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      拋光墊的制作方法

      文檔序號(hào):3287700閱讀:190來(lái)源:國(guó)知局
      拋光墊的制作方法
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種拋光墊,其能夠防止?jié){料泄漏,并且具有優(yōu)異的光學(xué)檢測(cè)精度。其特征在于,依次層疊有拋光區(qū)、緩沖層、以及支撐膜,在貫通拋光區(qū)以及緩沖層的開(kāi)口部?jī)?nèi)且在支撐膜上設(shè)置有透光區(qū),所述透光區(qū)在拋光平臺(tái)側(cè)的表面具有周?chē)亢桶枷莶?,在所述周?chē)繉盈B有支撐膜,在所述凹陷部處并未層疊支撐膜而是形成開(kāi)口。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】拋光墊
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及在通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)使半導(dǎo)體晶片等被拋光體表面的凹凸平坦化時(shí)使用的拋光墊,具體涉及具有用于通過(guò)光學(xué)手段來(lái)檢測(cè)拋光情況等的窗口(透光區(qū)域)的拋光墊、以及使用該拋光墊的半導(dǎo)體設(shè)備的制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在制造半導(dǎo)體裝置時(shí),進(jìn)行在半導(dǎo)體晶片(以下稱(chēng)為晶片)的表面形成導(dǎo)電膜,通過(guò)光刻、蝕刻等形成布線(xiàn)層的步驟,和在布線(xiàn)層上形成層間絕緣膜的步驟等,通過(guò)這些步驟在晶體表面產(chǎn)生由金屬等導(dǎo)電體或絕緣體組成的凹凸。近年來(lái),為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的高密度化,正在進(jìn)行布線(xiàn)微細(xì)化或多層布線(xiàn)化,與此同時(shí),使晶片表面的凹凸平坦化的技術(shù)變得很重要。
      [0003]作為使晶片表面凹凸平坦化的方法,通常采用CMP法。CMP是在將晶片的被拋光面壓在拋光墊的拋光面上的狀態(tài)下,使用磨粒分散的漿料狀拋光劑(以下稱(chēng)為漿料)進(jìn)行拋光的技術(shù)。
      [0004]CMP通常使用的拋光裝置,例如,如圖1所示,具有支撐拋光墊I的拋光平臺(tái)2、支撐被拋光體(晶片等)4的支撐臺(tái)(拋光頭)5、用于對(duì)晶片進(jìn)行均勻加壓的襯材、和拋光劑3的供給設(shè)備。拋光墊I例如通過(guò)用雙面膠帶粘合而安裝在拋光平臺(tái)2。拋光平臺(tái)2和支撐臺(tái)5以使各自支撐的拋光墊I和被拋光體4相對(duì)的方式配置,并分別具有旋轉(zhuǎn)軸6、7。此夕卜,在支撐臺(tái)5的一側(cè),還設(shè)置了用于將被拋光體4壓在拋光墊I上的加壓設(shè)備。
      [0005]在進(jìn)行這類(lèi)CMP時(shí),存在晶片表面平坦度的判定問(wèn)題。即,需要檢測(cè)出達(dá)到所需表面特性或平面狀態(tài)的時(shí)刻。現(xiàn)有技術(shù)中,關(guān)于氧化膜的膜厚或拋光速度等,定期處理試驗(yàn)晶片并確認(rèn)結(jié)果后才對(duì)將成為產(chǎn)品的晶片進(jìn)行拋光處理。
      [0006]然而,這種方法中,會(huì)浪費(fèi)處理試驗(yàn)晶片的時(shí)間和成本,此外,對(duì)于完全未進(jìn)行預(yù)處理的試驗(yàn)晶片和產(chǎn)品晶片,根據(jù)CMP特有的加載效果,拋光效果也不同,如果不實(shí)際上對(duì)產(chǎn)品晶片進(jìn)行處理,則難以正確預(yù)測(cè)處理結(jié)果。
      [0007]因此,最近為了解決上述問(wèn)題,希望采用在進(jìn)行CMP過(guò)程時(shí)可當(dāng)場(chǎng)檢測(cè)出獲得所需表面特性或厚度的時(shí)刻的方法。關(guān)于這種檢測(cè),可使用各種各樣的方法,但因?yàn)闇y(cè)定精度或非接觸測(cè)定的空間分辨率方面,光學(xué)檢測(cè)手段正在成為主流。
      [0008]光學(xué)檢測(cè)手段,具體而言,是指通過(guò)窗口(透光區(qū)域)越過(guò)拋光墊向晶片照射光束,通過(guò)監(jiān)測(cè)由其反射產(chǎn)生的干涉信號(hào)來(lái)檢測(cè)拋光終點(diǎn)的方法。
      [0009]在此方法中,監(jiān)測(cè)晶片的表面層的厚度變化,通過(guò)知道表面凹凸的近似的深度而決定終點(diǎn)。在這種厚度變化與凹凸深度相等的時(shí)刻,結(jié)束CMP過(guò)程。另外,關(guān)于這類(lèi)根據(jù)光學(xué)手段檢測(cè)拋光終點(diǎn)的方法以及該方法中使用的拋光墊,已經(jīng)提出了各種各樣的方案。
      [0010]另一方面,還提出了不使?jié){料從拋光區(qū)和透光區(qū)的邊界(接縫)泄漏出來(lái)的方案(專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2)。
      [0011]另外,公開(kāi)了為了防止?jié){料泄漏,在上層墊和下層墊之間配置上下表面涂布有粘合劑的透明膜的方法(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。但是,若透光區(qū)和透明膜之間存在粘合層,有可能因透光率降低導(dǎo)致光學(xué)檢測(cè)精度也降低。
      [0012]另外,公開(kāi)了為了防止?jié){料泄漏,將拋光層和多孔子墊層層疊,在拋光層以及多孔子墊層的內(nèi)部開(kāi)口內(nèi)設(shè)置有透光性窗口,在所述多孔子墊層以及透光性窗口的下表面粘合有感壓粘合劑層的拋光墊(專(zhuān)利文獻(xiàn)4)。但是,若透光性窗口的下表面存在感壓粘合劑層,會(huì)發(fā)生與所述相同的問(wèn)題。
