專利名稱：成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成膜裝置。
背景技術(shù)：
作為在半導(dǎo)體晶圓(以下稱為“晶圓”)等基板上形成例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法之一，能夠列舉出原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)法。在ALD法中，例如，按順序?qū)⒂糜谶M(jìn)行反應(yīng)的多種處理氣體(反應(yīng)氣體)供給到基板的表面而使反應(yīng)生成物
層疊于基板的表面。作為利用該ALD法進(jìn)行成膜處理的成膜裝置，例如，如專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2所記載的那樣，公知有如下的裝置使多張基板在設(shè)于真空容器內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上沿著周向排列，接著，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)，從而從第I反應(yīng)氣體噴嘴和第2反應(yīng)氣體噴嘴按順序向上述基板供給各處理氣體。第I反應(yīng)氣體噴嘴和第2反應(yīng)氣體噴嘴的下方區(qū)域分別相當(dāng)于第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域，在這些第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域之間形成有用于使分離氣體流過(guò)這些處理區(qū)域的分離區(qū)域。并且，在第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周緣側(cè)設(shè)有用于對(duì)真空容器內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣口。在上述第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域中，第I反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體連同分離氣體一起流向排氣口。因此，能夠抑制第I反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體的混合，能夠利用ALD法進(jìn)行良好的成膜處理。此處，在專利文獻(xiàn)3中，記載有以下結(jié)構(gòu)在用于沿周向?qū)⒍鄰埦A載置到被構(gòu)成為旋轉(zhuǎn)自如的水平的基板晶圓載置用基座上的裝置中，在氣體導(dǎo)入管的周圍設(shè)置氣體排出管，利用氣體排出管排出載體氣體與剩余的反應(yīng)氣體。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2010-239102號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2011-40574號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開(kāi)平1-249694號(hào)公報(bào)(圖7)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于這種情況而提出的，其目的在于提供一種能夠進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的成膜處理的技術(shù)。本發(fā)明的一技術(shù)方案提供一種成膜裝置，其在真空容器內(nèi)向基板供給氣體以在上述基板上形成薄膜，其中，該成膜裝置包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的多個(gè)基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使該基板載置區(qū)域旋轉(zhuǎn)；氣體噴嘴，其以從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置，沿其長(zhǎng)度方向形成有分別用于噴出氣體的多個(gè)氣體噴出口 ；排氣口，其設(shè)于上述氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)且比上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外緣靠外側(cè)的位置，用于排出上述氣體；限制構(gòu)件，其包括壁部，該壁部配置于上述氣體噴嘴與上述排氣口之間，該壁部設(shè)置為在上述基板載置區(qū)域載置有基板時(shí)能夠供氣體從該壁部與該基板之間通過(guò)的間隙從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，該壁部在從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域?qū)⑸鲜鰵怏w噴嘴與上述排氣口之間隔開(kāi)。


圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式的成膜裝置的縱剖側(cè)視圖。圖2是上述成膜裝置的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。圖3是上述成膜裝置的橫剖俯視圖。圖4A和圖4B是表示上述成膜裝置的處理區(qū)域和分離區(qū)域的縱剖側(cè)視圖。圖5是上述成膜裝置的縱剖側(cè)視圖。圖6是上述成膜裝置的局部縱剖側(cè)視圖。 圖7是表示設(shè)于上述成膜裝置中的排氣管的立體圖。圖8是表示處理氣體和分離氣體的流動(dòng)情況的俯視圖。圖9是表示處理氣體和分離氣體的流動(dòng)情況的俯視圖。圖10是表示上述成膜裝置的其他例子的俯視圖。圖11是表示上述成膜裝置的又一例子的俯視圖。圖12是上述排氣管的其他例子的立體圖。圖13是表示處理氣體和分離氣體的流動(dòng)情況的俯視圖。圖14是上述排氣管的再一例子的立體圖。圖15是表示上述成膜裝置的再一例子的俯視圖。圖16是本發(fā)明的實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖17是表示圖16所示的成膜裝置的一部分的縱剖視圖。圖18是表示處理氣體和分離氣體的流動(dòng)情況的俯視圖。圖19是表示上述成膜裝置的再一例子的俯視圖。圖20是表示設(shè)于圖19所示的成膜裝置中的噴嘴罩與處理氣體噴嘴的立體圖。圖21是表示氣體的流動(dòng)的剖視圖。圖22是表示實(shí)施例I與比較例Ia的結(jié)果的圖表。圖23是表示實(shí)施例I與比較例Ia的結(jié)果的圖表。圖24是表示實(shí)施例Ib的壓力分布的俯視圖。圖25是表示比較例Ic的壓力分布的俯視圖。圖26是表示實(shí)施例Ib的氣體的擴(kuò)散狀態(tài)的俯視圖。圖27是表示比較例Ic的氣體的擴(kuò)散狀態(tài)的俯視圖。圖28是表示實(shí)施例Ib的氣體流動(dòng)軌跡的俯視圖。圖29是表示比較例Ic的氣體流動(dòng)軌跡的俯視圖。圖30是表示實(shí)施例2的壓力分布的俯視圖。圖31是表示實(shí)施例2的氣體的擴(kuò)散狀態(tài)的俯視圖。圖32是表示實(shí)施例3的壓力分布的俯視圖。圖33是表示實(shí)施例3的氣體的擴(kuò)散狀態(tài)的俯視圖。圖34是表示實(shí)施例4的壓力分布的俯視圖。圖35是表示實(shí)施例4的氣體的擴(kuò)散狀態(tài)的俯視圖。圖36是表示氣體的流動(dòng)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式第I實(shí)施方式在本實(shí)施方式中，以限制構(gòu)件為排氣管的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)DI 圖7來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的一例。圖I是成膜裝置10的縱剖側(cè)視圖，圖2是成膜裝置10的立體圖，圖3是成膜裝置10的橫剖俯視圖，圖4A和圖4B是成膜裝置10的縱剖側(cè)視圖，圖5是成膜裝置10的縱剖俯視圖。此外，圖I為圖3的1-1’剖視圖，圖5為圖3的H-H’剖視圖。圖6是表示成膜裝置10的設(shè)有排氣管7的部位的局部縱剖側(cè)視圖。圖7是表示成膜裝置10的排氣管7的結(jié)構(gòu)的立體圖。
如圖I所示，本實(shí)施方式的成膜裝置10包括俯視形狀為大致圓形的扁平的真空容器I、旋轉(zhuǎn)臺(tái)2、加熱器單元7、殼體20、芯部21、旋轉(zhuǎn)軸22、驅(qū)動(dòng)部23、分離氣體供給管30a、吹掃氣體供給管30b、罩構(gòu)件51、加熱器罩構(gòu)件52、吹掃氣體供給管53、第I排氣口 61和第2排氣口 62 (參照?qǐng)D3)、分別設(shè)于第I排氣口 61和第2排氣口 62的排氣管63、壓力調(diào)整部64和真空泵65、控制部100。并且，如圖2和圖3所示，成膜裝置10包括分離氣體噴嘴41、第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42、及第2處理氣體噴嘴32。真空容器I包括容器主體12 ;頂板11，其以相對(duì)于容器主體12能夠裝卸的方式構(gòu)成；密封構(gòu)件13，其以環(huán)狀設(shè)于容器主體12的上表面的周緣部。密封構(gòu)件13例如為0型環(huán)。分離氣體供給管30a與頂板11的上表面?zhèn)鹊闹醒氩肯噙B接。分離氣體供給管30a用于供給分離氣體，該分離氣體用于抑制彼此不同的處理氣體在真空容器I內(nèi)的中心部區(qū)域彼此相互混合。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2設(shè)于真空容器I內(nèi)，在真空容器I的中心具有旋轉(zhuǎn)中心，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2能沿水平面旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2在其中心部被固定于大致圓筒狀的芯部21。芯部21利用沿鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸22而繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)，在該例子中構(gòu)成為沿順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)自如。