專利名稱：水浴槽及使用此水浴槽之薄膜沉積裝置的制作方法
水浴槽及使用此水浴槽之薄膜沉積裝置技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制程及設(shè)備，且特別是有關(guān)于一種水浴槽及使用該水浴槽之薄膜沉積裝置。
背景技術(shù)：
薄膜沉積(Thin Film Deposition)可應(yīng)用于裝飾品、餐具、刀具、工具、模具、半導(dǎo)體組件等之表面處，泛指在各種屬材、超硬合、陶瓷材及晶圓基板的表面上， 成長(zhǎng)一層同質(zhì)或異質(zhì)材薄膜的制程，以期獲得美觀耐磨、耐熱、耐蝕等特性。薄膜沉積依據(jù)沉積過(guò)程中，是否含有化學(xué)反應(yīng)的機(jī)制，可以區(qū)分為物氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱 PVD)及化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱 CVD)。
隨著沉積技術(shù)及沉積參數(shù)差異，所沉積薄膜的結(jié)構(gòu)可能是單晶、多晶、或非結(jié)晶的結(jié)構(gòu)。單晶薄膜的沉積在半導(dǎo)體電制程中特別重要，稱為是晶(epitaxy)。相較于晶圓基板，晶成長(zhǎng)的半導(dǎo)體薄膜的優(yōu)點(diǎn)主要有:可以在沉積過(guò)程中直接摻雜施體或受體，因此可以確控制薄膜中的摻質(zhì)分布(dopant profile),而且包含氧與碳等雜質(zhì)。
屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(Metal-Organic Chemical VaporDeposition,簡(jiǎn)稱 M0CVD)，其原是用承載氣體(carrier gas)攜帶氣相反應(yīng)物，或是前驅(qū)物進(jìn)入裝有晶圓的腔體中，晶圓下方的承載盤(pán)(susceptor)以特定方式加熱晶圓及接近晶圓的氣體，因高溫觸發(fā)單一或是數(shù)種氣體間的化學(xué)反應(yīng)式，將反應(yīng)物(通常為氣體)轉(zhuǎn)換為固態(tài)生成物沉積在晶圓表面的一種薄膜沉積技術(shù)。
MOCVD系統(tǒng)的反應(yīng)源可以分成兩種,第一種是有機(jī)金屬(MO)反應(yīng)源,第二種是氫化物(Hydride)氣體反應(yīng)源。有機(jī)金屬反應(yīng)源儲(chǔ)藏在一個(gè)密封容器內(nèi)，在使用此金屬反應(yīng)源時(shí)，則是將兩個(gè)聯(lián)外管路各與MOCVD機(jī)臺(tái)的管路緊密接合，承載氣體可以從其中一端流入，并從另外一端流出時(shí)將反應(yīng)源的飽和蒸氣帶出，進(jìn)而能夠流至反應(yīng)腔。氫化物氣體則是儲(chǔ)存在氣密鋼瓶?jī)?nèi)，經(jīng)由壓力調(diào)節(jié)器及流量控制器來(lái)控制流入反應(yīng)腔體的氣體流量。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，通常，由于希望有機(jī)金屬化合物必須保持在一定的溫度而使有機(jī)金屬化合物氣體的蒸氣壓得以控制，因此將填裝液態(tài)有機(jī)金屬化合物10的容器12放置在水浴槽14中，以便保持在恒溫。在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的使用之后，水浴槽14中的冷卻液體16會(huì)蒸發(fā)散逸而減少，可能造成水浴槽14的溫度改變，而影響有機(jī)金屬化合物氣體的壓力。而且由于必須以人工的方式補(bǔ)充冷卻液體16， 會(huì)增加MOCVD操作上的復(fù)雜度。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種水浴槽，可以自動(dòng)補(bǔ)充液體至槽體，使槽體內(nèi)的液面保持在一定的高度，溫度更加穩(wěn)定，且操作更加簡(jiǎn)單。
本發(fā)明還提供一種薄膜沉積裝置，以提升操作便利性。
具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的水浴槽包括:至少一槽體，裝有第一液體；補(bǔ)充槽， 裝有第二液體；以及輸送模塊，連接補(bǔ)充槽與至少一槽體。當(dāng)槽體中的第一液體的液面低于或等于第一位置時(shí)，輸送模塊適于將第二液體輸送至槽體內(nèi)直至第一液體的液面高于或等于第一位置時(shí)，輸送模塊停止將第二液體輸送至槽體內(nèi)。
