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      一種環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液及其制備方法和使用方法

      文檔序號(hào):3340145閱讀:439來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):一種環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液及其制備方法和使用方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種環(huán)氧塑封體毛刺軟化液,特別是一種環(huán)保型弱酸性環(huán)氧塑封體去毛刺軟化液的制備及其使用方法。
      背景技術(shù)
      半導(dǎo)體封裝、PCB板印制、被動(dòng)元器件等電子產(chǎn)品元器件在鍍錫前,由于在芯片塑封過(guò)程中小分子的環(huán)氧樹(shù)脂流動(dòng)性好,會(huì)不必要的在基材表面或者是管腳處形成一層小分子的環(huán)氧樹(shù)脂膜,俗稱(chēng)為毛刺或溢料。如果不進(jìn)行處理的話,會(huì)影響產(chǎn)品的外觀,電鍍時(shí)出現(xiàn)漏銅及嚴(yán)重影響鍍層可焊性,對(duì)電子元器件的可靠性造成巨大的影響,所以產(chǎn)品一般都必需進(jìn)行相應(yīng)的前處理去毛刺工藝,將基材表面及管腳上的塑封溢料去除干凈,才能進(jìn)入后續(xù)電鍍工序。CPU和其他超大型集成電路在不斷發(fā)展,集成電路的封裝形式也不斷做出相應(yīng)的調(diào)整變化,而封裝形式的進(jìn)步又將反過(guò)來(lái)促進(jìn)芯片技術(shù)向前發(fā)展。半導(dǎo)體封裝的不斷發(fā)展 促使去毛刺產(chǎn)品的需求高速增長(zhǎng)。被動(dòng)元器件包括電阻、電容、電感、線圈和磁性元件等,近年的產(chǎn)值已經(jīng)達(dá)到220億美元。被動(dòng)元器件的高增長(zhǎng)進(jìn)一步促進(jìn)了去毛刺產(chǎn)品的需求。由此可見(jiàn),環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的市場(chǎng)需求量巨大。目前優(yōu)秀的環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液基本是由美國(guó)和德國(guó)幾家國(guó)外公司的產(chǎn)品占據(jù)主要市場(chǎng),核心技術(shù)也是掌握在他們手中。目前國(guó)內(nèi)基本以手工刮除或機(jī)械噴砂,電解去溢料或者是強(qiáng)酸或強(qiáng)堿性溶液化學(xué)浸泡等進(jìn)行毛刺的去除,但是手工和機(jī)械的方法容易損傷基材表面,導(dǎo)致外觀不良,并且去溢料的效果也不理想,邊角處溢料很容易殘留影響后續(xù)電鍍工藝;采用電解去毛刺的方法需要配備價(jià)格昂貴的電解去毛刺設(shè)備,這對(duì)中小型企業(yè)無(wú)行增加了很大的壓力;另外強(qiáng)酸或強(qiáng)堿性溶液浸泡的方法,強(qiáng)酸容易損傷金屬底材和塑封體表面,而強(qiáng)堿性溶液不易清洗干凈,表面殘留的物質(zhì),容易導(dǎo)致塑封體變色等問(wèn)題,使產(chǎn)品品質(zhì)受到一定的影響。

      發(fā)明內(nèi)容
      為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明提供一種環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液,效果理想,易于清洗,能夠防止塑封體表面變色,并且能將基材表面的氧化物一并清洗干凈,減輕了后續(xù)去氧化物工藝的壓力。技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液,包括組分和重量百分比二甲基乙酰胺30-50%、二甲基亞砜30-50%、糠醛O. 5-1%,0P-10表面活性劑(辛烷基苯酚聚氧乙烯醚)O. 5-1%,其余為水;溶液pH值為
      4.0_5· O ο本發(fā)明還提供所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的制備方法,其特征在于包括以下步驟
      在容器中加入2/3量的水,攪拌的情況下,按配比加入二甲基乙酰胺,攪拌均勻,按配比勻速加入二甲基亞砜,繼續(xù)攪拌5-10分鐘,按配比勻速加入糠醛,完成后繼續(xù)攪拌5-10分鐘,按配比勻速加入0P-10表面活性劑,攪拌5-10分鐘;補(bǔ)水至所需量,攪拌均勻,包裝待用。本發(fā)明還提供所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的使用方法,先將所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液加入不銹鋼槽中,加溫至100-130°c,將待處理基材浸泡20-60分鐘,用刷子輕刷后沖洗干凈或使用高壓水噴淋設(shè)備沖洗干凈。有益效果本發(fā)明所述的環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液采用獨(dú)特的溶劑復(fù)配,加入金屬基材緩蝕劑及表面活性劑的混合體系,鍍錫前處理中去毛刺時(shí)只要使用環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液100-13()°c浸泡20-60分鐘,使金屬基材表面溢料溶脹,通過(guò)刷子輕刷自來(lái)水和純水沖洗或者高壓水噴淋洗凈,就能去除毛刺和基材表面的氧化物。