專利名稱：金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的氣體分布裝置及反應(yīng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及生長第III族元素和第V族元素化合物薄膜的反應(yīng)器，尤其涉及一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的氣體分布裝置及相關(guān)反應(yīng)器。
背景技術(shù)：
氮化鎵(GaN)是一種廣泛應(yīng)用于制造藍(lán)光、紫光和白光二極管、紫外線檢測器和高功率微波晶體管的材料。由于GaN在制造適用于大量用途的低能耗裝置(如，LED)中具有實(shí)際和潛在的用途，GaN薄膜的生長受到極大的關(guān)注。GaN薄膜能以多種不同的方式生長，包括分子束外延(MBE)法、氫化物蒸氣階段外延(HVPE)法、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法等。目前，MOCVD法是用于為生產(chǎn)LED得到足夠質(zhì)量的薄膜的優(yōu)選的沉積方法。 MOCVD工藝通常在一個具有溫度控制的環(huán)境下的反應(yīng)腔或反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行。通常，由包含第III族元素(例如鎵(Ga))的第一前體氣體和一含氮的第二前體氣體(例如氨(NH3))被通入反應(yīng)腔內(nèi)反應(yīng)以在基片上形成晶體GaN薄膜。一載流氣體(carrier gas)也可以被用于協(xié)助運(yùn)輸前體氣體至基片上方。這些前體氣體在被加熱的基片表面混合反應(yīng)，進(jìn)而形成第III族氮化物薄膜(例如GaN薄膜)而沉積在基片表面并形成晶體外延層。前述的第一前體氣體第二前體氣體需要在到達(dá)基片時要按比例均勻混合，但是第一前體氣體和第二前體氣體又不能過早的混合，因?yàn)榛患訜岬椒磻?yīng)溫度(通常大于IOO(TC)時基片上方空間受輻射溫度也很高，所以兩種反應(yīng)氣體的混合氣體在溫度足夠高的其它空間也能發(fā)生反應(yīng)而形成結(jié)晶固體。這種結(jié)晶固體會隨著氣流擴(kuò)散形成污染而不會在基片上形成晶體GaN。傳統(tǒng)MOCVD反應(yīng)氣體供氣形式有多種，其中包括多種氣體水平供氣的方法，如現(xiàn)有技術(shù)US5370738中所示含V族元素和III族元素的氣體通過不同層的通道在接近基片附近的空間混合并流過基片表面，并在基片另一端被抽走。用這種方法供氣存在明顯的問題混合氣體流過基片的上游和下游，若氣體混合度不同則反應(yīng)氣體成份就不同，這會造成整個基片表面的沉積均一性降低。為了解決這個問題Thomas Swan公司提出了利用接近基片的噴淋頭來供氣的方法，如專利EP0687749所示，利用該方法基本可以實(shí)現(xiàn)基本表面的均勻處理，但是由于要在整個反應(yīng)區(qū)表面均勻地供應(yīng)不同的反應(yīng)氣體，而且在到達(dá)反應(yīng)區(qū)前兩種前體氣體要互相隔離，所以氣體噴淋頭的結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜、難以制造，在使用中的維護(hù)和清洗也非常困難。CN10167849提出了一種層疊的氣體噴淋頭結(jié)構(gòu)，每層氣體分布板中均包括多個互相隔離的腔體，將多層氣體噴淋頭部件在高溫下壓焊形成一個整體，構(gòu)成一個完整功能的氣體噴淋頭。這種結(jié)構(gòu)的噴淋頭在工業(yè)應(yīng)用中仍然存在不可彌補(bǔ)的缺陷，由于不同氣體分布板之間是壓焊的，在每個高溫處理循環(huán)中氣體噴淋頭都會經(jīng)歷一次伸縮過程，長時間運(yùn)行后，不同氣體管道之間不可避免地會發(fā)生串?dāng)_，在基片的高溫輻射下還會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成沉積物，污染氣體管道。而且由于整個氣體噴淋頭是被整體焊接在一起的，這些污染物很難被清洗掉，嚴(yán)重影響后續(xù)處理的效果。[0008]所以業(yè)界需要一種既能實(shí)現(xiàn)在整個反應(yīng)表面均勻供氣，又能防止不同反應(yīng)氣體在進(jìn)入反應(yīng)區(qū)前互相串?dāng)_的氣體噴淋頭，而且該氣體噴淋頭要易于制造和維護(hù)。
