專利名稱：一種鋁合金薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于金屬材料領(lǐng)域，涉及一種鋁合金薄膜，特別是涉及一種用于液晶顯示器的鋁合金薄膜。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器領(lǐng)域，薄膜型的液晶顯示器的需求有很大的增長。同時隨著液晶顯示器的大畫面化及高清晰化，對配線材料的要求也越來越嚴(yán)格?，F(xiàn)在以鋁為基體的鋁合金材料受到廣泛的關(guān)注，但鋁合金因?yàn)槿埸c(diǎn)低的問題，存在耐熱性問題，一般鋁合金配線在受到300-400°C的加熱后鋁合金薄膜表面會出現(xiàn)毛刺狀突起，這樣的突起在配線情況下會導(dǎo)致相鄰電路的短路。
為此有技術(shù)提出了應(yīng)用高熔點(diǎn)材料來制造鋁合金薄膜配線，但是這類高熔點(diǎn)材料一般電阻率較高，無法適應(yīng)于薄膜型液晶顯示器的配線?，F(xiàn)也有技術(shù)提出了采用含有碳和錳的鋁合金材料能夠顯著降低毛刺突起的產(chǎn)生且電阻率較低。但這類鋁合金配線和顯示器的透明電極ITO因電化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致接合處電阻的改變。因此又有技術(shù)對此進(jìn)行改進(jìn)，如中國專利申請CN028032667提出，選用
0.5-7. Oat%的鎳、鈷、鐵的至少一種以上元素,O. 1-3. Oat%的碳,余量為招的招合金。這一合金組成的薄膜電極電位同液晶顯示器的ITO(氧化銦錫Indium Iin Oxide)膜的電極電位處于同等水平，并能夠防止毛刺突起的產(chǎn)生。但是該技術(shù)方案依然存在缺陷，就是該鋁合金薄膜的電位同顯示器的ITO膜電位并不完全相同。如果不使用阻擋層的情況下，在通電下不超過12小時，就會產(chǎn)生明顯的電阻變化。在實(shí)驗(yàn)室中，將上述技術(shù)所提到的鎳、鈷、鐵進(jìn)行組合的各鋁合金均存在電阻變化明顯問題，并且在鋁合金薄膜配線同液晶顯示器的ITO膜相接合處發(fā)現(xiàn)有氧化鋁的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對現(xiàn)有的鋁合金薄膜技術(shù)方案提出一改進(jìn)技術(shù)，通過本技術(shù)方案，能夠有效的克服鋁合金薄膜配線同顯示器的ITO膜之間的電化學(xué)反應(yīng)問題，并有效的克服了鋁合金薄膜配線毛刺狀突起的產(chǎn)生。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0. 5-5. 0at%的鎳、鈷、鐵的至少一種以上元素，O. 3-2. Oat %的碳，O. 3-2. Oat %的鑰，余量為鋁。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括
1.0-3. Oat%的鎳和鐵元素，O. 5-2. Oat%的碳，O. 5-1. Oat%的鑰，余量為鋁。本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是因?yàn)樵诒旧暾埖匿X合金中，包含有過渡金屬鑰，能夠有效的保持氧原子中電子的傳遞過程，減少因電極電位產(chǎn)生的電化學(xué)反應(yīng)，并能夠保持低電阻率及高強(qiáng)度。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，下面描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0. 5-5. 0at%的鎳、鈷、鐵的至少一種以上元素，O. 3-2. Oat %的碳，O. 3-2. Oat %的鑰，余量為鋁。
作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括
1.0-3. Oat%的鎳和鐵元素，O. 5-2. Oat%的碳，O. 5-1. Oat%的鑰，余量為鋁。實(shí)施例I一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0. 5at%的鎳，O. 3at%的碳，O. 3at %的鑰，余里!為招。實(shí)施例2一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0. 5at%的鈷，O. 3at%的碳，O. 3at %的鑰，余里!為招。實(shí)施例3一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0. 5at%的鐵，O. 3at%的碳，O. 3at %的鑰，余里!為招。實(shí)施例4一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0. 5at%的鎳和鐵，鎳和鐵的質(zhì)量比為2 1，0· 5at%的碳，O. 5at%的鑰，余量為鋁。實(shí)施例5一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括1. 0at%的鎳和鐵，鎳和鐵的質(zhì)量比為2 1，0· 5at%的碳，O. 5at%的鑰，余量為鋁。實(shí)施例6—種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括3. Oat %的鎳和鐵，鎳和鐵的質(zhì)量比為2 1，1.0&丨％的碳，1.0&丨％的鑰，余量為鋁；此實(shí)施例為最佳方案。實(shí)施例7一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括5. Oat %的鎳，2. Oat %的碳，
2.Oat %的鑰，余里!為招。實(shí)施例8一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括5. Oat %的鈷，2. Oat %的碳，2. Oat %的鑰，余里!為招。實(shí)施例9一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括5. Oat %的鐵，2. Oat %的碳，
2.Oat %的鑰，余里!為招。在本申請中因?yàn)闊o法進(jìn)行所有的列舉，僅能以上述的實(shí)施例為代表進(jìn)行說明，但不是說在本申請中僅有以下實(shí)施例。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種鋁合金薄膜，其特征在于其各組成按原子百分含量包括0. 5-5. Oat %的鎳、鈷、鐵的至少一種以上元素，O. 3-2. 0at%的碳，O. 3-2. 0at%的鑰，余量為鋁。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種鋁合金薄膜，其特征在于所述的鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括1. 0-3. Oat %的鎳和鐵元素，O. 5-2. Oat %的碳，O. 5-1. Oat %的鑰，余量為招。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種鋁合金薄膜，其特征在于鎳和鐵的質(zhì)量比為2 I。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種鋁合金薄膜，其各組成按原子百分含量包括0.5-5.0at％的鎳、鈷、鐵的至少一種以上元素，0.3-2.0at％的碳，0.3-2.0at％的鉬，余量為鋁。
文檔編號C22C21/00GK102899533SQ20121043373
公開日2013年1月30日 申請日期2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月29日
發(fā)明者熊科學(xué) 申請人:熊科學(xué)