      [0013]另外,公開(kāi)了為了防止?jié){料泄漏,并且提高光學(xué)檢測(cè)精度,在透光區(qū)和透明支撐膜之間設(shè)置空間部的長(zhǎng)條拋光墊(專(zhuān)利文獻(xiàn)5)。但是,若透光區(qū)的下面存在透明支撐膜,會(huì)發(fā)生與所述相同的問(wèn)題。
      [0014]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn):
      [0015]專(zhuān)利文獻(xiàn)
      [0016]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本國(guó)特開(kāi)2001-291686號(hào)公報(bào)
      [0017]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本國(guó)特表2003-510826號(hào)公報(bào)
      [0018]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本國(guó)特開(kāi)2003-68686號(hào)公報(bào)
      [0019]專(zhuān)利文獻(xiàn)4:日本國(guó)特開(kāi)2010-99828號(hào)公報(bào)
      [0020]專(zhuān)利文獻(xiàn)5:日本國(guó)特開(kāi)2008-101089號(hào)公報(bào)

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0021]發(fā)明要解決的課題
      [0022]本發(fā)明的目的在于提供一種拋光墊,其能夠防止?jié){料泄漏,并且具有優(yōu)異的光學(xué)檢測(cè)精度。
      [0023]解決課題的方法
      [0024]本案發(fā)明人為解決上述問(wèn)題進(jìn)行反復(fù)仔細(xì)研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過(guò)以下所示的拋光墊可實(shí)現(xiàn)上述目的,從而完成本發(fā)明。
      [0025]即,本發(fā)明涉及一種拋光墊,為依次層疊有拋光區(qū)、緩沖層、以及支撐膜的拋光墊,其特征在于,
      [0026]在貫通拋光區(qū)以及緩沖層的開(kāi)口部?jī)?nèi)且在支撐膜上設(shè)置有透光區(qū),所述透光區(qū)在拋光平臺(tái)側(cè)的表面具有周?chē)亢桶枷莶?,在所述周?chē)繉盈B有支撐膜,在所述凹陷部處并未層疊支撐膜而是形成開(kāi)口。
      [0027]優(yōu)選地,在所述凹陷部的側(cè)面設(shè)置有被覆構(gòu)件。另外,優(yōu)選地,所述被覆構(gòu)件通過(guò)把層疊在周?chē)康闹文さ亩瞬空蹚澏纬伞S纱?,能夠可靠地防止?jié){料泄漏。
      [0028]另外,本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法,其包含使用所述拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行拋光的步驟。
      [0029]發(fā)明的效果
      [0030]由于本發(fā)明的拋光墊具有在透光區(qū)的拋光平臺(tái)側(cè)表面設(shè)置的周?chē)恳约霸诰彌_層的拋光平臺(tái)側(cè)表面層疊的支撐膜的結(jié)構(gòu),因此,即使發(fā)生漿料從拋光區(qū)和透光區(qū)的邊界、以及緩沖層和透光區(qū)的邊界泄漏的情況,也能夠通過(guò)支撐膜防止?jié){料泄漏。另外,由于在透光區(qū)的拋光平臺(tái)側(cè)表面設(shè)置有凹陷部,在該凹陷部中并未層疊粘合劑層以及膜等構(gòu)件而是形成開(kāi)口,因此,能夠防止透光率的降低,由此能夠提高光學(xué)檢測(cè)精度。另外,能夠?qū)⒐鈱W(xué)檢測(cè)裝置從拋光平臺(tái)的表面突出,靠近透光區(qū)的凹陷部?jī)?nèi)。由此,能夠縮短被拋光體(晶片)和光學(xué)檢測(cè)裝置的距離,因此,能夠進(jìn)一步提高光學(xué)檢測(cè)精度。
      【專(zhuān)利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0031]圖1是表示CMP拋光中所使用的拋光裝置的一例的示意結(jié)構(gòu)圖。
      [0032]圖2是表示本發(fā)明的拋光墊結(jié)構(gòu)的一例的示意剖面圖。
      [0033]圖3是表示本發(fā)明的拋光墊結(jié)構(gòu)的另一例的示意剖面圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0034]圖2是表示本發(fā)明的拋光墊的結(jié)構(gòu)的一例的示意剖面圖。如圖2所示,就本發(fā)明的拋光墊I而言,拋光區(qū)8、緩沖層11、以及支撐膜12依次層疊,在貫通拋光區(qū)8以及緩沖層11的開(kāi)口部10內(nèi)且在支撐膜12上設(shè)置有透光區(qū)9。就透光區(qū)9而言,在拋光平臺(tái)側(cè)表面具有周?chē)?3和凹陷部14,在周?chē)?3層疊有支撐膜12,在凹陷部14處并未層疊支撐膜12而是形成開(kāi)口。
      [0035]對(duì)于形成透光區(qū)9的材料沒(méi)有特殊限制,但優(yōu)選使用在進(jìn)行拋光的狀態(tài)下可進(jìn)行高精度的光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)、并在波長(zhǎng)為400-700nm的整個(gè)范圍內(nèi)透光率為20%以上的材料,進(jìn)一步優(yōu)選透光率為50%以上的材料。作為這類(lèi)材料,可以列舉例如聚氨酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂和丙烯酸樹(shù)脂等的熱固性樹(shù)脂,聚氨酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、纖維素類(lèi)樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、齒素類(lèi)樹(shù)脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、聚苯乙烯和烯烴類(lèi)樹(shù)脂(聚乙烯、聚丙烯等)等熱塑性樹(shù)脂,丁二烯橡膠或異戊二烯橡膠等橡膠,通過(guò)紫外線(xiàn)或電子束等光而固化的光固化樹(shù)脂,以及光敏樹(shù)脂等。這些樹(shù)脂可單獨(dú)使用,也可將兩種以上結(jié)合使用。
