高純度銅錳合金濺射靶的制作方法
【專利摘要】一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、Si、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、Si、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.20μm以上的粉粒的數(shù)量為平均30個以下。這樣，通過向銅中添加適當(dāng)量的Mn元素并且限制碳的量，能夠有效地抑制濺射時產(chǎn)生粉粒。特別是提供可用于形成具有自擴(kuò)散抑制功能的半導(dǎo)體用銅合金布線的高純度銅錳合金濺射靶。
【專利說明】高純度銅錳合金濺射靶
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及可用于形成半導(dǎo)體用銅合金布線、具備適合的自擴(kuò)散抑制功能且能夠有效地防止由活性銅的擴(kuò)散導(dǎo)致的布線周圍的污染的高純度銅錳合金濺射靶，特別是涉及粉粒產(chǎn)生少的高純度銅錳合金濺射靶。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為半導(dǎo)體元件的布線材料，一直使用Al合金(電阻率:約3.0 μ Ω.cm)，但隨著布線的微細(xì)化，電阻更低的銅布線(電阻率:約2.0μ Ω.cm)得到實用化。作為銅布線的形成工藝，一般進(jìn)行如下工藝:在布線或布線槽上形成Ta或TaN等的擴(kuò)散阻擋層，然后，將銅濺射成膜。關(guān)于銅，通常通過將純度約4N(除氣體成分以外)的電解銅作為粗金屬，利用濕式或干式的高純度化工藝制造5N~6N的高純度銅，將其制成濺射靶來使用。
[0003]如上所述，作為半導(dǎo)體用布線，銅非常有效，但銅自身是活性非常高的金屬，容易擴(kuò)散，會產(chǎn)生透過半導(dǎo)體Si襯底或其上的絕緣膜而污染Si襯底或其周圍的問題。特別是隨著布線的微細(xì)化，僅形成以往的Ta或TaN的擴(kuò)散阻擋層是不夠的，還要求對銅布線材料本身進(jìn)行改良。因此，迄今為止，作為銅布線材料，提出了向銅(Cu)中添加錳(Mn)、使Cu-Mn合金中的Mn與絕緣膜的氧反應(yīng)而自發(fā)地形成阻擋層的、具備自擴(kuò)散抑制功能的銅合金。
[0004]上述的半導(dǎo)體用銅合金布線使用銅錳合金濺射靶形成，但隨著半導(dǎo)體器件的微細(xì)化、高密度化、高集成化、布線層的微細(xì)化、多層化的發(fā)展，產(chǎn)生了以往不成為問題的、即使是微細(xì)的粉粒也會給電路帶來影響的問題。因此，當(dāng)務(wù)之急是嚴(yán)格地管理濺射中產(chǎn)生的粉粒，以減少半導(dǎo)體晶片上的粉粒。
[0005]以下列舉Cu-Mn合金濺射靶的例子
[0006]專利文獻(xiàn)I中記載了 Mn為0.1~20.0原子％、擴(kuò)散系數(shù)比Cu的自擴(kuò)散系數(shù)小、不可避免的雜質(zhì)元素的濃度為0.05原子％以下、剩余部分由Cu構(gòu)成的濺射靶。
[0007]專利文獻(xiàn)2中記載了含有0.1~1.0原子％的B以及0.1~2.0原子％的Mn和/或Ni作為添加元素、剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的濺射靶。
[0008]專利文獻(xiàn)3中記載了含有0.1~1.0原子％的B、0.1~2.0原子％的與B形成化合物的元素(包括Mn)作為添加元素、剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的濺射靶。
[0009]專利文獻(xiàn)4中記載了以總量為0.005~0.5質(zhì)量％的方式含有選自V、Nb、Fe、Co、N1、Zn、Mg的組中的一種以上的成分和選自Sc、Al、Y、Cr的組中的一種以上的成分、并且含有0.1~5ppm的氧、剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的派射革巴。
[0010]專利文獻(xiàn)5中記載了含有超過6摩爾％且為20摩爾％以下的氧、而且含有以總量計為0.2~5摩爾%的Mo、Mn、Ca、Zn、N1、T1、Al、Mg和Fe中的一種或兩種以上、剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的濺射靶。
[0011]專利文獻(xiàn)6中記載了含有50%以上的由Mn、B、Bi或Ge的金屬粉末與含有X(包括Cu)、Y的合金粉末或燒結(jié)金屬形成且平均粒徑為0.1~300 μ m的晶粒、所含氣體量為600ppm以下的燒結(jié)派射祀材料。[0012]但是，以上的濺射靶存在就防止濺射中的粉粒產(chǎn)生方面而言未必充分的問題。
[0013]此外，作為由本 申請人:提出的半導(dǎo)體元件的布線材料，記載了用于形成含有0.05~5重量％的Mn、選自Sb、Zr、T1、Cr、Ag、Au、Cd、In、As中的一種或兩種以上的元素的總量為10重量ppm以下、剩余部分為Cu的半導(dǎo)體用銅合金布線的濺射靶(參考專利文獻(xiàn)7)。
[0014]這種濺射靶對提高自擴(kuò)散抑制功能有效，但其目的并不在于抑制粉粒產(chǎn)生。
[0015]另外，本 申請人:之前公開了包含Cu-Mn合金的半導(dǎo)體用銅合金布線材料(參考專利文獻(xiàn)8)，特別是提出了含有0.05~20重量％的胞且Be、B、Mg、Al、S1、Ca、Ba、La、Ce的總量為500重量ppm以下、剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)的濺射靶。
[0016]這種濺射靶也是對提高自擴(kuò)散抑制功能有效，但其目的并不在于抑制粉粒產(chǎn)生。
[0017]關(guān)于粉粒產(chǎn)生的抑制，有關(guān)于含有0.6~30質(zhì)量％的Mn、金屬類雜質(zhì)為40ppm以下、氧為IOppm以下、氮為5ppm以下、氫為5ppm以下、碳為IOppm以下、剩余部分為Cu的派射靶的記載(參考專利文獻(xiàn)9)。
[0018]但是，這種濺射靶是在使靶中含有的雜質(zhì)含量整體減少時能夠抑制粉粒產(chǎn)生的濺射靶，具體是何種雜質(zhì)助長粉粒產(chǎn)生并不清楚。
