一種金屬布線蝕刻液及利用其的金屬布線形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種金屬布線蝕刻液及利用其的金屬布線形成方法。根據本發(fā)明的實施方式的金屬布線蝕刻液包含過硫酸鹽、磺酸鹽、氟化合物、唑化合物、有機酸、硝酸鹽及氯化合物。根據本發(fā)明的金屬布線蝕刻液可確保高穩(wěn)定性和工藝利潤，同時能夠均勻地蝕刻銅膜和下部金屬膜。
【專利說明】一種金屬布線蝕刻液及利用其的金屬布線形成方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種金屬布線蝕刻液及利用金屬布線蝕刻液的金屬布線形成方法。
【背景技術】
[0002]通常，薄膜晶體管顯示板(Thin Film Transistor)在液晶顯示器或者有機EL(Electro Luminescence)顯示器等中，作為用于獨立驅動各像素的電路板來使用。薄膜晶體管顯示板上形成有用于傳送掃描信號的柵極布線和傳送像素信號的數(shù)據布線，由與柵極布線及數(shù)據布線連接的薄膜晶體管和與薄膜晶體管連接的像素電極等構成。
[0003]薄膜晶體管由半導體層、源極及漏極構成，所述半導體層形成作為柵極布線一部分的柵極電極和通道，所述源極為數(shù)據布線的一部分。薄膜晶體管是一種開關元件，其根據通過柵極布線傳送的柵極信號，將通過數(shù)據布線傳送的數(shù)據電壓傳輸至傳送至像素電極或者阻止傳送。
[0004]制備薄膜晶體管時，首先，在基板上沉積作為柵極或者源/漏電極用布線材料的金屬，接著進行用具有腐蝕性的氣體或者溶液剝離該金屬層，以實現(xiàn)所需電路線路的蝕刻過程。
[0005]隨著電路的小型化、一體化的逐漸實現(xiàn)，存在線路變細，導致電阻相對增加的問題。因此，代替現(xiàn)有主要線路材料一鉻、鑰、鋁及它們的合金的銅作為低阻布線材料受到矚目。
[0006]然而，由于銅與玻璃基板或者硅絕緣膜的粘附性不好，難以作為單一膜使用，因此使用一種多層膜，所述多層膜使用與玻璃基板或者硅絕緣膜的粘附性優(yōu)秀的金屬膜作為銅的下部膜。
[0007]為蝕刻這種多層膜一般使用一種雙氧水系蝕刻液，當金屬離子為規(guī)定濃度以上時，促進雙氧水的分解，其被快速分解為水和氧氣，因此可產生發(fā)熱和急劇的組成變化，從而穩(wěn)定性方面存在問題。為解決雙氧水的這種問題，雖然曾使用過附加雙氧水穩(wěn)定劑的方法，然而由于其價格高，成為費用上升的原因。

【發(fā)明內容】

[0008]本發(fā)明要解決的技術問題在于提供一種可確保高穩(wěn)定性和工藝利潤，同時能夠均勻地蝕刻銅膜和下部金屬膜的優(yōu)秀的金屬布線蝕刻液及使用其的金屬布線形成方法。
[0009]根據本發(fā)明一實施例的金屬布線蝕刻液包含過硫酸鹽、磺酸鹽、含氟化合物、唑化合物、有機酸、硝酸鹽及氯化合物。
[0010]所述過硫酸鹽可為5wt%以上、15wt%以下。
[0011]所述過硫酸鹽可為選自由過硫酸銨((NH4) 2S208)、過硫酸鈉(Na2S2O8)、過硫酸鉀(K2S2O8)構成的群中的一種以上。
[0012]所述磺酸鹽可為lwt%以上、10wt%以下。
[0013]所述磺酸鹽可為選自由甲基磺酸(Methanesulfonic acid ;CH3S0H)、對甲苯磺酸(para-Toluenesulfonic acid;CH3C6H4SO3H)及苯橫酸(Benzenesulfonic acid;C6H5SO3H)構成的群中的一種以上。
[0014]所述含氟化合物可為0.01wt%以上、lwt%以下。
[0015]所述含氟化合物可為選自由氟化氫(HF)、氟化鈉(NaF)、氟化氫鈉(NaHF2)、氟化銨(NH4F, NH4HF2)、氟硼酸銨(NH4BF4)、氟化鉀(KF)、氟氫化鉀(KHF2)、氟化鋁(AlF3)及氟硼酸(HBF4)、氟化鋰(LiF)、氟硼酸鉀(KBF4)及氟化鈣(CaF2)構成的群中的一種以上。
[0016]所述唑化合物可為0.lwt%以上、2wt%以下。
[0017]所述唑化合物可為選自由苯并三唑(benzotriazole)、氨基四唑(aminotetrazole)、氨基四唑鉀鹽(aminotetrazole of potassium salt)、咪唑(imidazole)及吡唑(pyrazole)構成的群中的一種以上。
