專利名稱：一種多層陶瓷電容器研磨工藝及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件制造領(lǐng)域，特別是一種改進(jìn)的多層陶瓷電容器研磨工藝。
背景技術(shù)：
目前多層陶瓷電容器(MLCC)產(chǎn)品均采用燒成后研磨的方式，生產(chǎn)流程依次為配料、流延、絲印、層壓、切割、排膠、高溫?zé)?、研磨倒角、封端、燒端、電鍍、測試、編帶等。研磨倒角步驟是將燒成后的MLCC芯片，通過加入磨介使芯片的棱邊角磨圓，充分引出內(nèi)電極層，以利于外電極能與內(nèi)電極層充分接觸，保證產(chǎn)品的電氣性能。研磨原理是通過加入水、氧化鋁粉或碳化硅粉、石英砂、氧化鋁球等磨介與燒 結(jié)好的MLCC芯片在倒角機(jī)旋轉(zhuǎn)過程中實(shí)現(xiàn)芯片與芯片之間、芯片與磨介之間的滾磨作用，將其棱邊角磨削圓滑，并使內(nèi)電極充分外露。以研磨20(T600ml的芯片為例，現(xiàn)有一般裝罐磨介20(T600ml 氧化鋁粉、15(T400ml 氧化鋁球、10(T400ml 石英砂(Si02)、50(T800ml 水。研磨效果不佳除了影響產(chǎn)品的尺寸以及后道封端工序的加工外，還會對產(chǎn)品內(nèi)部的結(jié)構(gòu)造成不可逆的損傷，導(dǎo)致電氣性能的惡化。當(dāng)前電子行業(yè)發(fā)展迅速，對片式電容器的小型化、高容量、低成本、高可靠性等提出了嚴(yán)格的要求，由于傳統(tǒng)的研磨方式是在燒成成瓷后研磨，會導(dǎo)致產(chǎn)品外觀崩瓷、內(nèi)部裂紋等嚴(yán)重質(zhì)量缺陷，因此，開發(fā)新型的研磨技術(shù)尤為必要。特別是小尺寸、大規(guī)格大容量產(chǎn)品，例如NP0、X7R材料的BME-MLCC產(chǎn)品，經(jīng)常有IR返測的質(zhì)量不佳現(xiàn)象，經(jīng)分析是芯片內(nèi)部應(yīng)力過大存在微裂紋而導(dǎo)致絕緣下降。通過研究發(fā)現(xiàn)，由于此類產(chǎn)品介質(zhì)層數(shù)高，保護(hù)層的厚度比較薄，倒角所帶來的外力作用就很容易對高層數(shù)產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成傷害，導(dǎo)致內(nèi)部裂紋等缺陷的出現(xiàn)，因此針對此類產(chǎn)品必須制定特殊的倒角工藝，既要保證產(chǎn)品的倒角效果，又不能對產(chǎn)品造成損傷，使其具有良好的絕緣特性。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了一種多層陶瓷電容器研磨工藝，其在保證產(chǎn)品倒角效果的前提下，減小內(nèi)力微裂紋的產(chǎn)生，提高產(chǎn)品的絕緣性和合格率，提高產(chǎn)品質(zhì)量，同時(shí)節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間,使生產(chǎn)成本大大降低。本發(fā)明的另一個目的是提供一種應(yīng)用有上述研磨工藝的多層陶瓷電容器的制備方法。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種多層陶瓷電容器研磨工藝，其特征在于研磨的芯片為燒結(jié)成瓷前芯片，磨介為水和表面活性劑，其中芯片水表面活性劑的體積比為200 650 500 800 5 20，運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35 65RPM下運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速55 85RPM運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速ll(Tl50RPM下運(yùn)行110 150ΜΙΝ。所述的研磨工藝還包括返磨，返磨的芯片為經(jīng)過研磨、排膠、燒成后的成瓷芯片，磨介為氧化鋁粉或碳化硅粉、氧化鋁球、石英砂和水，其中成瓷芯片氧化鋁粉或碳化硅粉氧化鋁球石英砂水的體積比為200 650 200 500 200 500 200 500 500 800，運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35 65RPM下運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速55 85RPM運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速11CT150RPM下運(yùn)行55 85分鐘。 