研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法及工件的研磨方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，該方法具有：在使未保持有工件的研磨頭定位到與砂布不接觸的高度方向的位置之后使研磨頭和定盤中至少一方旋轉的工序；通過高度調節(jié)機構邊使研磨頭靠近砂布直至接觸邊通過轉矩測定機構測定已旋轉的研磨頭與定盤中至少一方的負荷轉矩電流并將該所測定的負荷轉矩電流的變化量超過了規(guī)定的閾值的時刻的研磨頭的高度方向的位置作為基準位置而設定的工序；以及基于距所設定的基準位置的距離將研磨頭的高度方向的位置調節(jié)到規(guī)定位置的工序。由此提供一種能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，能夠提高所研磨的工件的平面度并能夠抑制工件之間的平面度的偏差。
【專利說明】研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法及工件的研磨方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及研磨工件的表面時所使用的研磨裝置中的用于保持工件的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法及工件的研磨方法。
【背景技術】
[0002]伴隨著近幾年的半導體器件的高集成化，用于它的半導體硅片的平面度的要求越來越嚴格。而且，為了提高半導體芯片的收獲率甚至要求晶片的邊緣附近的區(qū)域的平面性。
[0003]硅片的最終形狀由最終工序即鏡面研磨加工決定。尤其，在例如直徑為300_等的大直徑的硅片為了滿足嚴格的平面度的規(guī)格標準進行在雙面研磨的一次研磨，然后為了改進表面的瑕疵或面粗糙度而進行在單面的表面二次研磨及完工研磨。在單面的表面二次研磨及完工研磨中要求維持在雙面一次研磨中所做成的平面度并要求將表面?zhèn)茸龀蔁o瑕疵等缺陷的完全鏡面。
[0004]將通常的單面研磨裝置的概略圖表示在圖5中。該單面研磨裝置101由粘貼有砂布107的定盤106、研磨劑供給機構(未圖示)、以及研磨頭120等構成。在該單面研磨裝置101中在研磨頭120保持工件W且從研磨劑供給機構向砂布107上供給研磨劑,并且通過使定盤106和研磨頭120分別旋轉使得工件W的表面與砂布107滑動接觸而進行研磨。
[0005]作為在研磨頭保持工件的方法有利用蠟等粘接劑在平坦的圓盤狀板上粘貼工件等方法。另外，有基于抑制研磨頭主體和工件保持盤的凹凸形狀的轉印的目的在工件保持盤上粘貼稱之為包裝膜的彈性膜而保持的方法，還有以橡膠膜制作工件保持部并對該橡膠膜的背面注入空氣等加壓流體且以均勻的壓力使橡膠膜膨脹而對砂布按壓工件的所謂橡膠夾緊方式(參照例如專利文獻I )。而且，還提出有基于抑制外周部分下垂而提高平面性的目的在工件的外側配置了作為旨在按壓砂布的單元的扣環(huán)的研磨頭。
[0006]以圖解的方式在圖5中表示通常的橡膠夾緊方式的研磨頭的構成的一例。圖5所示的研磨頭120成為以覆蓋圓盤狀的中板125的至少下表面部和側面部的方式粘貼橡膠膜(橡膠材料)122，并向橡膠膜的背面供給流體而能夠按壓工件W的構造即所謂橡膠夾緊構造。
[0007]在研磨頭主體121連結有用于在研磨加工中保持工件W的側面的環(huán)形導向環(huán)123。而且，研磨頭主體121連結于高度調節(jié)機構124，成為能夠使導向環(huán)123的高度方向的位置沿上下變化的構造。這樣，保持連結于研磨頭主體121的導向環(huán)123與砂布之間的間隙一定從而穩(wěn)定地保持工件而進行研磨。
[0008]如上所述，該研磨頭的工件的加壓方式是將相對于砂布的研磨頭的高度以保持兩者的間距一定的方式固定并使研磨頭的橡膠膜膨脹而進行加壓的方式。在使用如該研磨頭所代表的使研磨頭與砂布之間的間距依舊固定的狀態(tài)下進行研磨的方式的研磨頭的情況下，有必要進行調節(jié)使得研磨頭相對于砂布的高度方向的位置每次相同。