在本發(fā)明實(shí)施例中，輸送模塊包括管路單元，管路單元包括入液口及至少出液口， 入液口連接于補(bǔ)充槽，至少一出液口對(duì)應(yīng)連接于至少一槽體，連接于槽體的出液口設(shè)置在槽體的第一位置。
在本發(fā)明實(shí)施例中，補(bǔ)充槽內(nèi)的第二液體的液面高度大于至少一槽體內(nèi)的第一液體的液面高度。
在本發(fā)明實(shí)施例中，補(bǔ)充槽的底部的高度大于至少一槽體內(nèi)的第一液體的液面高度。
在本發(fā)明實(shí)施例中，補(bǔ)充槽為密閉槽。
在本發(fā)明實(shí)施例中，第一液體與第二液體的成分相同。
在本發(fā)明實(shí)施例中，輸送模塊包括:管路單元，至少一水位量測(cè)機(jī)構(gòu)，以及至少一輸送單元。管路單元包括入液口及至少一出液口，入液口連接于補(bǔ)充槽，至少一出液口對(duì)應(yīng)連接于至少一槽體。至少一水位量測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)于至少一槽體并偵測(cè)對(duì)應(yīng)的槽體內(nèi)的第一液體的液面高度。至少一輸送單元配置于管路單元內(nèi)的液體傳輸路徑中，當(dāng)水位量測(cè)機(jī)構(gòu)偵測(cè)到對(duì)應(yīng)的槽體內(nèi)的第一液體的液面高度低于第一位置時(shí)，水位量測(cè)機(jī)構(gòu)觸發(fā)輸送單元將補(bǔ)充槽內(nèi)的第二液體輸送至槽體，當(dāng)水位量測(cè)機(jī)構(gòu)偵測(cè)到對(duì)應(yīng)的槽體內(nèi)的第一液體的液面高度高于或等于第二位置時(shí)，水位量測(cè)機(jī)構(gòu)停止輸送單元輸送第二液體。
在本發(fā)明實(shí)施例中，水位量測(cè)機(jī)構(gòu)包括水位量測(cè)管以及傳感器。水位量測(cè)管連通于對(duì)應(yīng)的槽體，傳感器配置于水位量測(cè)管旁并電性連接至對(duì)應(yīng)的至少一輸送單元，當(dāng)傳感器偵測(cè)到水位量測(cè)管內(nèi)的第一液體的液面高度低于第一位置時(shí)，傳感器向?qū)?yīng)的輸送單元傳送第一信號(hào)以觸發(fā)對(duì)應(yīng)的輸送單元輸送第二液體，當(dāng)傳感器偵測(cè)到對(duì)應(yīng)的水位量測(cè)管內(nèi)的第一液體的液面高度高于或等于第二位置時(shí)，傳感器向?qū)?yīng)的輸送單元傳送第二信號(hào)以使對(duì)應(yīng)的輸送單元停止輸送第二液體。
在本發(fā)明實(shí)施例中，水位量測(cè)機(jī)構(gòu)包括浮球，與對(duì)應(yīng)的輸送單元連動(dòng)，當(dāng)浮球下降至第一位置時(shí)，觸發(fā)對(duì)應(yīng)的輸送單元輸送第二液體，當(dāng)浮球上升至第二位置時(shí)，停止對(duì)應(yīng)的輸送單兀輸送第二液體。
在本發(fā)明實(shí)施例中，第二位置高于或等于第一位置。
在本發(fā)明實(shí)施例中，輸送單元包括馬達(dá)、泵或電磁閥。
本發(fā)明另一實(shí)施例提供的薄膜沉積裝置，包括:瓶體，裝有反應(yīng)源；反應(yīng)腔；連通管路，連通瓶體與反應(yīng)腔，以將反應(yīng)源輸送至反應(yīng)腔；以及水浴槽，瓶體浸于水浴槽中。水浴槽包括:至少一槽體，裝有第一液體；補(bǔ)充槽，裝有第二液體，第一液體與第二液體的成分相同；以及輸送模塊，連接補(bǔ)充槽與槽體。當(dāng)槽體中的第一液體的液面低于或等于第一位置時(shí)，輸送模塊適于將第二液體輸送至至少一槽體內(nèi)直至第一液體的液面高于或等于第一位置，輸送模塊停止將第二液體輸送至槽體內(nèi)。
在本發(fā)明實(shí)施例中，反應(yīng)源為有機(jī)金屬反應(yīng)源。
本發(fā)明之水浴槽可以自動(dòng)補(bǔ)充液體至槽體，使槽體內(nèi)的液面保持在一定的高度， 溫度更加穩(wěn)定，且操作更加簡(jiǎn)單，如此有助于提升本發(fā)明之薄膜沉積裝置的操作便利性。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技 術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)之水浴槽的示意圖。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例之薄膜沉積裝置的示意圖。 圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例之水浴槽的示意圖。圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例之水浴槽的示意圖。圖5是本發(fā)明第四實(shí)施例之水浴槽的示意圖。