所述的表面活性劑選自離子型表面活性劑。一種多層陶瓷電容器的制備方法，包括切割、排膠、燒結(jié)、封端步驟，其特征在于電容器的芯片在切割后排膠前進(jìn)行研磨。所述的芯片在研磨后先吹干其表面的水分，再進(jìn)入下一個排膠步驟。電容器的芯片在燒結(jié)后進(jìn)行返磨。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，有以下幾個方面的優(yōu)點(diǎn)(I)改變了以往產(chǎn)品先燒成再研磨的傳統(tǒng)理念，由于產(chǎn)品切割后預(yù)先研磨，比燒結(jié) 成瓷后再研磨較容易些，所以大大縮短了研磨時(shí)間，節(jié)約了生產(chǎn)加工成本；(2)產(chǎn)品的質(zhì)量綜合提升崩瓷現(xiàn)象減小、產(chǎn)品研磨過程中受撞擊的力減小，內(nèi)部微裂紋減小，從而提聞廣品的絕緣性和合格率，提聞廣品質(zhì)量。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明是一種多層陶瓷電容器研磨工藝，研磨的芯片為燒結(jié)成瓷前芯片，研磨時(shí)磨介為水和表面活性劑，其中芯片水表面活性劑的體積比為200 650 500 800 5 20，運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35 65RPM下運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速55 85RPM運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速11CT150RPM下運(yùn)行11(Γ150分鐘。由于燒結(jié)成瓷前的芯片較軟，通過優(yōu)化磨介比例，制定出新的運(yùn)行曲線，確保產(chǎn)品外觀質(zhì)量，提高產(chǎn)品競爭力。從而解決目前在研磨過程中出現(xiàn)產(chǎn)品棱邊角過圓而報(bào)廢的缺陷，同時(shí)確保產(chǎn)品在研磨后符合外觀要求。優(yōu)選的，表面活性劑選自離子型表面活性劑，例如羧酸鹽、硫酸酯鹽、磺酸鹽、磷酸酯鹽或胺鹽類等的離子型表面活性劑中的一種或兩種以上混合，只要能夠避免芯片互粘，起到芯片分散、洗滌等效果即可。為清除產(chǎn)品表面粘附的雜質(zhì)，同時(shí)充分引出內(nèi)電極，確保產(chǎn)品外觀及電性能，優(yōu)選的，所述的研磨工藝還包括返磨，返磨的芯片為經(jīng)過研磨、排膠、燒成后的成瓷芯片，研磨時(shí)磨介為氧化鋁粉(或碳化硅粉)、氧化鋁球、石英砂和水，其中成瓷芯片氧化鋁粉(或碳化硅粉)氧化鋁球石英砂水的體積比為200 650 200 500 200 500 200 500 500 800。運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35 65RPM下運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速55 851^]\1運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速11CT150RPM下運(yùn)行55 85分鐘。應(yīng)用有上述研磨工藝的多層陶瓷電容器的制備方法，該制備方法包括以下步驟配料、流延、絲印、層壓、切割、研磨、排膠、燒成、返磨、封端、燒端、電鍍、測試、編帶等。由于排膠前芯片含有較多的粘合劑，在研磨后干燥過程中容易產(chǎn)生粘片，為解決產(chǎn)品粘片缺陷，提高產(chǎn)品質(zhì)量水平，優(yōu)選的，芯片在研磨后排膠前應(yīng)先吹干其表面的水分。例如通過一定壓力的氣流，將產(chǎn)品表面的水份吹干，從而達(dá)到不粘片、自動分散的目的。對比試驗(yàn)試驗(yàn)產(chǎn)品型號為0402BME-MLCC NPO對比例按常規(guī)的工藝流程及工藝參數(shù)。工藝流程為以下步驟配料、流延、絲印、層壓、切割、排膠、燒成、研磨、封端、燒端、電鍍、測試、編帶等。研磨工藝見表I。
實(shí)施例應(yīng)用本發(fā)明的研磨工藝(見表1)，其他工藝步驟同對比例。實(shí)施例的工藝流程為以下步驟配料、流延、絲印、層壓、切割、研磨、排膠、燒成、返磨、封端、燒端、電鍍、測試、編帶等。通過產(chǎn)品流通的認(rèn)證，實(shí)施例所得產(chǎn)品質(zhì)量符合要求，檢測結(jié)果見表2。表I :