[0009]在該高度位置未被適當?shù)卣{節(jié)的情況下所研磨的工件的平面度變差或者各研磨的位置不均勻的情況下，所研磨的工件之間取代形狀變得不均勻從而產(chǎn)生平面度的偏差。在嚴重的情況下，若間距過窄則發(fā)生砂布與導向環(huán)的接觸導致砂布受損。而且，若間距過寬則有晶片從砂布與導向環(huán)的間隙飛出的危險。
[0010]目前的研磨頭的高度調節(jié)的方法如圖5所示，使用設置于研磨頭120的安裝面附近的激光位移檢測儀130測定與砂布107之間的距離，并以該所測定的距離為基準而調節(jié)研磨頭的高度使得研磨頭與砂布之間的距離達到所希望的距離。
[0011]現(xiàn)有技術文獻
[0012]專利文獻1:特開2009 — 107094號公報
【發(fā)明內容】

[0013]發(fā)明所要解決的課題
[0014]一般來講，由于砂布的表面由研磨劑等而浸濕，即便在未浸濕的情況下也含水分，因而使用現(xiàn)有的激光位移檢測儀測定距離的方法其測定值在時間上較大地引起離散。因此，難以將研磨頭的高度方向的位置在每次進行研磨時穩(wěn)定地調節(jié)到所希望的位置，出現(xiàn)工件的平面度變差或者工件之間產(chǎn)生平面度的偏差之類的問題。
[0015]本發(fā)明是鑒于如前所述的問題而完成的，其目的在于提供一種能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向位置的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法。而且，本發(fā)明的目的在于提供一種通過高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置，從而能夠提高所研磨的工件的平面度，且能夠抑制工件之間的平面度的偏差的工件的研磨方法。
[0016]解決課題方案
[0017]為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明提供一種研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，該研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法用于研磨裝置，該研磨裝置具備:粘貼于定盤上的砂布；用于向該砂布供給研磨劑的研磨劑供給機構；以環(huán)形導向環(huán)保持工件的側面并且保持所述工件的背面的研磨頭；測定該研磨頭和所述定盤中至少一方的負荷轉矩電流的轉矩測定機構；以及使所述研磨頭在高度方向上下移動而調節(jié)所述導向環(huán)與所述砂布之間的距離的高度調節(jié)機構，所述研磨裝置對所述砂布按壓保持于通過所述高度調節(jié)機構調節(jié)到規(guī)定位置的所述研磨頭的所述工件而進行研磨，所述研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法的特征是具有:在使未保持有所述工件的所述研磨頭定位到與所述砂布不接觸的高度方向的位置之后，使所述研磨頭和所述定盤中至少一方旋轉的工序；通過所述高度調節(jié)機構邊使所述研磨頭靠近所述砂布直至接觸邊通過所述轉矩測定機構測定所述已旋轉的研磨頭與所述定盤的至少一方的負荷轉矩電流，并將該所測定的負荷轉矩電流的變化量超過了規(guī)定的閾值的時刻的所述研磨頭的高度方向的位置作為基準位置而設定的工序；以及基于距所述所設定的基準位置的距離將所述研磨頭的高度方向的位置調節(jié)到規(guī)定位置的工序。
[0018]根據(jù)這種調節(jié)方法，能夠準確地測定研磨頭與砂布接觸的位置而作為基準位置，并基于距所測定的準確的基準位置的距離能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置。
[0019]此時，能夠使已知且具有均勻的厚度的薄板狀部件介于中間而進行設定所述基準位置的工序中的所述研磨頭對所述砂布的接觸。
[0020]這樣一來，能夠可靠地抑制因砂布與研磨頭接觸而產(chǎn)生的對砂布的損壞。
[0021]而且此時，作為所述研磨頭，能夠在研磨頭主體的下部具有圓盤狀的中板和保持于該中板且至少覆蓋所述中板的下表面部和側面部的橡膠膜，并在該橡膠膜的下表面部使用保持所述工件的背面的橡膠夾緊方式的研磨頭。