驅(qū)動(dòng)部23用于使旋轉(zhuǎn)軸22繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。殼體20用于容納旋轉(zhuǎn)軸22和驅(qū)動(dòng)部23。殼體20的上表面?zhèn)鹊耐咕壊糠謿饷艿匕惭b于真空容器I的底面部14的下表面。吹掃氣體供給管30b與殼體20相連接。吹掃氣體供給管30b用于向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方區(qū)域供給作為吹掃氣體的N2氣體。真空容器I的容器主體12在底面部14的靠芯部21外周的部分具有以從下方側(cè)靠近旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的方式形成為環(huán)狀的突出部12a。如圖2和圖3所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面，沿著旋轉(zhuǎn)方向(周向)R設(shè)有作為基板載置區(qū)域的圓形的凹部24，該凹部24用于載置多張、例如5張作為基板的晶圓W。凹部24的直徑尺寸和深度尺寸分別被設(shè)定為，例如晶圓W放入(容納)到該凹部24時(shí)，晶圓W的表面與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面(不用于載置晶圓W的區(qū)域)齊平。在凹部24的底面形成有供升降銷貫穿的通孔(未圖示)，該升降銷用于從下方側(cè)頂起晶圓W以使晶圓W升降。如圖2和圖3所示，在分別與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2中的凹部24相對(duì)的位置，在真空容器I的周向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R)上彼此隔開(kāi)間隔地呈放射狀配置有第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42。第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42例如能夠由石英構(gòu)成。第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42分別安裝為例如以從真空容器I的外周壁朝向中心部區(qū)域C并且與凹部24相對(duì)的方式水平延伸。在該例子中，從后述的輸送口 15看來(lái)，分離氣體噴嘴41、第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42和第2處理氣體噴嘴32按照分離氣體噴嘴41、第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42和第2處理氣體噴嘴32這樣的順序順時(shí)針(沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R)排列。第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42分別經(jīng)由流量調(diào)整閥與以下的各供給源(未圖示)連接。即，第I處理氣體噴嘴31與例如BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷、SiH2 (NH-C (CH3) 3) 2)等含Si (硅)的氣體(含Si氣體)等的第I處理氣體的供給源連接。第2處理氣體噴嘴32與例如O3 (臭氧)氣體等的第2處理氣體的供給源連接。分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42分別與例如N2 (氮)氣體等的分離氣體的氣體供給源連接。在第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴·嘴42的下表面?zhèn)?，沿著其長(zhǎng)度方向在多個(gè)部位例如以等間隔形成有氣體噴出口(噴出孔)33(參照?qǐng)D4A和圖4B)。第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42分別以第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32、分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42的下端緣與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面之間的分開(kāi)距離例如是Imm 5mm左右的方式配置。另外，在圖4A和圖4B中，省略了排氣管7的圖示。第I處理氣體噴嘴31的下方區(qū)域構(gòu)成用于使含Si氣體吸附于晶圓W的第I處理區(qū)域P1，第2處理氣體噴嘴32的下方區(qū)域構(gòu)成用于使吸附于晶圓W的含Si氣體與O3氣體發(fā)生反應(yīng)的第2處理區(qū)域P2。分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42分別用于形成使第I處理區(qū)域Pl與第2處理區(qū)域P2分開(kāi)的分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2。如圖2和圖3所示，在真空容器I的頂板11的位于分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2的部分設(shè)有大致扇形的凸?fàn)畈?。如圖4A和圖4B所示，分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42容納在被形成于上述凸?fàn)畈?的槽部43內(nèi)。因此，在分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42的在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周向上的兩側(cè)，為了阻止各處理氣體彼此的混合，配置有作為上述凸?fàn)畈?的下表面的較低的頂面44，在該頂面44的上述周向上的兩側(cè)配置有比該頂面44高的頂面45。上述較低的頂面44的下表面與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面之間的分開(kāi)距離設(shè)定為例如Imm 4mm。如圖5 (圖3的H-H’剖視圖)所示，為了阻止各處理氣體彼此的混合，凸?fàn)畈?的周緣部46 (靠真空容器I的外緣側(cè)部位)以與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面相對(duì)且與容器主體12略微分開(kāi)的方式彎曲成L字型。如圖I所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2與真空容器I的底面部14之間的空間內(nèi)設(shè)有作為加熱機(jī)構(gòu)的加熱器單元5，該加熱器單元5用于隔著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W例如加熱至300°C。罩構(gòu)件51設(shè)置在加熱器單元5的側(cè)方側(cè)，加熱器罩構(gòu)件52設(shè)置為在加熱器單元5的上方側(cè)覆蓋該加熱器單元5。在加熱器單元5的下方側(cè)，在真空容器I的底面部14的周向上的多個(gè)部位設(shè)有吹掃氣體供給管53。吹掃氣體供給管53用于供給對(duì)加熱器單元5的配置空間進(jìn)行吹掃的吹掃氣體。在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周側(cè)，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2與真空容器I的內(nèi)壁之間，在整個(gè)周向上以環(huán)狀形成有凹部狀的氣流通路6。在氣流通路6的兩處，以相互在周向上分開(kāi)的方式形成有第I排氣口 61和第2排氣口 62。第I排氣口 61形成在第I處理氣體噴嘴31與比第I處理氣體噴嘴31靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R下游側(cè)的分離區(qū)域Dl之間的、靠該分離區(qū)域Dl側(cè)的位置。并且，第2排氣口 62形成在第2處理氣體噴嘴32與比第2處理氣體噴嘴32靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R下游側(cè)的分離區(qū)域D2之間的、靠該分離區(qū)域D2側(cè)的位置。第I排氣口 61用于排出第I處理氣體和分離氣體，第2排氣口 62用于排出第2處理氣體和分離氣體。如圖I所示，第I排氣口 61利用設(shè)有蝶形閥等壓力調(diào)整部64的排氣管63與作為真空排氣機(jī)構(gòu)的例如真空泵65連接。同樣，第2排氣口 62也利用設(shè)有壓力調(diào)整部64的排氣管63與真空泵65連接。在本實(shí)施方式中，第I排氣口 61和第2排氣口 62形成于罩構(gòu)件51。
棑氣管7在本實(shí)施方式中，排氣管7例如以裝卸自如的方式設(shè)于第I排氣口 61。排氣管7由中空體構(gòu)成，該中空體覆蓋第I排氣口 61并以從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)于第I處理氣體噴嘴31與該第I處理氣體噴嘴31的下游側(cè)的分離區(qū)域Dl之間。如圖6和圖7所示，排氣管7包括大致圓筒狀的排氣口罩構(gòu)件71，其設(shè)于第I排氣口 61側(cè)，以包圍第I排氣口 61的周圍的方式沿上下方向延伸；延伸構(gòu)件72，其與排氣口罩構(gòu)件71相連接，且在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上方側(cè)以朝向真空容器I內(nèi)的中心部區(qū)域C大致水平地延伸方式設(shè)置。在排氣口罩構(gòu)件71的下端，例如設(shè)有向外側(cè)彎曲的凸緣部71a。排氣口罩構(gòu)件71與延伸構(gòu)件72以彼此的內(nèi)部區(qū)域(排氣區(qū)域)相連通的方式連接。延伸構(gòu)件72例如由截面為四邊形的管狀體構(gòu)成，延伸構(gòu)件72設(shè)置為從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部24 (基板載置區(qū)域)的內(nèi)緣延伸到外緣。例如，將延伸構(gòu)件72的長(zhǎng)度方向的大小設(shè)定為大于載置在凹部24的晶圓的直徑，將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面部與該延伸構(gòu)件72的下表面之間的距離H (參照?qǐng)D6)設(shè)定為例如Imm 4mm左右。