專利名稱：Ito-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，尤其涉及一種ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電薄膜電極，是有機電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個器件的發(fā)光效率。其中，氧化銦錫(ITO)是最常用的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。而ITO的功函數(shù)一般只有4.5eV,經(jīng)過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4.7 5.1eV,與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7 6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙著發(fā)光效率的提高。通過后處理的方法可以提高導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)，但由于多了一些步驟工藝，造成成本較高，且效率較低的結(jié)果。而通過在薄膜中摻雜某些元素來提高功函數(shù)的方法，又有一定的制約性:因為摻雜大量會影響薄膜的導(dǎo)電性能，摻雜少量又達不到功函數(shù)提高的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題之一在于提供一種既可以提高導(dǎo)電薄膜表面功函數(shù)又可以降低成本的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜。一種ITO-鹵化銦·雙層導(dǎo)電膜，包括ITO層和鹵化銦層；其中，ITO層中包括In2O3和SnO2，且In2O3質(zhì)量百分含量為80 97%，SnO2的質(zhì)量百分含量為3 20% ;鹵化銦層的材質(zhì)為鹵化銦，其化學(xué)式為InA3, A為鹵素,選自F、Cl或Br。所述ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，優(yōu)選，ITO層中，In2O3質(zhì)量百分含量為88%，Sn02的質(zhì)量百分含量為12% ；所述ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，所述ITO層的厚度為50 300nm，鹵化銦層的厚度為0.5 3nm ;優(yōu)選，所述ITO層的厚度為150nm，鹵化銦層的厚度為lnm。本發(fā)明所要解決的問題之二在于提供上述ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，該制備方法的步驟如下:S1、稱取In2O3和SnO2粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得ITO陶瓷靶材；其中，ITO陶瓷靶材中，In2O3質(zhì)量百分含量為80 97% ,SnO2的質(zhì)量百分含量為3 20% ;以及將鹵化銦粉體置于600 950°C下燒結(jié)處理，制得鹵化銦陶瓷靶材；其中，鹵化銦的化學(xué)式為InA3, A為鹵素，；S2，將步驟SI中得的ITO陶瓷靶材、鹵化銦陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體的真空度設(shè)置在1.0X 10_3Pa 1.0X 10_5Pa之間；S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強
0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ；S4、濺射鍍膜處理:首先濺射ITO陶瓷靶材，并在襯底表面沉積ITO層；接著濺射鹵化銦陶瓷靶材，在ITO層表面沉積InA3層；濺射鍍膜處理完成后，制得ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜；該雙層導(dǎo)電膜包括ITO層和鹵化銦層中，在ITO層中，In2O3質(zhì)量百分含量為80 97%, SnO2的質(zhì)量百分含量為3 20% ;鹵化銦層的材質(zhì)為鹵化銦，其化學(xué)式為InA3, A為鹵素，選自F、Cl或Br。所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，優(yōu)選:所述步驟SI中，ITO陶瓷靶材中，In2O3質(zhì)量百分含量為88%，SnO2的質(zhì)量百分含量為12% ;所述ITO陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C，所述鹵化銦陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為750°C ；所述步驟S2中，真空腔體的真空度設(shè)置在5.0X 10_4Pa ；所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25SCCm ;所述襯底溫度 為500°C，所述濺射功率為100W ;其中，基靶間距為45 95mm，就是指襯底與其中一個靶的垂直距離，另一個靶材就等做完第一個之后，再調(diào)整到第一個靶所在的位置就行了；所述步驟S4中，所述ITO層的厚度為50 300nm，鹵化銦層的厚度為0.5 3nm ；更優(yōu)選，所述ITO層的厚度為150nm，鹵化銦層的厚度為lnm。本發(fā)明的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，在450 790nm波長范圍可見光透過率85 % 90%，方塊電阻范圍20 90 Ω/ □，表面功函數(shù)5.5 6.1eV ;本發(fā)明的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，既能保持良好的導(dǎo)電性能，又使薄膜的功函數(shù)得到顯著的提高；使用該薄膜作為OLED的陽極，可使其發(fā)光效率得到明顯的提高。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備制備ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，其制備工藝簡單、易于控制，且制備成本低。


圖1為實施例1制得的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜樣品的透射光譜。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。下述各實施例中的襯底均采用玻璃。實施例11、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為176g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為24g)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InF3粉體150g，在750°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InF3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InF3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InF3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；
4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm ;磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為150nm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InF3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為Inm的InF3層；最后得到ITO-1nF3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為
6.0eV0圖1為實施例1制得的ITO-1nF3雙層導(dǎo)電膜樣品的透射光譜；使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300 900nm ;圖1中可知，薄膜在可見光范圍具有良好的透過性能，是優(yōu)秀的透明導(dǎo)電薄膜材料。實施例21、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為194g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為6g)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InF3粉體150g，在600°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InF3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InF3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InF3陶 瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm ;磁控濺射工作壓強為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為50mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InF3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為3nm的InF3層；最后得到ITO-1nF3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍90 Ω/ □、表面功函數(shù)為6.1eV0實施例31、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為160g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為40g)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InF3粉體150g，在950°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InF3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InF3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InF3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT5Pa ；
5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm ;磁控濺射工作壓強為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為300mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InF3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為0.5nm的InF3層；最后得到ITO-1nF3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為 5.5eV。