[0019]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0020]專利文獻(xiàn)
[0021]專利文獻(xiàn)1:日本專利第4065959號公報
[0022]專利文獻(xiàn)2:日本特開2009-97`085號公報
[0023]專利文獻(xiàn)3:日本特開2010-248619號公報
[0024]專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-294437號公報
[0025]專利文獻(xiàn)5:日本特開2008-311283號公報
[0026]專利文獻(xiàn)6:日本特開2009-741127號公報
[0027]專利文獻(xiàn)7:日本特開2006-73863號公報
[0028]專利文獻(xiàn)8:國際公開第2008/041535號
[0029]專利文獻(xiàn)9:日本特開2007-51351號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0030]發(fā)明所要解決的問題
[0031]本發(fā)明的課題在于通過向銅中添加適當(dāng)量的Mn元素并且限制碳的量而抑制濺射時產(chǎn)生粉粒。由此，能夠良好地形成微細(xì)的半導(dǎo)體元件的布線(槽)，能夠提高微細(xì)化、高集成化發(fā)達(dá)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率和可靠性。另外，提供可用于形成具有自擴(kuò)散抑制功能、能夠有效地防止由活性Cu的擴(kuò)散導(dǎo)致的布線周圍的污染并且抗電遷移(EM)性、耐腐蝕性等優(yōu)良的半導(dǎo)體用銅合金布線的高純度銅錳合金濺射靶。
[0032]用于解決問題的手段
[0033]為了解決上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，粉粒的主要成分為碳，靶中含有的碳的量與粉粒的數(shù)量存在相關(guān)關(guān)系。而且，得到如下發(fā)現(xiàn):通過向銅中添加適當(dāng)量的Mn元素并且限制上述碳的量，能夠得到能夠顯著減少濺射時產(chǎn)生的粉粒的量的可用于形成半導(dǎo)體用銅合金布線的高純度銅合金濺射靶。[0034]基于該發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明提供:
[0035]I) 一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05~20重量％的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.08 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均50個以下。
[0036]2)如上述I)所述的高純度銅錳合金濺射靶，其特征在于，直徑0.08 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均20個以下。 [0037]3) 一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05~20重量％的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.20 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均30個以下。
[0038]4)如上述3)所述的高純度銅錳合金濺射靶，其特征在于，直徑0.20 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均10個以下。
[0039]發(fā)明效果
[0040]本發(fā)明的高純度銅錳合金濺射靶通過限制碳的量，能夠抑制濺射時產(chǎn)生粉粒，能夠良好地形成微細(xì)的半導(dǎo)體元件的布線(槽)。另外，使用本發(fā)明的高純度銅錳合金濺射靶形成的銅合金布線膜具有如下優(yōu)良效果:能夠有效地防止由活性Cu的擴(kuò)散導(dǎo)致的布線周圍的污染，能夠提高抗電遷移(EM)性、耐腐蝕性等。
【具體實施方式】
[0041 ] 本發(fā)明的高純度銅錳合金濺射靶，如上所述，含有0.05~20重量％的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)，濺射該靶而成膜時，C或包含C和選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素的直徑0.08 μ m以上的粉粒的數(shù)量在晶片上為平均50個以下。
[0042]本發(fā)明中，Cu合金中含有的Mn優(yōu)選設(shè)定為0.05重量％以上且20重量％以下。Mn少于0.05重量％時，自擴(kuò)散抑制功能減小，Mn超過20重量％時，電阻增大，作為半導(dǎo)體用銅合金布線的功能降低，因此不優(yōu)選。進(jìn)一步優(yōu)選為含有0.5~10重量％的Mn的銅合金。
[0043]另外，碳從熔化工序中的熔化原料和裝置構(gòu)件混入，因此，Mn含量有時會直接給成為粉粒產(chǎn)生原因的碳的量帶來影響。因此，需要將Mn含量控制在上述的范圍內(nèi)。
[0044]另外，本發(fā)明中，高純度銅錳合金濺射靶中含有的C(碳)含量優(yōu)選設(shè)定為2重量ppm以下，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)定為I重量ppm以下。靶中含有的雜質(zhì)會成為產(chǎn)生粉粒的原因，因此，期望盡可能地減少。特別是C(碳)直接影響高純度銅錳合金靶的濺射時產(chǎn)生的粉粒，因此，需要進(jìn)行充分的管理。
[0045]另外，本發(fā)明中，直徑0.20 μ m以上的粉粒在300mm的晶片上為平均30個以下，優(yōu)選為平均10個以下。另外，直徑0.08 μ m以上的粉粒在300mm的晶片上為平均50個以下，優(yōu)選為平均20個以下。通過抑制粉粒，能夠良好地形成微細(xì)的半導(dǎo)體元件的布線(槽)，能夠?qū)崿F(xiàn)微細(xì)化、高集成化發(fā)達(dá)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率和可靠性的改善。
