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      沉積裝置制造方法

      文檔序號:3289889閱讀:104來源:國知局
      沉積裝置制造方法
      【專利摘要】一種沉積裝置,包括沉積源單元、多個噴嘴、多個角度限制部件以及多個第一加熱器單元。其中,沉積源單元使沉積材料蒸發(fā),多個噴嘴布置在沉積源單元的上表面上并用于將被蒸發(fā)的沉積材料噴射到面向沉積源單元的上表面的基板上,多個角度限制部件布置在沉積源單元的上表面上并位于噴嘴的左側(cè)和右側(cè),第一加熱器單元中的每一個均布置在角度限制部件中的相應(yīng)角度限制部件的上表面上。
      【專利說明】沉積裝置
      [0001]優(yōu)先權(quán)要求
      [0002]本申請要求早先于2012年7月5日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的題為“沉積裝置 (DEPOSITION APPARATUS)”的第10-2012-0073560號申請的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0003]本發(fā)明涉及沉積裝置。更具體地,本發(fā)明涉及能夠限制沉積材料的噴射角度的沉積裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0004]目前,有機發(fā)光二極管顯示器作為下一代顯示裝置而受到了高度關(guān)注,因為與液晶顯示裝置相比,有機發(fā)光二極管顯示器不僅具有出眾的亮度和視角,而且還不需要單獨的光源。因此,有機發(fā)光二極管顯示器具有纖薄和重量輕的優(yōu)點。此外,有機發(fā)光二極管顯示器還具有有益特性,例如快響應(yīng)速度、低驅(qū)動電壓、高亮度等。
      [0005]一般而言,有機發(fā)光二極管顯示器包括有機發(fā)光裝置,該有機發(fā)光裝置包括陽極、 有機發(fā)光層和陰極??昭ê碗娮油ㄟ^陽極和陰極被注入有機發(fā)光層,并在有機發(fā)光層中重新復(fù)合以生成激子。當(dāng)激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時,激子以光的形式發(fā)出釋放的能量。
      [0006]陽極和陰極由金屬薄膜或透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成。有機發(fā)光層被配置為包括至少一個有機薄膜。當(dāng)在有機發(fā)光二極管顯示器的基板上沉積有機薄膜或金屬薄膜時,使用沉積裝置。沉積裝置包括裝有沉積材料的坩堝和噴射沉積材料的噴嘴。當(dāng)坩堝被加熱時,坩堝中的沉積材料被蒸發(fā)并且被蒸發(fā)的沉積材料通過噴嘴噴射。從噴嘴噴射出的沉積材料沉積在基板上,從而形成有機薄膜。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]本公開提供了能夠限制沉積材料的噴射角度的沉積裝置。
      [0008]本發(fā)明的實施方式提供了一種沉積裝置,其包括沉積源單元、多個噴嘴、多個角度限制部件以及多個第一加熱器單元。其中,沉積源單元使沉積材料蒸發(fā),多個噴嘴布置在沉積源單元的上表面上以將被蒸發(fā)的沉積材料噴射到面向沉積源單元的上表面的基板上,多個角度限制部件布置在沉積源單元的上表面上并位于噴嘴的左側(cè)和右側(cè),第一加熱器單元中的每一個均布置在角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面上。
      [0009]沉積源單元包括坩堝和第二加熱器單元,其中坩堝中填充有沉積材料,第二加熱器單元使沉積材料蒸發(fā)。
      [0010]第一加熱器單元產(chǎn)生的溫度高于所述第二加熱器單元產(chǎn)生的溫度。
      [0011]角度限制部件包括多個第一角度限制部件和多個第二角度限制部件,其中,第一角度限制部件中的每一個均布置在噴嘴中的相應(yīng)的噴嘴的左側(cè),每個第二角度限制部件中的每一個均布置在噴嘴中的相應(yīng)的噴嘴的右側(cè)。[0012]從噴嘴噴射出的被蒸發(fā)的沉積材料的噴射角度通過第一角度限制部件和第二角度限制部件被限制為預(yù)定角度。
      [0013]基板包括多個子像素區(qū)域和分別與多個子像素區(qū)域?qū)?yīng)的多個有效沉積區(qū)域,多個子像素區(qū)域中形成有多個子像素,有效沉積區(qū)域中的每一個的寬度均大于子像素區(qū)域中的每一個的寬度。
      [0014]預(yù)定角度被設(shè)定成允許被蒸發(fā)的沉積材料沉積到有效沉積區(qū)域中的角度。
      [0015]與沉積源單元的上表面和角度限制部件的上表面之間的高度相對應(yīng)的第一高度被設(shè)定成高于與沉積源單元的上表面和噴嘴的上表面之間的高度相對應(yīng)的第二高度。
      [0016]第一加熱器單元中的每一個均具有半圓形、矩形、正方形、 半橢圓形和帶圓角的矩形形狀中的一種。
      [0017]本發(fā)明的實施方式提供了一種沉積裝置,其包括沉積源單元、多個噴嘴、多個角度限制部件以及多個加熱器單元。其中沉積源單元使沉積材料蒸發(fā),多個噴嘴布置在沉積源單元的上表面上以將被蒸發(fā)的沉積材料噴射到面向沉積源單元的上表面的基板上,多個角度限制部件布置在沉積源單元的上表面上,以及加熱器單元中的每一個均布置在角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面上。角度限制部件包括多個第一角度限制部件、第二角度限制部件以及第三角度限制部件,其中多個第一角度限制部件布置在噴嘴之間,第二角度限制部件布置在噴嘴之中的設(shè)置在最靠右位置處的噴嘴的右側(cè),以及第三角度限制部件布置在噴嘴之中的設(shè)置在最靠左位置處的噴嘴的左側(cè)。
