一種復(fù)合掩模板組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復(fù)合掩模板組件，包括掩模主體和掩?？?，所述掩模主體包括兩層結(jié)構(gòu)，掩模層和支撐層，所述掩模層包括有開口，所述開口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開口相對應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對所述開口形成遮擋。本發(fā)明中將金屬合金材料作為支撐層，其上與掩模圖案對應(yīng)的區(qū)域與傳統(tǒng)掩模板相比，內(nèi)部金屬材料大量減少，雖然增加有機(jī)材料構(gòu)成的掩模層，但其質(zhì)量相對較輕，從而使得復(fù)合掩模板的總體質(zhì)量減少。在以相同的張力將復(fù)合掩模板固定在外框上時(shí)，復(fù)合掩模板的內(nèi)部下垂量也將會(huì)弱化，降低或彌補(bǔ)掩模主體板面產(chǎn)生下垂的情況，改善產(chǎn)品的精度、質(zhì)量，并提高良品率。
【專利說明】一種復(fù)合掩模板組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子印刷領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合掩模板組件。
【背景技術(shù)】
[0002]由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。
[0003]OLED生產(chǎn)過程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求敷涂到基層上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā))，使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基層上。在這一過程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的高精密掩模板組件作為媒介。
[0004]圖1所不是一種用于OLED蒸鍍用掩模板組件的結(jié)構(gòu)不意圖,其由具有掩模圖案10的掩模主體11與固定掩模主體11用的外框12構(gòu)成，其中掩模主體11、外框12均為金屬材料。圖2所示為圖1中A-A所示的截面放大示意圖,20為掩模部,21為有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜的通道，由于掩模主體11 一般是金屬薄片通過蝕刻等工藝制得，構(gòu)成其掩模圖案(10)的掩模部(20)、通道(21)的尺寸(如:兩通道的中心間距尺寸dl)會(huì)受到金屬薄片本身厚度h和工藝的限制，從而限制最終OLED產(chǎn)品的分辨率。另外，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體1 1會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體11板面產(chǎn)生下垂(即板面下凹)，這對精度要求較高的掩模蒸鍍過程是不利的。鑒于此，業(yè)內(nèi)亟需一種能夠解決此問題的方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，需要克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷中的至少一個(gè)。本發(fā)明提供了一種復(fù)合掩模板組件。
[0006]所述復(fù)合掩模板組件，包括掩模主體和掩模框，其特征在于，所述掩模主體包括兩層結(jié)構(gòu)，掩模層和支撐層，所述掩模層包括有開口，所述開口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開口相對應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對所述開口形成遮擋。
[0007]根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對現(xiàn)有技術(shù)所述，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體板面產(chǎn)生下垂，而根據(jù)本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板，可以對下垂的掩模主體提供一定的支撐力，降低或彌補(bǔ)掩模主體板面產(chǎn)生下垂的情況，改善廣品的精度、質(zhì)量，并提聞良品率。
[0008]另外，根據(jù)本發(fā)明公開的復(fù)合掩模板組件的還具有如下附加技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)。[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板上任一所述掩模層開口置于所述支撐層中相鄰的兩個(gè)所述支撐條之間，相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層開口間距的η倍，所述η大于等于I且為正整數(shù)。
[0010]所述掩模板開口以矩陣方式分布在掩模圖案區(qū)域上，支撐層的支撐條以一定的間距d2分布在所述掩模板開口的掩模部上，兩相鄰的所述支撐條間的間距為d3，d2、d3有如下關(guān)系:d3=nXd2 (η 為 1、2、3、4......)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，η=2或3或4或5或6。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層采用具有磁性能的合金材料。
[0013]優(yōu)選地，所述支撐層采用因瓦合金材料。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層采用耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層之間有良好附著力的材料。
[0015]優(yōu)選地，所述掩模層采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層厚度hi大于等于2 μ m,小于等于20 μ m。
[0017]優(yōu)選地，所述支撐層厚度hi為2μπι或6μπι或10或14μπι或18μπι或20μπι。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層厚度h2大于等于20 μ m,小于等于60 μ m。
[0019]優(yōu)選地，所述掩模層厚度h2為20 μ m或30 μ m或40 μ m或50 μ m或60 μ m。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，hl=6 μ m, h2=30 μ m。
[0021 ] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層開口通過鐳射工藝刻制。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層通過蝕刻或電鑄或激光切割工藝制備。
[0023]優(yōu)選地，所述支撐層可以是通過蝕刻工藝制備。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板開口邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過渡曲線。