上述那樣的排氣口罩構(gòu)件71和延伸構(gòu)件72例如能夠由石英、陶瓷、鋁、不銹鋼等構(gòu)成。排氣管7以使排氣口罩構(gòu)件71的凸緣部71a與設(shè)于罩構(gòu)件51的第I排氣口 61的周圍相抵接的方式安裝，從而排氣管7以覆蓋第I排氣口 61的方式被設(shè)為裝卸自如。另外，也可以利用螺紋緊固的方式將凸緣部71a固定在第I排氣口 61的周圍。排氣管7構(gòu)成從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)朝向外周側(cè)地在第I排氣口 61上延伸的排氣區(qū)域。圖36是表示排氣管7、第I處理氣體噴嘴31、及第I排氣口 61的關(guān)系的示意圖。在本實(shí)施方式中，排氣管7的延伸構(gòu)件72包括第I側(cè)壁721、第2側(cè)壁722、設(shè)于第I側(cè)壁721與第2側(cè)壁722的上表面的上表面部723、設(shè)于第I側(cè)壁721與第2側(cè)壁722的下表面的底面部724。第I側(cè)壁721配置于第I處理氣體噴嘴31與第I排氣口 61之間，第I側(cè)壁721設(shè)置為在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部24載置有晶圓W時(shí)能夠供氣體在第I側(cè)壁721與晶圓W之間通過(guò)的間隙從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，第I側(cè)壁721設(shè)置為從凹部24內(nèi)緣延伸到外緣。也參照?qǐng)D3，第2側(cè)壁722以與第I側(cè)壁721相面對(duì)且從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)于第I側(cè)壁的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R側(cè)。上表面部723和底面部724以從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)于第I側(cè)壁與第I側(cè)壁的上表面和下表面。并且，延伸構(gòu)件72的上表面部723以與排氣口罩構(gòu)件71的上表面部大致平齊的方式設(shè)置。因此，排氣管7構(gòu)成為以使延伸構(gòu)件72的上表面部723與排氣口罩構(gòu)件71的上表面連續(xù)而延伸到第I排氣口 61上方的方式設(shè)置。參照?qǐng)D6和圖7，在本實(shí)施方式中，在設(shè)于比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣靠外側(cè)的位置的排氣口罩構(gòu)件71上設(shè)有第I排氣用開(kāi)口部73。具體而言，在本實(shí)施方式中，第I排氣用開(kāi)口部73由分別在排氣口罩構(gòu)件71的例如靠延伸構(gòu)件72側(cè)的位置的兩側(cè)面上以沿上下方向延伸的方式設(shè)置的狹縫73a和狹縫73b構(gòu)成。狹縫73a和狹縫73b沿排氣口罩構(gòu)件71的周向形成有多個(gè)。并且，在延伸構(gòu)件72的底面部724的靠排氣口罩構(gòu)件71側(cè)的位置，沿延伸構(gòu)件72的長(zhǎng)度方向(圖7中的X方向)形成有多個(gè)在延伸構(gòu)件72的寬度方向(圖7中的Y方向)上 延伸的狹縫74。并且，在延伸構(gòu)件72的底面部724的比狹縫74靠延伸構(gòu)件72的前端側(cè)的區(qū)域形成有開(kāi)口部75。此處，開(kāi)口部75的截面積形成為大于各狹縫74的截面積。并且，在延伸構(gòu)件72的兩側(cè)面即第I側(cè)壁721和第2側(cè)壁722的、例如靠排氣口罩構(gòu)件71側(cè)的位置，分別沿第I側(cè)壁721和第2側(cè)壁722的長(zhǎng)度方向形成有多個(gè)沿上下方向延伸的狹縫76a和狹縫76b。這些狹縫74、開(kāi)口部75、狹縫76a和狹縫76b相當(dāng)于第2排氣用開(kāi)口部79。另外，在本實(shí)施方式中，至少設(shè)于第I側(cè)壁721的狹縫76a以在第I側(cè)壁721的從凹部24的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域內(nèi)殘留有用于將第I處理氣體噴嘴31與第I排氣口 61之間隔開(kāi)的壁部的方式形成于第I側(cè)壁721的局部。如圖36所示，排氣管7將處理氣體的氣流動(dòng)限制為，自第I處理氣體噴嘴31供給的處理氣體從排氣管7的第I側(cè)壁721的下方側(cè)通過(guò)而流向第I排氣口 61。返回對(duì)于真空容器I內(nèi)的說(shuō)明，如圖I所示，在頂板11的下表面的中央部，在中心部區(qū)域C的外側(cè)設(shè)有突出部47，該突出部47在整個(gè)周上形成為大致環(huán)狀且突出部47的下表面與凸?fàn)畈?的下表面(頂面44)為相同的高度。在比該突出部47靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的芯部21的上方側(cè)，配置有用于抑制第I處理氣體與第2處理氣體在中心部區(qū)域C中發(fā)生相互混合的迷宮式結(jié)構(gòu)48。如圖2和圖3所示，在真空容器I的側(cè)壁上形成有輸送口 15，該輸送口 15用于在未圖示的外部的輸送臂與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間進(jìn)行晶圓W的交接，輸送口 15構(gòu)成為利用閘閥G(參照?qǐng)D3)氣密地開(kāi)閉自如。并且，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部24在面朝該輸送口 15的位置與輸送臂之間進(jìn)行晶圓W的交接，因此，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)的與該交接位置對(duì)應(yīng)的部位設(shè)有交接用的升降銷及該升降銷的升降機(jī)構(gòu)(均未圖示)，該交接用的升降銷用于貫穿凹部24而從背面抬起晶圓W。而且，在成膜裝置10中，設(shè)有用于控制整個(gè)裝置動(dòng)作的由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部100，在該控制部100的存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)有用于進(jìn)行后述的成膜處理的程序。該程序?yàn)榱藞?zhí)行后述的裝置動(dòng)作而編入有步驟組，該程序自硬盤(pán)、光盤(pán)、光磁盤(pán)、存儲(chǔ)卡、軟盤(pán)等存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到控制部?jī)?nèi)。下面，說(shuō)明本實(shí)施方式的成膜裝置10的作用。首先，打開(kāi)閘閥G，一邊使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2間歇地旋轉(zhuǎn)，一邊利用未圖示的輸送臂經(jīng)由輸送口 15例如將五張晶圓W載置到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上。該晶圓W已經(jīng)被實(shí)施了使用干蝕刻處理、化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition CVD)法等進(jìn)行的布線埋入工序，因而，在該晶圓W的內(nèi)部形成有電氣布線結(jié)構(gòu)。接著，關(guān)閉閘閥G，利用真空泵65使真空容器I內(nèi)成為排空的狀態(tài)，并且一邊使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2例如以120rpm進(jìn)行順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，一邊利用加熱器單元5將晶圓W加熱至例如300°C。接著，從第I處理氣體噴嘴31以規(guī)定的流量噴出含Si氣體、從處理氣體噴嘴32以規(guī)定的流量噴出O3氣體，并且從分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42以規(guī)定的流量噴出分離氣體。并且，利用壓力調(diào)整部64將真空容器I內(nèi)調(diào)整成預(yù)先設(shè)定了的處理壓力、例如500Pa。利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)，晶圓W交替地通過(guò)設(shè)有第I反應(yīng)氣體噴嘴31的第I處理區(qū)域Pl和設(shè)有第2反應(yīng)氣體噴嘴32的第2處理區(qū)域P2，因此，晶圓W吸附含Si氣體，接著吸附O3氣體，從而形成I層或多層的氧化硅的原子層。這樣，氧化硅的原子層依次層疊而形成規(guī)定膜厚的硅氧化膜。圖8是表示處理氣體和分離氣體的流動(dòng)情況的俯視圖?！?br> 此時(shí)，也自分離氣體供給管30a供給作為分離氣體的N2氣體，由此，從中心部區(qū)域C沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面噴出N2氣體。如圖8所示，從第2處理氣體噴嘴32向下方側(cè)噴出的、沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面流向旋轉(zhuǎn)方向R下游側(cè)的O3氣體由于從中心部區(qū)域C噴出的N2氣體的氣流與第2排氣口 62的吸引作用而流向第2排氣口 62。此時(shí)，O3氣體的一部分流向在下游側(cè)相鄰的分離區(qū)域D2。但是，為了防止氣體進(jìn)入頂面44的下方側(cè)，凸?fàn)畈?構(gòu)成為在其與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間形成狹窄的空間，并且，N2氣體從分離區(qū)域D2流向第2處理區(qū)域P2側(cè)，因而，O3氣體基本上不能流入扇型的凸?fàn)畈?的下方側(cè)。這樣，O3氣體連同從中心部區(qū)域噴出的N2氣體和來(lái)自分離區(qū)域D2的N2氣體一起，從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣與真空容器I的內(nèi)周壁之間的間隙經(jīng)由排氣區(qū)域6被第2排氣口 62排出。