發(fā)明內(nèi)容針對背景技術(shù)中的上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種既能實(shí)現(xiàn)在整個反應(yīng)基片表面均勻供氣，又能防止不同反應(yīng)氣體在進(jìn)入反應(yīng)區(qū)前互相串?dāng)_的氣體分布裝置及相關(guān)反應(yīng)器，而且該氣體分布裝置要易于制造和維護(hù)、大大節(jié)省使用者的成本。根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，本實(shí)用新型提供了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的氣體分布裝置，包括彼此連接在一起的控溫板、氣體分布板，其中所述氣體分布板和控溫板之間通過可拆卸固定裝置固定連接；所述氣體分布板上包括相互隔離的若干個第一氣體分布通道與若干個第二氣體 分布通道，所述若干個第一氣體分布通道與第一反應(yīng)氣體源相連通，所述若干個第二氣體分布通道與第二反應(yīng)氣體源相連通,所述若干第一和第二氣體分布通道在氣體分布板下表面形成若干氣體噴出口；所述控溫板上分別預(yù)設(shè)有若干通道與所述氣體分布板下表面上的若干氣體噴出口位置對應(yīng)并且相連通；所述控溫板上還設(shè)置有與冷卻源相連接的冷卻腔。其中，所述控溫板包括一上表面和一下表面，所述下表面靠近所述反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)，并且所述第一反應(yīng)氣體源與所述第二反應(yīng)氣體源從所述下表面逸出而進(jìn)入反應(yīng)區(qū)。其中，所述氣體分布板包括相疊的第一氣體分布板和第二氣體分布板，第二氣體分布板位于第一氣體分布板上方，所述第一氣體分布板和第二氣體分布板通過所述可拆卸固定裝置固定連接。其中，所述控溫板上的若干通道貫穿所述上表面和下表面。其中，所述第一氣體分布板包括一上表面和一下表面，所述第一氣體分布板上的若干通道貫穿所述第一氣體分布板的上表面和下表面。其中，所述氣體分布裝置還包括一個氣密板與所述第二氣體分布板相鄰并連接在一起，該氣密板上設(shè)置有與所述若干個第一氣體分布通道互相連通的氣體擴(kuò)散空間。其中，所述氣密板與所述第二氣體分布板通過可拆卸固定裝置固定連接。其中，所述可拆卸固定裝置是螺栓或螺釘。所述控溫板與氣體分布板通過可拆卸固定裝置固定連接后，在室溫下控溫板上表面的外圍區(qū)域到氣體分布板下表面具有一個間隙。所述控溫板上表面到氣體分布板下表面間隙從外圍區(qū)域到到中心區(qū)域逐漸縮小，直到控溫板的上表面與氣體分布板的下表面相貼
入
口 ο根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，本實(shí)用新型還提供了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括前述所述的氣體分布裝置。

圖I所示為一種使用本實(shí)用新型所提供的氣體分布裝置的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器示意圖；[0024]圖2所示為根據(jù)本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式所提供的氣體分布裝置的零件構(gòu)成圖；圖3為根據(jù)本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式所提供的氣體分布裝置的組裝后的結(jié)構(gòu)圖；圖4為根據(jù)本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式包括一個氣密板的氣體分布裝置結(jié)構(gòu)圖；圖5為根據(jù)本實(shí)用新型第一種實(shí)施方式所提供的多個氣體分布板中包括氣體擴(kuò)散溝槽的氣體分布裝置結(jié)構(gòu)圖；圖6為根據(jù)本實(shí)用新型第二種實(shí)施方式所提供的多片組裝氣體分布裝置結(jié)構(gòu)圖；圖7為根據(jù)本實(shí)用新型第三種實(shí)施方式所提供的氣體分布裝置結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行具體說明。