      [0018]第一角度限制部件中的每一個均具有第一寬度,第一寬度小于由兩個彼此相鄰的噴嘴之間的寬度限定的第二寬度并大于第二寬度的一半。
      [0019]第一角度限制部件中的每一個均具有第一寬度,第一寬度小于由兩個彼此相鄰的噴嘴之間的寬度限定的第二寬度的一半。
      [0020]加熱器單元包括多個第一子加熱器單元和多個第二子加熱器單元。其中,第一子加熱器單元中的每一個均布置在第一角度限制部件、第二角度限制部件和第三角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面的左部。第二子加熱器單元中的每一個均布置在第一角度限制部件、第二角度限制部件和第三角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面的右部。
      [0021]加熱器單元中的每一個均覆蓋第一角度限制部件、第二角度限制部件和第三角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面。
      [0022]第一角度限制部件、第二角度限制部件和第三角度限制部件中的每一個均具有T形形狀。
      [0023]根據(jù)上文所述,沉積裝置限制沉積材料的噴射角度,因此有機材料可沉積在有效沉積區(qū)域中。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0024]在結(jié)合附圖考慮時,通過參照下面的詳細(xì)描述,本發(fā)明及其多個優(yōu)點將變得更容易理解并且更加顯而易見。在附圖中,相同的參考標(biāo)記指示相同或相似的部件,其中:
      [0025]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的沉積裝置的視圖;
      [0026]圖2為示出圖1所示的沉積裝置的一部分的放大視圖;[0027]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的沉積裝置的視圖;
      [0028]圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的沉積裝置的視圖;
      [0029]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施方式的沉積裝置的視圖;
      [0030]圖6為示出根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的沉積裝置的視圖;以及
      [0031]圖7為示出根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      【具體實施方式】
      [0032]應(yīng)理解,當(dāng)元件或?qū)颖环Q為位于另一元件或?qū)印吧稀?、或“連接至”或“耦合至”另一元件或?qū)訒r,該元件或?qū)涌芍苯游挥诹硪辉驅(qū)由?、直接連接或耦合至另一元件或?qū)踊蚩纱嬖诮橛谄溟g的元件或?qū)?。相反地,?dāng)元件被稱為“直接位于另一元件或?qū)由稀?、“直接連接至”或“直接耦合至”另一元件或?qū)訒r,則不存在介于其間的元件或?qū)?。貫穿全文,相同的?shù)字表示相同的元件。如本文所使用的,用語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的列舉項的任意及所有組合。
      [0033]應(yīng)理解,雖然在本文中可使用用語第一、第二等來描述多個元件、部件、區(qū)域、層和 /或部分,但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)由這些用語限制。這些用語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層或部分進(jìn)行區(qū)分。因此,在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下,下面討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可被稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。
      [0034]出于方便描述的目的,空間相關(guān)用語例如“下方”、“之下”、“低于”、“之上”、“上方” 等在文中可用于描述如附圖所示的一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解,空間相關(guān)用語旨在包括除了附圖中示出的定向之外的裝置在使用或操作中的不同定向。例如,如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn),則被描 述為位于其他元件或特征“之下”或“下方”的元件將被定向成位于其他元件或特征“之上”。因此,示例性用語“之下”可以既包括之上的定向也包括之下的定向。因此,裝置可以通過其它方式被定向(轉(zhuǎn)動90度或成其他定向)并且文中使用的空間相關(guān)描述符也所相應(yīng)解釋。