      [0036]在透光區(qū)9上所使用的材料優(yōu)選為與拋光區(qū)8所使用的材料相比可磨性相同或更大的材料??赡バ允侵冈趻伖膺^(guò)程中,由被拋光體或修整物(卜'' > '7寸一)削磨的程度。在上述情況中,不使透光區(qū)9從拋光區(qū)8的表面突出,便可防止對(duì)被拋光體的劃傷或拋光過(guò)程中的檢測(cè)(于''f \ y夕)誤差。
      [0037]另外,優(yōu)選使用在拋光區(qū)8的形成中所使用的材料,或與拋光區(qū)8的物性類(lèi)似的材料。特別地,優(yōu)選使用可通過(guò)在拋光過(guò)程中的修整瘢痕抑制透光區(qū)9的光散射的具有高耐磨性的聚氨酯樹(shù)脂。
      [0038]所述聚氨酯樹(shù)脂可由異氰酸酯組分、多元醇組分(高分子量多元醇、低分子量多元醇等)和擴(kuò)鏈劑組成。
      [0039]作為異氰酸酯組分,可以列舉2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、2,2’ - 二苯甲烷二異氰酸酯、2,4’ - 二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’ - 二苯甲烷二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、對(duì)苯二異氰酸酯、間苯二異氰酸酯、對(duì)二甲苯二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯、1,6-己二異氰酸酯、1,4-環(huán)己烷二異氰酸酯、4,4’ - 二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等。這些化合物可單獨(dú)使用,也可將兩種以上結(jié)合使用。
      [0040]作為高分子量多元醇,可以列舉聚四亞甲基醚二醇代表的聚醚多元醇、聚己二酸丁二醇酯代表的聚酯多元醇、聚己內(nèi)酯多元醇、用聚己內(nèi)酯等聚酯二醇和碳酸亞烷基酯的反應(yīng)物等例示的聚酯聚碳酸酯多元醇、碳酸亞乙酯與多元醇反應(yīng)之后使得到的反應(yīng)混合物與有機(jī)二元羧酸反應(yīng)所得的聚酯聚碳酸酯多元醇、和通過(guò)多羥基化合物與芳基碳酸酯的酯交換反應(yīng)得到的聚碳酸酯多元醇等。這些化合物可單獨(dú)使用,也可將兩種以上結(jié)合使用。
      [0041]此外,除了上述作為多元醇的高分子量多元醇之外,還可結(jié)合使用乙二醇、
      I,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4- 丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、1,4-環(huán)己烷二甲醇、3-甲基-1,5-戊二醇、二甘醇、三甘醇、1,4-雙(2-羥基乙氧基)苯等低分子量多元醇。
      [0042]作為擴(kuò)鏈劑,可以列舉乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4- 丁二醇、1,6_己二醇、新戊二醇、1,4-環(huán)己烷二甲醇、3-甲基-1,5-戊二醇、二甘醇、三甘醇、1,4-雙(2-羥基乙氧基)苯等低分子量多元醇類(lèi),或2,4-甲苯二胺、2,6-甲苯二胺、3,5- 二乙基-2,4-甲苯二胺、4,4’ - 二-仲丁基-二氨基二苯基甲燒、4,4’ - 二氨基二苯基甲燒、3,3’ -二氯-4,4’ - 二氨基二苯基甲燒、2,2’ 3,3’ -四氯-4,4’ - 二氨基二苯基甲燒、4,4’ - 二氨基-3,3’ - 二乙基-5,5’ - 二甲基二苯基甲烷、3,3’ - 二乙基-4,4’ - 二氨基二苯基甲烷、4,4’ -亞甲基-雙-甲基鄰氨基苯甲酸酯、4,4’ -亞甲基-雙-鄰氨基苯甲酸、4,4’ - 二氨基二苯基諷、N, N’ - 二-仲丁基_對(duì)苯二胺、4,4’ -亞甲基_雙(3_氣_2,6- 二乙基苯胺)、
      4,4’-亞甲基雙(鄰氣苯胺)、3,3’- 二氣-4,4’- 二氛基-5,5’- 二乙基二苯基甲燒、1,2-雙(2-氨基苯基硫代)乙烷、二對(duì)氨基苯甲酸丙二醇酯、3,5-雙(甲基硫代)-2,4-甲苯二胺等例示的多胺類(lèi)。它們可以使用一種、也可以將兩種以上混合使用。但是,多胺類(lèi)本身可著色,因此使用其的樹(shù)脂發(fā)生著色的情況較多,因此優(yōu)選以不損害物性或透光性的程度進(jìn)行混合。此外,如果使用含有芳族烴基的化合物,則在短波長(zhǎng)側(cè)的透光率有下降的趨勢(shì),因此特別優(yōu)選不使用這類(lèi)化合物。此外,將鹵素基團(tuán)或硫基團(tuán)等供電子基團(tuán)或吸電子基團(tuán)與芳香環(huán)結(jié)合的化合物的透光率有下降的趨勢(shì),因此特別優(yōu)選不使用這類(lèi)化合物。但是,在不損害短波長(zhǎng)側(cè)所需的透光性的程度下進(jìn)行混合也可。
      [0043]在所述聚氨酯樹(shù)脂中,異氰酸酯組分、多元醇組分和擴(kuò)鏈劑組分的比例可根據(jù)各自的分子量或由其制備的透光區(qū)所希望的物性等進(jìn)行適當(dāng)?shù)母淖儭O鄬?duì)于多元醇和擴(kuò)鏈劑的總官能團(tuán)(羥基+氨基)數(shù)目,有機(jī)異氰酸酯的異氰酸酯基的數(shù)目?jī)?yōu)選為0.95-1.15,進(jìn)一步優(yōu)選為0.99-1.10。所述聚氨酯樹(shù)脂可使用熔融法、溶液法等公知的氨基甲酸酯化技術(shù)而制備,但在考慮成本、工作環(huán)境等的情況下,優(yōu)選以熔融法制備。