本實(shí)用新型所提供的氣體分布裝置應(yīng)用在如圖I所示的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)反應(yīng)器100中，反應(yīng)器100包括基片基座104放置在可旋轉(zhuǎn)的軸24上。基片基座104下安裝有加熱裝置103對基片基座104和基片基座上放置的基片105進(jìn)行加熱以達(dá)到合適的反應(yīng)溫度(例如>1000°C)。反應(yīng)器頂部安裝有氣體分布裝置101。氣體分布裝置101通過管道43連接到第一氣體源41，通過管道44連接到第二氣體源42，通過管道5連接到冷卻源50。其中第一氣體源41和第二氣源42可以分別是選自含鎵的金屬有機(jī)物氣體如三甲基鎵(TMG)和含氮?dú)怏w如氨氣(NH3)。在本實(shí)用新型中含鎵氣體也可是其它氣體如GaC13等。前述兩種反應(yīng)氣體中還可以選擇性地包括N2或H2等載流氣體，以控制反應(yīng)氣體流量與反應(yīng)效果。本實(shí)用新型所提供的氣體分布裝置要實(shí)現(xiàn)兩種反應(yīng)氣體在氣體分布裝置內(nèi)部沿互相隔離的路徑傳輸并在分別逸出氣體分布裝置的下表面后再均一混合，然后向基片表面供氣，所以氣體分布裝置內(nèi)兩種不同反應(yīng)氣體的通道是交替間隔排列的。本實(shí)用新型所提供的氣體分布裝置包括彼此連接在一起的控溫板、氣體分布板，其中所述氣體分布板和控溫板之間通過可拆卸固定裝置固定連接；所述氣體分布板上包括相互隔離的若干個第一氣體分布通道與若干個第二氣體分布通道，所述若干個第一氣體分布通道與第一反應(yīng)氣體源相連通，所述若干個第二氣體分布通道與第二反應(yīng)氣體源相連通，所述若干第一和第二氣體分布通道在氣體分布板下表面形成若干氣體噴出口 ；所述控溫板上分別預(yù)設(shè)有若干通道與所述氣體分布板下表面上的若干氣體噴出口位置對應(yīng)并且相連通；所述控溫板上還設(shè)置有與冷卻源相連接的冷卻腔。前述氣體分布板可以為一塊板體，其中設(shè)置所需的各種通道，也可以包括多塊板體組合而成。以下舉例說明如圖2所示，氣體分布裝置101包括至少3個氣體分布板，它們?yōu)轫樞虔B加、彼此連接在一起的控溫板30、第一氣體分布板20和第二氣體分布板10，其中所述控溫板30、第一氣體分布板20、和第二氣體分布板10之間通過可拆卸固定裝置4固定連接。所述控溫板30、第一氣體分布板20和第二氣體分布板10上分別預(yù)設(shè)有若干通道(如11、21、31、22、32)，在所述控溫板30、第一氣體分布板20和第二氣體分布板10彼此連接后，所述若干通道(如11、21、31、22、32)相互連通并構(gòu)成相互隔離的若干個第一氣體分布通道(參考圖3，標(biāo)號1，容后詳述)與若干個第二氣體分布通道(參考圖3，標(biāo)號2，容后詳述)，所述若干個第一氣體分布通道與第一反應(yīng)氣體源41相連通，所述若干個第二氣體分布通道與第二反應(yīng)氣體源42相連通。其中，最接近基片反應(yīng)區(qū)的控溫板30包括一上表面30a和一下表面30b，所述下表面30b靠近反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)(即，圖I中氣體分布裝置101的下表面與基片基座104之間的區(qū)域)，并且第一反應(yīng)氣體源與所述第二反應(yīng)氣體源從所述下表面逸出而進(jìn)入反應(yīng)區(qū)，二者在反應(yīng)區(qū)內(nèi)混合并在基片表面發(fā)生沉積或外延生長反應(yīng)?？販匕?0上還設(shè)置包括有多個冷卻腔或冷卻管道33分布在整個氣體分布板平面上。冷卻腔或冷卻管道33連接到圖I所示的冷卻劑源冷卻源50，其中冷卻源劑可以是水或氣體。通過這些冷卻腔或冷卻管道可以使控制控溫板30的溫度，從而將其下方反應(yīng)區(qū)輻射上來的熱量導(dǎo)走，因而控溫板30的溫度可以控制在一定的溫度(如IO(TC)度以下，使其保持較低的溫度，從而可以防止多片板體(30、20、10)之間因?yàn)閯×业臏囟茸兓筒煌臒崤蛎浵禂?shù)而發(fā)生大幅度的位移和變形，也可以防止反應(yīng)氣體在高溫影響下在控溫板30的下表面發(fā)生分解形成污染物粘附在該下表面上。多片氣體分布板發(fā)生相對位移、變形時還會造成氣體通道變窄甚至堵塞，影響最終反應(yīng)效果的均一性?？