專利名稱：成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有向被處理基板噴出成膜材料的蒸氣的成膜材料噴出部的成膜裝置。
背景技術(shù)：
在專利文獻I中公開有采用蒸鍍法制造有機EL元件的成膜裝置。成膜裝置具有收納玻璃基板等的被處理基板的處理室，產(chǎn)生成膜材料的蒸氣的蒸氣發(fā)生部被配置于處理室的外部。在處理室的內(nèi)部設(shè)置有成膜材料噴出部，其通過配管與蒸氣發(fā)生部連接，并將在蒸氣發(fā)生部產(chǎn)生的成膜材料的蒸氣向玻璃基板噴出。成膜材料噴出部具有并列設(shè)置的多個蒸鍍頭，各蒸鍍頭各自噴出不同的成膜材料。 現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻I :國際公開2008/066103號手冊

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問題本申請發(fā)明者，發(fā)現(xiàn)如下問題從蒸鍍頭噴射的成膜材料，在被處理基板和處理室或者其他的蒸鍍頭之間反沖，成膜材料附著于與應(yīng)被蒸鍍的位置不同的部位，或者從各成膜材料噴出部的蒸氣相互混合而作為雜質(zhì)混入相鄰的膜中。其中，專利文獻I記載的成膜裝置并未公開成膜材料的反沖的問題以及解決該問題的結(jié)構(gòu)。用于解決課題的方法本發(fā)明涉及的成膜裝置，具有收納被處理基板的處理室；和向該被處理基板噴出成膜材料的蒸氣的成膜材料噴出部，該成膜裝置的特征在于，包括在上述處理室的內(nèi)部具有捕捉部，其捕捉從上述成膜材料噴出部噴出的、在上述被處理基板反沖的成膜材料。在本發(fā)明中，通過捕捉部捕捉在被處理基板反沖的成膜材料。因此，能夠防止從蒸鍍頭噴射的成膜材料在被處理基板和處理室或者其他的蒸鍍頭之間反沖的問題。發(fā)明效果采用本發(fā)明，能夠防止從蒸鍍頭噴射的成膜材料，在被處理基板和處理室或者其他的蒸鍍頭之間反沖，成膜材料附著于與應(yīng)被蒸鍍的位置不同的部位，或者作為雜質(zhì)混入來自各成膜材料噴出部的蒸氣混合的相鄰的膜中。


圖I是概念地說明本實施方式涉及的成膜系統(tǒng)的ー個結(jié)構(gòu)例子的說明圖。圖2是模式地表示成膜裝置的一個結(jié)構(gòu)例子的立體圖。圖3是模式地表示成膜裝置的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。圖4是圖3的IV-IV線的截面圖。圖5是第I蒸鍍頭的底視圖。
圖6是表示本實施方式涉及的捕捉部的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。圖7是概念地表示捕捉部的作用的說明圖。圖8是模式地表示用于說明捕捉部的作用的實驗裝置的側(cè)面圖。圖9是表示變形例I涉及的捕捉部的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。圖10是表示變形例2涉及的捕捉部的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。
圖11是概念地說明變形例3涉及的成膜裝置的一個結(jié)構(gòu)例子的圖。圖12是表示變形例3涉及的捕捉部的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。圖13是表示變形例4涉及的捕捉部的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。
