專利名稱：一種射頻法制備SiO₂薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，屬于SiO2薄膜制備和應(yīng)用領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
SiO2薄膜在工業(yè)、建筑、交通運(yùn)輸、醫(yī)學(xué)、光學(xué)、宇航、能源等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。在硼硅玻璃上涂覆SiO2減反射涂層可以提高太陽能轉(zhuǎn)為熱能的效率，例如槽式太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)是槽式拋物面聚光鏡將太陽能聚焦在一條線上，在這條聚焦線上安裝有管狀熱量吸收器(集熱管)，用來吸收聚焦后的太陽輻射能。管內(nèi)的流體被轉(zhuǎn)化來的太陽能加熱后，流經(jīng)換熱器加熱工質(zhì)，轉(zhuǎn)化為高溫高壓的熱蒸汽，在借助于蒸汽循環(huán)動力來發(fā)電。在這個系統(tǒng)中核心的部件是太陽能集熱管，其罩管材料為高硼硅3. 3玻璃，通常，在太陽光穿過罩管的同時，會有近8%的光能被罩管反射掉，這部分太陽光不能被集熱器利用。薄膜增透原理來源于光的干涉理論，如圖I所示，對于正入射的光波，則在空氣一膜和膜一元件兩個界面上的反射光反相，因而反射光干涉相消，從而達(dá)到增透的效果。想要達(dá)到反射光干涉相消，則需要滿足條件
權(quán)利要求
1.一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，為射頻磁控濺射方法，包括射頻濺射的步驟，其特征在于所述射頻磁控派射步驟中采用下述エ藝參數(shù)射頻功率I. 8KW,派射時間lOmin。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于所述方法包括真空室抽真空的步驟，將真空室的真空度抽至6X 10_3Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于所述方法包括下述エ藝步驟 ①真空室抽真空將真空室的真空度抽至6X KT3Pa ； ②按照操作規(guī)則，加熱，開轉(zhuǎn)架； ③按照エ藝流程，送Ar氣； ④采用射頻濺射SiO2靶材在基體上沉積制備SiO2薄膜，エ藝參數(shù)為射頻功率I.8KW，派射時間IOmin ； ⑤關(guān)閉射頻電源功率輸出開關(guān)，冷卻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述步驟①真空室抽真空步驟按下述方法進(jìn)行打開水閥開關(guān)，并檢查各個管路通水是否順暢；打開機(jī)械泵；打開預(yù)抽閥，抽氣抽至80Pa，打開羅茨泵，再抽氣至5Pa，在抽氣的過程中將分子泵的電源打開4飛分鐘；關(guān)閉預(yù)抽閥，打開前級閥I分鐘后，開高閥，開分子泵抽高至真空，抽至6X10_3Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述SiO2薄膜厚度為14(Tl60nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求Γ5所述的方法，其特征在于在射頻磁控濺射步驟中采用的SiO2靶材包括進(jìn)水ロ(23)，出水ロ(24)，固定螺栓(25)，磁鐵(26)，壓緊斜拉(27)，石英玻璃靶材(28),法蘭盤(29)、石墨板(30)和水冷銅板(31)組成,石墨板(30)覆蓋在水冷銅板(31)上面并與石英玻璃靶材(28 )相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述基體為太陽能集熱管玻璃罩管。
8.一種由權(quán)利要求7所述方法制備的太陽能集熱管玻璃罩管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能集熱管玻璃罩管，其特征在于所述太陽能集熱管玻璃罩管上SiO2薄膜的厚度為14(Tl60nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，屬于SiO2薄膜制備和應(yīng)用領(lǐng)域。一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，為射頻磁控濺射方法，包括射頻濺射的步驟，所述射頻磁控濺射步驟中采用下述工藝參數(shù)射頻功率1.8KW，濺射時間10min。所得產(chǎn)品的反射率介于0.917-0.941之間，相比于普通玻璃基體反射率平均提高3%，是進(jìn)一步提高太陽能真空集熱器光熱轉(zhuǎn)換效率的一個有效途徑。
文檔編號C23C14/35GK102839349SQ20121033645
公開日2012年12月26日 申請日期2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月12日
發(fā)明者李劍鋒 申請人:大連交通大學(xué)