[0046]另外，本發(fā)明中，使用高純度銅錳合金濺射靶進(jìn)行濺射時產(chǎn)生的各個粉粒的成分為C(碳)、或者為選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素、或者為包含C(碳)和選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素的化合物。本發(fā)明中，這些成分不同的粉粒有時存在I種，另外，有時存在2種以上。另外，Mn來自于添加，S1、Mg來自于靶制造時使用的坩堝。
[0047]另外，本發(fā)明中，高純度銅錳合金濺射靶的制造中，向碳坩堝(坩堝)內(nèi)放入純度為6N以上的高純度銅和純度為5N以上的作為添加元素的錳并使其熔化?；蛘撸部梢灶A(yù)先將純度為6N以上的高純度銅在碳坩堝(坩堝)內(nèi)熔化，以達(dá)到目標(biāo)成分組成的方式向其中添加具有4N純度的錳。
[0048]在此，重要的是熔化條件。熔化溫度優(yōu)選設(shè)定為1000~1400°C。低于1000°C時，熔化反應(yīng)不充分進(jìn)行，另一方面，超過1400°C時，會從碳坩堝混入碳，因此不優(yōu)選。另外，熔化時間優(yōu)選設(shè)定為10~30分鐘。少于10分鐘時，熔化反應(yīng)不充分進(jìn)行，另一方面，超過30分鐘時，會從碳坩堝混入碳，因此不優(yōu)選。
[0049]對這樣得到的合金進(jìn)行鑄造，能夠得到預(yù)定成分組成的高純度的銅錳合金錠。然后，將該銅錳合金的錠在約50(TC~約90(TC下進(jìn)行熱鍛，并進(jìn)行冷軋，或者根據(jù)需要在500~900°C下進(jìn)行熱軋而得到軋制板。熱軋在隨著錳量增加而變硬、冷軋時產(chǎn)生裂紋而難以進(jìn)行軋制時進(jìn)行。其極限量約為Mn5%的程度，但該軋制的極限值取決于軋制量，因此可以任意選擇，可以根據(jù)情況進(jìn)行改變，因此沒有特別限制。
[0050]將其進(jìn)一步在300~600°C (熱軋時為500~800°C )下進(jìn)行熱處理。然后，接合到背板上并進(jìn)行精加工，制造由上述高純度銅錳合金制作的濺射靶組裝體。
[0051]另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易理解的是，這些制造工序可以根據(jù)靶的成分組成、厚度、大小而適 當(dāng)選擇，并不特別限定于上述的數(shù)值。
[0052]實施例
[0053]接下來，基于實施例對本發(fā)明進(jìn)行說明。以下所示的實施例用于易于理解本發(fā)明，本發(fā)明不受這些實施例的限制。即，基于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的變形和其他實施例當(dāng)然包含在本發(fā)明中。
[0054](實施例1)
[0055]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為I重量％。
[0056]投入上述Mn，在1200°C下熔化20分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ160Χ6(Η，然后，在800°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在800°C下熱軋而使其為Φ380Χ1(Η。
[0057]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為430_、厚度為7_的靶，將其進(jìn)一步通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0058](實施例2)
[0059]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為10重量％。
[0060]投入上述Mn，在1200°C下熔化20分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ160Χ6(Η，然后，在900°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在900°C下熱軋而使其為Φ380Χ1(Η。
[0061]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為430_、厚度為7_的靶，將其進(jìn)一步通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0062](實施例3)
[0063]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為I重量％。
[0064]投入上述Mn，在1200°C下熔化20分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ 160X 190t，然后，在900°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在900°C下熱軋而使其為Φ700Χ1(Η。
[0065]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為650mm、厚度為7mm的靶。進(jìn)而，將其再加工成直徑為430mm、厚度為7_，然后通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0066](實施例4)
[0067]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為10重量％。
[0068]投入上述Mn，在1200°C下熔化20分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ 160X 190t，然后，在900°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在900°C下熱軋而使其為Φ700Χ1(Η。