[0025]其中，所述掩模板開口邊緣為倒角或是過渡曲線可以更大限度的避免對蒸鍍過程中蒸鍍材料揮發(fā)過程的影響。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板的支撐層還可以由橫向與縱向相互交叉的支撐條構(gòu)成。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模主體是通過激光焊接或膠水粘接等方式固定于所述掩?？?。
[0028]相對于傳統(tǒng)掩模板，本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板可以制作更高PPI (即Pixels perinch所表示的是每英寸所擁有的像素(pixel)數(shù)目)的OLED顯示屏(復(fù)合掩模板上每英寸所擁有的開口數(shù)量與OLED顯示屏的PPI相對應(yīng))。例如:傳統(tǒng)掩模板的開口中心間距dl為144 4 111，其對應(yīng)的？？1=2.54cm/144ym ^ 176 ;而當(dāng)本發(fā)明中兩條構(gòu)成掩模板支撐條310的中心間距d2為144 μ m時(shí)(如圖3)，復(fù)合掩模板的實(shí)際PPI為PPI=2.54cm/d3=2.54cm/72 μ m ^ 352，由此制得的OLED屏亦未352PPI，如此超越人眼所能看到的極限300PPI。
[0029]傳統(tǒng)掩模板的構(gòu)成材質(zhì)為金屬合金，本發(fā)明中將金屬合金材料作為支撐層，其上與掩模圖案對應(yīng)的區(qū)域與傳統(tǒng)掩模板相比，內(nèi)部金屬材料大量減少，雖然增加有機(jī)材料構(gòu)成的掩模層，但其質(zhì)量相對較輕，從而使得復(fù)合掩模板的總體質(zhì)量減少。在以相同的張力將復(fù)合掩模板固定在外框上時(shí)，復(fù)合掩模板的內(nèi)部下垂量也將會(huì)弱化。[0030]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
[0031]
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2所示為圖1中A-A所示的截面放大示意圖；
圖3為本發(fā)明一種復(fù)合掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是圖3所示復(fù)合掩模板的整體仰視圖；
圖5是圖4中42部分的放大示意圖；
圖6所示是將掩模板固定在真空腔內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]
其中，圖1中，10——掩模圖案，11——掩模主體，12——外框，A-A——待剖區(qū)域；
圖2中，20—掩模部，21—有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜的通道，dl—相鄰開口中心間距尺寸，h—掩模厚度；
圖3中，31——支撐層，310——支撐條，32——掩模層，320——掩模層開口，321——掩模圖案區(qū)掩模部，d2—相鄰兩支`撐條310的中心間距，d3—相鄰兩開口通道中心間距，hi——支撐層的厚度尺寸，h2——掩模層的厚度尺寸；
圖4中，41——對應(yīng)于掩模層32的掩模圖案區(qū)，42——待放大區(qū)域；
圖6中，33——掩?？蚣?，30——由支撐層31、掩模層32以及掩?？蚣?3構(gòu)成的蒸鍍用掩模整體，61為基板，62為固定蒸鍍用掩模整體30的基臺(tái)，63為蒸發(fā)源。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0035]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0036]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“聯(lián)接”、“連通”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，一體地連接，也可以是可拆卸連接；可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0037]本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思如下，由于現(xiàn)有掩?？嚲W(wǎng)技術(shù)中在生產(chǎn)大尺寸面板會(huì)出現(xiàn)大尺寸掩模板下垂的問題，當(dāng)尺寸越大，對產(chǎn)品的精度、質(zhì)量都會(huì)造成很大影響，同時(shí)降低良品率。本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板通過對復(fù)合掩模板中的掩模層加設(shè)支撐層以增加復(fù)合掩模板的整體剛度，同時(shí)將掩模層和支撐層的材料使用整體更加輕便的材料，使其整體重量減輕，也減緩了復(fù)合掩模板可能的下垂量，從而使制造更大尺寸面板更加容易實(shí)現(xiàn)。
[0038]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的掩?？蚣芗捌鋵?yīng)的掩模組件，其中圖1所示是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明一種復(fù)合掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3所示復(fù)合掩模板的整體仰視圖；圖6所示是將掩模板固定在真空腔內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種復(fù)合掩模板，如圖3-圖6所示，所述復(fù)合掩模板，包括掩模層32和支撐層31，其中，所述掩模層包括有掩模層開口 320，所述掩模層開口 320構(gòu)成掩模板圖案區(qū)41 ;所述支撐層31包括有與所述掩模層開口 320相對應(yīng)的支撐條310，所述支撐層31與所述掩模層32緊密結(jié)合，起到對所述掩模層32支撐作用，且所述支撐層31不會(huì)對所述掩模層開口 320形成遮擋。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)41。圖4是圖3所示復(fù)合掩模板的整體仰視圖，41部分即對應(yīng)于掩模層32的掩模圖案區(qū)，圖5是圖4中42部分的放大示意圖，其與圖3所示結(jié)構(gòu)相適應(yīng)。
[0041]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖4所示，所述掩模板上任一所述掩模層開口 320置于所述支撐層31中相鄰的兩個(gè)所述支撐條310之間，相鄰的所述支撐條310的間距是所述掩模層開口 320間距的η倍，所述η大于等于I且為正整數(shù)。
[0042]所述掩模板開口 320以矩陣方式分布在掩模圖案區(qū)域41上，支撐層的支撐條310以一定的間距d2分布在所述掩模板開口的掩模部上，兩相鄰的所述支撐條間的間距為d3，d2、d3 有如下關(guān)系:d3=nXd2 (η 為 1、2、3、4......)。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的一 個(gè)實(shí)施例，η=2或3或4或5或6。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層31采用具有磁性能的合金材料。
[0045]優(yōu)選地，所述支撐層31采用因瓦合金材料。
