專利名稱：一種多晶硅片的鈍化處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽電池制作工藝，尤其是一種適用于板式PECVD氧化鋁鈍化膜的多晶硅片的鈍化處理方法。
背景技術：
ALD(原子層沉積)鈍化技術有鈍化效果穩(wěn)定、鈍化膜致密的優(yōu)點，但沉積速度慢， 極大的限制了其在工業(yè)中的應用，而使用PECVD法可對多晶硅片進行快速等離子氧化鋁鈍化膜沉積，有巨大的應用前景。但目前PECVD氧化鋁鈍化膜所面臨的主要問題一個是鈍化效果，一個是燒結后的熱穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是克服現(xiàn)有技術中之不足，提供一種可提高硅片鈍化效果和熱穩(wěn)定性、適用于板式PECVD氧化鋁鈍化膜的多晶硅片的鈍化處理方法。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是一種多晶硅片的鈍化處理方法，具有如下步驟a、將多晶硅片背面拋光；b、將多晶硅片背面用化學試劑清洗后，從離子水中將硅片慢慢提起，以保證沒有水珠掛在硅片上；C、低溫處理，在80 90°C的溫度下將硅片烘干，烘干時間為一小時；d、沉積，使用PECVD法對多晶硅片背面進行等離子氧化鋁薄膜的沉積，正面減反膜沉積，沉積后在硅片表面形成小于2nm厚度的Si02薄膜層；e、熱處理，將沉積后的多晶硅片在400°C溫度下進行退火處理，以激發(fā)鈍化性能；f、測試，采用少子壽命測試儀，對多晶硅片進行穩(wěn)定狀態(tài)下的少子壽命測試。上述所用的化學試劑為鹽酸、氨水雙氧水的混合溶液，其濃度百分比為鹽酸 13%，氨水13%，雙氧水13%。步驟c中的烘干溫度為85°C。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過硅片的前期濕-熱處理，在硅片表面形成了一個極薄的Si02薄膜，且這層薄膜中富含水汽所帶來的羥基，為與氧化鋁中的氧原子的結合提供了很好的化學結構基礎。使用本鈍化處理后，PECVD沉積的氧化鋁薄膜相比普通處理的硅片的鍍膜優(yōu)點如下多晶硅片氧化鋁鈍化膜的少子壽命可提升30%，燒結后的鈍化作用下降幅度也相對減小20%，提高了熱穩(wěn)定性
具體實施例方式一種多晶硅片的鈍化處理方法，具有如下步驟a、將多晶硅片背面拋光；b、將多晶硅片背面用化學試劑清洗后，從離子水中將硅片慢慢提起，以保證沒有水珠掛在硅片上； c、低溫處理，在80 90°C的溫度下將硅片烘干，烘干時間為一小時；d、沉積，使用PECVD法對多晶硅片背面進行等離子氧化鋁薄膜的沉積，正面減反膜沉積，沉積后在硅片表面形成小于2nm厚度的Si02薄膜層；e、熱處理，將沉積后的多晶硅片在400°C溫度下進行退火處理，以激發(fā)鈍化性能；f、測試，采用少子壽命測試儀，對多晶硅片進行穩(wěn)定狀態(tài)下的少子壽命測試。上述所用的化學試劑為鹽酸、氨水雙氧水的混合溶液，其濃度百分比為鹽酸 13%，氨水13%，雙氧水13%。具體試驗時，將多晶硅片放入鹽酸、氨水雙氧水的混合溶液中清洗后，從去離子水中慢提，以保證沒有水珠掛在硅片上，然后將一組硅片在空氣環(huán)境下使用85°c的溫度烘干處理，烘干持續(xù)時間為1小時，然后進行PECVD沉積氧化鋁鈍化膜；而另一組硅片按原先方法，在鹽酸溶液中清洗甩干后，直接進行PECVD沉積氧化鋁鈍化膜。沉積后的硅片在400度下退火以激發(fā)鈍化性能，并采用Sinton公司的WCT-120測試儀進行穩(wěn)態(tài)下的少子壽命測下表1是以上兩組硅片進行九次試驗后的少子壽命測試結果，測試結果表明， 使用了低溫處理工藝的硅片在沉積氧化鋁薄膜后，少子壽命平均從64. 63微秒提高到了 94. 微秒，提升幅度達46%之多。通過低溫處理，既避免了高溫對硅片內(nèi)部質(zhì)量的損壞， 同時在硅片表面形成了極薄的(小于2nm)Si02薄膜層，有效地提升了硅片鈍化效果及穩(wěn)定性。本發(fā)明通過硅片的前期濕-熱處理，在硅片表面形成了一個極薄的Si02薄膜，且這層薄膜中富含水汽所帶來的羥基，為與氧化鋁中的氧原子的結合提供了很好的化學結構基石出。表 權利要求
1.一種多晶硅片的鈍化處理方法，其特征是具有如下步驟a、將多晶硅片背面拋光； b、將多晶硅片背面用化學試劑清洗后，從離子水中將硅片慢慢提起，以保證沒有水珠掛在硅片上；C、低溫處理，在80 90°C的溫度下將硅片烘干，烘干時間為一小時；d、沉積，使用 PECVD法對多晶硅片背面進行等離子氧化鋁薄膜的沉積，正面減反膜沉積，沉積后在硅片表面形成小于2nm厚度的Si02薄膜層；e、熱處理，將沉積后的多晶硅片在400°C溫度下進行退火處理，以激發(fā)鈍化性能；f、測試，采用少子壽命測試儀，對多晶硅片進行穩(wěn)定狀態(tài)下的少子壽命測試。
2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅片的鈍化處理方法，其特征是步驟b中所用化學試劑為鹽酸、氨水雙氧水的混合溶液，其濃度百分為比鹽酸13%，氨水13%，雙氧水13%。
3.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅片的鈍化處理方法，其特征是步驟c中的烘干溫度為 85 0C ο
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅片的鈍化處理方法，具有如下步驟a、將多晶硅片背面拋光；b、將多晶硅片背面用化學試劑清洗后，淋干水滴；c、低溫處理，在80～90℃的溫度下將硅片烘干，烘干時間為一小時；d、使用PECVD法對多晶硅片進行等離子氧化鋁薄膜的沉積，沉積后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜層；e、熱處理，將沉積后的多晶硅片在400℃溫度下進行退火處理；f、測試，對多晶硅片進行穩(wěn)定狀態(tài)下的少子壽命測試。本發(fā)明通過硅片的前期濕-熱處理，在硅片表面形成了一個極薄的SiO2薄膜，且這層薄膜中富含水汽所帶來的羥基，為與氧化鋁中的氧原子的結合提供了很好的化學結構基礎，有效地提升了硅片鈍化效果及穩(wěn)定性。
文檔編號C23C16/02GK102569531SQ20121004708
公開日2012年7月11日 申請日期2012年2月28日 優(yōu)先權日2012年2月28日
發(fā)明者孫寶明 申請人:常州天合光能有限公司