[0018]所述有機酸可為5wt%以上、15wt%以下。
[0019]所述有機酸可為選自由草酸、草乙酸、富馬酸、羥基丁二酸、丁二酸、乙酸、丁酸、軟脂酸、抗壞血酸、尿酸、磺酸、亞磺酸、酒石酸、蟻酸、檸檬酸、異檸檬酸、α -酮戊二酸、琥珀酸及乙醇酸構成的群中的一種以上。
[0020]所述硝酸鹽可為lwt%以上、5wt%以下。
[0021]所述硝酸鹽可為選自由硝酸銨(Ammonium nitrate ;ΝΗ4Ν03)、硝酸鈉(Sodiumnitrate; NaN03)、硝酸鉀(Potassium nitrate; KNO3)及硝酸鋰(Lithium nitrate; LiNO3)構成的群中的一種以上。
[0022]所述氯化合物為0`.001wt%以上、0.lwt%以下。
[0023]所述氯化合物可為選自由氯化銨(Ammonium Chloride; NH4Cl )、氯化鉀(potassium Chloride;KCl)、氯化鈉(Sodium Chloride ；NaCl)> 氯化鋰(LithiumChloride;LiCl)構成的群中的一種以上。
[0024]使用所述金屬布線蝕刻液的所述金屬布線可為包含銅的單一膜、銅合金膜及多層膜中的一個，所述多層膜中，下部膜包括鈦膜(Ti)、氧化銦錫膜(ΙΤ0)、氧化銦鎵鋅膜(IGZO)、氧化銦鋅膜(IZ0)、氧化鋅鋁膜(ZAO)中的一種以上，上部膜包含銅。
[0025]根據本發(fā)明另一實施例的金屬布線形成方法包括，在基板上形成包含銅的單一膜、銅合金膜及多層膜中的一個以上的步驟，其中所述多層膜中，下部膜包括鈦膜(Ti)、氧化銦錫膜(ΙΤ0)、氧化銦鎵鋅膜(IGZ0)、氧化銦鋅膜(ΙΖ0)、氧化鋅鋁膜(ZAO)中的一種以上，上部膜包括銅或者銅合金膜；以及用蝕刻液蝕刻所述單一膜、所述銅合金膜及所述多層膜中一個的步驟。其中，所述蝕刻液包含過硫酸鹽、磺酸鹽、含氟化合物、唑化合物、有機酸、硝酸鹽及氯化合物。
[0026]形成所述多層膜的步驟可以使用所述蝕刻液統(tǒng)一蝕刻所述上部膜及下部膜。
[0027]所述過硫酸鹽可為5wt%以上、15wt%以下，所述磺酸鹽可為lwt%以上、10wt%以下，所述氟化合物可為0.01wt%以上、lwt%以下，所述唑化合物可為0.lwt%以上、2wt%以下，所述有機酸可為5wt%以上、15wt%以下，所述硝酸鹽可為lwt%以上、5wt%以下，所述氯化合物可為0.001wt%以上、0.lwt%以下。
[0028]如此根據本發(fā)明的一實施例，由于不使用過氧化氫，使用過程沒有產生劇烈的發(fā)熱現(xiàn)象或者穩(wěn)定性下降、需添加高價穩(wěn)定劑等問題，可以良好的速度蝕刻銅，確保了蝕刻液的穩(wěn)定性，從而能夠更長久地維持蝕刻液的性能，并且能夠抑制產生由于殘留引起的短路不良和由于侵蝕引起的斷路不良，進而能夠提高工藝收率。而且，由于能夠控制廢液處理時產生的發(fā)熱等現(xiàn)象，所以能夠充分確保工藝利潤， 降低費用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為分別顯示使用本發(fā)明實施例1至實施例9的蝕刻液來蝕刻鈦/銅雙層膜后的銅層側面的顯微鏡照片。
[0030]圖2為分別顯示使用本發(fā)明比較例I至比較例7的蝕刻液來蝕刻鈦/銅雙層膜后的銅層側面的顯微鏡照片。
[0031]圖3為使用本發(fā)明比較例5和比較例7的蝕刻液對鑰鈦/銅多層膜的銅進行蝕刻后用電子顯微鏡測定的照片，顯示侵蝕不良的例子。
[0032]圖4為使用本發(fā)明的比較例5和比較例6的蝕刻液來蝕刻鈦/銅多層膜后用電子顯微鏡測定的照片，顯示殘留不良例子。
[0033]圖5為分別顯示使用本發(fā)明實施例10至實施例14的蝕刻液來蝕刻鈦/銅多層膜后的銅層側面的顯微鏡照片。
[0034]圖6為分別顯示使用本發(fā)明實施例3的蝕刻液來蝕刻鈦/銅、氧化銦錫/銅、氧化銦鎵鋅/銅、氧化銦鋅/銅多層膜后的銅層側面的顯微鏡照片。
【具體實施方式】