并且，從第I處理氣體噴嘴31向下方側(cè)噴出的、沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面分別流向旋轉(zhuǎn)方向R上游側(cè)和下游側(cè)的BTBAS氣體等含Si氣體完全不能進(jìn)入在該旋轉(zhuǎn)方向R上游側(cè)和下游側(cè)相鄰的扇型的凸?fàn)畈?的下方側(cè)，或者，即使該BTBAS氣體等含Si氣體進(jìn)入了凸?fàn)畈?的下方側(cè)，也會(huì)被擠回到第I處理區(qū)域Pl。這樣，BTBAS氣體等含Si氣體連同從中心部區(qū)域C噴出的N2氣體和來(lái)自分離區(qū)域的N2氣體一起被第I排氣口 61排出。在本實(shí)施方式中，在第I處理氣體噴嘴31的靠旋轉(zhuǎn)方向R的下游側(cè)，以與第I處理氣體噴嘴31并排的方式設(shè)有排氣管7。因此，從第I處理氣體噴嘴31供給的處理氣體的氣流受到排氣管7的限制。如圖6所示，從第I處理氣體噴嘴31噴出的BTBAS氣體等含Si氣體的大部分流向延伸構(gòu)件72。于是，該部分含Si氣體與延伸構(gòu)件72的第I側(cè)壁721(參照?qǐng)D7)碰撞，并經(jīng)由狹縫74和狹縫76、或開(kāi)口部75進(jìn)入延伸構(gòu)件72內(nèi)。另外，含Si氣體的一部分經(jīng)由第I排氣用開(kāi)口部73進(jìn)入排氣口罩構(gòu)件71，并從第I排氣口 61排出。如此，設(shè)有第I處理氣體噴嘴31的第I處理區(qū)域Pl內(nèi)的氣氛氣體自比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣靠外側(cè)經(jīng)由設(shè)于覆蓋第I排氣口 61的排氣口罩構(gòu)件71上的第I排氣用開(kāi)口部73即狹縫73a和狹縫73b被吸引，并且，也從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)經(jīng)由設(shè)于沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸的延伸構(gòu)件72的狹縫74、狹縫76和開(kāi)口部75被吸引。由于在延伸構(gòu)件72上沿其長(zhǎng)度方向形成有狹縫、開(kāi)口部，在第I處理氣體噴嘴31上沿其長(zhǎng)度方向形成有氣體噴出口，因而，如圖8所示，從第I處理氣體噴嘴31噴出的含Si氣體沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R流動(dòng)，被延伸構(gòu)件72吸引。因此，來(lái)自第I處理氣體噴嘴31的含Si氣體以較高的均勻性沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的徑向向晶圓W進(jìn)行供給。
此處，在分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2中，雖然阻止在氣氛中流動(dòng)的作為反應(yīng)氣體的含Si氣體或O3氣體進(jìn)入，但是，吸附于晶圓W的氣體分子在該吸附狀態(tài)下通過(guò)分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2即由扇型的凸?fàn)畈?形成的較低的頂面44的下方，參與成膜。并且，由于從中心部區(qū)域C朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣噴出分離氣體，因而，能夠阻止含Si氣體經(jīng)由該中心部區(qū)域C流入第2處理區(qū)域P2、O3氣體經(jīng)由該中心部區(qū)域C流入第I處理區(qū)域Pl。并且，在分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2中，由于扇型的凸?fàn)畈?的周緣部向下方彎曲而在實(shí)質(zhì)上阻止了氣體的通過(guò)，因而，也能夠阻止第I處理區(qū)域Pl中的BTBAS氣體等含Si氣體(或第2處理區(qū)域P2中的O3氣體)經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)而流入到第2處理區(qū)域P2 (或第I處理區(qū)域P1)。因此，利用分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2這兩個(gè)分離區(qū)域能夠完全分離第I處理區(qū)域Pl中的氣氛和第2處理區(qū)域P2中的氣氛，BTBAS氣體等含Si氣體被第I排氣口 61排出，而O3氣體被第2排氣口 62排出。這樣，當(dāng)完成成膜處理時(shí)，利用與輸入動(dòng)作相反的動(dòng)作將各晶圓W依次輸出。這樣，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2間歇地旋轉(zhuǎn)，輸出晶圓W，分別從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的5處凹部24內(nèi)輸出晶圓W。
此處，記載處理參數(shù)的一例。在將直徑300mm的晶圓W作為被處理基板的情況下，能夠?qū)⑿D(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速設(shè)為例如Irpm 500rpm,在該例子中設(shè)為120rpm。能夠?qū)⒐に噳毫υO(shè)為例如133Pa 1333Pa，在該例子中設(shè)為500Pa。能夠?qū)⒕AW的加熱溫度設(shè)為例如300°C。能夠?qū)TBAS氣體等含Si氣體以及O3氣體的流量分別設(shè)為例如lOOsccm以及l(fā)OOOOsccm。能夠?qū)?lái)自分離氣體噴嘴41和分離氣體噴嘴42的N2氣體的流量設(shè)為例如20000sccmo能夠?qū)?lái)自真空容器I的中心部的分離氣體供給管30a的N2氣體的流量設(shè)為例如5000SCCm。另外，雖然對(duì)I張晶圓W供給反應(yīng)氣體的循環(huán)次數(shù)、即晶圓W分別通過(guò)第I處理區(qū)域Pl和第2處理區(qū)域P2的次數(shù)根據(jù)目標(biāo)膜厚而變化，但是，能夠?qū)⒃摯螖?shù)設(shè)為多次例如600次。采用上述實(shí)施方式，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R上配置多個(gè)晶圓W，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)而使多個(gè)晶圓W按順序通過(guò)第I處理區(qū)域Pl和第2處理區(qū)域P2，進(jìn)行所謂的ALD (或者M(jìn)LD(Molecular Layer Deposition :分子層沉積))，因此,能夠以較高的生產(chǎn)率進(jìn)行成膜處理。而且，在旋轉(zhuǎn)方向R上，在第I處理區(qū)域Pl和第2處理區(qū)域P2之間設(shè)有分離區(qū)域Dl和分離區(qū)域D2，并且從中心部區(qū)域C朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣噴出分離氣體，經(jīng)由設(shè)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣的外側(cè)的第I排氣口 61和第2排氣口 62排出分離氣體和處理氣體。因而能防止兩反應(yīng)氣體的混合，其結(jié)果，能進(jìn)行良好的成膜處理。并且，由于在第I排氣口 61處設(shè)置了排氣管7，因而，如上所述，來(lái)自第I處理氣體噴嘴31的含Si氣體以較高的均勻性沿晶圓W的徑向?qū)AW進(jìn)行供給。因此，能夠以面內(nèi)均勻性較高的狀態(tài)使含Si氣體吸附于晶圓W，由后述的實(shí)施例可知，能夠進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的成膜處理。并且，如上所述，由于形成朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R的含Si氣體的氣流，因而，含Si氣體充分地遍布整個(gè)晶圓W，含Si氣體的吸附效率變高。因此，由后述的實(shí)施例可知，能夠進(jìn)行成膜速率(cycle rate:旋轉(zhuǎn)臺(tái)2每旋轉(zhuǎn)I周的成膜量)較高的成膜處理。因此，即使在對(duì)具有長(zhǎng)寬比(aspect)較高的凹部的圖案進(jìn)行成膜處理的情況下，也能夠以較高的覆蓋率(coverage )形成薄膜。另外，由于排氣管7被設(shè)成裝卸自如，因而，能夠與成膜處理相對(duì)應(yīng)地安裝或拆卸排氣管7，能夠利用I臺(tái)成膜裝置實(shí)施的成膜處理的自由度變大。
并且，在位于第I處理區(qū)域Pl的旋轉(zhuǎn)方向R下游側(cè)的分離區(qū)域Dl的附近，排氣管7被設(shè)置為延伸構(gòu)件72從凹部24的內(nèi)緣延伸至外緣。因此，從分離區(qū)域Dl流到第I處理區(qū)域Pl的N2氣體迅速地經(jīng)由排氣管7排出。由此，由于流入第I處理區(qū)域Pl內(nèi)的N2氣體的量減少，因而，含Si氣體被N2氣體稀釋的程度變小。該點(diǎn)也能夠確保含Si氣體的較高的吸附效率。另一方面，在沒(méi)有設(shè)置排氣管7的結(jié)構(gòu)中，如圖9所示，從第I處理氣體噴嘴31供給到第I處理區(qū)域Pl的含Si氣體朝向設(shè)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣的第I排氣口 61迅速地流動(dòng)。因此，難以沿晶圓W的徑向以較高的均勻性向晶圓W供給含Si氣體。并且，由于N2氣體從旋轉(zhuǎn)方向R下游側(cè)流入處理區(qū)域Pl內(nèi)，因而，含Si氣體被N2氣體稀釋，可能會(huì)導(dǎo)致含Si氣體的吸附效率降低。并且，在排氣管7的排氣口罩構(gòu)件71上設(shè)有第 I排氣用開(kāi)口部73，也能夠在比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣靠外側(cè)進(jìn)行排氣。因此，通過(guò)從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)經(jīng)由第I排氣用開(kāi)口部73將含Si氣體引入排氣管7內(nèi)，從而調(diào)整含Si氣體的流動(dòng)方式，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣附近區(qū)域，可靠地排出第I處理區(qū)域Pl中的含Si氣體和來(lái)自旋轉(zhuǎn)方向R下游側(cè)的分離區(qū)域的分離氣體。