專利名稱：一種新型平板式pecvd設(shè)備及其氣路接孔結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新型平板式PECVD設(shè)備及其氣路接孔結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
氮化硅薄膜具有高的化學(xué)穩(wěn)定性、高電阻率、絕緣性好、硬度高、光學(xué)性能良好等特性，在太陽能電池上得到廣泛的應(yīng)用。目前，平板式PECVD和管式PECVD在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。相對(duì)管式PECVD，平板式PECVD有著均勻性好和產(chǎn)量高的特點(diǎn)。平板式PECVD設(shè)備被廣泛應(yīng)用。
現(xiàn)有的平板式PECVD設(shè)備中，沉積氮化硅膜用的氣路一般包括4，6，8路等，其中每一路的示意圖如圖I所示。每一個(gè)氣路I上面開有不同數(shù)量的直徑為O. 8-1. 5mm的特氣氣孔2，將管路中的特氣3引入到反應(yīng)腔室中，發(fā)生反應(yīng)沉積出氮化硅膜，4為流量計(jì)。但是平板式PECV D設(shè)備在運(yùn)行一段時(shí)間后，因?yàn)楦鳉饴返奶貧鈿饪讜?huì)沉積氮化硅和硅顆粒等發(fā)生不同程度的堵塞，如果其中一個(gè)孔堵塞，該處氣體流量將會(huì)下降，但是氣體總流量不變，則其他位置的氣體流量將會(huì)變大，進(jìn)而導(dǎo)致不同位置沉積的氮化硅膜厚度出現(xiàn)變化，均勻性變差，對(duì)氮化硅膜的穩(wěn)定性以及可能會(huì)引起色差導(dǎo)致硅片的不合格。當(dāng)?shù)枘雍穸纫驗(yàn)闅饪椎亩氯霈F(xiàn)偏差較大時(shí)，經(jīng)工藝調(diào)整不能解決的便需要對(duì)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)，打通氣孔，從而嚴(yán)重影響著PECVD設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性，并增加了設(shè)備維護(hù)的成本，耽誤著生產(chǎn)線上的產(chǎn)量。因此，如何降低設(shè)備運(yùn)行中特氣孔發(fā)生堵塞的幾率，減少特氣孔對(duì)沉積氮化硅膜層厚度的影響，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的重要技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備運(yùn)行中特氣孔發(fā)生堵塞的幾率，減少特氣孔對(duì)沉積氮化硅膜層厚度的影響。本發(fā)明還提供了一種采用上述氣路接孔結(jié)構(gòu)的新型平板式PECVD設(shè)備。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭，所述新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體，在所述管體的側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)側(cè)孔，每個(gè)所述側(cè)孔的輸出端均連通有側(cè)管，每個(gè)所述側(cè)管的輸出方向與所述特氣氣孔的輸出方向相同。優(yōu)選的，多個(gè)所述側(cè)孔及其對(duì)應(yīng)的所述側(cè)管在所述新型特氣孔接頭的側(cè)壁上沿周向均勻分布。優(yōu)選的，相鄰的兩個(gè)所述側(cè)孔的高度不相同。優(yōu)選的，多個(gè)所述側(cè)孔采用低位和高位相間的方式分布在所述管體的側(cè)壁上。優(yōu)選的，位于低位的多個(gè)所述側(cè)孔的高度相同，組成第一側(cè)孔組；位于高位的多個(gè)所述側(cè)孔的高度相同，組成第二側(cè)孔組。優(yōu)選的，所述第一側(cè)孔組的多個(gè)所述側(cè)孔位于所述特氣氣孔的上方I. 5_2mm處，所述第二側(cè)孔組的多個(gè)所述側(cè)孔位于所述特氣氣孔的上方4-5mm處。優(yōu)選的，所述側(cè)管的孔徑具體為0. 8-1. 5_。優(yōu)選的，每個(gè)所述側(cè)管輸出端的開口高度平齊，與所述管體的頂端處于同一水平面上。優(yōu)選的，所述管體具有八個(gè)側(cè)面，每個(gè)側(cè)面上均開設(shè)有一個(gè)所述側(cè)孔，八個(gè)所述側(cè)孔采用低位和高位相間的方式分布，位于低位的四個(gè)所述側(cè)孔均為位于所述特氣氣孔的上方I. 5-2mm處,位于高位的四個(gè)所述側(cè)孔均為位于所述特氣氣孔的上方4_5mm處。