[0022]本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法能夠適宜地適用于具有固定研磨頭相對于砂布的高度使得兩者的間距一定從而相當平坦地研磨工件的橡膠夾緊方式的研磨頭的研磨裝置上。
[0023]而且，根據(jù)本發(fā)明提供一種工件的研磨方法，該工件的研磨方法是以研磨頭保持工件且邊對粘貼于定盤上的砂布供給研磨劑邊對所述砂布按壓所述工件而進行研磨的工件的研磨方法，該工件的研磨方法的特征是在通過本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法調節(jié)所述研磨頭的高度方向的位置之后進行所述工件的研磨。
[0024]根據(jù)這種研磨方法，通過本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法能夠在高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置之后進行工件的研磨，并能夠提高工件的平面度，且能夠抑制工件之間的平面度的偏差。
[0025]發(fā)明效果
[0026]本發(fā)明由于在調節(jié)研磨裝置中的研磨頭的高度方向的位置時，通過高度調節(jié)機構邊使研磨頭靠近所述砂布直至接觸邊通過轉矩測定機構測定研磨頭與定盤的至少一方的負荷轉矩電流，并將該所測定的負荷轉矩電流的變化量超過了規(guī)定的閾值的時刻的所述研磨頭的高度方向的位置作為基準位置而設定，并基于距該所設定的基準位置的距離將研磨頭的高度方向的位置調節(jié)到規(guī)定位置，因此，能夠準確地測定研磨頭與砂布接觸的位置而作為基準位置，并基于距所測定的準確的基準位置的距離能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置。這樣，在穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置之后研磨工件，因而能夠改進工件的平面度，且能夠抑制工件之間的平面度的偏差。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1是說明本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法和工件的研磨方法的概略圖。
[0028]圖2是表示橡膠夾緊方式的研磨頭的一例的概略圖。
[0029]圖3是表示實施例中所測定的負荷轉矩電流的變化量的圖。
[0030]圖4是表示測定了比較例中的研磨頭與砂布之間的距離的結果圖。
[0031]圖5是說明現(xiàn)有研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法的概略圖。
【具體實施方式】
[0032]下面關于本發(fā)明說明實施方式，但本發(fā)明并不限定于此。
[0033]如上所述，在工件的研磨上使用以依舊固定了研磨頭與砂布之間的狀態(tài)下進行研磨的方式的研磨頭的情況下，有必要準確地調節(jié)研磨頭相對于砂布的高度位置，且有必要進一步進行調節(jié)使得每次進行研磨時均同。
[0034]但現(xiàn)有的調節(jié)方法以使用激光位移檢測儀測定的研磨頭與砂布之間的距離為基準而調節(jié)研磨頭的高度以期研磨頭與砂布之間距離成為所希望的距離，而砂布上的水分或砂布的膨潤等的影響成為使用激光位移檢測儀測定距離時的干擾，因而存在導致產(chǎn)生偏差之類的問題。[0035]于是，本發(fā)明人為了解決這種問題重復進行了專心研究。其結果，通過觀察研磨頭或定盤的負荷轉矩電流，具體來講通過特定負荷轉矩電流急劇變化的研磨頭的位置，想出了能夠準確地測定研磨頭與砂布接觸的位置并將該準確地測定的接觸位置設定為基準位置從而能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向位置的方案，并完成了本發(fā)明。
[0036]下面邊參照附圖邊具體地說明本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法和工件的研磨方法，但本發(fā)明并不限定于此。
[0037]圖1是說明本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法和工件的研磨方法的概略圖。