因此，通過(guò)設(shè)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)的第I排氣用開(kāi)口部73的排氣與來(lái)自設(shè)于靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)的第2排氣用開(kāi)口部79的排氣的組合，能夠確保充分的排氣能力，并且能夠調(diào)整處理區(qū)域中的含Si氣體的流動(dòng)方式。并且，通過(guò)設(shè)置排氣管7，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W通過(guò)排氣管7的下方側(cè)時(shí)，晶圓W上的氣氛氣體被排氣管7的第I排氣用開(kāi)口部73和第2排氣用開(kāi)口部79所吸引。此時(shí)，排氣管7構(gòu)成為長(zhǎng)于晶圓W的直徑，由于形成于排氣管7的下表面的狹縫74和開(kāi)口部75位于晶圓W的正上方，因而，整個(gè)晶圓W的表面的上部氣氛被排氣管7可靠地吸引。其他例子I接著，參照?qǐng)D10來(lái)說(shuō)明第I實(shí)施方式的成膜裝置10的結(jié)構(gòu)的其他例子。圖10是表示成膜裝置10的其他例子的俯視圖。在本例子中，與上述成膜裝置10的不同之處在于，將第I處理氣體噴嘴31配置為與排氣管7A平行。排氣管7A以例如延伸構(gòu)件72的靠第I處理氣體噴嘴31側(cè)的側(cè)面721與第I處理氣體噴嘴31的噴出孔33大致平行的方式配置。其他結(jié)構(gòu)與上述第I實(shí)施方式相同，在排氣管7A的側(cè)面和下表面分別形成有第I排氣用開(kāi)口部73和第2排氣用開(kāi)口部79。因此，第I處理氣體噴嘴31的噴出孔33與排氣管7A的第I排氣用開(kāi)口部73及第2排氣用開(kāi)口部79之間的距離沿上述第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向大致一致。在這種結(jié)構(gòu)中，當(dāng)經(jīng)由第I排氣口 61利用排氣管7A進(jìn)行排氣時(shí)，在第I處理氣體噴嘴31附近的氣氛氣體以排氣量在第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向上一致的狀態(tài)向排氣管7A排出。由此，含Si氣體以在第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向上具有較高的均勻性的方式進(jìn)行供給，能夠?qū)πD(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W實(shí)施均勻性較高的成膜處理。另外，在圖10所示的例子中，排氣管7A以從凹部24的外緣朝向內(nèi)緣側(cè)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心的方式配置，第I處理氣體噴嘴31以與排氣管7A大致平行的方式配置。但是，也可以將第I處理氣體噴嘴31配置為從凹部24的外緣朝向內(nèi)緣側(cè)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心，并將排氣管7A以與第I處理氣體噴嘴31大致平行的方式配置。其他例子2
下面，參照?qǐng)D11來(lái)說(shuō)明第I實(shí)施方式的成膜裝置10的結(jié)構(gòu)的其他例子。圖11是表示成膜裝置10的結(jié)構(gòu)的其他例子的俯視圖。在本例子中，與上述成膜裝置10的不同之處在于，將第I處理氣體噴嘴31配置為與排氣管7B平行。在排氣管7A的側(cè)面和下表面分別形成有第I排氣用開(kāi)口部73和第2排氣用開(kāi)口部79。在本例子中，與上述成膜裝置10的不同之處在于，使排氣管7B的排氣用開(kāi)口部的開(kāi)口區(qū)域構(gòu)成為靠前端側(cè)(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè))的部分大于靠基端側(cè)的部分。第I處理氣體噴嘴31以從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣方式設(shè)置，排氣管7B以例如延伸構(gòu)件72的靠第I處理氣體噴嘴31側(cè)的第I側(cè)壁721與第I處理氣體噴嘴31的噴出孔33大致平行的方式配置。在本例子中，延伸構(gòu)件72B的平面形狀隨著朝向前端側(cè)(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè))去而逐漸變大，在前端側(cè)寬度較寬地構(gòu)成為梯形形狀。形成于延伸構(gòu)件72B的底面部724(在圖11中沒(méi)有圖示)的開(kāi)口部75B (排氣用開(kāi)口部)也以與延伸構(gòu)件72B的形狀相對(duì)應(yīng)地隨著朝 向前端側(cè)去而逐漸變大，在前端側(cè)寬度較寬地構(gòu)成為梯形形狀。其他的結(jié)構(gòu)與上述第I實(shí)施方式相同。在這種結(jié)構(gòu)中，與圖10所示的結(jié)構(gòu)的成膜裝置10相同，由于第I處理氣體噴嘴31以與排氣管7B大致平行的方式配置，因而，對(duì)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W，能夠以徑向上的均勻性較高的狀態(tài)供給含Si氣體，能夠進(jìn)行面內(nèi)均勻性更高的成膜處理。并且，排氣管7B的排氣能力隨著朝向距離真空泵65最遠(yuǎn)的前端側(cè)去而逐漸變小，但是，本例子中的延伸構(gòu)件72B以排氣用開(kāi)口部隨著朝向前端側(cè)去而逐漸變大的方式構(gòu)成。因此，通過(guò)在排氣能力較小的區(qū)域?qū)㈤_(kāi)口區(qū)域設(shè)為較大，能容易地吸入含Si氣體，使氣體的排氣量沿排氣管7B的長(zhǎng)度方向一致。其他例子3并且，也可以與成膜處理的類型相對(duì)應(yīng)地使排氣管7 (排氣管7A或排氣管7B，以下相同)的第I排氣用開(kāi)口部73和第2排氣用開(kāi)口部79形成于排氣管7的長(zhǎng)度方向上的不同位置。如此，當(dāng)改變第I排氣用開(kāi)口部73和第2排氣用開(kāi)口部79的形成部位、開(kāi)口面積時(shí)，能夠調(diào)整排氣口罩構(gòu)件71、延伸構(gòu)件72的排氣能力，并能夠調(diào)整氣體流通空間中的氣體的流動(dòng)。并且，在用以上的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明的排氣管7中，由于在比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣靠外側(cè)形成有第I排氣用開(kāi)口部73且在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)形成有第2排氣用開(kāi)口部79，因而，通過(guò)調(diào)整靠近第I排氣口 61的第I排氣用開(kāi)口部73的開(kāi)口面積，能較大程度地改變延伸構(gòu)件72的排氣能力。其他例子4圖12是表示排氣管7C的結(jié)構(gòu)的一例的立體圖。圖13是表示在成膜裝置10中設(shè)有排氣管7C的情況下的處理氣體和分離氣體的流動(dòng)的俯視圖。圖12所示的排氣管7C是在其前端側(cè)(靠凹部24的內(nèi)緣側(cè))形成有用于構(gòu)成第2排氣用開(kāi)口部79的狹縫76c和開(kāi)口部75c的例子。如此，在將第2排氣用開(kāi)口部79設(shè)置在前端側(cè)時(shí)，如圖13所示，由于從排氣管7C的前端側(cè)吸引含Si氣體，因而，從第I處理氣體噴嘴31噴出的含Si氣體朝向排氣管7C的前端側(cè)流動(dòng)，從前端側(cè)的狹縫76c和開(kāi)口部75c被吸入排氣管7C內(nèi)。因此，在第I處理區(qū)域Pl中，形成有朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)的氣流。如此，由于處理區(qū)域Pl內(nèi)的處理氣體的流動(dòng)方式根據(jù)排氣管7(排氣管7A、排氣管7B或排氣管7C，以下相同)的在長(zhǎng)度方向上的排氣用開(kāi)口部的形成部位、面積而發(fā)生變化，因而，若將排氣管7設(shè)為裝卸自如并與成膜處理的類型相對(duì)應(yīng)地預(yù)先準(zhǔn)備多個(gè)在最佳的位置形成有最佳的面積的排氣用開(kāi)口部的排氣管，根據(jù)處理來(lái)更換為適當(dāng)?shù)呐艢夤?，則在I臺(tái)的成膜裝置中，能夠以最佳的處理?xiàng)l件進(jìn)行多個(gè)類型的成膜處理，這是有益的。另外，成膜處理的類型不同的情況也包含以下情況薄膜的種類不同的情況、薄膜為相同種類而目標(biāo)的膜厚不同的情況、薄膜為相同種類而旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速、處理壓力、處理氣體的供給量等處理?xiàng)l件不同的情況。其他例子5圖14是表示排氣管7D的結(jié)構(gòu)的一例的立體圖。 如圖14所示，例如，能夠?qū)⑴艢夤?D構(gòu)成為，除了具有排氣口罩構(gòu)件71和延伸構(gòu)件72之外，還具有狹縫遮蔽構(gòu)件78。此處，在延伸構(gòu)件72上，沿整個(gè)長(zhǎng)度方向設(shè)有從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣的多個(gè)狹縫77。另外，雖然沒(méi)有圖示，在延伸構(gòu)件72的底面部724上設(shè)有開(kāi)口部。將狹縫遮蔽構(gòu)件78設(shè)為封堵狹縫77的一部分。能夠?qū)ⅹM縫遮蔽構(gòu)件78設(shè)為相對(duì)于延伸構(gòu)件72裝卸自如且能滑動(dòng)。此處，雖然沒(méi)有圖示，狹縫遮蔽構(gòu)件78以覆蓋延伸構(gòu)件72的底面部724、第I側(cè)壁721和第2側(cè)壁722的方式構(gòu)成。狹縫遮蔽構(gòu)件78例如能夠由石英構(gòu)成。若設(shè)成這種結(jié)構(gòu)，則能夠與成膜處理的類型相對(duì)應(yīng)地以在排氣管7D的延伸構(gòu)件72的長(zhǎng)度方向上的最佳位置形成第2排氣用開(kāi)口部79的方式利用狹縫遮蔽構(gòu)件78開(kāi)閉狹縫77。并且，也可以代替設(shè)置多個(gè)狹縫77的結(jié)構(gòu)，而預(yù)先形成沿延伸構(gòu)件72的長(zhǎng)度方向延伸的較大的開(kāi)口部，通過(guò)利用狹縫遮蔽構(gòu)件78來(lái)封堵該開(kāi)口部的一部分，從而調(diào)整排氣用開(kāi)口部的開(kāi)口區(qū)域的大小。