具體實(shí)施方式
圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例之薄膜沉積裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明第一實(shí)施例之薄膜沉積裝置2包括瓶體20、反應(yīng)腔22、連通管路24、以及水浴槽25。瓶體20裝有反應(yīng)源200并浸于水浴槽25中。連通管路24連通瓶體20與反應(yīng)腔22以將反應(yīng)源以蒸汽形式輸送至反應(yīng)腔22。于本實(shí)施例中，反應(yīng)源200例如為有機(jī)金屬反應(yīng)源，包括如三甲基嫁(Trimethylgallium, TMGa)、三甲基招(trimethylaluminum, TMA1)、三甲基銦 (Trimethylindium, TMIn)、或二茂續(xù)(Bis (cyclopentadienyl)magnesium, Cp2Mg)等。瓶體 20例如為密封不銹鋼罐(cylinder bubbler)。
水浴槽25包括槽體26、補(bǔ)充槽28以及輸送模塊30。槽體26裝有第一液體260， 而瓶體20浸于槽體26中。補(bǔ)充槽28裝有第二液體280，第一液體260與第二液體280的成分相同。輸送模塊30連接補(bǔ)充槽28與槽體26,輸送模塊30適于將第二液體280輸送至槽體26內(nèi)。于本實(shí)施例中，第一液體260及第二液體280例如為冷卻液，冷卻液的成份例如是重量百分比為50%的水以及重量百分比為50%的乙二醇(抗凍劑)，以避免水浴槽25 中的第一液體260或第二液體280凝固結(jié)冰。
于本實(shí)施例中，輸送模塊30例如是管路單元，其包括連接于補(bǔ)充槽28的入液口 300及連接于槽體26的出液口 302。優(yōu)選的，入液口 300連接于補(bǔ)充槽28的底部。出液口 302設(shè)置在槽體26的第一位置，圖2中，第一位置以其所在的水平線A-A進(jìn)行標(biāo)示。補(bǔ)充槽 28例如為密閉槽。當(dāng)槽體26中的第一液體260的液面低于或等于第一位置A-A時(shí)，補(bǔ)充槽 28中的第二液體280會(huì)自動(dòng)流入槽體26。具體來(lái)講，當(dāng)槽體26中的第一液體260的液面高于或等于第一位置A-A時(shí)，空氣無(wú)法進(jìn)入密閉的補(bǔ)充槽28中，因此補(bǔ)充槽28中的第二液體280無(wú)法流出；當(dāng)槽體26中的第一液體260的液面低于或等于第一位置A-A時(shí)(如圖2 所示)，空氣可以循著輸送模塊30進(jìn)入補(bǔ)充槽28，同時(shí)推壓出部分第二液體280至槽體26 中，直到槽體26中的液面高度高于或等于第一位置A-A時(shí)才停止。
于本實(shí)施例中，補(bǔ)充槽28內(nèi)的第二液體280的液面高度至少需大于槽體26內(nèi)的第一液體260的液面高度，即，補(bǔ)充槽28內(nèi)的第二液體280的液面與第一液體260的液面之間的高度差Hl需大于零。如此可避免槽體26中的第一液體260因虹吸原理流回補(bǔ)充槽 28中。優(yōu)選的，補(bǔ)充槽28的底部的高度大于槽體26內(nèi)的第一液體260的液面高度，即，補(bǔ)充槽28內(nèi)的第二液體280的底部與第一液體260的液面之間的高度差H2大于零。
圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例之水浴槽的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，與第一實(shí)施例相同，本實(shí)施例中的水浴槽45也可用于薄膜沉積裝置，與瓶體40連通的反應(yīng)腔在圖3中沒(méi)有示出。 而且，與第一實(shí)施例相同，瓶體40裝有反應(yīng)源400并浸于水浴槽45中，且瓶體40及反應(yīng)源 400與第一實(shí)施例中的瓶體20及反應(yīng)源200相同,這里不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D3,于本實(shí)施例中，水浴槽45包括槽體46、補(bǔ)充槽48以及輸送模塊50。槽體46裝有第一液體460，而瓶體 40浸于槽體46中。補(bǔ)充槽48裝有第二液體480。第一液體460與第二液體480的成分與第一實(shí)施例中的第一液體260與第二液體280的成分相同，這里不再贅述。輸送模塊50連接補(bǔ)充槽48與槽體46,輸送模塊50適于將第二液體480輸送至槽體46內(nèi)。
