專利名稱：一種陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電弧離子鍍膜設(shè)備上的電弧靶與真空室間的絕緣聯(lián)接結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
陰極電弧離子鍍是在真空條件下，利用電弧弧光放電，以電弧高溫將靶材材料氣化成金屬蒸氣，由電弧前方高電位位壘將金屬蒸氣電離成等離子體束，在工件表面沉積成膜的工藝，若此時通入反應(yīng)氣體就能實現(xiàn)合成化合物沉積。在陰極電弧鍍膜設(shè)備中，真空室為陽極，電弧靶為陰極，在工作條件下，電弧靶與真空室要保持相對的絕緣，才能保證電弧靶放電弧斑的正常穩(wěn)定工作以及鍍膜涂層與基體的結(jié)合可靠性。用于保持真空室與陰極電弧靶間彼此絕緣的絕緣法蘭材料一般采用聚四氟 乙烯、尼龍或其它非金屬絕緣材料。陰極電弧離子鍍膜設(shè)備在啟動陰極電弧靶進行電弧蒸發(fā)鍍膜時，鍍層、靶材金屬分子團或顆粒在沉積于工件表面的同時，亦會沉積于真空室內(nèi)爐壁、安裝電弧靶的凹腔等地方。當(dāng)鍍層或靶材金屬成分沉積于電弧靶與真空室連接處的絕緣法蘭處足夠厚時，就會導(dǎo)致電弧靶與真空室電阻降低，甚至導(dǎo)通。這時會嚴(yán)重影響電弧靶放電弧斑穩(wěn)定性，導(dǎo)致沉積制備的涂層與工件的結(jié)合力、硬度等質(zhì)量非常差，嚴(yán)重的會在剛剛出爐就出現(xiàn)涂層脫落現(xiàn)象。

實用新型內(nèi)容為解決上述問題，本實用新型提供一種能提供有效絕緣且可防止電弧靶與真空室間導(dǎo)通的絕緣聯(lián)接結(jié)構(gòu)。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是—種陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)，包括真空室及設(shè)置于真空室外壁的陰極靶材，真空室與陰極靶材間設(shè)有用于彼此間絕緣聯(lián)接的絕緣法蘭，絕緣法蘭的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)有若干絕緣槽。進一步作為本實用新型技術(shù)方案的改進，絕緣法蘭的環(huán)內(nèi)側(cè)中部設(shè)有一道絕緣槽。進一步作為本實用新型技術(shù)方案的改進，絕緣法蘭的環(huán)內(nèi)側(cè)靠近法蘭平面的兩側(cè)均設(shè)有絕緣槽。本實用新型的有益效果此絕緣結(jié)構(gòu)在真空室與陰極靶材間設(shè)置了絕緣法蘭，并在絕緣法蘭的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)置了絕緣槽，能有效提高真空室與陰極靶材間的阻抗，且在絕緣法蘭長時間使用后出現(xiàn)靶材成分沉積時，也不會造成絕緣槽兩側(cè)導(dǎo)通，從而在保證真空室與陰極靶材間高度絕緣的同時，能防止絕緣法蘭在長時間使用后出現(xiàn)生成的沉積物導(dǎo)通真空室與陰極靶材的情況。

[0011]
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明圖1是本實用新型實施例所在裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型第一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型第二種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實用新型第一種實施例中的絕緣法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實用新型第二種實施例中的絕緣法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參照圖1 圖5，本實用新型為一種陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)，包括真空室I及設(shè)置于真空室I外壁的陰極靶材，真空室I與陰極靶材間設(shè)有用于彼此間絕緣聯(lián)接的絕緣法蘭2，絕緣法蘭2的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)有若干絕緣槽3。此絕緣結(jié)構(gòu)在真空室I與陰極靶材間設(shè)置了絕緣法蘭2，并在絕緣法蘭2的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)置了絕緣槽3，能有效提高真空室I與陰極靶材間的阻抗，且在絕緣法蘭2長時間使用后出現(xiàn)靶材成分沉積時，也不會造成絕緣槽3兩側(cè)導(dǎo)通，從而在保證真空室I與陰極靶材間高度絕緣的同時，能防止絕緣法蘭2在長時間使用后出現(xiàn)生成的沉積物導(dǎo)通真空室I與陰極靶材的情況。作為本實用新型優(yōu)選的實施方式，絕緣法蘭2的環(huán)內(nèi)側(cè)中部設(shè)有一道絕緣槽3。作為本實用新型優(yōu)選的實施方式，絕緣法蘭2的環(huán)內(nèi)側(cè)靠近法蘭平面的兩側(cè)均設(shè)有絕緣槽3。在此絕緣聯(lián)接結(jié)構(gòu)中，設(shè)置于絕緣法蘭2環(huán)內(nèi)側(cè)的絕緣槽3有多種設(shè)置形式?？稍诮^緣法蘭2的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)置多道絕緣槽3，也可僅在中部設(shè)置一道絕緣槽3，此絕緣槽3的規(guī)格為深約4 5_，絕緣槽3兩側(cè)面間的寬度為1_。也可在絕緣法蘭2的環(huán)內(nèi)側(cè)靠近法蘭平面的兩側(cè)設(shè)置臺階，此臺階與兩側(cè)的陰極靶材和真空室外壁分別形成絕緣槽3，此臺階的規(guī)格為高度為1mm，其寬度為5mm。此絕緣聯(lián)接結(jié)構(gòu)能大大降低陰極靶材與真空室I連接處的絕緣法蘭2內(nèi)側(cè)會因鍍上涂層而發(fā)生短路的風(fēng)險，使得陰極靶材放電弧斑能穩(wěn)定工作、沉積的涂層質(zhì)量更可靠。當(dāng)然，本發(fā)明創(chuàng)造并不局限于上述實施方式，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實用新型精神的前提下還可作出等同變形或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于包括真空室(I)及設(shè)置于所述真空室(I)外壁的陰極靶材，所述真空室(I)與陰極靶材間設(shè)有用于彼此間絕緣聯(lián)接的絕緣法蘭(2)，所述絕緣法蘭(2)的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)有若干絕緣槽(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣法蘭(2)的環(huán)內(nèi)側(cè)中部設(shè)有一道絕緣槽(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣法蘭(2)的環(huán)內(nèi)側(cè)靠近法蘭平面的兩側(cè)均設(shè)有絕緣槽(3)。
專利摘要本實用新型公開了一種陰極電弧離子鍍膜設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)，包括真空室及設(shè)置于真空室外壁的陰極靶材，真空室與陰極靶材間設(shè)有用于彼此間絕緣聯(lián)接的絕緣法蘭，絕緣法蘭的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)有若干絕緣槽。此絕緣結(jié)構(gòu)在真空室與陰極靶材間設(shè)置了絕緣法蘭，并在絕緣法蘭的環(huán)內(nèi)側(cè)設(shè)置了絕緣槽，能有效提高真空室與陰極靶材間的阻抗，且在絕緣法蘭長時間使用后出現(xiàn)靶材成分沉積時，也不會造成絕緣槽兩側(cè)導(dǎo)通，從而在保證真空室與陰極靶材間高度絕緣的同時，能防止絕緣法蘭在長時間使用后出現(xiàn)生成的沉積物導(dǎo)通真空室與陰極靶材的情況，此實用新型用于高新技術(shù)改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。
文檔編號C23C14/32GK202492567SQ20122002654
公開日2012年10月17日 申請日期2012年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者蘇東藝 申請人:廣州今泰科技股份有限公司