取子模塊讀取的當前腔室指定工藝參數(shù)，對所述加工件進行指定工藝處理。進一步地，所述裝置還包括:與所述判斷模塊連接的計數(shù)器；所述計數(shù)器，用于對所述生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理。進一步地，所述當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，所述當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。進一步地，所述裝置，對所述預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取的當前腔室對應的操作參數(shù)進行歸類處理，并將在相同腔室中具有相同或相近操作參數(shù)的加工件連續(xù)傳輸至腔室。本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明提供的半導體設備工藝控制方法和半導體設備工藝控制裝置的技術(shù)方案中，通過為每個加工件設置與該加工件對應的加工件操作參數(shù)，使半導體設備實現(xiàn)了針對每個加工件執(zhí)行不同的工藝處理流程，當需要對某一加工件執(zhí)行某一工藝處理時僅需根據(jù)讀取出的操作參數(shù)執(zhí)行相應的工藝處理，無需停止正常的工藝操作流程，即可實現(xiàn)在同一腔室中針對不同加工件自動執(zhí)行不同工藝操作參數(shù)，從而減少了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。


圖1為一種線型PECVD設備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種半導體設備工藝控制方法的流程圖；圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種半導體設備工藝控制方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實施例三提供的一種半導體設備工藝控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例四提供的一種半導體設備工藝控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本領域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的半導體設備工藝控制方法和半導體設備工藝控制裝置進行詳細描述。圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種半導體設備工藝控制方法的流程圖，如圖2所示，該半導體設備工藝控制方法包括:步驟101、識別傳輸至當前腔室中的加工件。在半導體設備中，加工件用于承載晶片，優(yōu)選地，該加工件可以為載板。在半導體設備對晶片進行工藝處理的過程中，會有多個加工件運行于半導體設備中。當某一加工件進入半導體設備的某一腔室中，需要首先對該加工件進行識別處理，以識別出該加工件。例如:當I號加工件進入工藝腔中，當前腔室為工藝腔，則首先對該加工件進行識別處理，以識別出位于工藝腔中的加工件為I號加工件。本實施例中，識別出加工件具體可包括:通過攝像頭識別設置于加工件上的加工件標識以識別出加工件。在實際應用中，可預先在每個加工件上設置用于標識該加工件的加工件標識，當加工件進入當前腔室中時， 可通過攝像頭識別該加工件的加工件標識，從而識別出該加工件?；蛘?若加工件上未設置加工件標識,識別出加工件具體還可包括:通過軟件和傳感器識別出的所述加工件的位置以識別出所述加工件。在實際應用中，在軟件啟動半導體設備的自動生產(chǎn)之前，可通過傳感器識別出各個加工件在半導體設備中的位置，軟件根據(jù)加工件的位置對該加工件進行編號，當加工件傳動之后，軟件實時跟蹤各個加工件的位置變化，以識別出加工件。步驟102、從預先設置的與該加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，該加工件操作參數(shù)包括該加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)。本實施例中，可預先為每個加工件設置出與該加工件對應的加工件操作參數(shù)并存儲于數(shù)據(jù)庫中，該加工件操作參數(shù)包括該加工件在不同腔室對應的操作參數(shù)。例如:加工件操作參數(shù)可以為:{預熱腔參數(shù):參數(shù)I ;參數(shù)2 ；工藝腔參數(shù):生產(chǎn)工藝參數(shù):參數(shù)I ;參數(shù)2:氣體I流量；參數(shù)3:氣體2流量；參數(shù)4:氣體3流量；參數(shù)5:生產(chǎn)工藝執(zhí)行時間；清洗參數(shù):參數(shù)6 ；參數(shù)7:氣體I流量；參數(shù)8:氣體2流量；參數(shù)9:清洗工藝執(zhí)行時間；參數(shù)10:每執(zhí)行設定次數(shù)的生產(chǎn)工藝處理，進行一次清洗處理}上述加工件操作參數(shù)中，加工件在預熱腔對應的操作參數(shù)包括預熱腔參數(shù)，加工件在工藝腔對應的操作參數(shù)包括工藝腔生產(chǎn)工藝參數(shù)和工藝腔清洗參數(shù)。例如:當加工件進入預熱腔時當前腔室為預熱腔，則讀取出的當前腔室對應的操作參數(shù)為預熱腔參數(shù)。較佳地，為了減少腔室中工藝參數(shù)的頻繁切換，本發(fā)明中還對數(shù)據(jù)庫中預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取的當前腔室對應的操作參數(shù)進行歸類處理，將在相同腔室中具有相同或相近操作參數(shù)的加工件連續(xù)傳輸至腔室。步驟103、根據(jù)當前腔室對應的操作參數(shù)，對加工件進行工藝處理。例如:當加工件進入預熱腔時，可根據(jù)預熱腔參數(shù)對加工件進行加熱處理。本實施例提供的半導體設備工藝控制方法包括識別出位于當前腔室中的加工件，從預先設置的與加工件對應的加 工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，并根據(jù)當前腔室對應的操作參數(shù)對該加工件進行工藝處理。