專利名稱：一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池的鍍膜設(shè)備，具體涉及一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
在各種硅太陽電池中，晶體硅電池一直占據(jù)著最重要的地位近年來，增加設(shè)備產(chǎn)能一直是設(shè)備開發(fā)者追求的目標(biāo)。板式鍍膜設(shè)備主要依靠增加反應(yīng)腔室的長度和寬度來增加產(chǎn)能，但是增加反應(yīng)腔室的長度和寬度會造成更加龐大的設(shè)備，且更大的鍍膜面積導(dǎo)致片間均勻性更加不穩(wěn)定，大大增加設(shè)備制造難度及成本。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的就是針對上述問題而提出的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備，在不增加反應(yīng)腔室長度和寬度的情況下使得產(chǎn)能翻倍，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。本實用新型的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備技術(shù)方案為，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，硅片載板為雙層硅片載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置。雙層娃片載板為石墨板,分為上載板和下載板，上載板設(shè)有與娃片形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備；下載板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備。上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨控制，可根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)。上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上下進氣孔可單獨控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與娃片載板處于同一水平面，娃片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應(yīng)腔室一定的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對硅片上表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過上進氣孔進入反應(yīng)腔室，上等離子源對反應(yīng)氣體進行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在雙層硅片載板上載板的硅片上表面，真空泵將反應(yīng)廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應(yīng)腔室的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對硅片下表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過下進氣孔進入反應(yīng)腔室，下等離子源對反應(yīng)氣體進行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在雙層硅片載板下載板的硅片下表面，真空泵將反應(yīng)廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應(yīng)腔室的真空度。[0011]本實用新型的有益效果是本實用新型的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，硅片載板為雙層硅片載板，另外還包括上進氣孔，下進氣孔，排氣孔，上等離子源及下等離子源，真空泵和加熱裝置。雙層硅片載板上、下載板均設(shè)有與硅片形狀一致的均勻鏤空，上載板鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備；下載板鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備。上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上、下進氣孔，上、下等離子源均可單獨控制，根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參 數(shù)，通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與娃片載板處于同一水平面，娃片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應(yīng)腔室一定的真空度。使用該設(shè)備可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備，在不增加反應(yīng)腔室長度和寬度的情況下使得產(chǎn)能翻倍，每層石墨板可放置硅片五排九列，雙層硅片鍍膜一次可以實現(xiàn)5*9*2 (五排九列兩層)共90片硅片的鍍膜，在相同的時間內(nèi)實現(xiàn)了產(chǎn)能翻倍，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。


圖I所示為本實用新型的垂直剖面圖；圖2所示為上載板設(shè)計；圖3所示為下載板設(shè)計。圖中，I.上進氣孔，2.下進氣孔，3.排氣孔，4.加熱裝置，5.上等離子源，6.下等離子源，7.上載板，8.下載板，9.硅片，10.反應(yīng)腔室，11.掛鉤，12.真空泵。
具體實施方式
為了更好地理解本實用新型，
以下結(jié)合附圖和實例來說明本實用新型的技術(shù)方案，但是本實用新型并不局限于此。本實用新型的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備技術(shù)方案為，包括反應(yīng)腔室10和娃片載板，娃片載板為雙層娃片載板位于反應(yīng)腔室10中部，另外還包括反應(yīng)腔室10上方的上進氣孔1，下方的下進氣孔2，反應(yīng)腔室10兩側(cè)的排氣孔3，硅片載板上方的上等離子源5及硅片載板下方的下等離子源6，與排氣孔3外接的真空泵12和均勻分布在在反應(yīng)腔室10上下內(nèi)表面的加熱裝置4。雙層娃片載板為石墨板,分為上載板7和下載板8,上載板7設(shè)有與娃片9形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片9，鏤空上方承載硅片9，用此載板可以對硅片9上表面進行減反射膜制備；下載板8均勻鏤空，鏤空形狀與硅片9形狀一致，鏤空大小略大于硅片9，在下載板8下邊緣設(shè)置掛鉤11，硅片9水平置于掛鉤11上，用此載板可以對硅片9下表面進行減反射膜制備。上等離子源5位于硅片載板上方，下等離子源6位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨控制，可根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)。上進氣孔I位于硅片載板和上等離子源5上方，下進氣孔2位于硅片載板和下等離子源6下方，上下進氣孔可單獨控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。[0026]排氣孔3位于反應(yīng)腔室10側(cè)面,與娃片載板處于同一水平面,娃片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔10排出，排氣孔10外接真空泵12，以保證反應(yīng)腔室10 —定
的真空度。本實用新型的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對硅片9上表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置4將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過上進氣孔I進入反應(yīng)腔室，上等離子源5對反應(yīng)氣體進行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在雙層硅片載板上載板7的硅片9上表面，真空泵12將反應(yīng)廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應(yīng)腔室10
的真空度。本實用新型的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對硅片9下表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進行時，加熱裝置4將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過下進氣孔2進入反應(yīng)腔室10，下等離子源6對反應(yīng)氣體進行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在雙層硅片 載板下載板8的硅片9下表面，真空泵12將反應(yīng)廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應(yīng)腔室10的真空度。實施例I :將上載板7、下載板8放置硅片9，之后將上載板7置于下載板8上，上進氣孔I、下進氣孔2通入氣體硅烷和氨氣，硅烷流量為500SCCm，氨氣流量為1900SCCm，加熱裝置4將反應(yīng)腔室10溫度加熱至390攝氏度，上等離子源5、下等離子源6功率為3200 ，上載板7、下載板8移動速度為156cm/min,可以實現(xiàn)雙層娃片9鍍膜,上下娃片9膜層厚度均為85nm左右，折射率為2. 05左右,符合生產(chǎn)工藝要求。每層石墨板可放置娃片五排九列,雙層娃片鍍膜一次可以實現(xiàn)5*9*2 (五排九列兩層)共90片硅片的鍍膜，在相同的生產(chǎn)時間內(nèi)實現(xiàn)了產(chǎn)能翻倍。
權(quán)利要求1.一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，其特征在于，硅片載板為雙層硅片載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，其特征在于雙層硅片載板為石墨板，分為上載板和下載板，上載板設(shè)有與硅片形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片；下載板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，其特征在于上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，其特征在于上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，其特征在于排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與硅片載板處于同一水平面，排氣孔外接真空泵。
專利摘要本實用新型涉及一種太陽能電池的鍍膜設(shè)備，具體涉及一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，雙層硅片載板，上進氣孔，下進氣孔，排氣孔，上等離子源及下等離子源，真空泵，加熱裝置，該設(shè)備可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備，使得設(shè)備產(chǎn)能增大，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號C23C16/44GK202688432SQ201220230069
公開日2013年1月23日 申請日期2012年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月22日
發(fā)明者姜言森, 張春艷, 張麗麗, 杜敏, 孫繼峰, 張黎明, 劉鵬, 李玉花, 程亮, 任現(xiàn)坤, 賈河順, 徐振華, 李剛, 王兆光, 姚增輝, 張同星 申請人:山東力諾太陽能電力股份有限公司