販匕?0上還包括多個氣體通孔31、32，其中通孔31、32均勻地分布·和排列在控溫板30上，在反應(yīng)過程中，用來向反應(yīng)腔內(nèi)均勻地提供反應(yīng)所需的兩種前體氣體。所述控溫板30上設(shè)置的若干通道31、32貫穿所述上表面30a和下表面30b。優(yōu)選地，若干通道31、32均勻地分布在控溫板30上。在控溫板30之上是另一氣體分布板20 (即，前述第一氣體分布板),其上有與控溫板30上的多個氣體通孔31、32與第一氣體分布板20的多個氣體通孔21、22位置相對應(yīng)。第一氣體分布板20包括一上表面20a和一下表面20b,所述第一氣體分布板20上的若干通道21、22也貫穿所述第一氣體分布板20的上表面20a和下表面20b。在氣體分布板20之上還有一氣體分布板10 (即，前述第二氣體分布板)，氣體分布板10上包括與氣體分布板20上的通孔21位置對應(yīng)的若干/多個通孔11。第二氣體分布板10包括一上表面IOa和一下表面IOb,所述第二氣體分布板上的若干通道11可以選擇性地貫穿或不貫穿所述第二氣體分布板的上表面IOa和下表面10b。前述各板體10、20、30的材料可以是不銹鋼或者鋁等不會與反應(yīng)氣體反應(yīng)的材料制成。如圖3所示，為根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式所提供的氣體分布裝置101組裝后的結(jié)構(gòu)圖。氣體分布裝置101中的控溫板30、第一氣體分布板20與第二氣體分布板10之間通過可拆卸的機(jī)械連接方式密封地連接在一起。例如，可以通過螺栓4穿過設(shè)置在各分布板上的固定孔34、24和14來固定，其中螺栓4也可以是螺釘或者其它機(jī)械固定裝置。通過機(jī)械固定裝置固定后，氣體分布板10、20、30就形成一個完整的氣體分布裝置。氣體通孔
11、21、31形成相互連通的第一反應(yīng)氣體通道I ;氣體通孔22、32形成相互連通的第二反應(yīng)氣體通道2。由于氣體分布板10與20位于氣體分布板30控溫板30之后,遠(yuǎn)離高溫的環(huán)境，并且控溫板30自身也有冷卻腔或冷卻管道來控溫，因而，各氣體分布板10、20與30的工作溫度不會太高，因而，直接通過機(jī)械固定裝置將它們固定在一起就可以滿足生產(chǎn)的需求，在工作過程中，氣體分布板10與20不會出現(xiàn)因高溫導(dǎo)致的熱膨脹而出現(xiàn)的變形等問題，此外，這些機(jī)械固定裝置能夠保證在氣體分布裝置使用一段時間后，將氣體分布板10、20與30從整個氣體分布裝置101拆卸開來，分別進(jìn)行替換或分別進(jìn)行氣體通道的清洗，以保證氣體分布裝置101工作在最佳狀態(tài)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型的各氣體分布板可以被拆卸清洗后再投入使用，不會產(chǎn)生浪費(fèi)，因而可以大大節(jié)省使用者的成本。控溫板30的制造可以是在氣體分布板的基體上先開設(shè)多個容納冷卻液流過的槽，然后在制作能夠覆蓋該冷卻液槽的蓋板，所述槽和蓋板之間的連接可以通過過真空釬焊(vacuum braze welding)或真空熔焊(vacuum fuse welding)的方式在加熱、加壓的條件下焊接。蓋板覆蓋所述容納冷卻液的槽后，控溫板30形成內(nèi)含冷卻管道33的的控溫板30。所述多個氣體通孔31，32可以是在冷卻液管道制作后穿孔，也可以先穿孔再制作冷卻液管道33。圖4中另一個氣體分布裝置的實(shí)施例102顯示了第一氣體源41從管道43到氣體通道I的方式。圖4中在第二氣體分布板10上添加一氣密板10”,氣密板10”同樣通過可拆卸的連接方式固定并可拆卸。圖I中所示的管道43將第一氣體源41先輸送到氣密板10”與氣體分布板10之間形成的擴(kuò)散腔60中，再通過擴(kuò)散腔60將氣體均勻分布到不同的第一反應(yīng)氣體通道I中。第二反應(yīng)氣體源42則可以通過氣體分布板10和20之間開挖的溝槽(容后詳述)與供應(yīng)第二氣體的管道44相連接。圖5中另一個氣體分布裝置103顯示了氣體分布板10與20之間開挖有使多個第一氣體通道I相互聯(lián)通的溝槽120，氣體分布板20與30之間開挖有使多個第二氣體通道2互聯(lián)的溝槽230，從而實(shí)現(xiàn)了不同反應(yīng)氣體在整個氣體分布裝置103上的均勻分布。