      [0044]作為所述聚氨酯樹(shù)脂的聚合過(guò)程,預(yù)聚物法、一步法都是可以的,但從拋光時(shí)聚氨酯樹(shù)脂的穩(wěn)定性和透明度角度考慮,優(yōu)選預(yù)先由有機(jī)異氰酸酯和多元醇合成異氰酸酯封端的預(yù)聚物,然后使擴(kuò)鏈劑與其反應(yīng)的預(yù)聚物法。此外,所述預(yù)聚物的NCO重量%優(yōu)選為2-8重量%的程度、進(jìn)一步優(yōu)選為3-7重量%的程度。NCO重量%小于2重量%時(shí),因?yàn)榉磻?yīng)固化的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而產(chǎn)生產(chǎn)率降低的趨勢(shì);另一方面,NCO重量%大于8重量%時(shí),因?yàn)榉磻?yīng)速度變得過(guò)快而發(fā)生空氣夾帶等,使聚氨酯樹(shù)脂的透明度或透光率等物理特性產(chǎn)生變差的趨勢(shì)。此外,透光區(qū)有氣泡的情況下,由光散射引起的反射光的衰減變大,拋光終點(diǎn)檢測(cè)精度或膜厚度測(cè)定精度產(chǎn)生降低的趨勢(shì)。因此,為了除去這樣的氣泡而使透光區(qū)成為無(wú)發(fā)泡體,在混合所述材料前,優(yōu)選通過(guò)減壓至10托(Torr)以下而充分地除去材料中所含的氣體。此夕卜,為了在混合后的攪拌步驟中不混入氣泡,在通常使用的攪拌葉片式混合機(jī)的情況下,優(yōu)選在轉(zhuǎn)速I(mǎi)OOrpm以下進(jìn)行攪拌。此外,攪拌過(guò)程也優(yōu)選在減壓狀態(tài)下進(jìn)行。另外,由于自轉(zhuǎn)公轉(zhuǎn)式混合機(jī)即使高速旋轉(zhuǎn)也難以混入氣泡,因此使用該混合機(jī)進(jìn)行攪拌、脫泡也是優(yōu)選的方法。[0045]對(duì)于透光區(qū)9的制備方法沒(méi)有特殊限制,可通過(guò)公知方法制備。例如可以使用將通過(guò)上述方法制備的聚氨酯樹(shù)脂塊用帶鋸方式或刨機(jī)方式的切片機(jī)切割為指定厚度的方法、將樹(shù)脂注入具有指定厚度的腔室的模具中并使其固化的方法、注射模塑成形法、使用涂布技術(shù)或片材成形技術(shù)的方法。
      [0046]透光區(qū)9的一面具有周?chē)?3和凹陷部14。對(duì)于凹陷部14的形成方法沒(méi)有特殊限制,例如,可以列舉通過(guò)切削用上述方法制備的透光區(qū)的表面而形成的方法、通過(guò)注射模塑成形法或澆鑄成形法而直接制備具有凹陷部的透光區(qū)的方法等。
      [0047]對(duì)于透光區(qū)9的形狀、大小沒(méi)有特殊限制,但優(yōu)選制成與拋光區(qū)8以及緩沖層11的開(kāi)口部10相同的形狀和大小。在制備長(zhǎng)條狀的拋光墊情況下,使用長(zhǎng)條狀的透光區(qū)也可。
      [0048]周?chē)?3以及凹陷部14的形狀、大小,可考慮透光區(qū)9的形狀、大小而做適當(dāng)?shù)卣{(diào)整,但由于需要在支撐膜12上通過(guò)周?chē)?3固定透光區(qū)9,因此周?chē)?3的寬度優(yōu)選為Imm以上。
      [0049]對(duì)于透光區(qū)9的厚度沒(méi)有特殊限制,但設(shè)置在開(kāi)口部10內(nèi)時(shí)優(yōu)選調(diào)整成拋光區(qū)8的表面以下的厚度。在透光區(qū)9從拋光區(qū)8的表面突出的情況下,在拋光過(guò)程中有可能由突出的部分損傷晶片。另一方面,在過(guò)薄的情況下,在透光區(qū)9的上表面產(chǎn)生大的凹形部分而使大量漿料積存,有可能使光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)精度降低。因此,透光區(qū)9設(shè)置在開(kāi)口部10內(nèi)時(shí),拋光區(qū)8的表面和透光區(qū)9的表面的高度差優(yōu)選為500iim以下。
      [0050]對(duì)于凹陷部14的深度沒(méi)有特殊限制,為了使透光區(qū)9的壽命與拋光區(qū)8的壽命相同,優(yōu)選為緩沖層11的厚度以下。
      [0051]為了抑制光的漫反射,凹陷部14的表面粗糙度Ra優(yōu)選為10 以下。
      [0052]透光區(qū)9的Asker- D硬度優(yōu)選為30-60度。通過(guò)使用該硬度的透光區(qū),能夠抑制晶片表面劃傷的發(fā)生或透光區(qū)的變形。此外,還能抑制透光區(qū)表面?zhèn)鄣陌l(fā)生,從而可以穩(wěn)定地進(jìn)行高精度的光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)。透光區(qū)的Asker- D硬度優(yōu)選為30-50度。
      [0053]在透光區(qū)9的拋光面?zhèn)鹊谋砻?、以及凹陷?4的表面預(yù)先實(shí)施粗糙化處理也可。由此,能夠抑制使用時(shí)的透光區(qū)的透光率變化,通過(guò)與初期的透光率(光反射率)對(duì)應(yīng)的程序而進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)的情況下,能夠防止從拋光墊的使用初期到末期伴隨透光率的變化而發(fā)生的終點(diǎn)檢測(cè)錯(cuò)誤。
      [0054]作為粗糙化的方法,可以列舉例如,I)在樹(shù)脂片的一面進(jìn)行噴沙處理、紋理處理(壓紋處理)、蝕刻處理、電暈放電處理、或激光照射處理等方法,2)使用紋理加工過(guò)的模型來(lái)注射模塑成形或鑄型成形的方法,3)擠壓成形樹(shù)脂片時(shí)在一面形成圖案的方法,4)使用具有規(guī)定的表面形狀的金屬輥、橡膠輥、或壓紋輥在樹(shù)脂片的一面形成圖案的方法,以及5)使用砂紙等拋光材料進(jìn)行拋光的方法等。
      [0055]作為拋光區(qū)8的形成材料,可以列舉例如聚氨酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、鹵素類(lèi)樹(shù)脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴類(lèi)樹(shù)脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環(huán)氧樹(shù)脂和光敏樹(shù)脂等。這些材料可單獨(dú)使用,也可將兩種以上結(jié)合使用。此外,拋光區(qū)的形成材料可以是與透光區(qū)相同的組成,也可以是不同的組成,但優(yōu)選使用與在透光區(qū)使用的形成材料相同的材料。