一種新型平板式PECVD設(shè)備，包括沉積氮化硅膜用的氣路，在所述氣路的特氣氣孔的輸出端連通有上述的新型特氣孔接頭。從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，通過在特氣氣孔的輸出端連通具有多個(gè)側(cè)孔的新型特氣孔接頭，由原來的一個(gè)氣孔變?yōu)槎鄠€(gè)出氣孔，降低了堵塞的幾率；同時(shí)即使發(fā)生堵塞，也不影響該位置的總的特氣流量，所以避免了該位置沉積的氮化硅膜層厚度發(fā)生較大的變化。另一方面，可以延長設(shè)備使用時(shí)間，增加了生產(chǎn)周期，相對(duì)降低了設(shè)備維護(hù)費(fèi)用和提高了產(chǎn)量。進(jìn)一步的，通過減少氮化硅膜層厚度差異較大的情況，從而可以減少色差片的出現(xiàn)，提高該工序的產(chǎn)品合格率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中平板式PECVD設(shè)備其特氣管路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為增加本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭后氣路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭側(cè)面展開氣孔位置示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭的頂視圖；圖5為側(cè)壁高低位開孔位置連接氣管和氣體流向的示意圖。其中，I為氣路，2為特氣氣孔，3為特氣，4為流量計(jì)，5為新型特氣孔接頭，51為管體，52為側(cè)孔，53為側(cè)管。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的核心在于公開了一種新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備運(yùn)行中特氣孔發(fā)生堵塞的幾率，減少特氣孔對(duì)沉積氮化硅膜層厚度的影響。為了便于理解，現(xiàn)將本發(fā)明涉及到的技術(shù)名詞解釋如下PECVD :等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)是借助微波使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。特氣平板式PECVD中通入的SiH4和NH3。
片間色差同一石墨舟上鍍膜后片與片之間的膜厚與顏色差別。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖2-圖5，圖2為增加本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭后氣路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭側(cè)面展開氣孔位置示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭的頂視圖；圖5為側(cè)壁高低位開孔位置連接氣管和氣體流向的示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其核心發(fā)明點(diǎn)在于，特氣氣孔2的輸出端連通有新型特氣孔接頭5，該新型特氣孔接頭5具有頂端封閉的管體51，在管體51的側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)側(cè)孔52，每個(gè)側(cè)孔52的輸出端均連通有側(cè)管53，每個(gè)側(cè)管53的輸出方向與特氣氣孔2的輸出方向相同。這樣一來，經(jīng)過新型特氣孔接頭5的特氣3最終的輸出方向與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中直接從特氣氣孔2中出來的相同，保證了氮化硅膜的正常沉積。從上述的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，通過在特氣氣孔2的輸出端連通具有多個(gè)側(cè)孔52的新型特氣孔接頭5，由原來的一個(gè)氣孔變?yōu)槎鄠€(gè)出氣孔，降低了堵塞的幾率；同時(shí)即使發(fā)生堵塞，也不影響該位置的總的特氣3流量，所以避免了該位置沉積的氮化硅膜層厚度發(fā)生較大的變化。另一方面，可以延長設(shè)備使用時(shí)間，增加了生產(chǎn)周期，相對(duì)降低了設(shè)備維護(hù)費(fèi)用和提高了產(chǎn)量。進(jìn)一步的，通過減少氮化硅膜層厚度差異較大的情況，從而可以減少色差片的出現(xiàn)，提高該工序的產(chǎn)品合格率。作為優(yōu)選，多個(gè)側(cè)孔52及其對(duì)應(yīng)的側(cè)管53在新型特氣孔接頭5的側(cè)壁上沿周向均勻分布，保證了特氣3從新型特氣孔接頭5中均勻的流出，提高了氮化硅膜沉積的質(zhì)量。為了進(jìn)一步優(yōu)化上述的技術(shù)方案，相鄰的兩個(gè)側(cè)孔52的高度不相同。通過將多個(gè)側(cè)孔52在高度方向上錯(cuò)開，降低了處于同一個(gè)水平面上的多個(gè)側(cè)孔52同時(shí)發(fā)生堵塞的幾率。