      [0035]本文所使用的術(shù)語僅用于描述特定的實施方式而不打算作為對本發(fā)明的限制。 如本文所使用的,單數(shù)形式“一個(a)”、“一個(an)”、“該(the)”旨在包括復(fù)數(shù)形式,除非文中清楚地另有所指。還應(yīng)理解,當(dāng)說明書中使用用語“包括(include)”和/或“包括 (including)”時,指的是所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在,但不應(yīng)排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在。
      [0036]除非另有定義,本文所使用的所有用語(包括技術(shù)和科學(xué)用語)具有與本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的意義相同的意義。還應(yīng)理解,例如那些常用字典中定義的用語應(yīng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的意義一致的意義,并且不應(yīng)解釋為理想化或過于正式的意思,除非文中明確限定。
      [0037]在下文中,將參照附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明。
      [0038]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      [0039]參照圖1,沉積裝置100包括真空室10、沉積源單元110、多個噴嘴114、多個角度限制部件115、多個加熱器單元116、精細(xì)金屬掩模120 (在下文中稱為FMM)以及基板130。
      [0040]為了便于說明,在圖1中示出了 5個噴嘴114和10個角度限制部件115,但噴嘴114的數(shù)量和角度限制部件115的數(shù)量不應(yīng)被限于此。
      [0041]真空室10維持高度真空狀態(tài)以阻止外界物質(zhì)進(jìn)入真空室10并確保沉積材料的平直性。真空室10維持約10E-7托的真空度。
      [0042]沉積源單元110布置在真空室10的下部。待沉積在基板130上的沉積材料例如有機材料、金屬材料等設(shè)置在沉積源單元110內(nèi)。沉積源單元110被配置為使沉積材料蒸發(fā)。
      [0043]基板130布置在真空室10的上部以面向沉積源單元110的上部。FMM120布置在待附接的基板130上。
      [0044]沉積源單元110包括坩堝112和第二加熱器單元113,坩堝112填充有待沉積在基板130上的沉積材料111,第二加熱器單元113用于蒸發(fā)沉積材料111。在待沉積在基板130上的沉積材料111為有機材料的情況下,可在基板130上形成有機薄層。在下文中,有機材料將被描述為沉積材料111,但沉積材料111不應(yīng)僅限于有機材料。也就是說,沉積材料111可以是金屬材料。第二加熱器單元113將坩堝112加熱以使填充在坩堝112內(nèi)的有機材料111蒸發(fā),從而被蒸發(fā)的有機材料行進(jìn)至布置在沉積源單元110的上表面上的噴嘴
      114。
      [0045]噴嘴114布置在沉積源單元110的上表面上并且以固定間隔相互隔開。噴嘴114將沉積源單元110中的被蒸發(fā)的有機材料111噴射出。具體地,通過第二加熱器單元113蒸發(fā)的有機材料111通過噴嘴114噴射在面向沉積源單元110的上表面的基板130上。 [0046]角度限制部件115布置在沉積源單元110的上表面上并位于噴嘴114的左側(cè)和右側(cè)。也就是說,每一對角度限制部件115均被布置成彼此面對,同時在每一對角度限制部件115之間插入噴嘴114中的相應(yīng)噴嘴。具體地,角度限制部件115包括多個第一角度限制部件115_1和多個第二角度限制部件115_2,多個第一角度限制部件115_1中的每一個均布置在噴嘴114中的相應(yīng)噴嘴的左側(cè),多個第二角度限制部件115_2中的每一個均布置在噴嘴114中的相應(yīng)噴嘴的右側(cè)。
      [0047]當(dāng)沉積源單元110的上表面分別與第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2的上表面之間的高度被稱為第一高度Hl且沉積源單元110的上表面與噴嘴114的上表面之間的高度被稱為第二高度H2時,第一高度Hl被設(shè)置成高于第二高度H2。
      [0048]第一加熱器單元116分別布置在角度限制部件115上。具體地,第一加熱器單元116分別設(shè)置在第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2的上表面上,從而分別覆蓋第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2的整個上表面。如圖1所示,第一加熱器單元116呈半圓形,但它們不應(yīng)僅限于半圓形。也就是說,第一加熱器單元116可具有各種形狀,例如矩形、正方形、半橢圓形、帶圓角的矩形等。
      [0049]從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度分別通過布置在噴嘴114的左側(cè)和右側(cè)的第一加熱器單元116以及第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2限制成一定角度。無論有機材料111的噴射角度如何,第一加熱器單元116中的每一個都具有不變的尺寸。第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2中的每一個都分別被設(shè)定成特定尺寸以將有機材料111的噴射角度限制成一定角度。也就是說,有機材料111的噴射角度通過第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2基本上被限制成一定角度。[0050]從噴嘴114噴射出的有機材料111的、通過第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2限制的噴射角度可以為第一角度0 1,以第一角度0 I從噴嘴114噴射出的有機材料111由圖1中的實心箭頭線表不。