此時(shí)，也可以在延伸構(gòu)件72D的上表面部723、底面部、前端的端面70上也形成第2排氣用開(kāi)口部79，并利用狹縫遮蔽構(gòu)件78來(lái)封堵這些排氣用開(kāi)口部的一部分或全部。并且，也可以將形成于側(cè)面的狹縫77的上下方向上的長(zhǎng)度設(shè)成較短，并利用狹縫遮蔽構(gòu)件78來(lái)封堵狹縫77。并且，也可以利用狹縫遮蔽構(gòu)件78來(lái)封堵設(shè)于排氣口罩構(gòu)件71上的第I排氣用開(kāi)口部73的一部分或全部。其他例子6圖15是成膜裝置10的俯視圖。在本例子中，在第I處理區(qū)域Pl和第2處理區(qū)域P2這兩個(gè)區(qū)域內(nèi)分別設(shè)有排氣管。由于成膜處理的面內(nèi)均勻性依賴于吸附氣體的吸附狀態(tài)，因而，優(yōu)選至少在供給用于產(chǎn)生吸附反應(yīng)的處理氣體的處理區(qū)域內(nèi)分別配置排氣管。此處，在成膜裝置10的分別與第I排氣口 61和第2排氣口 62相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有排氣管7和排氣管700。排氣管700設(shè)置在第2處理區(qū)域P2與第2處理區(qū)域P2的下游側(cè)的分離區(qū)域D2之間的靠近該分離區(qū)域D2側(cè)的位置。在這種結(jié)構(gòu)中，如圖15中的點(diǎn)線所示意性地表示的那樣，來(lái)自第2處理氣體噴嘴32的O3氣體沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R流通。因此，與沒(méi)有設(shè)置排氣管700而直接朝向第2排氣口 62流通的情況相比，O3氣體均勻地供給到該第2處理區(qū)域P2，因而，結(jié)果使O3氣體與晶圓W的接觸時(shí)間變長(zhǎng)，能夠充分地進(jìn)行氧化反應(yīng)。另外，能夠?qū)⑴艢夤?00的結(jié)構(gòu)設(shè)成與上述排氣管7的結(jié)構(gòu)相同。
其他例子I圖19是表示成膜裝置10的俯視圖，圖20是表示設(shè)于圖19所示的成膜裝置中的噴嘴罩與處理氣體噴嘴的立體圖，圖21是表示氣體的流動(dòng)的剖視圖。如圖19 圖21所示，成膜裝置10包括與第I處理氣體噴嘴31相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的噴嘴罩34。噴嘴罩34沿第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向伸長(zhǎng)，并具有縱截面為日文-字型的基部35，利用該基部35來(lái)覆蓋第I處理氣體噴嘴31的上方和側(cè)方。并且，從基部35的下端的左右沿水平方向即沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R的上游側(cè)、下游側(cè)，突出有整流板36A、整流板36B。這些整流板36A、整流板36B的下表面例如形成于與第I處理氣體噴嘴31的噴出口 33的下端大致相同高度的位置。在這種結(jié)構(gòu)中，如圖21示出的處理氣體的流動(dòng)那樣，利用整流板36A、整流板36B來(lái)限制自第I處理氣體噴嘴31噴出出的含Si氣體從整流板36A、整流板36B的下方飄向上方。由此，含Si氣體容易流到晶圓W的正上方，與晶圓W的接觸機(jī)會(huì)增加。因此，在第I處理區(qū)域Pl中，能夠進(jìn)一步可靠地使含Si氣體吸附于晶圓W，能夠以面內(nèi)均勻性較高狀態(tài)對(duì)晶圓W進(jìn)行成膜處理。在以上說(shuō)明中，只要將排氣管7的第I排氣用開(kāi)口部73設(shè)置在比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周緣靠外側(cè)即可，第I排氣用開(kāi)口部73并不限于上述狹縫73a和狹縫73b。并且，排氣管7的第2排氣用開(kāi)口部79只要在靠凹部24的至少內(nèi)緣側(cè)的位置，設(shè)置于排氣管7的側(cè)面和下表面中的至少一者即可。若在靠凹部24的至少內(nèi)緣側(cè)形成第2排氣用開(kāi)口部79，則由于能夠使來(lái)自第I處理氣體噴嘴31的含Si氣體朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央側(cè)流動(dòng)，因而，結(jié)果能夠以較高的均勻性沿晶圓W的徑向供給含Si氣體。第2實(shí)施方式在本實(shí)施方式中，以限制構(gòu)件為板狀構(gòu)件的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D16 圖18來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的一例。
圖16是成膜裝置10的立體圖，圖17是表示成膜裝置10的設(shè)有板狀構(gòu)件9的部位的局部縱剖側(cè)視圖。如圖16和圖17所示，在本實(shí)施方式中，板狀構(gòu)件9設(shè)置為，在處理區(qū)域中的至少一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)，在第I處理氣體噴嘴31和第I排氣口 61之間，從第I排氣口 61的側(cè)方延伸到凹部24的內(nèi)緣且以從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面浮起而在其與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間產(chǎn)生間隙的方式豎立設(shè)置。板狀構(gòu)件9將處理氣體的流動(dòng)限制為，自第I處理氣體噴嘴31供給的處理氣體從板狀構(gòu)件9的下方側(cè)通過(guò)而流向第I排氣口 61。板狀構(gòu)件9的基端側(cè)91設(shè)置為在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)向下方側(cè)延伸，例如基端側(cè)91的下端緣與罩構(gòu)件51相抵接。并且，板狀構(gòu)件9以從第I排氣口 61的側(cè)方延伸到凹部24的內(nèi)緣的方式設(shè)置，例如板狀構(gòu)件9的上端緣與蓋體(頂板)11的下表面連接。并且，板狀構(gòu)件9的下端緣設(shè)置為在其與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面之間例如沿板狀構(gòu)件9的長(zhǎng)度方向形成有間隙90。該間隙90的形狀、大小設(shè)定為，使例如氣體流通空間中的氣體的流動(dòng)達(dá)到與上述排氣管7相同的程度。在這種結(jié)構(gòu)中，來(lái)自第I處理氣體噴嘴31的含Si氣體欲流向第I排氣口 61，但是，該含Si氣體與豎立設(shè)置于第I處理氣體噴嘴31的下游側(cè)的板狀構(gòu)件9相碰撞而從板狀構(gòu)件9的下部的間隙90通過(guò)，被第I排氣口 61排出。這樣，如圖18所示，來(lái)自第I處理氣體噴嘴31的含Si氣體沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R流動(dòng)并以較高的均勻性沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的徑向向晶圓W進(jìn)行供給，因而，能夠進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的成膜處理。在該例子中，將板狀構(gòu)件9的上端設(shè)成了與頂板11的下表面連接，但是，也可以在板狀構(gòu)件9的上端與頂板11的下表面之間形成間隙。另外，也可以將板狀構(gòu)件9設(shè)成與在第I實(shí)施方式中說(shuō)明了的排氣管7的第I側(cè)壁721相同的、形成有狹縫76a等開(kāi)口部的結(jié)構(gòu)。另外，對(duì)于板狀構(gòu)件9，與圖14所示的排氣管7D相同，也可以將其設(shè)成沿整個(gè)長(zhǎng)度方向設(shè)有從凹部24的內(nèi)緣延伸到外緣的多個(gè)狹縫的結(jié)構(gòu)，并在板狀構(gòu)件9上設(shè)置狹縫遮蔽構(gòu)件。另外，也可以將板狀構(gòu)件9設(shè)成以與第I處理氣體噴嘴31大致平行的方式配置的結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)施方式不限于使用兩種反應(yīng)氣體，也能夠應(yīng)用于按順序?qū)?種以上的反應(yīng)氣體供給到基板上的情況。在該情況下，例如，只要按照第I反應(yīng)氣體噴嘴、分離氣體噴嘴、第2反應(yīng)氣體噴嘴、分離氣體噴嘴、第3反應(yīng)氣體噴嘴和分離氣體噴嘴的順序在真空·容器I的周向上配置各氣體噴嘴并在至少一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)配置本發(fā)明的排氣管或板狀構(gòu)件(限制構(gòu)件)即可。并且，本實(shí)施方式也能夠應(yīng)用于將I種反應(yīng)氣體供給到基板上的情況。而且，在本實(shí)施方式中，也可以在一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)組合設(shè)置排氣管與板狀構(gòu)件，還可以在一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)設(shè)置排氣管而在另一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)設(shè)置板狀構(gòu)件。作為本實(shí)施方式所應(yīng)用反應(yīng)氣體，除了上述例子之外，能夠列舉以下氣體DCS[二氯娃燒]、HCD[六氯乙娃燒]>trimethylaluminum[TMA :三甲基招]、3DMAS[三(二甲氨基)硅烷]、TEMAZ[四(二乙基氨基)鋯]、TEMAH[四(二乙基氨基)鉿]、Sr (THD)2[雙(四甲基庚二酮酸)鍶]、Ti (MPD) (THD)[(甲基戊二酮酸)雙(四甲基庚二酮酸)鈦]、單氨硅烷等。實(shí)施例下面，說(shuō)明使用上述成膜裝置進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)例。實(shí)驗(yàn)例I使用圖I所示的成膜裝置10，在上述工藝條件下，改變旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速，實(shí)施兩分鐘的成膜循環(huán)，在晶圓W上形成了薄膜。