[0035]參照附圖，詳細地描述本發(fā)明的多個優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明并不局限于在此描述的實施例，也可有其他形態(tài)。在此介紹的多個實施例是為了使揭示內容能夠徹底完整，并使本發(fā)明的思想充分地傳達給本領域技術人員而提供的。
[0036]附圖中，為清楚起見，層及區(qū)域的厚度被夸大顯示。而且，當涉及一層位于其他層或者基板‘上’時，該層可直接形成在其他層或基板上或者第三層可夾設在它們之間。通篇說明書中，由相同附圖標記表示的部分表示相同的構成要素。
[0037]根據本發(fā)明一實施例的金屬布線蝕刻液由過硫酸鹽、磺酸鹽、含氟化合物、唑化合物、有機酸、硝酸鹽、氯化合物及殘余的水組成。
[0038]過硫酸鹽作為氧化劑是蝕刻銅膜的主成分，通過反應式(I)的反應蝕刻銅膜，形成穩(wěn)定的化合物。
[0039]S2082>2Cu — 2CuS04反應式(I)
[0040]根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，過硫酸鹽可使用具有半導體工藝用純度的過硫酸鹽。根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，過硫酸鹽相對全部蝕刻液，其含量可占5重量％以上、15重量％以下。根據本實施例的蝕刻液中，當添加的過硫酸鹽的含量少于5重量％時，銅膜的蝕刻速度非常慢，當多于15重量％時，銅膜的蝕刻速度過快，導致工藝利潤變差。而且，由于廢水引起的潛在發(fā)熱嚴重，因此在廢水集水槽附加冷卻水等，這將引起額外工藝費用發(fā)生。
[0041]根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，過硫酸鹽可包含過硫酸銨((NH4)2S2O8X過硫酸鈉(Na2S2O8)或者過硫酸鉀(K2S2O8)0
[0042]根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，磺酸鹽作為蝕刻銅膜的輔助氧化劑，加快銅的蝕刻速度，起到螯合劑的作用，即防止發(fā)生銅蝕刻過程中涌出的銅離子降低蝕刻速度的現(xiàn)象。根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，磺酸鹽的種類不受特別限定，代表性的有甲基橫酸(Methanesulfonic acid ；CH3SOH)> 對甲苯橫酸(para-Toluenesulfonicacid;CH3C6H4SO3H)、苯石黃酸(Benzenesulfonic acid;C6H5SO3H)等，尤其，優(yōu)選地，與甲基橫酸(Methanesulfonic acid ；CH3SOH)和對甲苯橫酸(para-Toluenesulfonicacid; CH3C6H4SO3H) —起使用。
[0043]根據本發(fā)明的蝕刻液中，甲基磺酸(Methanesulfonic acid ；CH3SOH)具有可加快銅的蝕刻速度，并能夠去除光刻工藝中產生的光刻膠渣的優(yōu)點。然而，甲基磺酸對所涌出的銅離子起到螯合劑的作用還不夠充分，因此，本發(fā)明實施例中，將甲基磺酸和對甲苯磺酸(para-Toluenesulfonic acid;CH3C6H4SO3H) 一起使用，以改善銅離子引起的蝕刻速度下降之問題，從而可確保工藝利潤。
[0044]在本發(fā)明的實施例中，磺酸鹽可使用具有半導體工藝用純度的磺酸鹽。根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，磺酸鹽中甲基磺酸(Methanesulfonic acid ；CH3SOH)的含量可占I重量％以上、10重量％以下。根據本實施例的蝕刻液中，若甲基磺酸(Methanesulfonicacid ;CH3S0H)的含量少于0.1重量％，不能起到輔助氧化劑的作用，當多于10重量％時，銅膜的蝕刻速度變得過快，將導致產生布線短路不良現(xiàn)象。根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，磺酸鹽中對甲苯磺酸(para-Toluenesulfonic acid; CH3C6H4SO3H)的含量可占0.1重量％以上、10重量％以下。根據本實施例的蝕刻液中，若對甲苯磺酸(para-Toluenesulfonicacid; CH3C6H4SO3H)的含量少于0.1重量％，不能起到螯合作用，當多于10重量％時，被吸附于銅膜表面，蝕刻時產生殘留物，因此可引發(fā)斑點型不良。