      [0051]在第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2均不存在的情況下,從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度可以為第二角度0 2。以第二角度0 2從噴嘴114 噴射出的有機材料111由圖1中的虛箭頭線表示。
      [0052]第一角度0 I被設(shè)定成小于第二角度0 2。優(yōu)選地,第一角度0 I被設(shè)定成確保基板130上的有效沉積區(qū)域的角度。下面將參照圖2具體描述第一角度0 I。
      [0053]如上所述,第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2各自的第一高度 Hl被設(shè)定成高于噴嘴114的第二高度H2。此外,第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2各自的第一高度Hl可被設(shè)定成允許從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度為第一角度9 I。第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2可分別布置成與噴嘴114相鄰,使得有機材料111的噴射角度為第一角度0 I。
      [0054]例如,當(dāng)?shù)谝唤嵌?1減小時,第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件 115_2各自的第一高度Hl變高,并且第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2 分別被布置成更靠近噴嘴114。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I增加時,第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2各自的第一高度Hl變低,并且第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2分別被布置成更遠(yuǎn)離噴嘴114。
      [0055]借助于第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2以第一角度0 I噴射在基板130上的有機材料111可分別堆積在第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件 115_2上。當(dāng)有機材料111分別堆積在第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2 上時,第一角度9 I變成與預(yù)定角度不同的角度。第一加熱器單元116以指定的溫度分別加熱第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2,使得分別堆積在第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2上的有機材料111蒸發(fā)。
      [0056]通過第一加熱器單元116產(chǎn)生的溫度可被設(shè)定成高于通過第二加熱器單元113產(chǎn)生的溫度,從而使分別堆積在第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2上的有機材料111有效地蒸發(fā)。
      [0057]FMM120包括屏蔽部121和開口部122。以第一角度0 I從噴嘴114噴射出的有機材料111穿過FMM120的開口部122沉積在基板130上。也就是說,穿過FMM120的開口 部 122的有機材料111可沉積在基板130的子像素區(qū)域上。FMM120被制備成與基板130具有相同的尺寸。FMMl20布置在基板130上以與基板130接觸。
      [0058]沉積裝置100還可包括基板支撐件(未示出),基板支撐件布置在真空室10中以支撐基板130的邊緣部分。基板130為用于有機電致發(fā)光顯示裝置的基板,但該基板不應(yīng)僅限于此。
      [0059]圖2為圖1所示的沉積裝置的一部分的放大視圖。
      [0060]參照圖2,基板130包括第一區(qū)域B1、子像素區(qū)域S_P和第二區(qū)域B2,這些區(qū)域與 FMMl20的開口部122相對應(yīng)。
      [0061]子像素區(qū)域S_P為其中形成有子像素的區(qū)域。第一區(qū)域BI為有效沉積區(qū)域。第一區(qū)域BI的寬度大于子像素區(qū)域S_P的寬度以有效地形成子像素。FMM120的開口部122允許有機材料111沉積在基板130的特定區(qū)域中。
      [0062]為了便于說明,在圖2中示出一個第一區(qū)域BI和一個子像素區(qū)域S_P。然而,因為在FMM120中設(shè)有多個開口部122,所以基板130可包括多個第一區(qū)域BI和分別與多個第一區(qū)域BI相對應(yīng)的多個子像素區(qū)域S_P。
      [0063]如上所述,圖2中示出的實箭頭線表示以第一角度Θ I從噴嘴114噴射到基板130上的有機材料111。圖2中示出的虛箭頭線表示當(dāng)角度限制部件115不存在時以第二角度Θ 2從噴嘴114噴射到基板130上的有機材料111。