接著，對(duì)獲得的薄膜的膜厚、膜厚的面內(nèi)均勻性和成膜速率進(jìn)行了測(cè)定(實(shí)施例I) 并且，作為比較例la，在與圖I的成膜裝置10相同的成膜裝置，在沒(méi)有設(shè)置排氣管7的情況下、進(jìn)行了相同的實(shí)驗(yàn)。圖22示出了關(guān)于膜厚的面內(nèi)均勻性的測(cè)定結(jié)果。在圖22中，橫軸表示旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速(rpm)，縱軸表示膜厚的面內(nèi)均勻性(％ )。并且，圖23分別示出了關(guān)于薄膜的膜厚和成膜速率的測(cè)定結(jié)果。在圖23中，橫軸表示旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速(rpm)，左縱軸表示膜厚(nm)，右縱軸表示成膜速率(nm/循環(huán))。并且，用條形圖表示成膜速率的數(shù)據(jù)，用曲線圖表示膜厚的數(shù)據(jù)。此時(shí)，在條形圖中，左側(cè)表示表示比較例Ia的結(jié)果，右側(cè)表示實(shí)施例I的結(jié)果。在圖22中，面內(nèi)均勻性的數(shù)值越小，表明薄膜的膜厚的面內(nèi)均勻性越良好，根據(jù)結(jié)果確認(rèn)了 在設(shè)有排氣管7的實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)中，薄膜的膜厚的面內(nèi)均勻性的數(shù)值較小，上述面內(nèi)均勻性良好。并且，發(fā)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速越大，排氣管7的有無(wú)引起的面內(nèi)均勻性的差異變得越大。根據(jù)上述情況認(rèn)識(shí)到通過(guò)設(shè)置排氣管7，使處理氣體以良好的面內(nèi)均勻性狀態(tài)向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W進(jìn)行供給。并且，發(fā)現(xiàn)通過(guò)設(shè)置本發(fā)明的排氣管7，即使在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速為例如200rmp以上的轉(zhuǎn)速較高的工藝中，也能夠抑制面內(nèi)均勻性的降低，進(jìn)行良好的成膜處理。另外，根據(jù)圖23所示的結(jié)果發(fā)現(xiàn)在轉(zhuǎn)速小于ISOrmp的情況下，實(shí)施例I的成膜速率變大。作為其原因，推測(cè)是通過(guò)設(shè)置排氣管7使處理氣體擴(kuò)散至較大的范圍而提高了處理氣體的吸附效率。并且，由于分離氣體難以流入處理區(qū)域，因而，該分離氣體對(duì)處理氣體的稀釋變?nèi)酰鶕?jù)該點(diǎn)也能推測(cè)處理氣體的吸附效率提高。樽擬I 對(duì)于圖I所示的成膜裝置10的處理區(qū)域P1，進(jìn)行了壓力分布、第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)、第I處理氣體的流動(dòng)軌跡的模擬分析。將BTBAS氣體用作了第I處理氣體，將N2氣體用作了分離氣體和吹掃氣體。分析條件設(shè)置如下晶圓溫度為400°C，工藝壓力為266Pa(2Torr)，來(lái)自第I處理氣體噴嘴31的BTBAS氣體流量為0. 9slm，來(lái)自分離氣體噴嘴41、42的N2氣體流量為分別為0. 33slm、0. 067slm,來(lái)自分離氣體供給管30a的N2氣體流量為2. 5slm,來(lái)自吹掃氣體供給管30b的N2氣體流量為0. 067slm，旋轉(zhuǎn)臺(tái)的轉(zhuǎn)速為60rmp。此時(shí)，對(duì)于設(shè)置了排氣管7的情況(實(shí)施例Ib)與沒(méi)有設(shè)置排氣管7的情況(比較例Ic)分別進(jìn)行了評(píng)價(jià)。對(duì)于壓力分布的模擬結(jié)果，圖24示出了實(shí)施例Ib的結(jié)果，圖25示出了比較例Ic的結(jié)果。并且，對(duì)于第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)，圖26示出了實(shí)施例Ib的結(jié)果，圖27示出了比較例Ic的結(jié)果。而且，對(duì)于第I處理氣體的流動(dòng)軌跡，圖28示出了實(shí)施例Ib的結(jié)果，圖29示出了比較例Ic的結(jié)果。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)與比較例Ic相比，在實(shí)施例Ib中，壓力較高的區(qū)域較多，第I處理氣體的擴(kuò)散區(qū)域較大，并且第I處理氣體沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向R流動(dòng)。作為其原因，推測(cè)是通過(guò)設(shè)置排氣管7使處理氣體沿旋轉(zhuǎn)方向R流動(dòng)，處理氣體一邊擴(kuò)散至較大的范圍一邊排出，因而，壓力較高的區(qū)域變多。樽擬2對(duì)于圖I所示的成膜裝置10的處理區(qū)域P1，利用模擬I的評(píng)價(jià)條件(將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速設(shè)成了 240rmp)對(duì)壓力分布、第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)進(jìn)行了模擬分析。此時(shí)，利用以下方式對(duì)第I排氣用開(kāi)口部73和第2排氣用開(kāi)口部79的開(kāi)口狀態(tài)分別進(jìn)行了評(píng)價(jià)。實(shí)施例2 :打開(kāi)了排氣管7的全部的狹縫(狹縫73a、狹縫73b、狹縫76a、狹縫76b、狹縫74)及開(kāi)口部75。實(shí)施例3 :關(guān)閉了延伸構(gòu)件72的靠分離區(qū)域Dl側(cè)的第2側(cè)壁722的狹縫76b。實(shí)施例4 :關(guān)閉了延伸構(gòu)件72的靠分離區(qū)域Dl側(cè)的第2側(cè)壁722的狹縫76b與形成于延伸構(gòu)件72的底面部724上的狹縫74。對(duì)于實(shí)施例2的模擬結(jié)果，圖30示出了壓力分布，圖31示出了第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)。并且，對(duì)于實(shí)施例3的模擬結(jié)果，圖32示出了壓力分布，圖33示出了第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)。并且，對(duì)于實(shí)施例4的模擬結(jié)果，圖34示出了壓力分布，圖35示出了第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)。根據(jù)這些結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過(guò)使狹縫開(kāi)閉而改變第2排氣用開(kāi)口部79的形成部位，使真空容器I內(nèi)的壓力分布和第I處理氣體的擴(kuò)散狀態(tài)發(fā)生變化。由此，認(rèn)識(shí)到通過(guò)改變排氣管7的在長(zhǎng)度方向上的第2排氣用開(kāi)口部79的形成部位，排氣能力和第I處理氣體的流動(dòng)方式發(fā)生變化，壓力分布、擴(kuò)散狀態(tài)發(fā)生變化。并且，發(fā)現(xiàn)與實(shí)施例2和實(shí)施例3相比，在將靠近第I排氣口 61的狹縫關(guān)閉最多的實(shí)施例4中，第I處理氣體擴(kuò)散得更廣。由此，認(rèn)識(shí)到當(dāng)以從靠近排氣管7的前端側(cè)的區(qū)域吸入第I處理氣體的方式調(diào)整排氣用開(kāi)口部的形成部位時(shí)，第I處理氣體擴(kuò)散得更廣。采用本發(fā)明，在通過(guò)使旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)來(lái)按順序供給多個(gè)處理氣體以在基板上形成反應(yīng)生成物時(shí)，在多個(gè)處理區(qū)域中的至少一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)，從與該處理區(qū)域相對(duì)應(yīng)的處理氣體噴嘴供給的處理氣體以較高的均勻性沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)的徑向進(jìn)行供給。因此，能夠進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的成膜處理。另外，本實(shí)施方式還包含以下方式。一種成膜裝置，其通過(guò)在真空容器內(nèi)多次反復(fù)進(jìn)行按順序向基板供給多種處理氣體的循環(huán)來(lái)形成薄膜，其中， 該成膜裝置包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的基板載置區(qū)域，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使該基板載置區(qū)域公轉(zhuǎn)；多個(gè)處理區(qū)域，其沿上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向配置，用于利用彼此不同種類的氣體來(lái)處
理基板；處理氣體噴嘴，其以從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置于每個(gè)上述處理區(qū)域內(nèi)，沿其長(zhǎng)度方向形成有用于噴出處理氣體的氣體噴出口 ；分離區(qū)域，自分離氣體供給部向該分離區(qū)域供給分離氣體，并且該分離區(qū)域?yàn)榱耸股鲜龆鄠€(gè)處理區(qū)域的氣氛彼此分開(kāi)而配置于各處理區(qū)域之間；排氣口，其設(shè)于每個(gè)處理區(qū)域，在處理氣體噴嘴的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)且比上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周緣靠外側(cè)的位置開(kāi)口，用于排出上述處理氣體和分離氣體；排氣構(gòu)件，其由中空體構(gòu)成，該排氣構(gòu)件以覆蓋上述排氣口并在處理氣體噴嘴與位于該處理氣體噴嘴的下游側(cè)的分離區(qū)域之間從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)于上述多個(gè)處理區(qū)域中的至少一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)，在該排氣構(gòu)件中，在比旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周緣靠外側(cè)的位置設(shè)有第I排氣用開(kāi)口部，并且，在靠基板載置區(qū)域的至少內(nèi)緣側(cè)的位置設(shè)有第2排氣用開(kāi)口部。一種成膜裝置，其通過(guò)在真空容器內(nèi)多次反復(fù)進(jìn)行按順序向基板供給多種處理氣體的循環(huán)來(lái)形成薄膜，其中，該成膜裝置包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使該基板載置區(qū)域公轉(zhuǎn)；多個(gè)處理區(qū)域，其沿上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向配置，用于利用彼此不同種類的氣體來(lái)處
