專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)尉y(cè)試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于單晶理化參數(shù)的檢測(cè)，特別是一種單晶測(cè)試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能單晶測(cè)試樣片在測(cè)試各理化參數(shù)之前都需要經(jīng)過(guò)化學(xué)藥液腐蝕去除表面的機(jī)械損傷層，然后用純水將樣片表面清洗干凈。目前常用的腐蝕藥液為混合酸(硝酸醋酸氫氟酸按照一定的比例混合)，其中硝酸的濃度達(dá)到70%，氫氟酸的濃度達(dá)到49%。如此 高濃度的混酸與硅反應(yīng)劇烈產(chǎn)生大量的氮氧化合物，若泄漏于大氣中會(huì)對(duì)環(huán)境有一定的影響，且對(duì)于操作人員也可能產(chǎn)生一定的危害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種降低對(duì)人的危害、對(duì)環(huán)境友好的單晶測(cè)試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。本發(fā)明單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，包括如下步驟SI，利用氫氧化鈉溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕，其中所述氫氧化鈉溶液的濃度為6% ;S2，用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行清洗。所述SI中腐蝕的溫度為75°C 85°C。所述SI中腐蝕的時(shí)間為55分鐘。所述S2中純凈水的電阻率大于等于1ΜΩ。所述S2分為S2. 1，用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第一次清洗及S2. 2，用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第二次清洗。所述S2. I中用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第一次清洗的時(shí)間為30秒。所述S2. 2中用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第二次清洗的時(shí)間為15分鐘。本發(fā)明單晶測(cè)試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法將腐蝕單晶測(cè)試樣片的化學(xué)藥液用堿溶液來(lái)代替混酸溶液。堿溶液與硅反應(yīng)時(shí)生成物為硅酸鹽及氫氣，硅酸鹽與氫氣對(duì)環(huán)境基本無(wú)影響，且反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的氫氣對(duì)操作人員也沒(méi)什么危害。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，首先利用濃度為6%的氫氧化鈉溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕，腐蝕的溫度為75°C 85°C，時(shí)間為55分鐘；然后用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行清洗，清洗分為兩部分，第一次清洗的時(shí)間為30秒，第二次清洗的時(shí)間為15分鐘，其中純凈水的電阻率大于等于IM Ω。本發(fā)明單晶測(cè)試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法將腐蝕單晶測(cè)試樣片的化學(xué)藥液用堿溶液來(lái)代替混酸溶液。堿溶液與硅反應(yīng)時(shí)生成物為硅酸鹽及氫氣，硅酸鹽與氫氣對(duì)環(huán)境基本無(wú)影響，且反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的氫氣對(duì)操作人員也沒(méi)什么危害。以上已對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.單晶測(cè)試樣片腐蝕溶液，其特征在于，包括氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。
2.單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，包括如下步驟 SI，利用氫氧化鈉溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕，其中所述氫氧化鈉溶液的濃度為6% ； S2，用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述SI中腐蝕的溫度為 75°C 85°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述SI中腐蝕的時(shí)間為55分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2中純凈水的電阻率大于等于IM Ω。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2分為S2.1，用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第一次清洗及S2. 2，用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第二次清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2.I中用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第一次清洗的時(shí)間為30秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單晶測(cè)試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2.2中用純凈水對(duì)硅片進(jìn)行第二次清洗的時(shí)間為15分鐘。
全文摘要
本發(fā)明氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。本發(fā)明單晶測(cè)試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法將腐蝕單晶測(cè)試樣片的化學(xué)藥液用堿溶液來(lái)代替混酸溶液。堿溶液與硅反應(yīng)時(shí)生成物為硅酸鹽及氫氣，硅酸鹽與氫氣對(duì)環(huán)境基本無(wú)影響，且反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的氫氣對(duì)操作人員也沒(méi)什么危害。
文檔編號(hào)C23F1/32GK102925898SQ20121046227
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者周聰, 賀賢漢 申請(qǐng)人:上海申和熱磁電子有限公司