本實施例的技術(shù)方案通過為每個加工件設置與該加工件對應的加工件操作參數(shù)，使半導體設備實現(xiàn)了針對每個加工件執(zhí)行不同的工藝處理流程，當需要對某一加工件執(zhí)行某一工藝處理時僅需根據(jù)讀取出的操作參數(shù)執(zhí)行相應的工藝處理，無需停止正常的工藝操作流程，即可實現(xiàn)在同一腔室中針對不同加工件自動執(zhí)行不同工藝操作參數(shù)，從而減少了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種半導體設備工藝控制方法的流程圖，如圖3所示，該半導體設備工藝控制方法包括:步驟201、識別傳輸至當前腔室中的加工件。對步驟201的具體描述可參見實施例一中步驟101的描述。步驟202、判斷生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)是否小于或者等于設定次數(shù)，若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)，則執(zhí)行步驟203;若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，則執(zhí)行步驟206。本實施例中，當前腔室對應的操作參數(shù)包括當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)和當前腔室指定工藝參數(shù)。其中，生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)為根據(jù)當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)對加工件進行生產(chǎn)工藝處理的次數(shù)。例如:在實施例一中列舉的加工件操作參數(shù)中，若當前腔室為工藝腔，則當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)為工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，當前腔室指定工藝參數(shù)為工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。其中，生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)為根據(jù)生產(chǎn)工藝參數(shù)對加工件進行生產(chǎn)工藝處理的次數(shù)。本實施例中，設定次數(shù)可根據(jù)生產(chǎn)工藝需要進行設置。步驟203、從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，加工件操作參數(shù)包括加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)。具體地，在實施例一中列舉的加工件操作參數(shù)中，若當前腔室為工藝腔，則讀取出的當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)。步驟204、根據(jù)當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對加工件進行生產(chǎn)工藝處理。若讀取出的當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，則本步驟具體可以為:根據(jù)生產(chǎn)工藝參數(shù)對加工件進行生產(chǎn)工藝處理。步驟205、對生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理，并執(zhí)行步驟201。本實施例中，每執(zhí)行一次生產(chǎn)工藝處理，需要對生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理，以記錄生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)。步驟206、從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)。具體地，在實施例一中列舉的加工件操作參數(shù)中，若當前腔室為工藝腔，則讀取出的當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。步驟207、根據(jù)當前腔室指定工藝參數(shù)，對加工件進行指定工藝處理，并執(zhí)行步驟201。若讀取出的當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)，則本步驟具體可以為:根據(jù)清洗參數(shù)對加工件進行清洗處理。本實施例中，當需要對某一加工件進行清洗處理時,僅需根據(jù)讀取的清洗參數(shù)對加工件執(zhí)行相應的清洗處理即可， 無需停止正常的工藝處理流程，避免了對其它加工件執(zhí)行正常工藝處理流程的影響。
可選地，本實施例中當前腔室指定工藝參數(shù)還可以為吹掃參數(shù)，此時，工藝腔參數(shù)中可包括吹掃參數(shù)，則步驟207還可以為根據(jù)吹掃參數(shù)對加工件進行吹掃處理。本實施例中，步驟205和步驟207之后均可繼續(xù)執(zhí)行步驟201，直至半導體設備的生產(chǎn)工藝流程執(zhí)行完畢。本實施例提供的半導體設備工藝控制方法的技術(shù)方案中，若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)，并根據(jù)當前腔室指定工藝參數(shù)對加工件進行指定工藝處理。本實施例中，當需要對某一加工件進行指定工藝處理時，僅需根據(jù)讀取的當前腔室指定工藝參數(shù)對加工件執(zhí)行相應的指定工藝處理，無需停止正常的工藝處理流程，即可實現(xiàn)在同一腔室中針對不同加工件自動執(zhí)行不同工藝操作參數(shù)，避免了對其它加工件執(zhí)行正常工藝處理流程的影響，從而減少了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。本實施例中，當生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)時執(zhí)行生產(chǎn)工藝處理，當生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)時執(zhí)行指定工藝處理，從而通過設置設定次數(shù)實現(xiàn)了對工藝處理的控制。