      [0064]從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射可通過第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2被設(shè)定成某一角度,從而允許有機材料111沉積在有效沉積區(qū)域中。也就是說,第一角度Θ I可被設(shè)定成使從噴嘴114噴射出的有機材料111沉積在第一區(qū)域BI中的角度。因此,如上所述,從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度可以是通過第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2設(shè)定的第一角度Θ I。
      [0065]如圖2所示,借助于第一角度限制部件115_1和第二角度限制部件115_2以第一角度Θ I從噴嘴114噴射出的有機材料111入射在基板130的第一區(qū)域BI上。因此,有機材料111沉積在基板130的有效沉積區(qū)域BI中。
      [0066]當(dāng)?shù)谝唤嵌认拗撇考?15_1和第二角度限制部件115_2均不存在時,以第二角度Θ 2從噴嘴114噴射出的有機材料111沉積在基板130的第二區(qū)域B2中。第二區(qū)域B2的寬度小于子像素區(qū)域S_P的寬度。因此,當(dāng)角度限制部件115不存在時,有機薄層不正常地形成。
      [0067]因此,根據(jù)第一示例性實施方式的沉積裝置100使用角度限制部件115限制有機材料111的噴射角度,因此有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0068]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      [0069]除了角度限制部件115_1、115_2和115_3以及第一加熱器單元116之外,圖3中示出的沉積裝置200的結(jié)構(gòu)和功能與圖1中示出的沉積裝置100的結(jié)構(gòu)和功能相同。因此,在圖3中,相同的參考標(biāo)記表示圖1中示出的相同元件。因此,相同元件的詳細(xì)描述將被省略而將主要描述不同的特征。
      [0070]參照圖3,角度限制部件115_1、115_2和115_3包括多個第一角度限制部件115_1以及第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3,其中每個第一角度限制部件115_1均布置在噴嘴114之間,第二角度限制部件115_2位于噴嘴114中的設(shè)置在最靠右位置處的噴嘴的右側(cè),第三角度限制部件115_3位于噴嘴114中的設(shè)置在最靠左位置處的噴嘴的左側(cè)。
      [0071]第一角度限制部件115_1中的每一個均具有第一寬度D1,兩個相鄰的噴嘴以第二寬度D2彼此隔開。第一寬度Dl小于第二寬度D2并大于第二寬度D2的一半。第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3具有相同的寬度,例如第三寬度D3。第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3具有相同的高度,例如第一高度Hl。第一高度Hl被設(shè)定成高于噴嘴114的第二高度H2。
      [0072]第一角度限制部件115_1的第一高度Hl和第一寬度Dl以及第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl和第三寬度D3可被設(shè)定成允許從噴嘴114噴射的有機材料111將第一角度Θ I作為其噴射角度。[0073]例如,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I減小時,第一角度限制部件115_1的第一高度Hl變高,并且第一角度限制部件115_1的第一寬度Dl變寬。盡管第一寬度Dl變寬,但第一寬度Dl仍被設(shè)定成小于第二寬度D2。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I減小時,第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl變高,并且第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件 115_3的第三寬度D3變寬。[0074]當(dāng)?shù)谝唤嵌? I增加時,第一角度限制部件115_1的第一高度Hl變低,并且第一角度限制部件115_1的第一寬度Dl變窄。盡管第一寬度Dl變窄,但第一寬度Dl仍被設(shè)定成大于第二寬度D2的一半。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I增加時,第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl變低,并且第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第三寬度D3變窄。
      [0075]因此,從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度可通過第一角度限制部件 115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3被限制為第一角度0 I。