具體實施例方式以下，基于表示該實施方式的圖，對本發(fā)明進行詳述。圖I是概念地說明本實施方式涉及的成膜系統(tǒng)的ー個結(jié)構(gòu)例子的說明圖。本實施方式涉及的成膜系統(tǒng)，包括沿被處理基板G(參照圖3)的搬送方向按串聯(lián)的順序排列的裝載機90 ;傳遞腔室91 ;成膜裝置I ;傳遞腔室92 ;蝕刻裝置93 ;傳遞腔室94 ;濺射裝置95 ；傳遞腔室96 ；CVD裝置97 ;傳遞腔室98和卸載機99。裝載機90是用于將被處理基板G例如預(yù)先在表面形成有ITO層的玻璃基板G搬入到成膜系統(tǒng)內(nèi)的裝置。傳遞腔室91、92、94、96、98是用于在各處理裝置之間交接被處理基板G的裝置。成膜裝置I是用于利用真空蒸鍍法，在被處理基板G上形成空穴注入層；空穴輸送層；藍(lán)色發(fā)光層；紅色發(fā)光層；綠色發(fā)光層以及電子輸送層乃至電子注入層的裝置。詳細(xì)在后文述說。蝕刻裝置93是用于將有機層的形狀調(diào)整為規(guī)定形狀的裝置。濺射裝置95是使用圖案掩膜，例如通過濺射銀Ag、鎂Mg/銀Ag合金等，在電子輸送層上形成陰極層的裝置。CVD裝置97是用于通過CVD法成膜由氮化膜等形成的密封層，密封在玻璃基板G上形成的各種膜的裝置。卸載機99是用于將被處理基板G向成膜系統(tǒng)外搬出的裝置。圖2是模式地表示成膜裝置I的一個結(jié)構(gòu)例子的立體圖，圖3是模式地表示成膜裝置I的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖，圖4是圖3的IV-IV線截面圖。成膜裝置1，包括收納被處理基板G的處理室11 ;和向被處理基板G噴出成膜材料的蒸汽的成膜材料噴出部13。處理室11呈以搬送方向為長邊方向的中空的大致長方體的形狀，由鋁、不銹鋼等構(gòu)成。在處理室11的長邊方向的一端側(cè)的面(圖2中的背面?zhèn)鹊拿?形成有用于將被處理基板G搬入處理室11內(nèi)的搬入ロ 11a，在長邊方向的另一端側(cè)的面(圖2中的前面?zhèn)鹊拿?形成有用于將被處理基板G向處理室11外搬出的搬出ロ lib。搬入ロ Ila和搬出ロ Ilb是具有與搬入方向正交的長邊方向的狹縫形狀，搬入ロ Ila和搬出ロ Ilb的長邊方向大致相同。以下，將搬入口 IIa和搬出ロ Ilb的長邊方向稱為橫方向,將與該橫方向和搬送方向正交的方向稱為上下方向。另外，在收納室的適當(dāng)位置形成有排氣孔11c，排氣孔Ilc經(jīng)由排氣管14與配置于處理室11的外部的真空泵15連接。通過驅(qū)動真空泵15，處理室11的內(nèi)部被減壓至規(guī)定的壓カ例如10_2Pa。
在處理室11內(nèi)部的底部設(shè)置有將被處理基板G從搬入口 Ila—側(cè)向搬出ロ Ilb一側(cè)輸送的搬送裝置12。搬送裝置12，包括在處理室11的底部在長邊方向上設(shè)置的導(dǎo)向軌12a ;被該導(dǎo)向軌12a引導(dǎo)，以能夠向搬送方向即上述長邊方向移動的方式設(shè)置的移動部件12b ;和設(shè)置于移動部件12b的上端部，以與底部大致平行的方式支承被處理基板G的支承臺12c。在支承臺12c的內(nèi)部設(shè)置有保持被處理基板G的靜電卡盤、用于將被處理基板G的溫度保持不變的加熱器、制冷劑管等。其中，支承臺12c被構(gòu)成為通過直線電動機可以進行移動。