權(quán)利要求
1.一種多層陶瓷電容器研磨工藝，其特征在于研磨的芯片為燒結(jié)成瓷前芯片，磨介為水和表面活性劑，其中芯片水表面活性劑的體積比為20(Γ650 500^800 5^20,運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35 65RPM下運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速55 85RPM運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速110 150RPM 下運(yùn)行 110 150MIN。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器研磨工藝，其特征在于所述的研磨工藝還包括返磨，返磨的芯片為經(jīng)過研磨、排膠、燒成后的成瓷芯片，磨介為氧化鋁粉或碳化硅粉、氧化鋁球、石英砂和水，其中成瓷芯片氧化鋁粉或碳化硅粉氧化鋁球石英砂水的體積比為200 650 200 500 200 500 200 500 500 800，運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35 65RPM下運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速55 85RPM運(yùn)行15 25分鐘，轉(zhuǎn)速ll(Tl50RPM下運(yùn)行55 85分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的多層陶瓷電容器研磨工藝，其特征在于所述的表面活性劑選自離子型表面活性劑。
4.一種多層陶瓷電容器的制備方法，包括切割、排膠、燒結(jié)、封端步驟，其特征在于電容器的芯片在切割后排膠前進(jìn)行研磨。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多層陶瓷電容器的制備方法，所述的研磨采用權(quán)利要求I所述的研磨工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于所述的芯片在研磨后先吹干其表面的水分，再進(jìn)入下一個排膠步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于電容器的芯片在燒結(jié)后進(jìn)行返磨。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種多層陶瓷電容器的制備方法，所述的返磨采用權(quán)利要求2所述的返磨工藝。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層陶瓷電容器研磨工藝及其應(yīng)用，研磨的芯片為燒結(jié)成瓷前芯片，芯片∶水∶表面活性劑的體積比為200~650∶500~800∶5~20，運(yùn)行曲線為轉(zhuǎn)速35~65RPM下運(yùn)行15~25分鐘，轉(zhuǎn)速55~85RPM運(yùn)行15~25分鐘，轉(zhuǎn)速110~150RPM下運(yùn)行110~150MIN。應(yīng)用于多層陶瓷電容器的制備，改變了以往產(chǎn)品先燒成再研磨的傳統(tǒng)理念，由于產(chǎn)品切割后預(yù)先研磨，比燒結(jié)成瓷后再研磨較容易些，所以大大縮短了研磨時(shí)間，節(jié)約了生產(chǎn)加工成本；同時(shí)產(chǎn)品的質(zhì)量綜合提升崩瓷現(xiàn)象減小、產(chǎn)品研磨過程中受撞擊的力減小，內(nèi)部微裂紋減小，從而提高產(chǎn)品的絕緣性和合格率，提高產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號B24B31/14GK102642170SQ20121013956
公開日2012年8月22日 申請日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月7日
發(fā)明者劉新, 安可榮, 彭自沖, 李筱瑜, 陳長云, 靳國境, 黃作權(quán), 黃旭業(yè) 申請人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司