圖4為本發(fā)明實施例三提供的一種半導體設備工藝控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如4所示，該半導體設備工藝控制裝置包括:識別模塊11、讀取模塊12和處理模塊13。識別模塊11用于識別傳輸至當前腔室中的加工件。讀取模塊12用于從預先設置的與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，加工件操作參數(shù)包括加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)。處理模塊13用于根據(jù)當前腔室對應的操作參數(shù)，對加工件進行工藝處理。本實施例提供的半導體設備工藝控制裝置的技術(shù)方案中，通過為每個加工件設置與該加工件對應的加工件操作參數(shù)，使半導體設備實現(xiàn)了針對每個加工件執(zhí)行不同的工藝處理流程，當需要對某一加工件執(zhí)行某一工藝處理時僅需根據(jù)讀取出的操作參數(shù)執(zhí)行相應的工藝處理，無需停止正常的工藝操作流程，即可實現(xiàn)在同一腔室中針對不同加工件自動執(zhí)行不同工藝操作參數(shù)，從而減少了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。

圖5為本發(fā)明實施例四 提供的一種半導體設備工藝控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如5所示，本實施例在上述實施例三的基礎上，當前腔室對應的操作參數(shù)包括當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)和當前腔室指定工藝參數(shù)，并且，半導體設備工藝控制裝置可進一步包括判斷模塊14，讀取模塊12可進一步包括第一讀取子模塊121和第二讀取子模塊122，處理模塊13可進一步包括第一處理子模塊131和第二處理子模塊132。判斷模塊14用于判斷生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)是否小于或者等于設定次數(shù)。第一讀取子模塊121用于若判斷模塊14判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)；第一處理子模塊131用于根據(jù)第一讀取子模塊121讀取的當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對加工件進行生產(chǎn)工藝處理。第二讀取子模塊122用于若判斷模塊14判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)；第二處理子模塊132用于根據(jù)第二讀取子模塊122讀取的當前腔室指定工藝參數(shù)，對加工件進行指定工藝處理。進一步地，半導體設備工藝控制裝置還包括:與判斷模塊14連接的計數(shù)器15。計數(shù)器15用于對生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理。本實施例中，優(yōu)選地，當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。本實施例提供的半導體設備工藝控制裝置的技術(shù)方案中，若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)，并根據(jù)當前腔室指定工藝參數(shù)對加工件進行指定工藝處理。本實施例中，當需要對某一加工件進行指定工藝處理時，僅需根據(jù)讀取的當前腔室指定工藝參數(shù)對加工件執(zhí)行相應的指定工藝處理，無需停止正常的工藝處理流程，即可實現(xiàn)在同一腔室中針對不同加工件自動執(zhí)行不同工藝操作參數(shù)，避免了對其它加工件執(zhí)行正常工藝處理流程的影響，從而減少了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。本實施例中，當生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)時執(zhí)行生產(chǎn)工藝處理，當生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)時執(zhí)行指定工藝處理，從而通過設置設定次數(shù)實現(xiàn)了對工藝處理的控制?？梢岳斫獾氖?，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下， 可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導體設備工藝控制方法，其特征在于，包括: 識別傳輸至當前腔室中的加工件； 從預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，所述加工件操作參數(shù)包括所述加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)； 根據(jù)所述當前腔室對應的操作參數(shù)，對所述加工件進行工藝處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體設備工藝控制方法，其特征在于，所述當前腔室對應的操作參數(shù)包括當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)和當前腔室指定工藝參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體設備工藝控制方法，其特征在于，所述從預先設置的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)之前包括:判斷生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)是否小于或者等于設定 次數(shù)； 