另外，在處理室11的上部、在搬送方向大致中央部設(shè)置有通過真空蒸鍍法對被處理基板G進行成膜的成膜材料噴出部13。成膜材料噴出部13構(gòu)成為，沿搬送方向依次配置有向所述被處理基板分別噴出多種成膜材料的蒸氣的多個蒸鍍頭，即使空穴注入層蒸鍍的第一蒸鍍頭13a ;使空穴輸送層蒸鍍的第二蒸鍍頭13b ;使藍(lán)色發(fā)光層蒸鍍的第三蒸鍍頭13c ;使紅色發(fā)光層蒸鍍的第四蒸鍍頭13d ;使綠色發(fā)光層蒸鍍的第五蒸鍍頭13e以及使電子輸送層蒸鍍的第六蒸鍍頭13f。成膜材料噴出部13經(jīng)由配管18a與配置于處理室11的外部的蒸氣發(fā)生部17連接。在圖4中代表地圖示第一蒸鍍頭13a與配管18a連接的結(jié)構(gòu)，但是另外的第二乃至第六蒸鍍頭13b、13c、13d、13e、13f也是同樣的結(jié)構(gòu)。以下，主要關(guān)于第一蒸鍍頭13a和蒸氣發(fā)生部17的結(jié)構(gòu)進行說明。蒸氣發(fā)生部17，包括容器17a和配置于容器17a的內(nèi)部的加熱機構(gòu)17b。加熱機構(gòu)17被構(gòu)成為，通過從電源供給的電力對作為各層的材料的有機類的成膜材料17c進行加熱。例如，被構(gòu)成為利用電阻進行加熱。這樣，加熱收納于容器17a的成膜材料17c，產(chǎn)生有機類的成膜材料17c的蒸氣。另外，容器17a與對被處理基板G供給由惰性氣體例如包括Ar等的稀有氣體等組成的輸送氣體的輸送氣體供給管18b連接。在配管18a和輸送氣體供給管18b各自設(shè)置有用于調(diào)節(jié)輸出氣體和蒸氣量的調(diào)整閥18c、18d。另外，在各部設(shè)置有加熱配管18a、輸送氣體供給管18b和第一蒸鍍頭13a的未圖示的加熱器。加熱器是用于防止成膜材料17c的蒸氣附著到管內(nèi)的部件。被構(gòu)成為將成膜材料17c的蒸氣與從輸送氣體供給管18b被供給到容器17a并被加熱至蒸氣溫度的輸送氣體一起，從蒸氣發(fā)生部17經(jīng)由配管18a供向第一蒸鍍頭13a。還有，第一蒸鍍頭13a，在成膜處理暫時停止時等，與用于將第一蒸鍍頭13a內(nèi)的蒸氣排氣的蒸氣排出管18e連接。蒸氣排出管18e設(shè)置有打開和關(guān)閉該蒸氣排出管18e的開關(guān)閥18f。其中，在蒸氣排出管18e也可以設(shè)置加熱該蒸氣排出管18e的加熱器。圖5是第一蒸鍍頭13a的底視圖。在第一蒸鍍頭13a的底面設(shè)置有向基板G噴射成膜材料的蒸氣的多個噴出孔13g。噴出孔13g例如沿與基板G的搬送方向正交的方向直線地排列配置。其中，噴出孔13g的排列方法只要是能夠?qū)⒊赡げ牧?7c的蒸氣大致均勻地噴射，就并無特別限制。還有，成膜裝置I在處理室的內(nèi)部具有多個捕捉部16，該捕捉部捕捉從成膜材料噴出部13噴出的、在被處理基板G反沖的成膜材料。多個捕捉部16被配置于第一至第六蒸鍍頭13a 13f之間；第一蒸鍍頭13a的搬送方向上游ー側(cè)；和第二蒸鍍頭13b的搬送方向下游ー側(cè)。各捕捉部16是同樣的結(jié)構(gòu)，因此，以下主要對配置于第一蒸鍍頭13a和第二蒸鍍頭13b之間的捕捉部進行說明。圖6是表示本實施方式涉及的捕捉部16的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。捕捉部16具有從成膜材料噴出部13噴出的、在被處理基板G反沖的成膜材料的進入的多個間隙16c。