具體的，于本實(shí)施例中，輸送模塊50包括管路單兀500、水位量測(cè)機(jī)構(gòu)502以及輸送單元504。管路單元500包括連接于補(bǔ)充槽48的入液口 5000及連接于槽體46的出液口 5002。水位量測(cè)機(jī)構(gòu)502設(shè)置于槽體46，以偵測(cè)槽體46內(nèi)的第一液體460的液面高度。 輸送單元504配置于管路單元500內(nèi)的液體傳輸路徑中，當(dāng)水位量測(cè)機(jī)構(gòu)502偵測(cè)到槽體 46內(nèi)的第一液體460的液面高度低于或等于第一位置B-B時(shí)(如圖3所不),水位量測(cè)機(jī)構(gòu)502觸發(fā)輸送單元504將補(bǔ)充槽48內(nèi)的第二液體480輸送至槽體46。當(dāng)水位量測(cè)機(jī)構(gòu) 502偵測(cè)到槽體46內(nèi)的第一液體460的液面高度高于或等于第二位置C-C時(shí)，輸送單元504 停止輸送第二液體480至槽體46。圖3中，第一位置以其所在的水平線B-B進(jìn)行標(biāo)示，第二位置以其所在的水平線C-C進(jìn)行標(biāo)示，且第二位置C-C高于或等于第一位置B-B。
進(jìn)一步的，于本實(shí)施例中，水位量測(cè)機(jī)構(gòu)502包括水位量測(cè)管5020以及傳感器 5022。水位量測(cè)管5020連通于槽體46。傳感器5022配置于水位量測(cè)管5020旁并電性連接至輸送單元504，傳感器5022用以偵測(cè)第一液體460的液面高度。當(dāng)傳感器5022偵測(cè)到水位量測(cè)管5020內(nèi)的第一液體460的液面高度低于或等于第一位置B-B時(shí)，傳感器5022 向輸送單元504傳送第一信號(hào)以觸發(fā)輸送單元504輸送補(bǔ)充槽48內(nèi)的第二液體480至槽體46。當(dāng)傳感器5022偵測(cè)到水位量測(cè)管5020內(nèi)的第一液體460的液面高度高于或等于第二位置C-C時(shí),傳感器5022向輸送單兀504傳送第二信號(hào)以使輸送單兀504停止輸送第二液體480至槽體46。輸送單元504可以為馬達(dá)、電磁閥或泵等，但不以此為限。
圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例之水浴槽的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，與第一實(shí)施例相同，本實(shí)施例中的水浴槽65也可用于薄膜沉積裝置，與瓶體60連通的反應(yīng)腔在圖4中沒(méi)有示出。 而且，與第一實(shí)施例相同，瓶體60裝有反應(yīng)源600并浸于水浴槽65中，且瓶體60及反應(yīng)源 600與第一實(shí)施例中的瓶體20及反應(yīng)源200相同,這里不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D4,于本實(shí)施例中，水浴槽65包括槽體66、補(bǔ)充槽68以及輸送模塊70。槽體66裝有第一液體660，而瓶體 60浸于槽體66中。補(bǔ)充槽68裝有第二液體680。第一液體660與第二液體680的成分與第一實(shí)施例中的第一液體260與第二液體280的成分相同，這里不再贅述。輸送模塊70連接補(bǔ)充槽68與槽體66,輸送模塊70適于將第二液體680輸送至槽體66內(nèi)。
于本實(shí)施例中，輸送模塊70包括管路單元700、水位量測(cè)機(jī)構(gòu)702以及輸送單元 704。管路單元700包括連接于補(bǔ)充槽68的入液口 7000及連接于槽體66的出液口 7002。 圖4中，第一位置以其所在的水平線礦-B'進(jìn)行標(biāo)示，第二位置以其所在的水平線σ-σ進(jìn)行標(biāo)示，且第二位置CT-CT高于或等于第一位置礦-B、與第二實(shí)施例不同的是，于本實(shí)施例中，水位量測(cè)機(jī)構(gòu)702包括浮球7020，通過(guò)連桿7022與對(duì)應(yīng)的輸送單元704連動(dòng)。當(dāng)浮球7020下降至第一位置時(shí)，隨著浮球7020移動(dòng)的連桿7002會(huì)觸發(fā)輸送單元704輸送第二 液體680，當(dāng)浮球7020上升至第二位置CT -CT時(shí)，隨著浮球7020移動(dòng)的連桿7002會(huì)關(guān)閉輸送單元704，以停止輸送第二液體680。輸送單元704例如為閥件。