[0045]在本發(fā)明的實施例中，含氟化合物為用于蝕刻由多層膜構成的金屬布線的下部膜的主成分，指包含有氟(Fluoride)的化合物。其種類沒有特別限制，然而在本發(fā)明實施例中含氟化合物可例舉氟化氫(HF)、氟化鈉(NaF)、氟化氫鈉(NaHF2)、氟化銨(NH4F、NH4HF2)、氟硼酸銨(NH4BF4)、氟化鉀(KF)、氟氫化鉀(KHF2)、氟化鋁(AlF3)及氟硼酸(HBF4)、氟化鋰(LiF)、氟硼酸鉀(KBF4)以及氟化鈣(CaF2)等。
[0046]根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，含氟化合物可占0.01重量％以上、I重量％以下。根據本實施例的蝕刻液中，含氟化合物若少于0.01重量％，難以蝕刻下部膜，當多于I重量％時，會蝕刻下部的玻璃及絕緣膜，從而導致不良。
[0047]根據本發(fā)明實施例中，唑化合物是指五元雜環(huán)，所述五元雜環(huán)含有作為元素的氮，并且環(huán)中具有至少一個非碳元子。雖然沒有特別限制，然而在本發(fā)明實施例中唑化合物可例舉苯并三唑(benzotriazol)、氨基四唑(aminotetrazole)、氨基四唑鉀鹽(aminotetrazole of potassium salt)、批唑(pyrazole)等。
[0048]根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，唑化合物可占0.1重量％以上、2重量％以下。唑化合物抑制銅膜的蝕刻，起到在銅和其他金屬的多層膜上調整金屬之間蝕刻速度的作用，而且減少布線的切割尺寸損失(cut dimension loss, CD loss),使金屬布線作為柵極布線及數(shù)據布線來使用。
[0049]在本發(fā)明實施例中，唑化合物若少于0.1重量％，不僅不能調整對銅的蝕刻速度，而且CD損失變大，布線的直進性降低，因此在量產工藝中適用時，可能會引起嚴重的問題，若多于2重量％，則促進廢液引起的發(fā)熱，從而在處理廢水時，將產生工藝費用增加的問題。
[0050]在本發(fā)明的實施例中，有機酸沒有特別限定為含有羧基的化合物，然而本發(fā)明實施例中，有機酸可例舉選自由草酸、草乙酸、富馬酸、羥基丁二酸、丁二酸、乙酸、丁酸、軟脂酸、抗壞血酸、尿酸、磺酸、亞磺酸、酒石酸、蟻酸、檸檬酸、異檸檬酸、α -酮戊二酸、琥珀酸及乙醇酸構成的群中的一種以上。
[0051]根據本發(fā)明實施例的蝕刻液中，有機酸可占5重量％以上、15重量％以下。有機酸在蝕刻銅膜時，起到使根據銅離子的錐角保持一定的作用，具有工藝上抑制階梯覆蓋(stepcoverage)不良的效果。
[0052]本發(fā)明的硝酸鹽是可被解離為N03_的化合物，具有與硝酸不同特性的鹽化合物。就硝酸而言，其過快地促進銅膜的蝕刻，從而難以調整蝕刻速度，而且促進過硫酸鹽的分解，因此使用時有很多限制。相反，硝酸鹽則不存在上述問題，其可去除由于光刻工藝中產生的光刻膠渣生成的部分金屬殘留物質。在本發(fā)明實施例中，硝酸鹽可例舉選自由硝酸銨(Ammonium nitrate ;ΝΗ4Ν03)、硝酸鈉(Sodium nitrate ;NaN03)、硝酸鉀(Potassiumnitrate;KNO3)及硝酸鋰(Lithium nitrate;LiNO3)構成的群中的一種以上。
[0053]在本發(fā)明實施例中，硝酸鹽可占I重量％以上、5重量％以下。若硝酸鹽少于I重量％，殘留物去除能力下降，多于5重量％時，雖然效果相同，但是存在制備費用上升的缺點。
[0054]本發(fā)明的氯化合物為除鹽酸(HCl)以外的可被解離為Cl—的化合物，與銅的吸附能力非常突出，因此蝕刻工藝中光刻膠下部由于溶氧枯竭和氫離子的增加，局部酸性化增加的同時，蝕刻速度局部變快，起到防止產生過侵蝕現(xiàn)象的作用。在本發(fā)明的實施例中，氯化合物可例舉選自由氯化銨(Ammonium Chloride;NH4Cl)、氯化鉀(potassiumChloride;KCl)、氯化鈉(Sodium Chloride ;NaCl)、氯化鋰(Lithium Chloride;LiCl)構成的群中的一種以上。