[0038]圖1所示的研磨裝置I主要具有研磨頭2、定盤6、粘貼于定盤6上的砂布7、用于對砂布7供給研磨劑的研磨劑供給機構5、分別測定研磨頭2、定盤6的負荷轉矩電流的轉矩測定機構8a、8b。
[0039]在研磨頭2上以向砂布側突出的方式沿外周部設有環(huán)形導向環(huán)3，以導向環(huán)3能夠保持工件W的側面并保持工件W的背面。
[0040]而且，研磨裝置I具有使研磨頭2在高度方向上下移動而調節(jié)導向環(huán)3與砂布7之間的距離的高度調節(jié)機構4。
[0041]此時，作為保持工件W的研磨頭2能夠使用例如后述的橡膠夾緊方式中的研磨頭?；蛘?，還能使用通過密封墊保持工件W的背面且通過設置于研磨頭的開口從工件W的背面?zhèn)瘸蛏安紓葒姵隽黧w而對工件W加壓那樣的研磨頭。
[0042]圖2是表示了橡膠夾緊方式的研磨頭的一例的概略圖。
[0043]該研磨頭20主要具有研磨頭主體21、橡膠膜22、環(huán)形導向環(huán)23、高度調節(jié)機構
24、圓盤狀的中板25。橡膠膜22由中板25而以至少覆蓋中板25的下表面部和側面部的方式被夾持。工件W的背面由該橡膠膜22的下表面部所保持。
[0044]中板25固定于凸緣構造的研磨頭主體21。沿工件W的外周配置有用于研磨加工中保持工件W的側面的導向環(huán)23，該導向環(huán)23連結于研磨頭主體21。做成由于流體通過壓力調節(jié)機構27而供給到由橡膠膜22所密封的密封空間部26使得該橡膠膜22膨脹從而所保持的工件W的背面承受載荷的構造。
[0045]如圖1所示，在利用這種研磨裝置I研磨工件W時，首先以研磨頭2保持工件W。此后，以高度調節(jié)機構4將研磨頭2調節(jié)到規(guī)定位置，即、使砂布7與導向環(huán)3僅隔開規(guī)定的距離地調節(jié)研磨頭2的高度方向的位置。而且，在將研磨頭2固定在所調節(jié)的位置的狀態(tài)下使所保持的工件W對砂布7按壓而進行研磨。
[0046]本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法是調節(jié)這種研磨裝置中的研磨頭的高度方向位置的方法。
[0047]下面參照圖1詳細說明本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法。
[0048]首先，在未保持工件W的狀態(tài)下，使研磨頭2定位于與砂布7不接觸的高度方向的位置。此后，使研磨頭2和定盤6的至少一方旋轉。這里使之旋轉的一方只要與后述的負荷轉矩電流測定的一方對應則可以是研磨頭2和定盤6的雙方還可以是其中一方。
[0049]接著，在使研磨頭2和定盤6的至少一方旋轉的狀態(tài)下，通過高度調節(jié)機構4使研磨頭2靠近砂布7直至接觸。即、朝向下方進給研磨頭2使得研磨頭2的最下端的部位即導向環(huán)3與砂布7接觸。此時理想的是調節(jié)進給速度以防砂布7因與導向環(huán)3接觸而受損。[0050]或者，還能夠使已知且具有均勻的厚度的薄板狀部件介于中間進行研磨頭2對砂布7的接觸。這樣一來，能夠可靠地抑制因砂布與研磨頭接觸而產(chǎn)生的對砂布的損壞，且由于薄板狀部件是已知且具有均勻的厚度，因而也不會對研磨頭的高度方向位置的調節(jié)帶來不良影響。
[0051]而且，在使研磨頭2靠近砂布7期間利用轉矩測定機構8a、8b分別測定旋轉的研磨頭2和定盤6的至少一方的負荷轉矩電流。而且，將該所測定的負荷轉矩電流的變化量超過了規(guī)定的閾值的時刻即能夠判斷為研磨頭2已與砂布7接觸時的研磨頭2的高度方向的位置作為基準位置而設定。這里，就判定負荷轉矩電流的變化量是否超過了規(guī)定的閾值而言，可以是研磨頭和定盤中任意一方還可以是雙方超過了閾值的時刻。
[0052]通過如上所述那樣設定研磨頭與砂布接觸的位置即基準位置即可準確地設定基準位置而不會每次測定時產(chǎn)生偏差。
[0053]基于距如此準確地設定的基準位置的距離將研磨頭2的高度方向的位置調節(jié)到規(guī)定的位置。利用這種本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法則基于距準確而無偏差地測定的基準位置的距離即可比現(xiàn)有技術更穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置。
