專(zhuān)利名稱(chēng)：磁控濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜裝置，尤其是一種磁控濺射靶。
背景技術(shù)：
磁控濺射技術(shù)被廣泛應(yīng)用于材料表面裝飾、材料表面改性，光學(xué)器件制造，電子等多個(gè)領(lǐng)域。在生產(chǎn)中，磁控濺射儀的靶材是易耗件，需要經(jīng)常更換，是磁控濺射技術(shù)的主要成本之一,其消耗的速度直接決定了磁控濺射成本的大小。近期,本領(lǐng)域的技術(shù)人員曾對(duì)磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，以提高靶材的利用率。例如，申請(qǐng)?zhí)枮镃N200910305378. 1，名稱(chēng)為“磁控濺射靶及采用該磁控濺射靶的磁控濺射裝置”的專(zhuān)利申請(qǐng)，公開(kāi)的磁控濺射靶包括靶座、至少一個(gè)靶材、多個(gè)磁芯以及磁芯平移機(jī)構(gòu)，所述靶材固定在所述靶座上，所述多個(gè)磁芯固定在所述磁芯平移機(jī)構(gòu)上，所述每?jī)蓚€(gè)相鄰的磁芯的磁性相反。該發(fā)明中，在磁控濺射靶上設(shè)置磁芯平移機(jī)構(gòu)，使得鍍膜過(guò)程中能通過(guò)運(yùn)動(dòng)的磁場(chǎng)來(lái)控制鍍膜粒子均勻分布，從而改善鍍膜的均勻度。且通過(guò)多個(gè)磁芯的磁場(chǎng)分布，提高鍍膜粒子的撞擊次數(shù)，從而提高靶材的利用率。
又如，申請(qǐng)?zhí)枮镃N200910304378. X，名稱(chēng)為“磁控濺射靶”的專(zhuān)利申請(qǐng)，公開(kāi)的磁控濺射靶包括一個(gè)中空靶材以及一個(gè)磁靶。所述磁靶收容在所述靶材內(nèi)。所述磁靶包括一個(gè)環(huán)狀的支架以及多個(gè)條狀磁鐵。所述多個(gè)磁鐵呈放射狀地設(shè)置在所述支架上。所述支架上相鄰的兩個(gè)磁鐵的磁極相反并在多個(gè)相鄰的磁鐵之間形成多個(gè)呈花瓣?duì)罘植嫉亩鄠€(gè)磁場(chǎng)，所述多個(gè)磁場(chǎng)覆蓋靶材的內(nèi)外表面且磁場(chǎng)方向交替變化。且覆蓋靶材的內(nèi)外表面。本發(fā)明磁控濺射靶通過(guò)所述磁靶形成的多個(gè)花瓣?duì)畲艌?chǎng)覆蓋靶材內(nèi)外表面，從而使所述靶材的內(nèi)外表面均被有效利用，從而提高了靶材的使用效率。但是，由于磁芯端部為磁場(chǎng)的閉合點(diǎn)，此處的磁場(chǎng)強(qiáng)度較大，束縛的電子數(shù)量較多，濺射速率較大，此處的靶材較其他濺射部位容易消耗，引起濺射速率、沉積速率不均勻，影響鍍膜均勻度。長(zhǎng)時(shí)間使用后靶材端部形成凹槽，當(dāng)靶材端部的消耗量達(dá)到更換的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，靶材中間部位的損耗還未達(dá)到更換的標(biāo)準(zhǔn)，則將造成中間部位靶材的浪費(fèi)，減少靶材使用壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型提供了一種磁控濺射靶，能夠有效的提高靶芯中的磁芯的利用率。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的的。一種磁控濺射靶，包括靶座、至少一個(gè)靶材、靶芯，所述靶材、靶芯均設(shè)置在靶座上，其特征在于，所述靶芯包括三個(gè)磁芯，所述磁芯為12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁鐵。優(yōu)選地，所述磁芯厚度小于其他部位的厚度的端部的形狀為等腰梯形、直角梯形、三角形、橢圓型中的一種。[0010]本實(shí)用新型中，通過(guò)減小磁芯端部的厚度，降低磁芯端部處的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而使磁場(chǎng)閉合點(diǎn)處的磁場(chǎng)強(qiáng)度與其他部位的磁場(chǎng)強(qiáng)度相當(dāng)，避免因磁場(chǎng)不均勻而造成靶材濺射的不均勻。使靶材不同部位的濺射速率相當(dāng)，提高鍍膜均勻度，提高靶材的壽命達(dá)20%左右，降低靶材的消耗，降低生產(chǎn)成本。

圖1為本實(shí)用新型所述磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)圖。圖2為所述磁芯形狀幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)圖示。圖中1-靶座，2-磁芯，3-靶芯，4-靶材。
具體實(shí)施方式
為了更清楚的介紹本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。本實(shí)用新型所述的磁控濺 射靶，包括靶座1、至少一個(gè)靶材4、靶芯3，所述靶材4、靶芯3均設(shè)置在靶座I上，所述靶芯3包括三個(gè)磁芯2，所述磁芯2為12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁鐵。普通的磁芯2為8X IOX 12的長(zhǎng)方體形、12面充磁的磁鐵，利用線(xiàn)切割技術(shù)將12面充磁面切削磁鐵的端部形成厚度小的結(jié)構(gòu)。所述磁芯2厚度小于其他部位的厚度的端部的形狀為等腰梯形、直角梯形、三角形、橢圓型中的一種。本實(shí)用新型中的磁芯2的端部厚度小，降低了磁芯2端部處的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而使磁場(chǎng)閉合點(diǎn)處的磁場(chǎng)強(qiáng)度與其他部位的磁場(chǎng)強(qiáng)度相當(dāng)，避免因磁場(chǎng)不均勻而造成靶材4濺射的不均勻。使靶材4不同部位的濺射速率相當(dāng)，提高鍍膜均勻度。表I采用所述磁控濺射靶的單靶磁控濺射儀的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果
權(quán)利要求1.一種磁控濺射靶，包括靶座(I)、至少一個(gè)靶材(4)、靶芯(3)，所述靶材(4)、靶芯(3 )均設(shè)置在靶座(I)上，其特征在于，所述靶芯(3 )包括三個(gè)磁芯(2 )，所述磁芯(2 )為12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁鐵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶，其特征在于，所述磁芯(2)厚度小于其他部位的厚度的端部的形狀為等腰梯形、直角梯形、三角形、橢圓型中的一種。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種磁控濺射靶，包括靶座、至少一個(gè)靶材、靶芯，所述靶材、靶芯均設(shè)置在靶座上，其特征在于，所述靶芯包括三個(gè)磁芯，所述磁芯為12面充磁、且一端端部的厚度小于其他部位厚度的磁鐵。本實(shí)用新型通過(guò)將磁芯端部的厚度減小，降低磁芯端部的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而使磁場(chǎng)閉合點(diǎn)處的磁場(chǎng)強(qiáng)度與其他部位的磁場(chǎng)強(qiáng)度相當(dāng)，避免因磁場(chǎng)不均勻而造成靶材濺射的不均勻。使靶材不同部位的濺射速率相當(dāng)，提高鍍膜均勻度，提高靶材的壽命達(dá)20％左右，降低靶材的消耗，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)C23C14/35GK202865323SQ20122043965
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月30日
發(fā)明者王君久, 陳國(guó)華, 祝世國(guó) 申請(qǐng)人:北京天普太陽(yáng)能工業(yè)有限公司