[0055]在本發(fā)明的實施例中，氯化合物可占0.001重量％以上、0.1重量％以下。若氯化合物少于0.001重量％，不能防止由于過侵蝕產生的布線短路，若多于0.1重量％，銅膜的吸附變得過強，累積處理數(shù)減少，從而工藝利潤會下降。
[0056]根據本發(fā)明的實施`例中，水即使沒有明確說明，在所有蝕刻液可占針對除水之外的其他成分的重量％之合100%之剩余含量。本發(fā)明實施例使用的水可為半導體用等級的水或超純水。
[0057]本發(fā)明所揭示的蝕刻液或者蝕刻液組合物的范圍，當然包括在所揭示的重量比范圍內的蝕刻液，而且即使組成在其重量比范圍的數(shù)值之外，或者前面示出的部分成分被置換，對于所屬【技術領域】的技術人員來說，其變化后的組成與所述蝕刻液的組成實質上均等是顯而易見的，則這樣的組成仍包含在本發(fā)明揭示的范圍內。
[0058]以下，通過實施例和比較例更進一步詳細地描述本發(fā)明。在此表明，下面實施例及比較例中所揭示的組成只是為了幫助理解本發(fā)明而已，在任何情況下都不以實施例限制本發(fā)明的技術范圍。
[0059][實施例及比較例]
[0060]如[表1]制備本發(fā)明的蝕刻液組合物涉及的實施例1至9、比較例I至7的蝕刻液，并在表2中比較其蝕刻性能。實施例1至9及比較例I至7的組成顯示在表1中，所有值為重量比。
[0061]【表1】
[0062]
【權利要求】
1.一種金屬布線蝕刻液，包含:過硫酸鹽、磺酸鹽、氟化合物、唑化合物、有機酸、硝酸鹽及氯化合物。
2.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述過硫酸鹽為5wt%以上、15wt%以下。
3.根據權利要求2所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述過硫酸鹽為選自由過硫酸銨((NH4)2S2O8)、過硫酸鈉(Na2S2O8)、過硫酸鉀(K2S2O8)構成的群中的一種以上。
4.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述磺酸鹽為lwt%以上、10wt%以下。
5.根據權利要求4所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述磺酸鹽為選自由甲基磺酸(Methanesulfonic acid ;CH3S0H)、對甲苯橫酸(para-Toluenesulfonic acid;CH3C6H4SO3H)及苯磺酸(Benzenesulfonic acid;C6H5SO3H)構成的群中的一種以上。
6.根據權利 要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述氟化合物為0.01wt%以上、lwt%以下。
7.根據權利要求6所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述氟化合物為選自由氟化氫(HF)、氟化鈉(NaF )、氟化氫鈉(NaHF2)、氟化銨(NH4F、NH4HF2)、氟硼酸銨(NH4BF4)、氟化鉀(KF )、氟氫化鉀(KHF2)、氟化鋁(AlF3)及氟硼酸(HBF4)、氟化鋰(LiF)、氟硼酸鉀(KBF4)以及氟化鈣(CaF2)構成的群中的一種以上。
8.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述唑化合物為0.lwt%以上、2wt%以下。
9.根據權利要求8所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述唑化合物為選自由苯并三唑(benzotriazole)、氨基四唑(aminotetrazole)、氨基四唑鉀鹽(aminotetrazole ofpotassium salt)、咪唑(imidazole)及吡唑(pyrazole)構成的群中的一種以上。