實施例41、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為176g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為24g)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InCl3粉體150g，在750°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InCl3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InCl3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InCl3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控 濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm ;磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為150nm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InCl3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為Inm的InCl3層；最后得到ITO-1nCl3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25Ω/ □、表面功函數(shù)為6.0eV0實施例51、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為194g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為6g)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InCl3粉體150g，在600°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InCl3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InF3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InCl3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm ;磁控濺射工作壓強為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為50mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InCl3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為3nm的InCl3層；最后得到ITO-1nCl3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍70Ω/ □、表面功函數(shù)為6.1eV0實施例61、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為160g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為40g)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InCl3粉體150g，在950°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InCl3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InF3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InCl3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm ;磁控濺射工作壓強為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為300mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺 射InCl3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為0.5nm的InCl3層；最后得到ITO-1nCl3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為5.6eVo實施例71、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為176g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為24g)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InBr3粉體150g，在750°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InBr3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InBr3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InBr3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25SCCm ;磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為150nm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InBr3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為Inm的InBr3層；最后得到ITO-1nBr3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25 Ω / □、表面功函數(shù)為5.9eV。實施例81、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為194g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為6g)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及
選用純度分別為99.99%的InBr3粉體150g，在600°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InBr3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InBr3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InBr3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm ;磁控濺射工作壓強為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為50mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InBr3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為3nm的InBr3層；最后得到ITO-1nBr3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍88 Ω / □、表面功函數(shù)為6.0eV0實施例91、選用純度分別為99.99%的In2O3和SnO2粉體(其中，In2O3的質(zhì)量數(shù)為160g，SnO2的質(zhì)量數(shù)為40g)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ITO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ITO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的InBr3粉體150g，在950°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到InBr3陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的InBr3陶瓷靶材；2、將ΙΤ0、InBr3陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35SCCm ;磁控濺射工作壓強為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ；6、接著進行鍍膜:首先，濺射ITO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為300mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射InBr3陶瓷靶材，在ITO層表面沉積厚度為0.5nm的InBr3層；最后得到ITO-1nBr3雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為5.8eVo
應(yīng)當理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，該雙層導(dǎo)電膜包括ITO層和鹵化銦層；其中，ITO層中包括In2O3和SnO2，且In2O3質(zhì)量百分含量為80 97%，SnO2的質(zhì)量百分含量為3 20% ;鹵化銦層的材質(zhì)為鹵化銦，其化學(xué)式為InA3，A為鹵素，選自F、Cl或Br。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，ITO層中，In2O3質(zhì)量百分含量為88%, SnO2的質(zhì)量百分含量為12%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，所述ITO層的厚度為50 300nm,齒化銦層的厚度為0.5 3nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，所述ITO層的厚度為150nm,齒化銦層的厚度為lnm。
5.一種ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，該制備方法的步驟如下: S1、稱取In2O3和SnO2粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得ITO陶瓷靶材；其中，ITO陶瓷靶材中，In2O3質(zhì)量百分含量為80 97%，SnO2的質(zhì)量百分含量為3 20% ;以及 將鹵化銦粉體置于600 950°C下燒結(jié)處理，制得鹵化銦陶瓷靶材；其中，鹵化銦的化學(xué)式為InA3，A為鹵素，選自F、Cl或Br ; S2，將步驟SI中得的ITO陶瓷靶材、鹵化銦陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體的真空度設(shè)置在1.0X 10_3Pa 1.0X 10_5Pa之間； S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為 10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ； S4、濺射鍍膜處理:首先濺射ITO陶瓷靶材，并在襯底表面沉積ITO層；接著濺射鹵化銦陶瓷靶材，在ITO層表面沉積鹵化銦層；濺射鍍膜處理完成后，制得ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜；該雙層導(dǎo)電膜包括ITO層和鹵化銦層中，在ITO層中，In2O3質(zhì)量百分含量為80 97 %，SnO2的質(zhì)量百分含量為3 20% ;鹵化銦層的材質(zhì)為鹵化銦，其化學(xué)式為InA3, A為鹵素，選自F、Cl或Br。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，ITO陶瓷靶材中，In2O3質(zhì)量百分含量為88% ,SnO2的質(zhì)量百分含量為12%;所述ITO陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C，所述鹵化銦陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為750°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，真空腔體的真空度設(shè)置在5.0X 10_4Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25sccm ;所述襯底溫度為500°C，所述濺射功率為100W。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述ITO層的厚度為50 300nm，鹵化銦層的厚度為0.5 3nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述ITO層的厚度為150nm，鹵化銦層的厚度為lnm。
全文摘要
本發(fā)明屬于導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，其公開了一種ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜及其制備方法；該雙層導(dǎo)電膜包括ITO層和鹵化銦層；其中，ITO層中，In2O3質(zhì)量百分含量為80～97％，SnO2的質(zhì)量百分含量為3～20％；鹵化銦中的鹵素選自F、Cl或Br。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備，制備ITO-鹵化銦雙層導(dǎo)電膜，其在450～790nm波長范圍可見光透過率85％～90％，方塊電阻范圍20～90Ω/□，表面功函數(shù)5.5～6.1eV。
文檔編號C23C14/35GK103243296SQ20121003018
公開日2013年8月14日 申請日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司