值得一提的是，雖然上述各實(shí)施例之補(bǔ)充槽僅用于將第二液體補(bǔ)充至單一槽體中，但本發(fā)明并不限定一個(gè)補(bǔ)充槽所對(duì)應(yīng)連接的槽體的數(shù)量。也就是說(shuō)，在上述各實(shí)施例中，槽體的數(shù)量可為多個(gè)，而單一補(bǔ)充槽可透過(guò)管路單元將第二液體分別補(bǔ)充至這些槽體中。以下將配合圖式來(lái)說(shuō)明單一補(bǔ)充槽對(duì)應(yīng)連接至多個(gè)槽體的實(shí)施例。
圖5是本發(fā)明第四實(shí)施例之水浴槽的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，與上述實(shí)施例相同，本實(shí)施例中的水浴槽85也可用于薄膜沉積裝置，與對(duì)應(yīng)的瓶體80連通的反應(yīng)腔及連通管路在圖5中沒(méi)有示出。與上述實(shí)施例不同的是，于本實(shí)施例中水浴槽85之槽體86的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)裝有反應(yīng)源的瓶體80分別浸于對(duì)應(yīng)的槽體86內(nèi)，且輸送模塊90包括管路單元 900。管路單元900包括連接于補(bǔ)充槽88的入液口 9000以及多個(gè)出液口 9002。這些出液口 9002對(duì)應(yīng)連接于多個(gè)槽體86。值得一提的是，本實(shí)施例中的輸送模塊90可更包括第二實(shí)施例或第三實(shí)施例所述的水位量測(cè)機(jī)構(gòu)與輸送單元，而每一槽體86需對(duì)應(yīng)一個(gè)水位量測(cè)機(jī)構(gòu)與一個(gè)輸送單兀。
綜上所述，本發(fā)明各實(shí)施例之水浴槽可以自動(dòng)補(bǔ)充液體至槽體，使槽體內(nèi)的液面保持在一定的高度，溫度更加穩(wěn)定，且操作更加簡(jiǎn)單。因此，本發(fā)明之薄膜沉積裝置具有易于操作的優(yōu)點(diǎn)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種水浴槽，包括至少一槽體，裝有第一液體；補(bǔ)充槽，裝有第二液體；以及輸送模塊，連接該補(bǔ)充槽與該至少一槽體，當(dāng)該槽體中的該第一液體的液面低于或等于第一位置時(shí)，該輸送模塊適于將該第二液體輸送至該槽體內(nèi)直至該第一液體的液面高于或等于該第一位置時(shí)，該輸送模塊停止將該第二液體輸送至該槽體內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的水浴槽，其特征在于該輸送模塊包括管路單元，該管路單元包括入液口及至少出液口，該入液口連接于該補(bǔ)充槽，該至少一出液口對(duì)應(yīng)連接于該至少一槽體，連接于該槽體的該出液口設(shè)置在該槽體的該第一位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水浴槽，其特征在于該補(bǔ)充槽內(nèi)的該第二液體的液面高度大于該至少一槽體內(nèi)的該第一液體的液面高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水浴槽，其特征在于該補(bǔ)充槽的底部的高度大于該至少一槽體內(nèi)的該第一液體的液面高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水浴槽，其特征在于該補(bǔ)充槽為密閉槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的水浴槽，其特征在于該第一液體與該第二液體的成分相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的水浴槽，其特征在于該輸送模塊包括管路單元，該管路單元包括入液口及至少一出液口，該入液口連接于該補(bǔ)充槽，該至少一出液口對(duì)應(yīng)連接于該至少一槽體；至少一水位量測(cè)機(jī)構(gòu)，對(duì)應(yīng)于該至少一槽體并偵測(cè)對(duì)應(yīng)的該槽體內(nèi)的該第一液體的液面高度；以及至少一輸送單元，配置于該管路單元內(nèi)的液體傳輸路徑中，當(dāng)該水位量測(cè)機(jī)構(gòu)偵測(cè)到對(duì)應(yīng)的該槽體內(nèi)的該第一液體的液面高度低于該第一位置時(shí)，該水位量測(cè)機(jī)構(gòu)觸發(fā)該輸送單元將該補(bǔ)充槽內(nèi)的該第二液體輸送至該槽體，當(dāng)該水位量測(cè)機(jī)構(gòu)偵測(cè)到對(duì)應(yīng)的該槽體內(nèi)的該第一液體的液面高度高于或等于第二位置時(shí)，該水位量測(cè)機(jī)構(gòu)停止該輸送單元輸送該第二液體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水浴槽，其特征在于該水位量測(cè)機(jī)構(gòu)包括水位量測(cè)管以及傳感器，該水位量測(cè)管連通于對(duì)應(yīng)的該槽體，該傳感器配置于該水位量測(cè)管旁并電性連接至該對(duì)應(yīng)的該至少一輸送單元，當(dāng)該傳感器偵測(cè)到該水位量測(cè)管內(nèi)的該第一液體的液面高度低于該第一位置時(shí)，該傳感器向?qū)?yīng)的該輸送單兀傳送第一信號(hào)以觸發(fā)對(duì)應(yīng)的該輸送單元輸送該第二液體，當(dāng)該傳感器偵測(cè)到對(duì)應(yīng)的該水位量測(cè)管內(nèi)的該第一液體的液面高度高于或等于該第二位置時(shí)，該傳感器向?qū)?yīng)的該輸送單元傳送第二信號(hào)以使對(duì)應(yīng)的該輸送單元停止輸送該第二液體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水浴槽，其特征在于該水位量測(cè)機(jī)構(gòu)包括浮球，與對(duì)應(yīng)的該輸送單元連動(dòng)，當(dāng)該浮球下降至該第一位置時(shí)，觸發(fā)對(duì)應(yīng)的該輸送單元輸送該第二液體，當(dāng)該浮球上升至該第二位置時(shí)，停止對(duì)應(yīng)的該輸送單元輸送該第二液體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水浴槽，其特征在于該第二位置高于或等于該第一位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水浴槽，其特征在于該輸送單元包括馬達(dá)、泵或電磁閥。
12.一種薄膜沉積裝置，包括瓶體，裝有反應(yīng)源；反應(yīng)腔；連通管路，連通該瓶體與該反應(yīng)腔，以將該反應(yīng)源輸送至該反應(yīng)腔；以及水浴槽，該瓶體浸于該水浴槽中，該水浴槽包括至少一槽體，裝有第一液體；補(bǔ)充槽，裝有第二液體，該第一液體與該第二液體的成分相同；以及輸送模塊，連接該補(bǔ)充槽與該槽體，當(dāng)該槽體中的該第一液體的液面低于或等于第一位置時(shí)，該輸送模塊適于將該第二液體輸送至該至少一槽體內(nèi)直至該第一液體的液面高于或等于該第一位置，該輸送模塊停止將該第二液體輸送至該槽體內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜沉積裝置，其特征在于該反應(yīng)源為有機(jī)金屬反應(yīng)源。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種水浴槽包括至少一槽體，裝有第一液體；補(bǔ)充槽，裝有第二液體；以及輸送模塊，連接補(bǔ)充槽與至少一槽體。當(dāng)槽體中的第一液體的液面低于或等于第一位置時(shí)，輸送模塊適于將第二液體輸送至槽體內(nèi)直至第一液體的液面高于或等于第一位置時(shí)，輸送模塊停止將第二液體輸送至槽體內(nèi)。本發(fā)明提供的水浴槽可以自動(dòng)補(bǔ)充液體至槽體，使槽體內(nèi)的液面保持在一定的高度，溫度更加穩(wěn)定，且操作更加簡(jiǎn)單。本發(fā)明還提供一種薄膜沉積裝置，以提升操作便利性。
文檔編號(hào)C23C16/448GK103255391SQ20121003550
公開(kāi)日2013年8月21日 申請(qǐng)日期2012年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月17日
發(fā)明者胡富順, 朱之杰, 劉恒 申請(qǐng)人:綠種子材料科技股份有限公司