一種單晶硅片制絨添加劑、制絨液及對(duì)應(yīng)的制絨方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種單晶硅片制絨添加劑、制絨液及對(duì)應(yīng)的制絨方法?，F(xiàn)有技術(shù)采用硅酸鈉等作為單晶硅片制絨添加劑，硅片脫泡性能不佳只能通過增加脫泡有機(jī)溶劑量來確保脫泡效果，造成成本高且制絨后期的金字塔絨面較大且密度不均。本發(fā)明的單晶硅片制絨添加劑包括松油醇、聚乙二醇醚、乳酸、乙酸鈉、堿。本發(fā)明的單晶硅片制絨液包括上述單晶硅片制絨添加劑和制絨原液，所述制絨原液包括堿、脫泡有機(jī)溶劑和去離子水。本發(fā)明的單晶硅片制絨方法先提供上述單晶硅片制絨液，再將其恒溫至75-85℃且將單晶硅片放置至其中進(jìn)行10-20min的制絨，最后使用去離子水清洗制絨后的單晶硅片。本發(fā)明可有效減小金字塔絨面尺寸、提高工藝穩(wěn)定性、一致性和絨面密度、降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】—種單晶硅片制絨添加劑、制絨液及對(duì)應(yīng)的制絨方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽電池制造領(lǐng)域，特別涉及一種單晶硅片制絨添加劑、制絨液及對(duì)應(yīng)的制絨方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶硅太陽電池仍在光伏行業(yè)中居于主流地位，晶硅太陽電池的制備過程包括以下步驟:(1)化學(xué)制絨及清洗；(2)擴(kuò)散制備PN結(jié)；(3)刻蝕去邊以及清洗；(4)制備減反射膜；(5)絲網(wǎng)印刷電極并燒結(jié)；(6)電池測(cè)試分揀。上述第一步中的化學(xué)制絨是在硅片表面上形成絨面并去除硅片切割時(shí)形成的損傷層，單晶硅片通常采用堿性腐蝕液在其表面形成減反效果較好的金字塔絨面，所述堿性腐蝕液主要包括堿(可為氫氧化鈉(NaOH)或者氫氧化鉀(Κ0Η))、脫泡有機(jī)溶劑(可為異丙醇(IPA)或者乙醇，使用IPA效果更佳)、制絨添加劑(Additive)和去離子水等，其中堿的質(zhì)量百分比濃度為0.5-3%，脫泡有機(jī)溶劑的質(zhì)量百分比濃度為1% _5%，制絨添加劑的質(zhì)量百分比濃度為0.1_1%，制絨溫度通?？刂圃?5-85°C。堿性腐蝕液利用較低堿濃度時(shí)單晶硅(111)晶向和(100)晶向不同的腐蝕速率(也稱之為各向異性)，制備出金字塔絨面，脫泡有機(jī)溶劑和制絨添加劑對(duì)單晶硅片的絨面質(zhì)量影響較大。
[0003]單晶硅片制絨過程中，主要的化學(xué)反應(yīng)如下:
[0004]
【權(quán)利要求】
1.一種單晶硅片制絨添加劑，其特征在于，所述添加劑包括松油醇和聚乙二醇醚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅片制絨添加劑，其特征在于，該添加劑還包括乳酸、乙酸鈉和堿，所述松油醇、聚乙二醇醚、乳酸、乙酸鈉、堿的質(zhì)量百分比濃度分別為0.1-3%,.0.1-5%,0.01-5%,0.01-5%和 0.1-2
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶硅片制絨添加劑，其特征在于，所述堿為氫氧化鈉，所述松油醇、聚乙二醇醚、乳酸、乙酸鈉、氫氧化鈉的質(zhì)量百分比濃度分別為0.0.05%,0.1%和 .2.0%o
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶硅片制絨添加劑，其特征在于，所述堿為氫氧化鈉，所述松油醇、聚乙二醇醚、乳酸、乙酸鈉、氫氧化鈉的質(zhì)量百分比濃度分別為I %、I %或2 %、.0.1%,0.1%和 2.0%。
5.一種單晶硅片制絨液，其特征在于，包括權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的單晶硅片制絨添加劑和單晶硅片制絨原液，所述制絨原液包括堿、脫泡有機(jī)溶劑和去離子水。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶硅片制絨液，其特征在于，所述單晶硅片制絨添加劑與制絨原液的體積配比范圍為1: 400-600,所述脫泡有機(jī)溶劑為異丙醇或乙醇,所述堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單晶硅片制絨液，其特征在于，所述單晶硅片制絨添加劑與制絨原液的體積配比范圍為1: 500,所述脫泡有機(jī)溶劑為異丙醇,所述堿為氫氧化鈉。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶硅片制絨液，其特征在于，所述單晶硅片制絨添加劑為.0.2L，其中松油醇、聚乙二醇醚、乳酸、乙酸鈉、氫氧化鈉的質(zhì)量百分比濃度分別為0.5%、.0.3%,0.05%,0.1%和2.0% ;所述單晶硅片制絨原液為100L，其中氫氧化鈉、異丙醇的質(zhì)量百分比濃度分別為1.5%和2%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶硅片制絨液，其特征在于，所述單晶硅片制絨添加劑為.0.2L，其中松油醇、聚乙二醇醚、乳酸、乙酸鈉、氫氧化鈉的質(zhì)量百分比濃度分別為1%、1%或2%、0.1%>0.1%和2.0% ;所述單晶硅片制絨原液為100L，其中氫氧化鈉、異丙醇的質(zhì)量百分比濃度分別為1.5%和2%。
10.一種單晶硅片制絨方法，其特征在于，該方法包括以下步驟:a、提供權(quán)利要求5至9中任一項(xiàng)所述的單晶硅片制絨液；b、將所述單晶硅片制絨液恒溫至75-85°C ;c、將單晶硅片放置至所述單晶硅片制絨液中進(jìn)行10-20min的制絨；d、使用去離子水清洗制絨后的單晶娃片O
【文檔編號(hào)】C23F1/32GK103938276SQ201310029560
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月23日
【發(fā)明者】何悅, 何雙權(quán), 李志剛 申請(qǐng)人:尚德太陽能電力有限公司, 無錫尚德太陽能電力有限公司