具體來講，捕捉部16具有隔開第一蒸鍍頭13a與第二蒸鍍頭13b的隔離壁16a ;和呈大致矩形形狀，板面對置的多個板部16b，多個板部16b以被處理基板G側(cè)的ー邊比第一和第二蒸鍍頭13a、13b更位于被處理基板G—側(cè)的方式，配置于第一和第二蒸鍍頭13a、13b之間。間隙16c由對置的多個板部16b構(gòu)成。更具體來講，隔離壁16a具有下端部，換而言之隔離壁16a的被處理基板G—側(cè)的部分具有相對于被處理基板G或支承臺12c大致平行的下表面。多個板部16b以沿與第一至第六蒸鍍頭13a 13f 的并列方向大致相同的方向排列的方式而板面對置，從上述下表面向下方大致垂直地突出。更加詳細(xì)來講，捕捉部16配置于第一和第二蒸鍍頭13a、13b的橫方向的大致中央部，當(dāng)使捕捉部16的厚度即板部16b的法線方向中的一端側(cè)的板部16b與另一端側(cè)的板部16b的距離為D時，滿足下述式子。當(dāng)滿足下述式子時，從第一和第二蒸鍍頭13a、13b噴射 的、以不與捕捉部16的板部16b沖突的最尖銳的角度射入被處理基板G的成膜材料，也能夠被捕捉部16捕捉。D 彡 2XdXH/Ad其中，d :板部16b的下邊，即被處理基板G側(cè)的ー邊與被處理基板G的距離，H :上述法線方向中的第一蒸鍍頭與和第一蒸鍍頭最近的板部16b距離，A d :被處理基板G的法線方向中的板部16b的下邊，即被處理基板G側(cè)的ー邊與第一蒸鍍頭的下端部的距離。圖7是概念地表示捕捉部16的作用的說明圖。從第二蒸鍍頭13b噴出的成膜材料，在被處理基板G反沖進入構(gòu)成捕捉部16的多個板部16b之間。圖7中，從第二蒸鍍頭13b的下端部開始延伸的直線表示從第二蒸鍍頭13b噴出的成膜材料的軌跡。進入到板部16b之間的成膜材料，在該板部16b之間反復(fù)反沖之后，附著于板部16b。亦即，成膜材料被捕捉部16捕捉。圖8是模式地表示用于說明捕捉部16的作用的實驗裝置的側(cè)面圖。如圖8A所示，準(zhǔn)備實驗裝置，其第一基板2和第二基板3沿橫方向并列，以從未圖示的蒸鍍頭噴射的成膜材料的蒸氣不直接附著到第二基板3的方式，配置保護板4。然后，向第一基板2噴射成膜材料的蒸氣。接著，測定分別附著于第一基板2和第二基板3的成膜材料的附著量，計算附著量的比。實驗的結(jié)果，附著量的比為0.43。亦即，當(dāng)使附著于第一基板2的成膜材料的附著量為I吋，附著于第二基板3的成膜材料的附著量為0. 43。根據(jù)該實驗結(jié)果可知向第一基板2噴射的成膜材料的一部分在第一基板2與保護板4之間反沖，附著于第二基板3。另ー方面，準(zhǔn)備如圖8B所示，具有與圖8A同樣的結(jié)構(gòu)，在保護板5準(zhǔn)備與本實施方式同樣的捕捉部5a的實驗裝置。然后，向第一基板2噴射成膜材料的蒸氣。接著，測定分別附著于第一基板2和第二基板3的成膜材料的附著量，計算附著量的比。實驗的結(jié)果，附著量的比為0. 037。根據(jù)該實驗結(jié)果，確認(rèn)捕捉部5a具有捕捉在第一基板2反沖的成膜材料，防止成膜材料的反沖的功能。在本實施方式中，從蒸鍍頭噴射出的成膜材料在被處理基板G和處理室11或者第一至第六蒸鍍頭13a 13f之間反沖，成膜材料附著干與應(yīng)蒸鍍的位置不同的部位，或者作為雜質(zhì)混入來自第一至第六蒸鍍頭13a 13f的蒸氣混合的相鄰的膜中。所以，能夠防止當(dāng)對ー個成膜材料進行蒸鍍時，其它的成膜材料混入而蒸鍍的問題。此外，在本實施方式中，對在隔離壁16a的下端部設(shè)置有多個板部16b的捕捉部16進行了說明，但也可以僅由多個板部16b構(gòu)成捕捉部16。另外，以將捕捉部16配置于第一至第六蒸鍍頭13a 13f之間和搬送方向兩側(cè)的例子進行了說明，但也可以將捕捉部16設(shè)置于處理室內(nèi)的其它的部位。例如，也可以將捕捉部16設(shè)置于處理室的上部。在該情況下，能夠防止成膜材料在被處理基板G與處理室的上部之間反沖。另外，也可以將捕捉部16設(shè)置于處理室的內(nèi)側(cè)壁以及底部。