      [0056]聚氨酯樹(shù)脂的耐磨損性?xún)?yōu)異,且通過(guò)對(duì)原料組成進(jìn)行各種變化,可容易地得到具有所需特性的聚合物,因此是作為拋光區(qū)的形成材料的特別優(yōu)選的材料。
      [0057]對(duì)于使用的異氰酸酯組分沒(méi)有特殊的限制,可以列舉例如上述異氰酸酯組分。
      [0058]對(duì)于使用的高分子多元醇沒(méi)有特殊的限制,可以列舉例如上述高分子量多元醇。此外,對(duì)于這些高分子多元醇的數(shù)均分子量沒(méi)有特殊的限制,但從得到的聚氨酯的彈性特性等的角度考慮,數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為500-2000。如果數(shù)均分子量小于500,則使用其的聚氨酯不具有足夠的彈性特性,成為脆的聚合物。因此,由這種聚氨酯制備的拋光區(qū)變得過(guò)硬,從而造成晶片表面的劃痕。此外,由于變得易磨損,從墊壽命的角度考慮也不是優(yōu)選的。另一方面,如果數(shù)均分子量大于2000,則使用其的聚氨酯變得過(guò)軟,因此由這種聚氨酯制備的拋光區(qū)具有平坦化特性變差的趨勢(shì)。
      [0059]此外,作為多元醇,除了高分子量多元醇之外,還可結(jié)合使用上述低分子量多元醇。
      [0060]作為擴(kuò)鏈劑,可以列舉4,4’ -亞甲基雙(鄰氯苯胺)(M0CA)、2,6_ 二氯-對(duì)苯二胺、4,4’ -亞甲基雙(2,3- 二氯苯胺)、3,5-雙(甲基硫代)-2,4-甲苯二胺、3,5-雙(甲基硫代)_2,6-甲苯二胺、3,5- 二乙基甲苯-2,4- 二胺、3,5- 二乙基甲苯-2,6- 二胺、二對(duì)氨基苯甲酸丙二醇酯、聚四亞甲基氧二對(duì)氨基苯甲酸酯、1,2-雙(2-氨基苯基硫代)乙烷、4,4’-二氛基_3,3’ - 二乙基-5,5’ - 二甲基二苯基甲燒、N, N’ - 二-仲丁基-4,4’ - 二氛基二苯基甲燒、4,4’ - 二氛基-3,3’ - 二乙基二苯基甲燒、4,4’ - 二氛基-3,3’ - 二乙基-5,5’ - 二甲基二苯基甲烷、4,4’ - 二氨基_3,3’ - 二異丙基-5,5’ - 二甲基二苯基甲烷、4,4’ - 二氨基-3,3’ 5,5’ -四乙基二苯基甲烷、4,4’ - 二氨基-3,3’ 5,5’ -四異丙基二苯基甲烷、間二甲苯二胺、N,N’ -二-仲丁基-對(duì)苯二胺、間苯二胺和對(duì)二甲苯二胺等例示的多胺類(lèi),或上述低分子量多元醇組分。這些材料可以使用一種,也可將兩種以上混合使用。
      [0061]在聚氨酯樹(shù)脂中,異氰酸酯組分、多元醇組分和擴(kuò)鏈劑組分的比例可根據(jù)各自的分子量和由其制備的透光區(qū)所希望的物性等進(jìn)行各種改變而得到。為了得到拋光特性?xún)?yōu)異的拋光區(qū),相對(duì)于多元醇組 分和擴(kuò)鏈劑的總官能團(tuán)(羥基+氨基)數(shù)目,異氰酸酯組分的異氰酸酯基的數(shù)目?jī)?yōu)選為0.95-1.15,進(jìn)一步優(yōu)選為0.99-1.10。
      [0062]聚氨酯樹(shù)脂可通過(guò)與上述方法相同的方法進(jìn)行制備。此外,根據(jù)需要,也可向聚氨酯樹(shù)脂添加抗氧化劑等穩(wěn)定劑、表面活性劑、潤(rùn)滑劑、顏料、固體珠或水溶性顆?;蛉橐侯w粒等填料、抗靜電劑、磨粒、其他的添加劑。
      [0063]拋光區(qū)優(yōu)選為微小發(fā)泡體。通過(guò)制成微小發(fā)泡體,能夠在表面的微孔中保持漿料,并能夠提高拋光速度。
      [0064]對(duì)于聚氨酯樹(shù)脂微小發(fā)泡的方法沒(méi)有特殊限制,可以列舉例如通過(guò)添加空心微珠的方法、機(jī)械發(fā)泡法和化學(xué)發(fā)泡法等使其發(fā)泡的方法等。此外,可結(jié)合使用各方法,但特別優(yōu)選使用作為聚烷基硅氧烷與聚醚的共聚物的硅氧烷類(lèi)表面活性劑的機(jī)械發(fā)泡法。作為該硅氧烷類(lèi)表面活性劑,可以例示SH-192、L-5340 (東夕' 々^ 一二 > v 'J ^ > (DowCorning Toray C0.,Ltd.)制造)等作為優(yōu)選的化合物。
      [0065]以下對(duì)微小氣泡類(lèi)型的聚氨酯發(fā)泡體的制備方法的實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。采用的聚氨酯發(fā)泡體的制備方法具有以下步驟。
      [0066]I)制備異氰酸酯封端的預(yù)聚物的氣泡分散液的發(fā)泡步驟
      [0067]向異氰酸酯封端的預(yù)聚物(第I組分)中添加硅氧烷類(lèi)表面活性劑,在非反應(yīng)性氣體存在的狀態(tài)下進(jìn)行攪拌,使非反應(yīng)性氣體作為微小氣泡分散而成為氣泡分散液。所述預(yù)聚物在常溫下為固體的情況下,預(yù)熱至合適的溫度、熔融后使用。
      [0068]2 )固化劑(擴(kuò)鏈劑)混合步驟
      [0069]在上述氣泡分散液中添加擴(kuò)鏈劑(第2組分),混合、攪拌后成為發(fā)泡反應(yīng)液。
      [0070]3)鑄造步驟
      [0071 ] 將上述發(fā)泡反應(yīng)液注入模具中。
      [0072]4)固化步驟
      [0073]將注入模具中的發(fā)泡反應(yīng)液加熱,使其反應(yīng)固化。
      [0074]作為用于形成微小氣泡的非反應(yīng)性氣體,優(yōu)選非可燃性氣體,具體可以例示氮?dú)?、氧氣、二氧化碳、氦氣或氬氣等惰性氣體或它們的混合氣體,使用經(jīng)干燥除去了水分的空氣在成本上也是最優(yōu)選的。
      [0075]作為使非反應(yīng)性氣體成為微小氣泡狀并分散至含有硅氧烷類(lèi)表面活性劑的異氰酸酯封端的預(yù)聚物中的攪拌設(shè)備,可沒(méi)有特殊限制地使用公知的攪拌設(shè)備,具體可以例示均化器、溶解器、雙軸行星式混合器(planetary mixer)等。對(duì)于攪拌設(shè)備的攪拌葉片的形狀沒(méi)有特殊的限制,但如果使用攪打器(whipper)型攪拌葉片,可以得到微小氣泡,因此優(yōu)選。
