專利名稱：同心圓式平面雙研磨盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用涉及研磨裝置領(lǐng)域，尤其是使用本裝置，改善在研磨過程中所造成的“塌邊”現(xiàn)象。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的平面研磨裝置是采用單電機(jī)帶動(dòng)帶輪傳動(dòng)使研磨盤運(yùn)動(dòng)，而固定在基盤上的エ件與研磨盤進(jìn)行相対的滑動(dòng)，來研磨エ件。這種機(jī)構(gòu)在精密研磨的運(yùn)用中較為常見，每種機(jī)床的結(jié)構(gòu)可以各不一樣，而總體的傳動(dòng)形式是ー樣的。在加工過程中，由于不能對研磨運(yùn)動(dòng)進(jìn)行直接干預(yù)，所以正確的研磨軌跡顯得更為重要，研磨運(yùn)動(dòng)應(yīng)該盡可能地使エ件近似于理想的幾何形狀，并且工具面的幾何形狀盡可能地保持不變。一般的平面研磨裝置如圖I所示，這套裝置中有變頻電動(dòng)機(jī)、帶輪、主軸、研磨盤，基盤，エ件等設(shè)備。其基本工作過程如下研磨裝置中的變頻電機(jī)提供動(dòng)カ，通過帶傳動(dòng)，將動(dòng)カ傳給主軸，以使研磨盤轉(zhuǎn)動(dòng)，而固定在基盤上的エ件在外加負(fù)載的作用下，與研磨盤相對的滑動(dòng)，來研磨エ件。由公式V = r · ω可知，由于在同一個(gè)研磨盤上的エ件的轉(zhuǎn)速是一樣的，使得エ件離中心的距離越遠(yuǎn)，線速度越大，導(dǎo)致越靠近研磨盤邊緣處的エ件，研磨量越大，因此研磨后，基盤四周上的エ件的研磨量大，中間的エ件的研磨量小，即出現(xiàn)四周比中間低而形成中間凸起，也就是エ件的“塌邊”現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用為了改善原有的平面研磨機(jī)在研磨過程中所造成的“塌邊”現(xiàn)象，提出了一種在研磨過程中エ件的各部分材料去除率均勻的平面研磨裝置。同心圓式平面雙研磨盤裝置，包括第一變頻電機(jī)、第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、主軸，所述的第一變頻電機(jī)通過所述的第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)主軸旋轉(zhuǎn)，所述的主軸連接第一研磨盤，其特征在干所述的第一研磨盤外設(shè)有同心的第二研磨盤，所述的第二研磨盤由第二變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)，所述的第一研磨盤與第二研磨盤之間有間隙；固定在基盤上的エ件跨越所述的間隙。進(jìn)ー步，所述的第二研磨盤的支架連接在法蘭上，所述的法蘭通過軸承連接所述的主軸，所述的法蘭套在所述的主軸外；所述的支架連接所述的第二變頻電機(jī)的第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。由公式Y(jié) = r · ω可知，當(dāng)轉(zhuǎn)速相同的情況下，半徑越大，線速度越大。而要使得エ件的材料去除率一祥多，則必須要滿足エ件的線速度相等。所以，本發(fā)明的構(gòu)想是基盤遠(yuǎn)離研磨盤中心吋，轉(zhuǎn)速慢慢變小，而靠近中心吋，轉(zhuǎn)速慢慢増大，使得基盤上的エ件的線速度在研磨盤各個(gè)位置都近似相等，這樣エ件的材料去除率將會(huì)一祥多，也有效的改善了エ件的“塌邊”現(xiàn)象。由此，本發(fā)明將單ー研磨盤設(shè)計(jì)成雙研磨盤，且采用同心圓式放置，兩個(gè)盤之間的間隙一般小于1mm。并用兩個(gè)變頻電動(dòng)機(jī)分別為兩個(gè)研磨盤提供動(dòng)力，而且要保證外研磨盤的轉(zhuǎn)速小于內(nèi)研磨盤。在研磨過程中，調(diào)節(jié)變頻電動(dòng)機(jī)的輸出功率，使得外研磨盤的平均線速度與內(nèi)研磨盤的平均線速度相等，所以エ件的材料去除率基本相同。這樣，就可以改善エ件在研磨過程中的“塌邊”現(xiàn)象。由于內(nèi)外研磨盤之間有間隙，因此在研磨過程中，磨料會(huì)從中流出，所以要在研磨盤下面開出ー個(gè)通孔，在孔的另一端連接管子，以便磨料能夠順利流出。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是I、能夠使得在研磨過程中所有エ件的材料去除率基本相等，從而可以改善エ件的“塌邊”現(xiàn)象。2、在研磨盤下面開ー個(gè)通孔，使磨料順利流出，有利于研磨過程更加順暢，也可避免機(jī)器受到污染。