[0054]下面邊參照圖1邊說明本發(fā)明的工件的研磨方法。
[0055]首先，按照上述的本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法進行至基準位置的設定。設定該基準位置完畢，以研磨頭2保持研磨的工件W。而且，基于距所設定的基準位置的距離將研磨頭2的高度方向的位置調節(jié)到規(guī)定位置。
[0056]這里，能夠將研磨頭2的高度方向的規(guī)定位置定為例如導向環(huán)與砂布之間的距離成為工件的厚度的25?45%的位置。這樣一來，能夠防止因導向環(huán)與砂布之間的距離過短所引起的研磨劑的供給不足而產(chǎn)生的研磨速度的降低，而且，能夠防止出現(xiàn)距離過長的情況下在研磨加工中無法保持工件的現(xiàn)象。
[0057]此后，使研磨頭和定盤以規(guī)定的研磨條件旋轉，并對粘貼于定盤上的砂布供給研磨劑的同時對砂布按壓工件W而進行研磨。該研磨條件并不是特別地限定的，可以是通常采用的任一條件。
[0058]此時，作為研磨頭能夠使用如上述的圖2所示的橡膠夾緊方式的研磨頭。若在將研磨頭固定在所希望的高度方向的位置而穩(wěn)定地保持工件并能夠對工件整體施加均勻的研磨載荷而進行工件研磨的橡膠夾緊方式的研磨頭上適用能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置的本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，則能夠穩(wěn)定地研磨平面度進一步改進的工件。
[0059]實施例
[0060]下面示出本發(fā)明的實施例和比較例來進一步具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些。
[0061](實施例)
[0062]按照本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法和工件的研磨方法研磨了工件并對其平面度進行了評價。
[0063]使用作為研磨頭具有如圖2所示的橡膠夾緊方式的研磨頭的如圖1所示的研磨裝置研磨了 100張直徑為300mm的硅片，并對平面度的最大值、最小值、平均值、偏差分別進行了評價。而且，平面度是使用KLA公司的Wafersight對除了 2mm外周部的區(qū)域的GBIR(Global Backside Ideal Range)進行了評價。
[0064]首先，按照本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法對研磨頭的高度方向的位置進行了調節(jié)使得研磨頭的導向環(huán)與砂布的表面之間的距離成為190 μ m。
[0065]此時，僅使定盤旋轉而測定了定盤的負荷轉矩電流。圖3是表示該所測定的負荷轉矩電流的變化量與將所設定的基準位置為O時的研磨頭的高度方向的位置的圖。如圖3所示，負荷轉矩電流的變化量急劇變化，將超過了閾值2 (任意單位)的時刻的研磨頭的高度方向的位置作為基準位置。
[0066]接著，將研磨頭的高度方向的位置調節(jié)到距上述基準位置為190 μ m的上方之后進行了硅片的研磨。這里研磨條件設為如下。作為研磨劑使用含有膠態(tài)二氧化硅的堿性溶液，砂布使用了具有槽構造且浸潰了聚氨酯的無紡布。使研磨頭和定盤各自以30rpm旋轉，研磨載荷為25kPa，研磨時間為100秒。
[0067]對于100張硅片重復進行了上述的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)和硅片的研磨，并評價了其平面度。
[0068]其結果如表I所示，GBIR的最大值為120nm、最小值為88nm、平均值為103nm，這與最大值為164nm、最小值為91nm、平均值為120nm的后述的比較例相比可知有改進。而且，在實施例中最大值與最小值之差為32nm，與此相比，在后述的比較例中甚至為73nm，因而偏差也有了改進?？烧J為這是由于在每次研磨中調節(jié)研磨頭的高度方向的位置時能夠穩(wěn)定而高精度地調節(jié)到規(guī)定位置之故。