圖6中另一個氣體分布裝置104顯示了另一個本實(shí)用新型氣體分布裝置的實(shí)施例，在氣體分布板10上加了一片包括氣體擴(kuò)散溝槽110’的氣密板10’，通過氣體擴(kuò)散溝槽將管道43的氣體分布到第一氣體通道。氣體分布板10、20之間也有氣體擴(kuò)散溝槽120’將氣體分布到第二氣體通道。氣密板10’、氣體分布板10、20、30之間通過螺栓4等機(jī)械裝置相連接固定。本實(shí)用新型除了可以用在圖2-6所示的3-4層氣體分布板構(gòu)成的氣體分布裝置，也可以根據(jù)反應(yīng)氣體擴(kuò)散的需要設(shè)計(jì)成更多層氣體分布板構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，比如5或者6層，均屬于本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)適用范圍。本實(shí)用新型中的氣體分布板也可以整合成一個部件，如圖7中氣體分布裝置105顯示了本實(shí)用新型氣體分布裝置的另一個實(shí)施例。氣體分布裝置105包括控溫板30，所述控溫板30包括一下表面30b和上表面30a。所述控溫板還包括多個固定孔34和多個冷卻液管道33。氣體分布裝置105還包括氣體分布板1020,氣體分布板1020中包括若干第一氣體分布通道1021和第二氣體分布通道1022。第一氣體分布通道1021與第一氣源41相連通，第二氣體分布通道1022與第二氣源42相連通。所述第一氣體通道與第二氣體通道互相隔離，直到氣體分布板1020的下表面開口向下方的反應(yīng)區(qū)域噴出第一和第二氣源的氣體才會混合。氣體分布板1020還包括固定孔1024，一個螺栓通過該固定孔1024與下方控溫板上的固定孔34相將氣體分布板1020與控溫板30相固定。其中氣體分布板可以是如圖2-6所示是由多片疊加而成的，也可以是由多片氣體分布板(如10、20)焊接成為一個部件的。由于控溫板30的制造以及組裝是在室溫下，然而在反應(yīng)腔內(nèi)工作時溫度會大幅升高，雖然有冷卻液控制溫度，但是仍然遠(yuǎn)高于室溫，而且從冷卻液管道下方到受下方反應(yīng)區(qū)熱輻射的下表面30b還有一定厚度的材料，從下表面到冷卻液管道內(nèi)壁之間存在很大的溫度梯度。所以溫度控制板如果不作特別設(shè)計(jì)的話，由于控溫板30下表面溫度升高幅度大于上表面，所以會發(fā)生邊緣區(qū)域向上卷曲的情況。這會造成氣體分布板1020與控溫板30之間產(chǎn)生應(yīng)力互相推擠，嚴(yán)重地，可造成其中一塊氣體分布板破裂的嚴(yán)重后果。所以本實(shí)用新型在設(shè)計(jì)時就使控溫板在常溫時具有邊緣向下略微卷曲的形狀，優(yōu)選地，控溫板的上表面呈如圖所示的弧形狀，以抵消在實(shí)際工藝運(yùn)行中發(fā)生向上卷曲的形變，最終在高溫加工過程中上下表面保持較平的表面，不會與其它氣體分布板互相擠壓。本實(shí)用新型對多片氣體分布板采用可拆卸的裝置如螺栓來固定，這樣一來，在氣體分布裝置運(yùn)行一段時間之后就可以將多片氣體分布板拆卸下來清洗后再重新組裝。由于最接近反應(yīng)區(qū)的氣體分布板包括溫度控制機(jī)能，所以其上的遠(yuǎn)離反應(yīng)區(qū)的多片氣體分布板的溫度相對比較低，即使存在氣體串?dāng)_也很少會反應(yīng)生成沉積物污染下游的反應(yīng)區(qū)。所以本實(shí)用新型的氣體分布板結(jié)構(gòu)可以在保證反應(yīng)區(qū)內(nèi)基片上金屬有機(jī)物氣相反應(yīng)沉積質(zhì)量的情況下，使氣體分布裝置更易維護(hù)與保持長期的沉積效果。 以上對本實(shí)用新型的各個實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明。需要說明的是，上述實(shí)施例僅是示范性的，而非對本實(shí)用新型的限制。任何不背離本實(shí)用新型的精神的技術(shù)方案均應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
