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      一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法

      文檔序號(hào):3330612閱讀:253來源:國知局
      專利名稱:一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及電子漿料用的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,特別是獲得的鍍銀銅粉具有抗電遷移能力、高電導(dǎo)率和強(qiáng)的抗氧化性能。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)代高新技術(shù)的不斷發(fā)展,電子設(shè)備在社會(huì)各個(gè)行業(yè)中有著極其廣泛地應(yīng)用,由此引起的電磁干擾(EMI)和電磁兼容(EMC)問題日益嚴(yán)重。針對(duì)這種現(xiàn)象,導(dǎo)電橡膠作為高效的電磁屏蔽材料,有著重要的科研價(jià)值。作為導(dǎo)電填料,銀粉具有較高的導(dǎo)電性、抗氧化性,但在濕熱條件和直流電壓下極易發(fā)生電遷移現(xiàn)象導(dǎo)致短路,且價(jià)格昂貴,只適合作特殊場合的屏蔽原料,且對(duì)低頻電磁屏蔽效果較差,難以滿足寬頻電磁屏蔽的需要;銅的導(dǎo)電能力僅次于銀,抗遷移能力大大優(yōu)于銀,價(jià)格低廉,但銅粉的表面極易被氧化,氧化后的導(dǎo)電性能顯著下降,且銅粉不易在聚合物基體中分散,從而失去在復(fù)合材料中的應(yīng)用。若在銅粉表面包覆一層銀制得銀包銅;保持銅粉優(yōu)良的導(dǎo)電性,還會(huì)提高其抗氧化穩(wěn)定性。因此銀包銅粉具有廣闊的應(yīng)用范固和研究價(jià)值。發(fā)明專利[CN1262043A]公開了一種用置換反應(yīng)制備銀包覆銅粉的方法,用于抗菌劑的制備,沒有提到粉末的導(dǎo)電性能。傅振曉等[江蘇陶瓷,Vol.34,No.2,2001)采用氟化銀與銅粉置換反應(yīng)獲得銀包覆銅粉,并制備導(dǎo)電膠。發(fā)明專利[CN02139151.幻公開了一種銀鍍銅粉的制備方法,采用膠類化合物對(duì)硝酸銀進(jìn)行絡(luò)合,并且需要在一定溫度下進(jìn)行化學(xué)鍍。發(fā)明專利[CN1704502的公開了一種鍍銀銅粉的方法,將螯合萃取劑與銀胺溶液混合,加入銅粉在40 90°C條件下進(jìn)行化學(xué)鍍銅。上述進(jìn)行銅粉表面化學(xué)鍍銀的工藝,存在的缺點(diǎn)是銀氨溶液的組分復(fù)雜、氧化銀有毒、施鍍次數(shù)多、有些需要在高于室溫的條件下進(jìn)行化學(xué)鍍,而且在施鍍過程中,鍍槽內(nèi)壁容易沉積銀層造成銀的浪費(fèi)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種工藝簡單、成本低的銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,該方法包括對(duì)銅粉的活化、敏化、將處理后的銅粉分散在混合還原液中、化學(xué)鍍、清洗,最后干燥成粉,具體包括以下步驟a.將銅粉加入稀硫酸中,進(jìn)行活化,去除銅粉表面的氧化物;b.將上述活化后的銅粉用超純水清洗2-3次,然后加入8_15g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌1-2小時(shí);c.將上述敏化后的銅粉用超純水清洗2-3次備用;d.配制混合還原液將L-抗壞血酸與分散劑混合得到混合還原液,其中L-抗壞血酸的用量為硝酸銀摩爾量的1. 5-2倍,分散劑的用量為硝酸銀摩爾量的5-15倍;然后將步驟c得到的銅粉分散在混合還原液中;
      e.制硝酸銀-氨水混合液將硝酸鹽與氨水混合得到硝酸銀-氨水混合液,使硝酸銀濃度為80-130g/L,氨水濃度為100-150g/L ;f.將上述步驟d得到的液體和步驟e得到的液體在高速攪拌下混合,控制反應(yīng)溫度5-50°C,反應(yīng)時(shí)間10-30分鐘,待反應(yīng)后沉降1-2小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物,清洗干燥即得產(chǎn)品。步驟a所述的稀硫酸的重量百分比濃度為5-8%。所述的超純水是指含鹽量在0. 3mg/L以下,電導(dǎo)率小于0. 2 μ s/cm的水。步驟d所述的分散劑為聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、明膠、硬酯酸銨中一種或幾種。步驟f所述的高速攪拌的速度為1200-1500rmp。步驟f所述的沉淀物的清洗為采用超純水清洗2-3次后,再用無水酒精清洗1-2 次,所述的干燥為在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)40-60°C,干燥16- 小時(shí),打粉成粉。步驟f所述的產(chǎn)品的粒度范圍為2-8um、比表面積為0. 3-0. 7m2/g。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明在室溫下、以簡單的組分和工藝在銅粉表面化學(xué)鍍銀,獲得的鍍銀銅粉具有抗電遷移能力、高電導(dǎo)率和強(qiáng)的抗氧化性能。