還有，對等間距地排列有多個板部16b的捕捉部16進行了說明，但也可以構(gòu)成為各板部16b的間距不同。當(dāng)各板部16b的間距為非周期性時，能夠更加有效地捕捉成膜材料。還有，另外，在本實施方式中，主要對捕捉有機類的成膜材料的捕捉部進行了說明，但也可以將本實施方式涉及的捕捉部適用于成膜無機類的成膜材料的成膜裝置。(變形例I)變形例I涉及的成膜裝置1，僅捕捉部116的結(jié)構(gòu)與實施方式不同，因此，以下，主要對上述不同點進行說明。圖9是表示變形例I涉及的捕捉部116的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。變形例I涉及的捕捉部116,與實施方式同樣具有隔離壁116a和多個板部116b,由多個板部116b構(gòu)成間隙116c。多個板部116b的被處理基板G側(cè)的部位向最近的第一蒸鍍頭13a或者第二蒸鍍頭13b側(cè)彎曲。例如，位于第一蒸鍍頭13a側(cè)的板部116b的被處理基板G側(cè)的部位向第一蒸鍍頭13a側(cè)彎曲，位于第二蒸鍍頭13b側(cè)的板部116b的被處理基板G側(cè)的部位向第二蒸鍍頭13b側(cè)彎曲。配置于其它第二乃至第六蒸鍍頭13b 13f間的捕捉部116也是同樣的結(jié)構(gòu)。在變形例I中，板部116b的被處理基板G側(cè)的部位向最近的第一至第六蒸鍍頭13a 13f側(cè)彎曲，因此，能夠更加有效地捕捉在被處理基板G反沖的成膜材料。(變形例2)變形例2涉及的成膜裝置1，僅捕捉部216的結(jié)構(gòu)與實施方式不同，因此，以下，主要對上述不同點進行說明。圖10是表示變形例2涉及的捕捉部216的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。具體而言，捕捉部216具有隔開第一蒸鍍頭13a和第二蒸鍍頭13b的隔離壁216a ;和形成于隔離壁216a的下部即被處理基板G側(cè)的部位，并從成膜材料噴出部13噴出的，在被處理基板G反沖的成膜材料進入的多個孔部216b?？撞?16b是長孔，其長邊方向是相對于第一至第六蒸鍍頭13a 13f的并列方向正交的方向。其它的配置于第二至第六蒸鍍頭13b 13f之間的捕捉部216也是同樣的結(jié)構(gòu)。在變形例2中，起到與實施方式同樣的效果。亦即，能夠防止從第一至第六蒸鍍頭13a 13f噴射的成膜材料在被處理基板G和處理室或者另外的蒸鍍頭之間反沖，成膜材料附著干與應(yīng)蒸鍍的位置不同的部位。此外，在變形例2中，說明了具有長孔的捕捉部，但長孔是ー個例子，也可以構(gòu)成為具備具有多個圓形、其他的形狀的孔部的捕捉部。(變形例3)變形例3涉及的成膜裝置，成膜裝置301為面朝下式，以及僅捕捉部316的配置與實施方式不同，因此，以下，主要對上述不同點進行說明。圖11是概念地說明變形例3涉及的成膜裝置301的一個結(jié)構(gòu)例子的說明圖。變形例3涉及的成膜裝置301具有與實施方式同樣的處理室11。在處理室11的底部設(shè)置有成膜材料噴出部313。