權(quán)利要求1.一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的氣體分布裝置，其特征在于，包括 彼此連接在一起的控溫板、氣體分布板，其中所述氣體分布板和控溫板之間通過可拆卸固定裝置固定連接； 所述氣體分布板上包括相互隔離的若干個第一氣體分布通道與若干個第二氣體分布通道，所述若干個第一氣體分布通道與第一反應(yīng)氣體源相連通，所述若干個第二氣體分布通道與第二反應(yīng)氣體源相連通，所述若干第一和第二氣體分布通道在氣體分布板下表面形成若干氣體噴出口； 所述控溫板上分別預(yù)設(shè)有若干通道與所述氣體分布板下表面上的若干氣體噴出口位置對應(yīng)并且相連通；所述控溫板上還設(shè)置有與冷卻源相連接的冷卻腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體分布裝置，其特征在于所述氣體分布板包括相疊的第一氣體分布板和第二氣體分布板，第二氣體分布板位于第一氣體分布板上方，所述第一氣體分布板和第二氣體分布板通過可拆卸固定裝置固定連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體分布裝置，其特征在于所述控溫板包括一上表面和一下表面，所述下表面靠近所述反應(yīng)器的反應(yīng)區(qū)，并且所述第一反應(yīng)氣體源與所述第二反應(yīng)氣體源從所述下表面逸出而進(jìn)入反應(yīng)區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體分布裝置，其特征在于所述氣體分布板內(nèi)包括與所述若干個第一氣體分布通道或所述若干個第二氣體分布通道相連通的氣體擴(kuò)散空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體分布裝置，其特征在于所述控溫板上的若干通道貫穿所述上表面和下表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體分布裝置，其特征在于還包括一個氣密板位于所述氣體分布板上方并相互連接在一起，該氣密板上設(shè)置有與所述若干個第一氣體分布通道互相連通的氣體擴(kuò)散空間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣體分布裝置，其特征在于所述氣密板與所述氣體分布板通過可拆卸固定裝置固定連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2或7所述的氣體分布裝置，其特征在于所述可拆卸固定裝置是螺栓或螺釘。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體分布裝置，其特征在于所述所述控溫板與氣體分布板通過可拆卸固定裝置固定連接后，在室溫下控溫板上表面的外圍區(qū)域到氣體分布板下表面具有一個間隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣體分布裝置，其特征在于所述控溫板上表面到氣體分布板下表面之間存在間隙，外圍區(qū)域的間隙小于中心區(qū)域的間隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體分布裝置，其特征在于所述控溫板包括一上表面，所述上表面呈一弧形狀。
12.—種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其特征在于，包括前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的氣體分布裝置。
專利摘要一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的氣體分布裝置，包括:順序疊加、彼此連接在一起的控溫板、氣體分布板，其中所述控溫板與所述氣體分布板之間通過可拆卸固定裝置固定連接；所述控溫板、氣體分布板上分別預(yù)設(shè)有若干通道，在所述控溫板、氣體分布板彼此連接后，所述若干通道相互連通并構(gòu)成相互隔離的若干個第一氣體分布通道與若干個第二氣體分布通道，所述若干個第一氣體分布通道與第一反應(yīng)氣體源相連通，所述若干個第二氣體分布通道與第二反應(yīng)氣體源相連通；所述控溫板上還設(shè)置有與冷卻源相連接的冷卻腔。
文檔編號C23C16/455GK202688435SQ20122021463
公開日2013年1月23日 申請日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月11日
發(fā)明者杜志游, 姜勇, 周寧 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司