      [0076]此外,在攪拌步驟中制備氣泡分散液的攪拌和在混合步驟中添加擴(kuò)鏈劑后混合的攪拌,優(yōu)選使用不同的攪拌設(shè)備。特別是在混合步驟中的攪拌可以不是形成氣泡的攪拌,優(yōu)選使用不會(huì)卷入大氣泡的攪拌設(shè)備。作為這種攪拌設(shè)備,優(yōu)選為行星式混合器。攪拌步驟和混合步驟的攪拌設(shè)備可以使用相同的攪拌設(shè)備,根據(jù)需要在進(jìn)行攪拌葉片的轉(zhuǎn)速調(diào)整等攪拌條件的調(diào)整后使用也是優(yōu)選的。
      [0077]在聚氨酯發(fā)泡體的制備方法中,對(duì)發(fā)泡反應(yīng)液注入模具中并反應(yīng)至不能流動(dòng)的發(fā)泡體進(jìn)行加熱并后固化,具有使發(fā)泡體的物理特性得到改善的效果,非常優(yōu)選。也可為通過(guò)將發(fā)泡反應(yīng)液注入模具中后立即放入加熱烘箱中來(lái)進(jìn)行后固化的條件,在這種條件下不能立即向反應(yīng)組分傳輸熱量,因此氣泡直徑不會(huì)變大。如果固化反應(yīng)是在常壓下進(jìn)行,則氣泡形狀穩(wěn)定,因此優(yōu)選。
      [0078]在聚氨酯樹(shù)脂的制備中,也可使用叔胺類(lèi)、有機(jī)錫類(lèi)等公知的促進(jìn)聚氨酯反應(yīng)的催化劑。對(duì)于催化劑的種類(lèi)和添加量,在混合過(guò)程后考慮注入指定形狀的模具的流動(dòng)時(shí)間而進(jìn)行選擇。
      [0079]聚氨酯發(fā)泡體的制備,可以為向容器中計(jì)量加入各組分并攪拌的間歇式,也可以為向攪拌設(shè)備連續(xù)地供應(yīng)各組分和非反應(yīng)性氣體并攪拌、送出氣泡分散液后制備成形品的連續(xù)生產(chǎn)式。
      [0080]聚氨酯發(fā)泡體的平均氣泡直徑優(yōu)選為30-80 μ m,更優(yōu)選為30_60 μ m。在脫離該范圍的情況下,有拋光速度降低、拋光后的被拋光材料(晶片)的平面性(平坦性)降低的趨勢(shì)。
      [0081]聚氨酯發(fā)泡體的比重優(yōu)選為0.5-1.3。比重不足0.5的情況下,有拋光區(qū)的表面強(qiáng)度降低、被拋光材料的平面性降低的趨勢(shì)。另外,大于1.3的情況下,拋光區(qū)表面的氣泡數(shù)變少,雖然平面性良好,但是拋光速度有降低的趨勢(shì)。
      [0082]聚氨酯發(fā)泡體的硬度優(yōu)選為以Asker- D硬度計(jì)測(cè)量的45-70度。Asker- D硬度不足45度的情況下,被拋光材料的平面性降低,另外,大于70度的情況下,雖然平面性良好,但是被拋光材料的均勻性(均一性)有下降的趨勢(shì)。
      [0083]拋光區(qū)8通過(guò)將如上所述制備的聚氨酯發(fā)泡體切割成指定的尺寸而制備。
      [0084]拋光區(qū)8優(yōu)選在與晶片接觸的拋光側(cè)表面上設(shè)置用于保持和更新漿料的凹凸結(jié)構(gòu)(槽或孔)。在拋光區(qū)通過(guò)微小發(fā)泡體而形成的情況下,拋光表面上有多個(gè)開(kāi)口,具有保持漿料的作用,但為了更有效地進(jìn)行漿料的保持和漿料的更新,而且為了防止由晶片的吸附導(dǎo)致的檢測(cè)誤差的誘發(fā)或晶片的破壞或拋光效率的降低,優(yōu)選在拋光側(cè)表面上具有凹凸結(jié)構(gòu)。凹凸結(jié)構(gòu)為保持和更新漿料的表面形狀即可,沒(méi)有特殊限制,可以列舉例如XY格子槽、同心圓形槽、通孔、非通孔、多邊棱柱、圓柱、螺旋形槽、偏心圓形槽、放射形槽、和這些槽的組合的形狀。此外,對(duì)于槽間距、槽寬度、槽深等也沒(méi)有特殊限制,可適當(dāng)?shù)剡x擇而形成。此夕卜,這些凹凸結(jié)構(gòu)通常具有規(guī)則性,但為了得到期望的漿料的保持和更新性,也可以每隔一定范圍改變槽間距、槽寬度、槽深等。
      [0085]對(duì)于拋光區(qū)8的厚度沒(méi)有特殊的限制,通常為0.8-4mm,優(yōu)選為1.5-2.5mm。作為制備所述厚度的拋光區(qū)的方法,可以列舉使用帶鋸方式或刨機(jī)方式的切片機(jī)將所述微小發(fā)泡體塊切割成指定厚度的方法,將樹(shù)脂注入具有指定厚度腔室的模具中使其固化的方法,和使用涂布技術(shù)或片材成形技術(shù)的方法等。
      [0086]緩沖層11補(bǔ)充拋光區(qū)的特性。在CMP中,為了兼?zhèn)涮幱谡壑嘘P(guān)系的平面性和均勻性二者,緩沖層是必須的。平面性是指,具有在圖案形成時(shí)產(chǎn)生的微小凹凸的被拋光體在進(jìn)行拋光時(shí),圖案部分的平坦性;均勻性是指被拋光體整體的均一性。通過(guò)拋光區(qū)的特性,進(jìn)行平面性改善,通過(guò)緩沖層的特性,進(jìn)行均勻性改善。在本發(fā)明的拋光墊中,優(yōu)選使用比拋光區(qū)柔軟的緩沖層。
      [0087]對(duì)于緩沖層11的形成材料沒(méi)有特殊限制,可以列舉例如聚酯無(wú)紡布、尼龍無(wú)紡布、丙烯酸無(wú)紡布等纖維無(wú)紡布,浸潰了聚氨酯的聚酯無(wú)紡布等樹(shù)脂浸潰無(wú)紡布,聚氨酯泡沫、聚乙烯泡沫等高分子樹(shù)脂發(fā)泡體,丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等橡膠性樹(shù)脂,和光敏樹(shù)月旨等。
      [0088]支撐膜12是在樹(shù)脂膜的一面或兩面設(shè)置粘合層的膜。作為樹(shù)脂膜的材料,能夠列舉例如,聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等聚酯樹(shù)脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚氟乙烯等含氟樹(shù)脂、尼龍、纖維素、聚碳酸酯等通用工程塑料、聚醚酰亞胺、聚醚醚酮、以及聚醚砜等特殊工程塑料等。作為粘合層的組成,能夠列舉例如,橡膠類(lèi)粘合齊U,丙烯酸類(lèi)粘合劑等。該粘合層是用于將支撐膜12粘合于緩沖層11或拋光平臺(tái)2,以及將透光區(qū)9的周?chē)?3粘合于支撐膜12而設(shè)置的。