理基板；處理氣體噴嘴，其以從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置于每個(gè)上述處理區(qū)域內(nèi)，沿其長(zhǎng)度方向形成有用于供給處理氣體的氣體噴出口 ；分離區(qū)域，自分離氣體供給部向該分離區(qū)域供給分離氣體，并且，該分離區(qū)域?yàn)榱耸股鲜龆鄠€(gè)處理區(qū)域的氣氛彼此分開(kāi)而配置于各處理區(qū)域之間；
排氣口，其設(shè)于每個(gè)處理區(qū)域，在處理氣體噴嘴的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)且比上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周緣靠外側(cè)的位置開(kāi)口，用于排出上述處理氣體和分離氣體；板狀的限制 構(gòu)件，其在上述多個(gè)處理區(qū)域中的至少一個(gè)處理區(qū)域內(nèi)，在處理氣體噴嘴和排氣口之間，從排氣口的側(cè)方延伸到基板載置區(qū)域的內(nèi)緣且以自旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面浮起而與旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面之間具有間隙的方式豎立設(shè)置，上述限制構(gòu)件將處理氣體的氣流限制為自處理氣體噴嘴供給的處理氣體自該限制構(gòu)件的下方側(cè)通過(guò)而流向排氣口。
權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，其在真空容器內(nèi)向基板供給氣體以在上述基板上形成薄膜，其中， 該成膜裝置包括 旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的多個(gè)基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使該基板載置區(qū)域旋轉(zhuǎn)； 氣體噴嘴，其以從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置，沿其長(zhǎng)度方向形成有分別用于噴出氣體的多個(gè)氣體噴出口； 排氣口，其設(shè)于上述氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)且比上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外緣靠外側(cè)的位置，用于排出上述氣體； 限制構(gòu)件，其包括壁部，該壁部配置于上述氣體噴嘴與上述排氣口之間，該壁部設(shè)置為在上述基板載置區(qū)域上載置有基板時(shí)能夠供氣體從該壁部與該基板之間通過(guò)的間隙從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，該壁部在從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域?qū)⑸鲜鰵怏w噴嘴與上述排氣口之間隔開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其中， 上述限制構(gòu)件包括第I側(cè)壁，該第I側(cè)壁設(shè)置為以包括上述壁部的方式從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，該第I側(cè)壁設(shè)有用于將上述氣體向上述排氣口側(cè)吸引的開(kāi)口部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其中， 上述開(kāi)口部選擇性地設(shè)于上述第I側(cè)壁的靠上述基板載置區(qū)域的外緣側(cè)的部位。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其中， 上述開(kāi)口部選擇性地設(shè)于上述第I側(cè)壁的靠上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣側(cè)的部位。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其中， 該成膜裝置還包括遮蔽構(gòu)件，該遮蔽構(gòu)件用于選擇性地覆蓋被設(shè)于上述第I側(cè)壁的上述開(kāi)口部的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其中， 上述壁部以與上述氣體噴嘴的上述多個(gè)氣體噴出口的排列方向大致平行的方式設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其中， 上述限制構(gòu)件還包括延伸構(gòu)件，該延伸構(gòu)件包括 第I側(cè)壁，其設(shè)置為以包括上述壁部的方式從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣； 第2側(cè)壁，其以與上述第I側(cè)壁相面對(duì)且從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)于該第I側(cè)壁的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)；以及 上表面部，其以從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣朝向外緣延伸到上述排氣口上方的方式設(shè)于上述第I側(cè)壁與上述第2側(cè)壁的上表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其中， 在上述第I側(cè)壁與上述第2側(cè)壁上分別設(shè)有開(kāi)口部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置，其中， 上述開(kāi)口部由沿上述延伸構(gòu)件的長(zhǎng)度方向排列的多個(gè)狹縫構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其中， 該成膜裝置還包括底面部，該底面部以從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)于上述第I側(cè)壁與上述第2側(cè)壁的下表面，在該底面部設(shè)有用于將上述氣體向上述排氣口側(cè)吸引的開(kāi)口部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成膜裝置，其中， 上述開(kāi)口部由沿上述延伸構(gòu)件的長(zhǎng)度方向排列的多個(gè)狹縫構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成膜裝置，其中， 上述開(kāi)口部形成為隨著朝向上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣側(cè)去開(kāi)口面積的比例變大。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其中， 上述限制構(gòu)件包括排氣口罩構(gòu)件，該排氣口罩構(gòu)件以覆蓋上述排氣口的方式設(shè)于比上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周緣靠外側(cè)的位置并設(shè)置為與上述延伸構(gòu)件相連通， 在該排氣口罩構(gòu)件上設(shè)有用于將上述氣體向上述排氣口側(cè)吸引的開(kāi)口部。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其中， 該成膜裝置通過(guò)在上述真空容器內(nèi)多次反復(fù)進(jìn)行按順序向基板供給多種處理氣體的循環(huán)來(lái)形成上述薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供成膜裝置，包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的多個(gè)基板載置區(qū)域，并且用于使該基板載置區(qū)域旋轉(zhuǎn)；氣體噴嘴，其以從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置，沿其長(zhǎng)度方向形成有用于噴出氣體的氣體噴出口；排氣口，其設(shè)于氣體噴嘴的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)且比旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外緣靠外側(cè)的位置，用于排出氣體；限制構(gòu)件，其包括壁部，該壁部配置于氣體噴嘴與排氣口之間，設(shè)置為在基板載置區(qū)域載置有基板時(shí)能夠供氣體從該壁部與該基板之間通過(guò)的間隙從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，該壁部在從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域?qū)怏w噴嘴與排氣口之間隔開(kāi)。
文檔編號(hào)C23C16/46GK102953047SQ201210295000
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者加藤壽, 牛窪繁博, 菱谷克幸 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社