同時(shí),可以大大的降低電子漿料的成本。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例1 取40g銅粉,加入6 %的稀硫酸進(jìn)行活化出去銅粉表面的氧化物,超純水洗滌3次。 活化后洗滌后的銅粉加入10g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌2小時(shí),純水洗滌3次待用。取1000ml 100g/L的硝酸銀、氨水100g/L。配制混合還原液L_抗壞血酸 68. 5g、聚乙烯吡咯烷酮6. 7g用超純水配制,并加入處理過的銅粉,攪拌40分鐘。然后,將上述混合還原液和銀氨溶液在高速攪拌下混合,控制反應(yīng)溫度25°C,反應(yīng)時(shí)間10分鐘,待反應(yīng)后沉降1小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物。最后將沉淀物用超純水清洗3次,再用無水酒精清洗1次,最后在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)50°C,干燥M小時(shí),打粉成粉。實(shí)施例2取30g銅粉,加入8%的稀硫酸進(jìn)行活化出去銅粉表面的氧化物,純水洗滌2次。 活化后洗滌后的銅粉加入6g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌1. 5小時(shí),純水洗滌3次待用。取1000ml 120g/L的硝酸銀、氨水130g/L。配制混合還原液L_抗壞血酸 77. 6g、硬酯酸銨8. Ig用超純水配制,并加入處理過的銅粉,攪拌50分鐘。然后,將上述混合還原液和銀氨溶液在高速攪拌下混合,控制反應(yīng)溫度20°C,反應(yīng)時(shí)間15分鐘,待反應(yīng)后沉降1小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物。最后將沉淀物用超純水清洗3次,再用無水酒精清洗2次,最后在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)50°C,干燥22小時(shí),打粉成粉。實(shí)施例3取25g銅粉,加入5%的稀硫酸進(jìn)行活化出去銅粉表面的氧化物,純水洗滌2次。活化后洗滌后的銅粉加入5g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌1小時(shí),純水洗滌 3次待用。取1000mll30g/L的硝酸銀、氨水140g/L。配制混合還原液L_抗壞血酸82. 5g、 明膠9. 5g用超純水配制,并加入處理過的銅粉,攪拌45分鐘。然后,將上述混合還原液和銀氨溶液在高速攪拌下混合,控制反應(yīng)溫度15°C,反應(yīng)時(shí)間10分鐘,待反應(yīng)后沉降0. 6小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物。最后將沉淀物用超純水清洗3次,再用無水酒精清洗1次,最后在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)55°C,干燥M小時(shí),打粉成粉。實(shí)施例4以下采用的超純水是指含鹽量在0. 3mg/L以下,電導(dǎo)率小于0. 2 μ s/cm的水。一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,該方法包括對(duì)銅粉的活化、敏化、將處理后的銅粉分散在混合還原液中、化學(xué)鍍、清洗,最后干燥成粉,具體包括以下步驟a.將銅粉加入重量百分比濃度為5%的稀硫酸中,進(jìn)行活化,去除銅粉表面的氧化物;b.將上述活化后的銅粉用超純水清洗2次,然后加入8g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌1小時(shí);c.將上述敏化后的銅粉用超純水清洗2次備用;d.配制混合還原液將L-抗壞血酸與分散劑聚乙烯吡咯烷酮(PVP)混合得到混合還原液,其中L-抗壞血酸的用量為硝酸銀摩爾量的1.5倍,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的用量為硝酸銀摩爾量的5倍;然后將步驟c得到的銅粉分散在混合還原液中;e.制硝酸銀-氨水混合液將硝酸鹽與氨水混合得到硝酸銀-氨水混合液,使硝酸銀濃度為80g/L,氨水濃度為100g/L ;f.將上述步驟d得到的液體和步驟e得到的液體在高速攪拌下混合(1200rmp), 控制反應(yīng)溫度5°C,反應(yīng)時(shí)間30分鐘,待反應(yīng)后沉降1小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物,采用超純水清洗2次后,再用無水酒精清洗1次,所述的干燥為在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)40°C,干燥M 小時(shí),打粉成粉即得產(chǎn)品,產(chǎn)品的粒度范圍為2um、比表面積為0. 3m2/g。實(shí)施例5以下采用的超純水是指含鹽量在0. 3mg/L以下,電導(dǎo)率小于0. 