本發(fā)明具有極佳的去溢料、去氧化物效果;安全和環(huán)保,配方物質(zhì)完全符合環(huán)保要求、產(chǎn)品穩(wěn)定、使用過(guò)程中產(chǎn)生的廢物處理也很方便;工藝簡(jiǎn)單,低成本,使用方便?!?br> 具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。實(shí)施例I :制備環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液按下述比例進(jìn)行各組分的和重量百分比配比二甲基乙酰胺40%、二甲基亞砜40%、糠醛1%,0P-10表面活性劑O. 5%,余量為水。該實(shí)施例的制備過(guò)程是按照上述組分含量,容器中加入2/3量的水;攪拌的情況下,加入二甲基乙酰胺;攪拌的情況下,勻速加入二甲基亞砜,繼續(xù)攪拌5-10分鐘;攪拌的情況下,勻速加入糠醛,繼續(xù)攪拌5-10分鐘;攪拌的情況下,加入0P-10表面活性劑,補(bǔ)水至所需量,攪拌均勻。該實(shí)施例的使用方法是先將所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液加入不銹鋼槽,升溫至100-130°C,然后將待處理基材放入,加蓋浸泡20-60分鐘之后取出,用刷子輕刷以自來(lái)水和純水沖洗干凈或者高壓水噴淋洗凈。試驗(yàn)效果為基材表面及管腳處溢料去除干凈,并且基材經(jīng)過(guò)環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液浸泡后表面的厚重氧化物也去除干凈,基材表面新鮮光亮,證明此環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液具有去溢料和去氧化物的雙重效果,因?yàn)檫x用的是僅對(duì)金屬氧化物和小分子溢料有疏松作用,而對(duì)環(huán)氧塑封體本身不會(huì)反應(yīng)的溶劑,所以塑封體浸泡后無(wú)變色等不良情況出現(xiàn)。實(shí)施例2-5:按以下表I中指定的各組分含量重復(fù)實(shí)驗(yàn)實(shí)施例I的方法,得到不同組分制成的的環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表I所示。表I實(shí)施例實(shí)驗(yàn)具體參數(shù)
      權(quán)利要求
      1.一種環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液,組分和重量百分比為二甲基乙酰胺30-50%、二甲基亞砜30-50%、糠醛O. 5-1%、OP-IO表面活性劑O. 5_1%,其余為水。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液,其特征在于所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的pH值為4. O- 5. O。
      3.—種權(quán)利要求I或2所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的制備方法,其特征在于包括以下步驟在容器中加入2/3量的水; 攪拌的情況下,按配比加入二甲基乙酰胺,攪拌均勻; 攪拌的情況下,按配比勻速加入二甲基亞砜,繼續(xù)攪拌5-10分鐘; 攪拌的情況下,按配比勻速加入糠醛,完成后繼續(xù)攪拌5-10分鐘; 攪拌的情況下,按配比勻速加入0P-10表面活性劑,繼續(xù)攪拌5-10分鐘; 補(bǔ)水至所需量,完成后攪拌均勻。
      4.權(quán)利要求I或2所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的使用方法,其特征在于包括以下步驟先將所述環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液,加入不銹鋼槽中,加溫至100-130°C,將待處理基材浸泡20-60分鐘,用刷子輕刷后沖洗干凈或使用高壓水噴淋設(shè)備沖洗干凈。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的配制及使用方法,其中環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液的組分和重量百分比為二甲基乙酰胺30-50%、二甲基亞砜30-50%、糠醛0.5-1%、OP-10表面活性劑(辛烷基苯酚聚氧乙烯醚)0.5-1%,其余為水;pH值為4.0-5.0。本發(fā)明提供的環(huán)保型弱酸性去毛刺軟化液具有極佳的去毛刺、去氧化物效果;安全和環(huán)保,配方物質(zhì)完全符合環(huán)保要求、產(chǎn)品穩(wěn)定、使用過(guò)程中產(chǎn)生的廢物處理也很方便;軟化工藝簡(jiǎn)單,低成本,使用方便。
      文檔編號(hào)C23G1/06GK102864458SQ20121031903
      公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月31日
      發(fā)明者劉順生, 張兵, 趙建龍 申請(qǐng)人:昆山艾森半導(dǎo)體材料有限公司
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