      [0089]對(duì)于樹(shù)脂膜的厚度沒(méi)有特殊限制,從強(qiáng)度等角度考慮優(yōu)選為20-200 y m左右。
      [0090]對(duì)于本發(fā)明的拋光墊I的制備方法沒(méi)有特殊的限制,可以考慮多種方法,以下對(duì)具體的示例進(jìn)行說(shuō)明。
      [0091]示例 I
      [0092]粘合拋光區(qū)8和緩沖層11,然后,形成貫通拋光區(qū)8以及緩沖層11的開(kāi)口部10。之后,在緩沖層11的一面粘合支撐膜12。接著,在開(kāi)口部10內(nèi)嵌入透光區(qū)9,將透光區(qū)9的周?chē)?3粘合于支撐膜12。另外,切除與透光區(qū)9的凹陷部14對(duì)應(yīng)的部分的支撐膜12,使凹陷部14開(kāi)口。
      [0093]示例 2[0094]粘合拋光區(qū)8和緩沖層11,然后,形成貫通拋光區(qū)8以及緩沖層11的開(kāi)口部10。之后,在緩沖層11的一面粘合支撐膜12。接著,在開(kāi)口部10內(nèi)并且在支撐膜12上注入并加熱透光性樹(shù)脂組合物,通過(guò)光照射或濕氣等使其硬化從而形成透光區(qū)9。另外,切除與透光區(qū)9的凹陷部14對(duì)應(yīng)的部分的支撐膜12,凹陷部14通過(guò)切削等而形成。
      [0095]如圖3所示,在凹陷部14的側(cè)面設(shè)置被覆構(gòu)件15也可。對(duì)于設(shè)置被覆構(gòu)件15的方法沒(méi)有特殊的限制,可以列舉例如,粘合樹(shù)脂片的方法、在凹陷部的側(cè)面涂布樹(shù)脂組合物或粘合劑并使其硬化的方法等,但為了可靠地防止?jié){料泄漏,以及從制造效率的角度出發(fā),優(yōu)選把層疊在周?chē)?3處的支撐膜12的端部折彎并粘合在凹陷部14的側(cè)面的方法。
      [0096]作為粘合拋光區(qū)和緩沖層的手段,可以列舉例如,使用雙面膠帶夾住拋光區(qū)和緩沖層,進(jìn)行加壓的方法。雙面膠帶具有在無(wú)紡布或膜等基材的兩面設(shè)置有粘合層的一般結(jié)構(gòu)。作為粘合劑層的組成,可以列舉例如橡膠類(lèi)粘合劑或丙烯酸類(lèi)粘合劑等。若考慮金屬離子的含量,則優(yōu)選金屬離子含量少的丙烯酸類(lèi)粘合劑。另外,由于拋光區(qū)和緩沖層也有不同的組成,所以也可以使雙面膠帶的各粘合層的組成不同,調(diào)解各層的粘合力。
      [0097]對(duì)于在拋光區(qū)以及緩沖層形成開(kāi)口部的手段沒(méi)有特殊的限制,可以列舉例如通過(guò)使用切削工具進(jìn)行加壓或磨削而開(kāi)口的方法,通過(guò)碳酸激光等的利用激光的方法。另外,對(duì)于開(kāi)口部的大小或形狀沒(méi)有特殊限制。
      [0098]半導(dǎo)體器件經(jīng)使用所述拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行拋光的步驟而制備。半導(dǎo)體晶片一般是指,在硅晶片上層疊布線(xiàn)金屬和氧化膜而形成的材料。對(duì)于半導(dǎo)體晶片的拋光方法、拋光設(shè)備沒(méi)有特殊限制,例如可以使用如圖1所示具有支撐拋光墊I的拋光平臺(tái)2、支撐半導(dǎo)體晶片4的支撐臺(tái)5 (拋光頭)和用于對(duì)晶片進(jìn)行均勻加壓的背襯材料、以及拋光劑3的供給機(jī)構(gòu)的拋光設(shè)備等進(jìn)行。拋光墊I例如通過(guò)雙面膠帶粘合而安裝于拋光平臺(tái)2上。拋光平臺(tái)2和支撐臺(tái)5以使各自支撐的拋光墊I和半導(dǎo)體晶片4相對(duì)的方式設(shè)置,并分別具有旋轉(zhuǎn)軸6、7。此外,在支撐臺(tái)5的側(cè)面設(shè)置用于將半導(dǎo)體晶片4壓在拋光墊I上的加壓機(jī)構(gòu)。拋光時(shí),使拋光平臺(tái)2和支撐臺(tái)5旋轉(zhuǎn)的同時(shí),將半導(dǎo)體晶片4壓在拋光墊I上,一邊供給酸性漿料一邊進(jìn)行拋光。對(duì)于酸性漿料的流量、拋光負(fù)荷、拋光平臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)和晶片旋轉(zhuǎn)數(shù)沒(méi)有特殊限制,可進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
      [0099]由此,將半導(dǎo)體晶片4的表面的突出部分除去而拋光成平坦?fàn)睢F浜?,通過(guò)切割、粘結(jié)、包裝等制備半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可用于運(yùn)算處理設(shè)備或存儲(chǔ)器等。
      [0100]【實(shí)施例】
      [0101]以下,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明,但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。
      [0102][測(cè)定、評(píng)價(jià)方法]
      [0103](平均氣泡直徑測(cè)定)
      [0104]將制備的聚氨酯發(fā)泡體用切片機(jī)盡可能薄地平行切割至厚度1_以下并作為平均氣泡直徑測(cè)定用樣品。將樣品固定在載玻片上,使用SEM(S-3500N,日立科學(xué)系統(tǒng)股份有限公司)在100倍下進(jìn)行觀察。對(duì)于得到的圖像,使用圖像分析軟件(WinRoof,三谷商事股份有限公司),測(cè)定任意范圍的所有氣泡直徑,算出平均氣泡直徑。
      [0105](比重測(cè)定)
      [0106]根據(jù)JIS Z8807-1976進(jìn)行以下步驟。將制備的聚氨酯發(fā)泡體切出4cmX8.5cm的短條狀(厚度:任意)并作為比重測(cè)定用樣品,在溫度23°C ±2°C、濕度50% ±5%的環(huán)境下靜置16小時(shí)。測(cè)定時(shí)使用比重計(jì)(Sartorius公司制造)來(lái)測(cè)定比重。