至于多個(gè)側(cè)孔52不同高度的設(shè)置形式有很多種，比如階梯型、折線型或者波浪型等等。在本實(shí)施例中，多個(gè)側(cè)孔52采用低位和高位相間的方式分布在管體51的側(cè)壁上，得益于高低位開孔和氣路的引出，能夠維護(hù)生產(chǎn)中膜層厚度的穩(wěn)定性。本發(fā)明實(shí)施例提供的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，位于低位的多個(gè)側(cè)孔52的高度相同，組成第一側(cè)孔52組；位于高位的多個(gè)側(cè)孔52的高度相同，組成第二側(cè)孔52組。其結(jié)構(gòu)如圖3所示，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的新型特氣孔接頭側(cè)面展開氣孔位置示意圖。進(jìn)一步的，第一側(cè)孔52組的多個(gè)側(cè)孔52位于特氣氣孔2的上方I. 5_2mm處，第二側(cè)孔52組的多個(gè)側(cè)孔52位于特氣氣孔2的上方4-5mm處。需要說明的是，這里所說的上方是指，新型特氣孔接頭5安裝后其側(cè)孔52的高度要高于特氣氣孔2的高度。類似的，還有上面提到管體51封閉頂端，就是其使用時(shí)遠(yuǎn)離特氣氣孔2的那一端，底端即為與之接觸的一端?？梢岳斫獾氖牵趯⑿滦吞貧饪捉宇^5連通到特氣氣孔2上時(shí)，其底端為與特氣氣孔2的連接段，為了保證側(cè)孔52位于特氣氣孔2的上方額定高度處，在新型特氣孔接頭5的結(jié)構(gòu)中其側(cè)孔52到其底端的距離可能會(huì)大于上述額定高度，以為底端的連接段預(yù)留出距離。本發(fā)明實(shí)施例提供的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，側(cè)管53的孔徑具體為0. 8-1. 5mm，與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中特氣氣孔2的尺寸相同，保證了特氣的正常流通。為了進(jìn)一步優(yōu)化上述的技術(shù)方案，每個(gè)側(cè)管53輸出端的開口高度平齊，與管體51的頂端處于同一水平面上，具有良好的出氣效果，能夠維護(hù)生產(chǎn)中膜層厚度的穩(wěn)定性。請(qǐng)參閱圖3-圖5，管體51具有八個(gè)側(cè)面，其橫截面為正八邊形，每個(gè)側(cè)面上均開設(shè)有一個(gè)側(cè)孔52，八個(gè)側(cè)孔52采用低位和高位相間的方式分布，位于低位的四個(gè)側(cè)孔52均為位于特氣氣孔2的上方I. 5-2mm處，位于高位的四個(gè)側(cè)孔52均為位于特氣氣孔2的上方4-5mm 處。當(dāng)然，可以采用其他多于一個(gè)特氣孔的方式代替所設(shè)計(jì)方式，如可以截面為六面體開6個(gè)孔，或者四面體開4個(gè)孔等等，都可以達(dá)到該設(shè)計(jì)的目的，但是最終效果上可能略
有差異。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種新型平板式PECVD設(shè)備，包括沉積氮化硅膜用的氣路，其核心發(fā)明點(diǎn)在于，在氣路的特氣氣孔2的輸出端連通有如上述的新型特氣孔接頭5。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的新型平板式PECVD設(shè)備及其氣路接孔結(jié)構(gòu)，通過設(shè)計(jì)新型氣路接孔結(jié)構(gòu)，避免出現(xiàn)某一位置特氣孔堵塞的現(xiàn)象從而保證設(shè)備運(yùn)行的長時(shí)間的穩(wěn)定性。本發(fā)明能夠延長設(shè)備維護(hù)周期，增加設(shè)備的產(chǎn)量，另外減少因?yàn)樘貧饪椎亩氯麑?duì)沉積的氮化硅膜層厚度的不同導(dǎo)致片間色差等不合格片的產(chǎn)生，提高產(chǎn)品的合格率。新型特氣孔接頭5采用頂端封閉截面為八邊形的管體51連接原來的特氣氣孔2，然后在八邊形每個(gè)側(cè)面開出直徑為O. 8-1. 5mm的側(cè)孔52，其中四個(gè)孔位于原特氣氣孔2上
1.5-2mm處，另外4個(gè)位于原特氣氣孔2上4_5mm處，并且保證低位和高位相間的方式，八個(gè)面展開后側(cè)孔52相對(duì)位置示意圖如圖3所示。然后用孔徑為O. 8-1. 5mm的側(cè)管53連接側(cè)壁的側(cè)孔52向上引出最終和八邊形的管體51頂端處于同一水平面上，頂視圖如圖4所示。側(cè)面上的開孔和引出的氣體管路和氣體流向示意圖如圖5所示。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭，所述新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體，在所述管體的側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)側(cè)孔，每個(gè)所述側(cè)孔的輸出端均連通有側(cè)管，每個(gè)所述側(cè)管的輸出方向與所述特氣氣孔的輸出方向相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)所述側(cè)孔及其對(duì)應(yīng)的所述側(cè)管在所述新型特氣孔接頭的側(cè)壁上沿周向均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的兩個(gè)所述側(cè)孔的高度不相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)所述側(cè)孔采用低位和高位相間的方式分布在所述管體的側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于低位的多個(gè)所述側(cè)孔的高度相同，組成第一側(cè)孔組；位于高位的多個(gè)所述側(cè)孔的高度相同，組成第二側(cè)孔組。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一側(cè)孔組的多個(gè)所述側(cè)孔位于所述特氣氣孔的上方I. 5-2mm處，所述第二側(cè)孔組的多個(gè)所述側(cè)孔位于所述特氣氣孔的上方4-5mm處。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)管的孔徑具體為O. 8-1. 5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述側(cè)管輸出端的開口高度平齊，與所述管體的頂端處于同一水平面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述管體具有八個(gè)側(cè)面，每個(gè)側(cè)面上均開設(shè)有一個(gè)所述側(cè)孔，八個(gè)所述側(cè)孔采用低位和高位相間的方式分布，位于低位的四個(gè)所述側(cè)孔均為位于所述特氣氣孔的上方I. 5-2mm處,位于高位的四個(gè)所述側(cè)孔均為位于所述特氣氣孔的上方4-5mm處。
10.一種新型平板式PECVD設(shè)備，包括沉積氮化硅膜用的氣路，其特征在于，在所述氣路的特氣氣孔的輸出端連通有如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的新型特氣孔接頭。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭，新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體，在管體的側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)側(cè)孔，每個(gè)側(cè)孔的輸出端均連通有側(cè)管，每個(gè)側(cè)管的輸出方向與特氣氣孔的輸出方向相同。本發(fā)明提供的新型平板式PECVD氣路接孔結(jié)構(gòu)，通過在特氣氣孔的輸出端連通具有多個(gè)側(cè)孔的新型特氣孔接頭，避免出現(xiàn)某一位置特氣孔堵塞的現(xiàn)象從而保證設(shè)備運(yùn)行的長時(shí)間的穩(wěn)定性，從而延長設(shè)備維護(hù)周期，增加設(shè)備的產(chǎn)量，另外減少因?yàn)樘貧饪椎亩氯麑?duì)沉積的氮化硅膜層厚度的不同導(dǎo)致片間色差等不合格片的產(chǎn)生，提高產(chǎn)品的合格率。本發(fā)明還公開了一種應(yīng)用了上述氣路接孔結(jié)構(gòu)的新型平板式PECVD設(shè)備。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102978587SQ20121053714
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者范志東, 田世雄, 馬繼奎, 湯歡 申請(qǐng)人:英利能源(中國)有限公司