[0046]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層32采用耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層31之間有良好附著力的材料。
[0047]優(yōu)選地，所述掩模層32采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層厚度hi大于等于2 μ m,小于等于20 μ m。
[0049]優(yōu)選地，所述支撐層厚度hi為2μπι或6μπι或10或14μπι或18μπι或20μπι。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層厚度h2大于等于20 μ m,小于等于60 μ m。
[0051]優(yōu)選地，所述掩模層厚度h2為20 μ m或30 μ m或40 μ m或50 μ m或60 μ m。
[0052]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，hl=6 μ m, h2=30 μ m。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層開口 320通過鐳射工藝刻制。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層31通過蝕刻或電鑄或激光切割工藝制備。
[0055]優(yōu)選地，所述支撐層31可以是通過蝕刻工藝制備。
[0056]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板開口 320邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過渡曲線。
[0057]其中，所述掩模板開口 320邊緣為倒角或是過渡曲線可以更大限度的避免對蒸鍍過程中蒸鍍材料揮發(fā)過程的影響。
[0058]將本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板固定在外框上，其整體外觀結(jié)構(gòu)如圖1所示，圖6所示是將掩模板固定在真空腔內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中30是由支撐層31、掩模層32以及掩?？蚣?3構(gòu)成的蒸鍍用掩模整體，61為基板、62為固定蒸鍍用掩模整體30的基臺(tái)、63為蒸發(fā)源。有機(jī)材料(構(gòu)成OLED三原色的R、G、B材料)由蒸發(fā)源63蒸發(fā)，蒸汽通過復(fù)合掩模板的開口通道320在基板61上形成與開口通道320相適應(yīng)的圖案。
[0059]附圖中所示僅為結(jié)構(gòu)示意圖，圖中所展示的并不能完全真實(shí)的反映各種尺寸關(guān)系以及開口圖形的外貌，其中復(fù)合掩模板上的開口處的棱邊并非絕對垂直，而是存在一定倒角的。
[0060]任何提及“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示意性實(shí)施例”等意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說明書各處的該示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例。而且，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)時(shí)，所主張的是，結(jié)合其他的實(shí)施例實(shí)現(xiàn) 這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)均落在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。
[0061]盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示意性實(shí)施例對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會(huì)脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合掩模板組件，包括掩模主體和掩?？颍涮卣髟谟?，所述掩模主體包括兩層結(jié)構(gòu)，掩模層和支撐層，所述掩模層包括有開口，所述開口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開口相對應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對所述開口形成遮擋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述復(fù)合掩模板上任一所述掩模層開口置于所述支撐層中相鄰的兩個(gè)所述支撐條之間，相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層開口間距的η倍，所述η大于等于I且為正整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述支撐層采用具有磁性能的合金材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述支撐層采用因瓦合金材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模層采用耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層之間有良好附著力的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模層采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述支撐層厚度大于等于2μ m,小于等于20 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述支撐層厚度為2μ m或6 μ m $ 10 $ 14 μ m $ 18 μ m $ 20 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模層厚度大于等于20 μ m,小于等于60 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模層厚度為20μ m或30 μ m $ 40 μ m $ 50 μ m $ 60 μ m。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模層開口通過鐳射工藝刻制。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述支撐層通過蝕刻或電鑄或激光切割工藝制備。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模板開口邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過渡曲線。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件，其特征在于，所述掩模主體是通過激光焊接或膠水粘接等方式固定于所述掩模
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK103668052SQ201210329246
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月7日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司