成膜材料噴出部313具有在搬送方向上排列的第一至第六蒸鍍頭313a 313f，在各第一至第六蒸鍍頭313a 313f之間配置有捕捉部316。另外，在處理室11內(nèi)部設(shè)置有保持被處理基板G，從搬入口 Ila向搬出ロ IIb進行搬送的搬送裝置312。圖12是表示變形例3涉及的捕捉部316的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。與實施方式相同，捕捉部316具有從成膜材料噴出部313噴出的，在被處理基板G反沖的成膜材料進入的多個間隙316c。具體來講，捕捉部316具有隔開第一蒸鍍頭313a與第二蒸鍍頭313b的隔離壁316a ;和呈大致矩形形狀，板面對置的多個板部316b，多個板部316b以被處理基板G側(cè)的ー邊比第一至第六蒸鍍頭13a 13f 更位于被處理基板G—側(cè)的方式，配置于第一至第六蒸鍍頭13a 13f之間。間隙316c由多個相對的板部316b構(gòu)成。更具體來講，隔離壁316a的上端部，亦即隔離壁316a被處理基板G側(cè)的部分具有與被處理基板G或搬送裝置312大致平行的上表面。多個板部316b以沿與第一至第六蒸鍍頭13a 13f的并列方向大致相同的方向排列的方式板面對置，從上述上表面向上方大致垂直地突出。在變形例3中，起到與實施方式同樣的效果。換而言之，能夠防止從第一至第六蒸鍍頭313a 313f噴射的成膜材料在被處理基板G與處理室11或者在其它的第一至第六蒸鍍頭13a 13f之間反沖，成膜材料附著干與應(yīng)蒸鍍的位置不同的部位。變形例4涉及的成膜處理系統(tǒng)，僅僅捕捉部416的結(jié)構(gòu)以及處理室411的安裝結(jié)構(gòu)與實施方式不同，因此以下主要對上述不同點進行說明。圖13是表示變形例4涉及的捕捉部416的一個結(jié)構(gòu)例子的側(cè)截面圖。變形例4涉及的捕捉部416，與實施方式相同，具有隔離壁416a和多個板部416b，通過多個板部416b構(gòu)成間隙416c。在隔離壁416a的內(nèi)部設(shè)置有加熱捕捉部416的加熱部416d。加熱部416d例如是筒形加熱器(cartridge heater),加熱部416d的動作由未圖示的控制部控制?？刂撇坷缭诔赡ねＶ箷r使加熱部416d動作。此外，也可以構(gòu)成為具有能夠通過手動切換加熱部416d的加熱的開關(guān)。捕捉部416由具有良好的熱傳導(dǎo)性的材料例如銅形成。此外，也可以通過具有良好的熱傳導(dǎo)性的材料覆蓋捕捉部416的表面。成膜裝置具有在處理室411可裝卸地保持捕捉部416的保持部41 Id。保持部41 Id例如是在第一至第六蒸鍍頭13a 13f之間；第一蒸鍍頭13a的搬送方向上游ー側(cè)；和第二蒸鍍頭13f的搬送方向下游ー側(cè)設(shè)置的凹部。在這樣構(gòu)成的處理系統(tǒng)中，通過在規(guī)定的時刻使加熱部416d動作，對捕捉部416進行加熱，能夠使附著于捕捉部416的成膜材料蒸發(fā)，將其除去。在該情況下，不將捕捉部416從處理室411取出，就能夠清掃將捕捉部416。、