10.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述有機酸為5wt%以上、15wt%以下。
11.根據權利要求10所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述有機酸為選自由草酸、草乙酸、富馬酸、羥基丁二酸、丁二酸、乙酸、丁酸、軟脂酸、抗壞血酸、尿酸、磺酸、亞磺酸、酒石酸、蟻酸、檸檬酸、異檸檬酸、α -酮戊二酸、琥珀酸及乙醇酸構成的群中的一種以上。
12.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述硝酸鹽為lwt%以上、5wt%以下。
13.根據權利要求12所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述硝酸鹽為選自由硝酸銨(Ammonium nitrate ；NH4NO3)> 硝酸鈉(Sodium nitrate;NaN03)> 硝酸鉀(Potassiumnitrate;KNO3)及硝酸鋰(Lithium nitrate;LiNO3)構成的群中的一種以上。
14.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述氯化合物為0.001wt%以上、0.lwt% 以下。
15.根據權利要求14所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述氯化合物為選自由氯化銨(Ammonium Chloride;NH4Cl)、氯化鉀(potassium Chloride;KCl)、氯化鈉(SodiumChloride ;NaCl)、氯化鋰(Lithium Chloride;LiCl)構成的群中的一種以上。
16.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，使用所述金屬布線蝕刻液的所述金屬布線為包含銅的單一膜、銅合金膜及多層膜中的一個，所述多層膜中，下部膜包括鈦膜(Ti )、氧化銦錫膜(ITO)、氧化銦鎵鋅膜(IGZ0)、氧化銦鋅膜(ΙΖ0)、氧化鋅鋁膜(ZAO)中的一種以上,上部膜包含銅。
17.根據權利要求1所述的金屬布線蝕刻液，其中，所述過硫酸鹽為5wt%以上、15wt%以下，所述磺酸鹽為lwt%以上、10wt%以下，所述氟化合物為0.01wt%以上、lwt%以下，所述唑化合物為0.lwt%以上、2wt%以下，所述有機酸為5wt%以上、15wt%以下，所述硝酸鹽為lwt%以上、5wt%以下，所述氯化合物為0.001wt%以上、0.01wt%以下。
18.一種金屬布線形成方法，包括: 在基板上形成包含銅的單一膜、銅合金膜及多層膜中的至少一個的步驟，所述多層膜中，下部膜包括鈦膜(Ti)、氧化銦錫膜(ΙΤ0)、氧化銦鎵鋅膜(IGZ0)、氧化銦鋅膜(ΙΖ0)、氧化鋅鋁膜(ZAO)中的一種以上，上部膜包括銅或者銅合金膜；以及 使用蝕刻液蝕刻所述單一膜、所述銅合金膜及所述多層膜中一個的步驟， 所述蝕刻液包含過硫酸鹽、磺酸鹽、氟化合物、唑化合物、有機酸、硝酸鹽、氯化合物。
19.根據權利要求18所述的金屬布線形成方法，其中，形成所述多層膜的步驟中用所述蝕刻液統(tǒng)一蝕刻所述上部膜及所述下部膜。
20.根據權利要求18所述的金屬布線形成方法，其中，所述過硫酸鹽為5wt%以上、15wt%以下，所述磺酸鹽為lwt%以上、10wt%以下，所述氟化合物為0.01wt%以上、lwt%以下，所述唑化合物為0.l wt%以上、2wt%以下，所述有機酸為5wt%以上、15wt%以下，所述硝酸鹽為lwt%以上、5wt%以下，所述氯化合物為0.001wt%以上、0.lwt%以下。
【文檔編號】C23F1/18GK103526206SQ201310136179
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年4月18日 優(yōu)先權日:2012年7月3日
【發(fā)明者】金奎佈, 徐源國, 申賢哲, 李騏范, 曹三永, 韓勝然, 鄭鐘鉉, 金仁培, 金善一, 樸弘植, 鄭在佑 申請人:株式會社東進世美肯