      [0076]如上文中參照圖1所述,第一角度0 I被設(shè)定成小于第二角度0 2。優(yōu)選地,第一角度Q I可被設(shè)定成確?;?30上的有效沉積區(qū)域的角度。也就是說,以第一角度9 I 從噴嘴114噴射出的有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0077]第一加熱器單元116包括多個第一子加熱器單元116_1和多個第二子加熱器單元 116_2,其中,第一子加熱器單元116_1中的每一個分別位于第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的相應(yīng)角度限制部件的上表面的左部, 第二子加熱器單元116_2中的每一個分別位于第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的相應(yīng)角度限制部件的上表面的右部。
      [0078]以第一角度0 I噴射到基板130上的有機材料111可分別堆積在第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3上。第一子加熱器單元116_1和第二子加熱器單元116_2以指定的溫度分別加熱第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3,從而分別使堆積在第一角度限制部件 115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3上的有機材料111蒸發(fā)。通過第一子加熱器單元116_1和第二子加熱器單元116_2產(chǎn)生的溫度可被設(shè)定成高于通過第二加熱器單元113產(chǎn)生的溫度,從而分別使堆積在第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3上的有機材料111有效地蒸發(fā)。
      [0079]因此,根據(jù)第二示例性實施方式的沉積裝置200使用第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3限制有機材料111的噴射角度,因此有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0080]圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      [0081]除了第一加熱器單元116之外,圖4中示出的沉積裝置300的結(jié)構(gòu)和功能與圖3 中示出的沉積裝置200的結(jié)構(gòu)和功能相同。因此,在圖4中,相同的參考標(biāo)記表示圖3中示出的相同元件。因此,相同元件的詳細(xì)描述將被省略而將主要描述不同的特征。
      [0082]參照圖4,第一加熱器單元116中的每一個均被形成為分別覆蓋第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中對應(yīng)的角度限制部件的整個上表面。沉積裝置300的其他部分的結(jié)構(gòu)和功能與圖3示出的沉積裝置200的結(jié)構(gòu)和功能相同,因此將省略對其他部分的詳細(xì)描述。[0083]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      [0084]除了角度限制部件115_1、115_2和115_3以及第一加熱器單元116之外,圖5中示出的沉積裝置400的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中示出的沉積裝置200的結(jié)構(gòu)和功能相同。因此, 在圖5中,相同的參考標(biāo)記表示圖3中示出的相同元件。因此,相同元件的詳細(xì)描述將被省略而將主要描述不同的特征。
      [0085]參照圖5,角度限制部件115_1、115_2和115_3包括多個第一角度限制部件 115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3,其中多個第一角度限制部件 115_1中的每一個均布置在噴嘴114之間,第二角度限制部件115_2布置在噴嘴114中的設(shè)置在最靠右位置處的噴嘴的右側(cè),第三角度限制部件115_3布置在噴嘴114中的設(shè)置在最靠左位置處的噴嘴的左側(cè)。
      [0086]圖5中示出的角度限制部件具有比圖3和圖4中示出的角度限制部件更窄的寬度和更高的高度。
      [0087]第一角度限制部件115_1中的每一個均具有第一寬度D1,兩個相鄰的噴嘴以第二寬度D2彼此隔開。第一寬度Dl被設(shè)定成小于第二寬度D2的一半。第二角度限制部件 115_2和第三角度限制部件115_3具有相同的寬度,例如第三寬度D3。此外,第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3具有相同的高度,例如第一高度H1。
      [0088]第一角度限制部件115_1的第一高度Hl和第一寬度Dl以及第二角度限制部件 115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl和第三寬度D3可被設(shè)定成允許從噴嘴114 噴射出的有機材料111將第一角度0 I作為其噴射角度。
      [0089]例如,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I減小時,第一角度限制部件115_1的第一高度Hl變高,并且第一角度限制部件115_1的第一寬度Dl變寬。盡管第一寬度Dl變寬,但第一寬度Dl仍被設(shè)定成小于第二寬度D2的一半。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I減小時,第二角度限制部件115_2 和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl變高,并且第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第三寬度D3變寬。
