專利名稱：一種板式pecvd鍍膜載板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅片載板，主要涉及一種在鍍膜工程中可以改善邊緣色差的娃片載板。
背景技術(shù)：
板式PECVD采用上鍍膜方式時(shí)，采用如圖I所示的載板，在載板邊沿容易使氮化硅堆積，導(dǎo)致邊沿色差；尤其是在設(shè)備維護(hù)后的運(yùn)行周期末期，邊沿色差較為嚴(yán)重。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，本實(shí)用型新提供一種板式 PECVD鍍膜載板，可以有效改善邊沿色差的問題。技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案一種板式PECVD鍍膜載板，包括載板本體2和凹槽1，所述凹槽I的內(nèi)壁呈下坡斜面3。為了使邊沿色差改善的效果達(dá)到最好，下坡斜面的高度最好為8mnTl5mm，下坡斜面與水平面的傾角優(yōu)選45° -65°。有益效果本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以避免氮化硅的堆積對(duì)等離子場淀積到硅片表面的影響，有效地改善在鍍膜過程中邊沿色差的問題。

圖I為現(xiàn)有技術(shù)板式PECVD鍍膜載板的俯視圖；圖2為圖I的主視圖；圖3為本發(fā)明板式PECVD鍍膜載板的俯視圖；圖4為圖3的主視圖；圖5為I旲厚測量不意圖；圖6為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明膜厚測量點(diǎn)差值比較圖；圖中，I、凹槽，2、載板本體，3、下坡斜面。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖3和圖4所示，本實(shí)用型新板式PECVD鍍膜載板與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于在載板本體2上的凹槽I內(nèi)壁為下坡斜面3。下坡斜面3的高度最好為8mnTl5mm，下坡斜面3與水平面的傾角優(yōu)選45° -65°，這樣可以使改善邊沿色差的效果達(dá)到最好。圖5為膜厚測試示意圖，在硅片上隨意選擇四個(gè)點(diǎn)做膜厚測試。圖6為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明膜厚測量點(diǎn)差值比較圖，▽為四個(gè)膜厚測量點(diǎn)間的差值，差值越小，說明均勻性越好，鍍膜效果越佳，由圖可見本發(fā)明的差值小于現(xiàn)有技術(shù)的差值。在凹槽的中心位置還可以設(shè)置一個(gè)凹槽或者通孔，這樣有助于硅片的鍍膜效率更
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權(quán)利要求1.一種板式PECVD鍍膜載板，包括載板本體和凹槽，其特征在于凹槽的內(nèi)壁呈下坡斜面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種板式PECVD鍍膜載板，其特征在于所述下坡斜面的傾斜高度為8mm-15mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種板式PECVD鍍膜載板，其特征在于所述下坡斜面與水平面之間的傾斜角度為45° -65°。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種板式PECVD鍍膜載板，包括載板本體和凹槽，所述凹槽的內(nèi)壁呈下坡斜面，下坡斜面的高度為8mm~15mm，斜面與水平面的傾角為45°-65°。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型可以避免氮化硅的堆積對(duì)等離子場淀積到硅片表面的影響，改善硅片在鍍膜過程中的邊沿色差問題。
文檔編號(hào)C23C16/458GK202717845SQ20122023893
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月25日
發(fā)明者姚騫, 楊懷進(jìn), 林大成, 黃勇, 王虎 申請(qǐng)人:奧特斯維能源(太倉)有限公司