圖I現(xiàn)有平面研磨盤裝置示意2本發(fā)明的機(jī)構(gòu)示意圖
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖進(jìn)ー步說明本發(fā)明，參照附圖2 同心圓式平面雙研磨盤裝置，包括第一變頻電機(jī)I、第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、主軸13，第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)由小帶輪2和大帶輪13組成。所述的第一變頻電機(jī)I通過所述的第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)主軸13旋轉(zhuǎn)，所述的主軸13連接內(nèi)研磨盤7。所述的內(nèi)研磨盤7外設(shè)有同心的外研磨盤4，所述的外研磨盤4由第二變頻電機(jī)11驅(qū)動(dòng)，所述的內(nèi)研磨盤7與外研磨盤4之間有間隙；固定在基盤6上的エ件5跨越所述的間隙。兩個(gè)盤之間的間隙一般小于1_。所述的外研磨盤4的支架8連接在法蘭3上，所述的法蘭3通過軸承連接所述的主軸13，所述的法蘭3套在所述的主軸13外；所述的支架8連接所述的第二變頻電機(jī)11的第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。所述的第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括減速器10、托架9。在研磨過程中，調(diào)節(jié)變頻電動(dòng)機(jī)的輸出功率，使得外研磨盤的平均線速度與內(nèi)研磨盤的平均線速度相等，所以エ件的材料去除率基本相同。這樣，就可以改善エ件在研磨過程中的“塌邊”現(xiàn)象。
如上所述，便可較好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，上述實(shí)施例僅為本發(fā)明的典型實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍，即凡依本發(fā)明內(nèi)容所作的均等變化與修飾，都為本發(fā)明權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.同心圓式平面雙研磨盤裝置，包括第一變頻電機(jī)、第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、主軸，所述的第一變頻電機(jī)通過所述的第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)主軸旋轉(zhuǎn)，所述的主軸連接第一研磨盤，其特征在干所述的第一研磨盤外設(shè)有同心的第二研磨盤，所述的第二研磨盤由第二變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)，所述的第一研磨盤與第二研磨盤之間有間隙；固定在基盤上的エ件跨越所述的間隙。
2.如權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于所述的第二研磨盤的支架連接在法蘭上，所述的法蘭通過軸承連接所述的主軸，所述的法蘭套在所述的主軸外；所述的支架連接所述的第二變頻電機(jī)的第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。
全文摘要
同心圓式平面雙研磨盤裝置，包括第一變頻電機(jī)、第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、主軸，所述的第一變頻電機(jī)通過所述的第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)主軸旋轉(zhuǎn)，所述的主軸連接第一研磨盤，所述的第一研磨盤外設(shè)有同心的第二研磨盤，所述的第二研磨盤由第二變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)，所述的第一研磨盤與第二研磨盤之間有間隙；固定在基盤上的工件跨越所述的間隙。
文檔編號(hào)B24B37/34GK102642173SQ201210115688
公開日2012年8月22日 申請日期2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月19日
發(fā)明者冷巧輝, 文東輝, 馬利 申請人:浙江工業(yè)大學(xué)