      [0090]當(dāng)?shù)谝唤嵌? I增加時`,第一角度限制部件115_1的第一高度Hl變低,并且第一角度限制部件115_1的第一寬度Di變窄。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌?1增加時,第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl變低,并且第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第三寬度D3變窄。
      [0091]因此,從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度可通過第一角度限制部件 115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3被限制為第一角度0 I。
      [0092]如上所述,第一角度0 I被設(shè)定成小于第二角度0 2。優(yōu)選地,第一角度0 I可被設(shè)定成確?;?30上的有效沉積區(qū)域的角度。也就是說,以第一角度0 1從噴嘴114噴射出的有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0093]第一加熱器單元116中的每一個分別形成在第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的相對應(yīng)角度限制部件上,從而分別覆蓋第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的相應(yīng)角度限制部件的整個上表面。第一加熱器單元116以指定的溫度分別加熱第一角度限制部件 115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3,從而分別使堆積在第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3上的有機材料111蒸發(fā)。通過第一加熱器單元116產(chǎn)生的溫度可被設(shè)定成高于通過第二加熱器單元113產(chǎn)生的溫度,從而分別使堆積在第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3上的有機材料111有效地蒸發(fā)。
      [0094]因此,根據(jù)第四示例性實施方式的沉積裝置400使用第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3限制有機材料111的噴射角度,因此有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0095]圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      [0096]除了角度限制部件115_1、115_2和115_3之外,圖6中示出的沉積裝置500的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中示出的沉積裝置200的結(jié)構(gòu)和功能相同。因此,在圖6中,相同的參考標(biāo)記表示圖3中示出的相同元件。因此,相同元件的詳細(xì)描述將被省略而將主要描述不同的特征。
      [0097]參照圖6,角度限制部件115_1、115_2和115_3包括多個第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件11 5_2和第三角度限制部件115_3,其中第一角度限制部件115_1中的每一個均布置在噴嘴114之間,第二角度限制部件115_2位于噴嘴114中的設(shè)置在最靠右位置處的噴嘴的右側(cè),第三角度限制部件115_3位于噴嘴114中的設(shè)置在最靠左位置處的噴嘴的左側(cè)。
      [0098]第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的每一個都具有T形形狀。具體地,第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的每一個分別包括向上延伸的第一延伸部El以及在第一延伸部El的上部處向左右延伸的第二延伸部E2。第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3分別布置在沉積源單元110的上表面上。
      [0099]第一角度限制部件115_1中的每一個的第二延伸部E2具有第一寬度Dl,兩個相鄰的噴嘴以第二寬度D2彼此隔開。第一寬度Dl小于第二寬度D2。第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3中的每一個的第二延伸部E2具有一致的寬度,例如第三寬度D3。
      [0100]第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3具有相同的高度,例如第一高度Hl。第一高度Hl對應(yīng)于沉積源單元110的上表面與第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第二延伸部E2的上表面之間的高度。第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl被設(shè)定成高于噴嘴114的第二高度H2。