[0069]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為650mm、厚度為7mm的靶。進(jìn)而，將其再加工成直徑為430mm、厚度為7_，然后通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0070](比較例I)`
[0071]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為I重量％。
[0072]投入上述Mn，在1500°C下熔化40分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ160Χ6(Η，然后，在800°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在800°C下熱軋而使其為Φ380Χ1(Η。
[0073]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為430_、厚度為7_的靶，將其進(jìn)一步通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0074](比較例2)
[0075]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為10重量％。
[0076]投入上述Mn，在1500°C下熔化40分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ160Χ6(Η，然后，在900°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在900°C下熱軋而使其為Φ380Χ1(Η。
[0077]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為430_、厚度為7_的靶，將其進(jìn)一步通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0078](比較例3)
[0079]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為10重量％。
[0080]投入上述Mn，在1500°C下熔化40分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ 160X 190t，然后，在900°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在900°C下熱軋而使其為Φ700Χ1(Η。
[0081]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為650mm、厚度為7mm的靶。進(jìn)而，將其再加工成直徑為430mm、厚度為7_，然后通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0082](比較例4)
[0083]使用碳坩堝(坩堝)在高真空氣氛中將純度為6N的高純度銅(Cu)熔化。另外，將純度為5N的高純度錳(Mn)投入銅的熔液中。Mn量調(diào)節(jié)為10重量％。
[0084]投入上述Mn，在1500°C下熔化40分鐘后，在高真空氣氛中將該銅錳合金的熔液澆注到水冷銅鑄模內(nèi)而得到錠。接著，將制造的錠的表面層除去并使其為Φ 160X 190t，然后，在900°C下熱鍛并使其為Φ200。然后，冷軋，在900°C下熱軋而使其為Φ700Χ1(Η。
[0085]接著，在600°C下進(jìn)行I小時熱處理后，使整個靶驟冷而制成靶原材。通過機械加工將其加工成直徑為650mm、厚度為7mm的靶。進(jìn)而，將其再加工成直徑為430mm、厚度為7_，然后通過擴(kuò)散接合與Cu合金制背板接合而制成濺射靶組裝體。
[0086]作為高純度銅合金濺射靶的評價，在300mm的單晶硅晶片上覆蓋二氧化硅后，以下述濺射條件形成厚度為600nm的薄膜，考察此時產(chǎn)生的粉粒。對于粉粒而言，使用 KLA-Tencor公司的粉粒計數(shù)儀對晶片表面進(jìn)行計測，得到20片晶片的平均值。將對實施濺射后的粉粒(0.20 μ m以上、0.08 μ m以上的粉粒)的產(chǎn)生率進(jìn)行比較的結(jié)果示于表1中。
[0087](濺射條件)
[0088]裝置:AppliedMaterials 公司制 Endura
[0089]電源:直流方式
[0090]功率:40kW
[0091]達(dá)到的真空度:5 X KT6Pa
[0092]氣氛氣體組成:Ar
[0093]濺射氣體壓力:55Pa
[0094]濺射時間:6秒
[0095][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05~20重量％的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.08 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均50個以下。
2.如權(quán)利要求1所述的高純度銅錳合金濺射靶，其特征在于，直徑0.08 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均20個以下。
3.一種高純度銅錳合金濺射靶，含有0.05~20重量％的Mn，C為2重量ppm以下，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)，其特征在于，濺射該靶而在晶片上成膜時，C、或者選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素、或者包含C和選自Mn、S1、Mg中的至少一種元素的化合物的直徑0.20 μ m以上的粉粒的數(shù)量為平均30個以下。
4.如權(quán)利要求3所述的高純度銅錳合金濺射靶，其特征在于，直徑0.20μπι以上的粉粒的數(shù)量為平均10個以 下。
【文檔編號】C22C9/05GK103797152SQ201280044705
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月14日
【發(fā)明者】長田健一, 大月富男, 岡部岳夫, 牧野修仁, 福島篤志 申請人:吉坤日礦日石金屬株式會社