另外，從保持部411d拆卸捕捉部416，也能夠進行濕洗。使用者通過將被濕洗過的捕捉部416再次插入保持部411d的凹部，能夠?qū)⒉蹲讲?16安裝于處理室411的上部此外，當(dāng)面朝上(face-up)成膜時,優(yōu)選具有加熱部416d和保持部411d的兩者。當(dāng)面朝下(face-down)成膜時,并不一定需要加熱部416d。另外，可以在隔離壁416a的內(nèi)部設(shè)置冷卻捕捉部416的水流路。通過冷卻捕捉部416，能夠更加有效地捕捉在被處理基板G反沖的成膜材料。這次公開的實施方式在全部的方面進行了例示，應(yīng)被認(rèn)為是沒有限制的。本發(fā)明的范圍并不是意味著上述的內(nèi)容，也包含有由權(quán)利要求公開的，與權(quán)利要求均等的內(nèi)容以及范圍內(nèi)的全部的變更。符號說明I成膜裝置11處理室12c支承臺13成膜材料噴出部13a第一蒸鍍頭13b第二蒸鍍頭13c第三蒸鍍頭13d第四蒸鍍頭13e第五蒸鍍頭13f第六蒸鍍頭16、116、216、316 捕捉部16a、116a、216a、316a 隔離壁16b、116b、316b 板部16c、116c、316c 間隙216b 孔部G被處理基板
權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，具有收納被處理基板的處理室；和將成膜材料的蒸氣向該被處理基板噴出的成膜材料噴出部，該成膜裝置的特征在于，包括 在所述處理室的內(nèi)部具有捕捉部，該捕捉部對從所述成膜材料噴出部噴出并且在所述被處理基板反沖的成膜材料進行捕捉。
2.如權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其特征在干 所述捕捉部具有從所述成膜材料噴出部噴出并且在所述被處理基板反沖的成膜材料所進入的多個間隙或孔部。
3.如權(quán)利要求I或2所述的成膜裝置，其特征在于 所述捕捉部具有對置的多個板部。
4.如權(quán)利要求3所述的成膜裝置，其特征在于 具有對所述被處理基板進行支承的支承臺， 所述板部以面方向相對于所述支承臺交叉的方式配置，所述被處理基板側(cè)的部位向所述成膜材料噴出部側(cè)彎曲。
5.如權(quán)利要求I 4中任何一項所述的成膜裝置，其特征在于 所述成膜材料噴出部具有將多種成膜材料的蒸氣向所述被處理基板分別噴出的多個蒸鍍頭， 所述捕捉部配置于多個所述蒸鍍頭之間。
6.如權(quán)利要求I或2所述的成膜裝置，其特征在于 所述成膜材料噴出部具有將多種成膜材料的蒸氣向所述被處理基板分別噴出的多個蒸鍍頭， 所述捕捉部具有呈大致矩形形狀的對置的多個板部，該多個板部以一條邊比多個所述蒸鍍頭更位于所述被處理基板側(cè)的方式，配置于多個所述蒸鍍頭之間。
7.如權(quán)利要求6所述的成膜裝置，其特征在于 多個所述板部的所述被處理基板側(cè)的部位向最近的所述蒸鍍頭側(cè)彎曲。
全文摘要
從蒸鍍頭噴射的成膜材料，在被處理基板和處理室或者其他的蒸鍍頭之間反沖，成膜材料附著于與應(yīng)被蒸鍍的位置不同的部位，或者作為雜質(zhì)混入來自各成膜材料噴出部的蒸氣混合的相鄰的膜中。本發(fā)明是一種成膜裝置(1)，具有收納被處理基板(被處理基板G)的處理室(11)；和向該被處理基板噴出成膜材料的蒸氣的成膜材料噴出部(13)，該成膜裝置(1)，在處理室(11)的內(nèi)部具有捕捉部(16、16)，其捕捉從成膜材料噴出部(13)噴出的，被被處理基板(被處理基板G)反沖的成膜材料。
文檔編號C23C14/24GK102644051SQ20121003575
公開日2012年8月22日 申請日期2012年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月16日
發(fā)明者小野裕司, 林輝幸, 金子裕是 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社