[0069]這樣，確認出根據(jù)本發(fā)明的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法和工件的研磨方法即可穩(wěn)定而高精度地調節(jié)研磨頭的高度方向的位置，并可改進研磨的工件的平面度，且能夠抑制工件之間的平面度的偏差。
[0070](比較例)
[0071]在如圖5所示的現(xiàn)有的研磨裝置使用激光位移檢測儀調節(jié)了研磨頭的高度方向的位置之后以與實施例相同的研磨條件對硅片進行了研磨，且以此對100張硅片重復進行了研磨，并與實施例相同地進行了評價。
[0072]圖4表示了使用激光位移檢測儀測定了研磨頭與砂布之間的距離的結果。圖4示出了每次進行研磨時所測定的研磨頭與砂布之間的距離的隨時間變化的情形。如圖4所示，可知距離隨時間的經(jīng)過而較大地變化。
[0073]而且，表I表示平面度的測定結果。如表I所示，GBIR最大值為164nm、最小值為91nm、平均值為120nm，這遠不如實施例?？烧J為這是由于因激光位移檢測儀而引起的研磨頭與砂布之間的距離的測定誤差而不能將研磨頭高精度地調節(jié)到適宜的位置之故。而且與實施例相比，最大值與最小值之差甚至也相差到73nm?？烧J為這是由于每次進行研磨時的研磨頭的位置調節(jié)中產(chǎn)生了偏差之故。
[0074]表I
[0075]
【權利要求】
1.一種研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，該研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法用于研磨裝置，該研磨裝置具備:粘貼于定盤上的砂布；用于向該砂布供給研磨劑的研磨劑供給機構；以環(huán)形導向環(huán)保持工件的側面并且保持所述工件的背面的研磨頭；測定該研磨頭和所述定盤中至少一方的負荷轉矩電流的轉矩測定機構；以及使所述研磨頭在高度方向上下移動而調節(jié)所述導向環(huán)與所述砂布之間的距離的高度調節(jié)機構，所述研磨裝置對所述砂布按壓保持于通過所述高度調節(jié)機構調節(jié)到規(guī)定位置的所述研磨頭的所述工件而進行研磨，所述研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法其特征在于，具有: 在使未保持有所述工件的所述研磨頭定位到與所述砂布不接觸的高度方向的位置之后，使所述研磨頭和所述定盤中至少一方旋轉的工序； 通過所述高度調節(jié)機構邊使所述研磨頭靠近所述砂布直至接觸邊通過所述轉矩測定機構測定所述已旋轉的研磨頭與所述定盤中至少一方的負荷轉矩電流，并將該所測定的負荷轉矩電流的變化量超過了規(guī)定的閾值的時刻的所述研磨頭的高度方向的位置作為基準位置而設定的工序；以及 基于距所述所設定的基準位置的距離將所述研磨頭的高度方向的位置調節(jié)到規(guī)定位置的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，其特征在于， 使已知且具有均勻的厚度的薄板狀部件介于中間而進行設定所述基準位置的工序中的所述研磨頭對所述砂布的接觸。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法，其特征在于， 作為所述研磨頭，在研磨頭主體的下部具有圓盤狀的中板和保持于該中板且至少覆蓋所述中板的下表面部和側面部的橡膠膜，并在該橡膠膜的下表面部使用保持所述工件的背面的橡膠夾緊方式的研磨頭。
4.一種工件的研磨方法，該工件的研磨方法是以研磨頭保持工件且邊對粘貼于定盤上的砂布供給研磨劑邊對所述砂布按壓所述工件而進行研磨的工件的研磨方法，該工件的研磨方法其特征在于， 在通過根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的研磨頭的高度方向位置的調節(jié)方法調節(jié)所述研磨頭的高度方向的位置之后進行所述工件的研磨。
【文檔編號】B24B37/10GK103534064SQ201280023780
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年4月25日 優(yōu)先權日:2011年5月27日
【發(fā)明者】荒谷崇 申請人:信越半導體株式會社