若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)；根據(jù)當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對所述加工件進行生產(chǎn)工藝處理；若判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)；根據(jù)當前腔室指定工藝參數(shù)，對所述加工件進行指定工藝處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體設備工藝控制方法，其特征在于，所述根據(jù)當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對所述加工件進行生產(chǎn)工藝處理之后，還包括: 對所述生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的半導體設備工藝控制方法，其特征在于，所述當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，所述當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的半導體設備工藝控制方法，其特征在于，對所述預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取的當前腔室對應的操作參數(shù)進行歸類處理，將在相同腔室中具有相同或相近操作參數(shù)的加工件連續(xù)傳輸至腔室。
7.一種半導體設備工藝控制裝置，其特征在于，包括: 識別模塊，用于識別傳輸至當前腔室中的加工件； 讀取模塊，用于從預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，所述加工件操作參數(shù)包括所述加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)； 處理模塊，用于根據(jù)所述當前腔室對應的操作參數(shù)，對所述加工件進行工藝處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體設備工藝控制裝置，其特征在于，所述當前腔室對應的操作參數(shù)包括當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)和當前腔室指定工藝參數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體設備工藝控制裝置，其特征在于，所述裝置還包括判斷模塊，所述讀取模塊包括第一讀取子模塊和第二讀取子模塊，所述處理模塊包括第一處理子模塊和第二處理子模塊，其中: 所述判斷模塊，用于判斷生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)是否小于或者等于設定次數(shù)； 所述第一讀取子模塊，用于若所述判斷模塊判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)小于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)； 所述第一處理子模塊，用于根據(jù)所述第一讀取子模塊讀取的當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)，對所述加工件進行生產(chǎn)工藝處理； 所述第二讀取子模塊，用于若所述判斷模塊判斷出生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)等于設定次數(shù)，從與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室指定工藝參數(shù)； 所述第二處理子模塊，用于根據(jù)所述第二讀取子模塊讀取的當前腔室指定工藝參數(shù)，對所述加工件進行指定工藝處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體設備工藝控制裝置，其特征在于，所述裝置還包括:與所述判斷模塊連接的計數(shù)器； 所述計數(shù)器，用于對所述生產(chǎn)工藝執(zhí)行次數(shù)進行加I處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10任一所述的半導體設備工藝控制裝置，其特征在于，所述當前腔室生產(chǎn)工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的生產(chǎn)工藝參數(shù)，所述當前腔室指定工藝參數(shù)包括工藝腔參數(shù)中的清洗參數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10任一所述的半導體設備工藝控制裝置，其特征在于，所述裝置，對所述預先設置的與所述加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取的當前腔室對應的操作參數(shù)進行歸類處理，并將在相同腔室中具有相同或相近操作參數(shù)的加工件連續(xù)傳輸至腔室。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體設備工藝控制方法和半導體設備工藝控制裝置。該方法包括識別傳輸至當前腔室中的加工件；從預先設置的與加工件對應的加工件操作參數(shù)中讀取當前腔室對應的操作參數(shù)，加工件操作參數(shù)包括加工件在每個腔室對應的操作參數(shù)；根據(jù)當前腔室對應的操作參數(shù)，對加工件進行工藝處理。本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，通過為每個加工件設置與該加工件對應的加工件操作參數(shù)，使半導體設備實現(xiàn)了針對每個加工件執(zhí)行不同的工藝處理流程，當需要對某一加工件執(zhí)行某一工藝處理時僅需根據(jù)讀取出的操作參數(shù)執(zhí)行相應的工藝處理即可，無需停止正常的工藝操作流程，從而減少了生產(chǎn)時間，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品產(chǎn)量。
文檔編號C23C16/54GK103215572SQ20121001926
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者陸濤 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司