      [0107](硬度測(cè)定)
      [0108]根據(jù)JIS K6253-1997進(jìn)行以下步驟。將制備的聚氨酯發(fā)泡體或透光區(qū)切出2cmX 2cm (厚度:任意)的大小并作為硬度測(cè)定用樣品,在溫度23°C ±2°C、濕度50% ±5%的環(huán)境下靜置16小時(shí)。測(cè)定時(shí),重疊樣品,使厚度為6_以上。使用硬度計(jì)(高分子計(jì)器公司制造,Asker-D型硬度計(jì))來(lái)測(cè)定硬度。
      [0109]實(shí)施例1
      [0110]〔透光區(qū)的制備〕
      [0111]使用熱塑性聚氨酯A1098A (東洋紡織公司制造),進(jìn)行注射成型來(lái)制備聚氨酯片(長(zhǎng)59.5mm、寬19.5mm、厚度2.0mm、D硬度48度),進(jìn)一步切削聚氨酯片而形成凹陷部(長(zhǎng)54mm,寬14mm,深度0.8mm)來(lái)制備透光區(qū)。
      [0112]〔拋光區(qū)的制備〕
      [0113]在反應(yīng)容器內(nèi),將100重量份的聚醚類(lèi)預(yù)聚物(二二口、^ ^ (Uni Royal)公司制造、T y' 7° > L -325,NCO濃度'2.22meq/g)和3重量份的硅氧烷類(lèi)表面活性劑(東 > 夕'^ 3 一二 > 夕'' 1J ^ 一 >公司(Dow Corning Toray Silicone C0., Ltd.)制造,SH-192)混合,調(diào)節(jié)溫度至80°C。使用攪拌葉片,以轉(zhuǎn)速900rpm劇烈攪拌約4分鐘以在反應(yīng)體系內(nèi)混入氣泡。向其中加入26重量份的預(yù)先在120°C下熔融的4,4’-亞甲基雙(鄰氯苯胺)(4夕力卟公司(Ihara Chemical Industry C0., Ltd.)制造,?1,、,3?-? ^ >ΜΤ)。其后,繼續(xù)攪拌約I分鐘,然后將反應(yīng)溶液注入盤(pán)型敞口模具中。在該反應(yīng)溶液的流動(dòng)性消失的時(shí)候放入烘箱內(nèi),在110°C下進(jìn)行6小時(shí)的后固化,得到聚氨酯發(fā)泡體塊。使用帶鋸型切片機(jī)(7工〃 > > (Fecken-Kirfel)公司制造)切割該聚氨酯發(fā)泡體塊,得到聚氨酯發(fā)泡體片(平均氣泡直徑5(^111,比重:0.82、0硬度:55度)。然后使用磨光機(jī)(7 ^ r ”々(AMITECK)公司制造)將該片進(jìn)行表面磨光至指定厚度,成為厚度精度經(jīng)調(diào)節(jié)的片材(片厚度:2mm)。將該拋光處理過(guò)的片材沖壓成直徑為61cm,并使用槽加工機(jī)(東邦鋼機(jī)公司制造)在表面進(jìn)行同心圓狀的槽加工。在與該片的槽加工面相反一側(cè)的表面上使用覆膜機(jī),粘合雙面膠帶(積水化學(xué)工業(yè)公司制造,夕' O夕y ^ ^ 一 7°)來(lái)制備具有雙面膠帶的拋光區(qū)。
      [0114]〔拋光墊的制備〕
      [0115]使用覆膜機(jī),將表面經(jīng)磨光、并由電暈處理過(guò)的聚乙烯泡沫(東 > 公司(TorayIndustries, Inc.)制造,卜一 > ~7 ,厚度:0.8mm)所形成的緩沖層,粘合在制備的具有雙面膠帶的拋光區(qū)的粘合面而制備拋光片。接著,在拋光片上形成60mmX20mm大小的開(kāi)口部。然后,將在一面具有粘合劑層的支撐板(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯,厚度:50 μ m)粘合于拋光片的緩沖層得到層疊體。接著,在該層疊體的開(kāi)口部?jī)?nèi)嵌入透光區(qū),將透光區(qū)的背面?zhèn)鹊闹車(chē)空澈嫌谥伟?。之后,切除在透光區(qū)的背面?zhèn)鹊陌枷莶刻帉盈B的支撐板,把支撐膜的端部折彎并粘合在凹陷部 的側(cè)面而制備圖3所述的結(jié)構(gòu)的拋光墊。即使拋光了 15張樣品晶片該拋光墊也沒(méi)有發(fā)生漿料泄漏。
      [0116]附圖標(biāo)記說(shuō)明
      [0117]I拋光墊
      [0118]2拋光平臺(tái)
      [0119]3拋光劑(漿料)[0120]4被拋光材料(半導(dǎo)體晶片)
      [0121]5支撐臺(tái)(拋光頭)
      [0122]6、7旋轉(zhuǎn)軸
      [0123]8拋光區(qū)
      [0124]9透光區(qū)
      [0125]10開(kāi)口部
      [0126]11緩沖層
      [0127]12支撐板
      [0128]13周?chē)?br> [0129]14凹陷部
      [0130]15 被覆構(gòu)件
      【權(quán)利要求】
      1.一種拋光墊,為依次層疊有拋光區(qū)、緩沖層、以及支撐膜的拋光墊,其特征在于, 在貫通拋光區(qū)以及緩沖層的開(kāi)口部?jī)?nèi)且在支撐膜上設(shè)置有透光區(qū),所述透光區(qū)在拋光平臺(tái)側(cè)的表面具有周?chē)亢桶枷莶?,在所述周?chē)繉盈B有支撐膜,在所述凹陷部處并未層疊支撐膜而是形成開(kāi)口。
      2.權(quán)利要求1所述的拋光墊,其中,在凹陷部的側(cè)面設(shè)置有被覆構(gòu)件。
      3.權(quán)利要求2所述的拋光墊,其中,被覆構(gòu)件通過(guò)把層疊在周?chē)刻幍闹文さ亩瞬空蹚澏纬伞?br> 4.一種半導(dǎo)體設(shè)備的制備方法,其包含使用權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行拋光的步驟。
      【文檔編號(hào)】B24B37/013GK103747918SQ201280041433
      【公開(kāi)日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月1日
      【發(fā)明者】木村毅 申請(qǐng)人:東洋橡膠工業(yè)株式會(huì)社
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