2 μ s/cm的水?!N銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,該方法包括對(duì)銅粉的活化、敏化、將處理后的銅粉分散在混合還原液中、化學(xué)鍍、清洗,最后干燥成粉,具體包括以下步驟a.將銅粉加入重量百分比濃度為8%的稀硫酸中,進(jìn)行活化,去除銅粉表面的氧化物;b.將上述活化后的銅粉用超純水清洗3次,然后加入15g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌2小時(shí);c.將上述敏化后的銅粉用超純水清洗3次備用;d.配制混合還原液將L-抗壞血酸與分散劑明膠混合得到混合還原液,其中 L-抗壞血酸的用量為硝酸銀摩爾量的2倍,明膠的用量為硝酸銀摩爾量的15倍;然后將步驟c得到的銅粉分散在混合還原液中;e.制硝酸銀-氨水混合液將硝酸鹽與氨水混合得到硝酸銀-氨水混合液,使硝酸銀濃度為130g/L,氨水濃度為150g/L ;f.將上述步驟d得到的液體和步驟e得到的液體在高速攪拌下混合(1500rmp), 控制反應(yīng)溫度50°C,反應(yīng)時(shí)間10分鐘,待反應(yīng)后沉降2小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物,采用超純水清洗3次后,再用無水酒精清洗2次,所述的干燥為在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)60°C,干燥16 小時(shí),打粉成粉即得產(chǎn)品,產(chǎn)品的粒度范圍為8um、比表面積為0. 7m2/g。
      權(quán)利要求
      1.一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,該方法包括對(duì)銅粉的活化、敏化、將處理后的銅粉分散在混合還原液中、化學(xué)鍍、清洗,最后干燥成粉,具體包括以下步驟a.將銅粉加入稀硫酸中,進(jìn)行活化,去除銅粉表面的氧化物;b.將上述活化后的銅粉用超純水清洗2-3次,然后加入8-15g/LSnCl2的鹽酸溶液中進(jìn)行敏化,在常溫下攪拌1-2小時(shí);c.將上述敏化后的銅粉用超純水清洗2-3次備用;d.配制混合還原液將L-抗壞血酸與分散劑混合得到混合還原液,其中L-抗壞血酸的用量為硝酸銀摩爾量的1. 5-2倍,分散劑的用量為硝酸銀摩爾量的5-15倍;然后將步驟c得到的銅粉分散在混合還原液中;e.制硝酸銀-氨水混合液將硝酸鹽與氨水混合得到硝酸銀-氨水混合液,使硝酸銀濃度為80-130g/L,氨水濃度為100-150g/L ;f.將上述步驟d得到的液體和步驟e得到的液體在高速攪拌下混合,控制反應(yīng)溫度5-50°C,反應(yīng)時(shí)間10-30分鐘,待反應(yīng)后沉降1-2小時(shí)后將上清液倒去取其沉淀物,清洗干燥即得產(chǎn)品。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,步驟a所述的稀硫酸的重量百分比濃度為5-8%。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,所述的超純水是指含鹽量在0. 3mg/L以下,電導(dǎo)率小于0. 2 μ s/cm的水。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,步驟d所述的分散劑為聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、明膠、硬酯酸銨中一種或幾種。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,步驟f所述的高速攪拌的速度為1200-1500rmp。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,步驟f所述的沉淀物的清洗為采用超純水清洗2-3次后,再用無水酒精清洗1-2次,所述的干燥為在鼓風(fēng)干燥箱內(nèi)40-60°C,干燥16- 小時(shí),打粉成粉。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,其特征在于,步驟f所述的產(chǎn)品的粒度范圍為2-8um、比表面積為0. 3-0. 7m2/g。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種銀包覆銅復(fù)合粉體的制備方法,該方法包括對(duì)銅粉的活化、敏化、將處理后的銅粉分散在混合還原液中、化學(xué)鍍、清洗,最后干燥成粉。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明在室溫下、組分和工藝簡單的銅粉表面化學(xué)鍍銀工藝,獲得的鍍銀銅粉具有抗電遷移能力、高電導(dǎo)率和強(qiáng)的抗氧化性能。同時(shí),可以大大的降低電子漿料的成本。
      文檔編號(hào)B22F1/02GK102554222SQ201210069139
      公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月15日
      發(fā)明者宗志杰, 李浩然, 胡曉斌, 趙斌元 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)
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