      [0101]第一角度限制部件115_1的第一高度H1、第一角度限制部件115_1的第二延伸部E2的第一寬度Dl以及第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第二延伸部E2的第三寬度D3可被設(shè)定成允許從噴嘴114噴射的有機材料111將第一角度Θ I作為其噴射角度。
      [0102]例如,當(dāng)?shù)谝唤嵌圈?I減小時,第一角度限制部件115_1的第一高度Hl變高,并且第一角度限制部件115_1的第二延伸部E2的第一寬度Dl變寬。盡管第一寬度Dl變寬,但第一寬度Dl仍被設(shè)定成小于第二寬度D2。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌圈?I減小時,第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl變高,并且第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第二延伸部E2的第三寬度D3變寬。
      [0103]當(dāng)?shù)谝唤嵌? I增加時,第一角度限制部件115_1的第一高度Hl變低,并且第一角度限制部件115_1的第二延伸部E2的第一寬度Dl變窄。此外,當(dāng)?shù)谝唤嵌? I增加時, 第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第一高度Hl變低,并且第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的第二延伸部E2的第三寬度D3變窄。
      [0104]因此,從噴嘴114噴射出的有機材料111的噴射角度可通過第一角度限制部件 115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3被限制為第一角度0 I。
      [0105]如上所述,第一角度0 I被設(shè)定成小于第二角度0 2。優(yōu)選地,第一角度0 I可被設(shè)定成確?;?30上的有效沉積區(qū)域的角度。也就是說,以第一角度0 1從噴嘴114噴射出的有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0106]因此,根據(jù)第五示例性實施方式的沉積裝置500使用第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3限制有機材料111的噴射角度,因此有機材料111可沉積在基板130的有效沉積區(qū)域中。
      [0107]圖7為示出根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施方式的沉積裝置的視圖。
      [0108]除了第一加熱器單元116之外,圖7中示出的沉積裝置600的結(jié)構(gòu)和功能與圖6 中示出的沉積裝置500的結(jié)構(gòu)和功能相同。因此,在圖7中,相同的參考標(biāo)記表示圖6中示出的相同元件。因此,相同元件的詳細(xì)描述將被省略而將主要描述不同的特征。
      [0109]參照圖7,第一加熱器單元116分別設(shè)置在第一角度限制部件115_1、第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的上表面上,從而覆蓋第一角度限制部件115_1、 第二角度限制部件115_2和第三角度限制部件115_3的整個上表面。沉積裝置600的其他部分的結(jié)構(gòu)和功能與圖6示出的沉積裝置500的結(jié)構(gòu)和功能相同,因此將省略對其他部分的詳細(xì)描述。
      [0110]雖然描述了本發(fā)明的示例性實施方式,但可以理解,本發(fā)明不應(yīng)僅限于這些示例性實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在隨后要求的的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行多種 變化和修改。
      【權(quán)利要求】
      1.一種沉積裝置,包括:沉積源單元,使沉積材料蒸發(fā);多個噴嘴,布置在所述沉積源單元的上表面上并用于將被蒸發(fā)的沉積材料噴射到面向所述沉積源單元的上表面的基板上;多個角度限制部件,布置在所述沉積源單元的上表面上并位于所述噴嘴的左側(cè)和右側(cè);以及多個第一加熱器單元,所述第一加熱器單元中的每一個均布置在所述多個角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面上。
      2.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,所述沉積源單元包括:坩堝,填充有所述沉積材料;以及第二加熱器單元,加熱所述坩堝以使所述沉積材料蒸發(fā)。
      3.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置,其中,所述第一加熱器單元產(chǎn)生的溫度高于所述第二加熱器單元產(chǎn)生的溫度。
      4.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,所述角度限制部件包括:多個第一角度限制部件,所述多個第一角度限制部件中的每一個均布置在所述噴嘴中的相應(yīng)的噴嘴的左側(cè);以及多個第二角度限制部件,所述多個第二角度限制部件中的每一個均布置在所述噴嘴中的相應(yīng)的噴嘴的右側(cè)。
      5.如權(quán)利要求4所述的沉積裝置,其中,從所述噴嘴噴射出的被蒸發(fā)的沉積材料的噴射角度通過所述多個第一角度限制部件和所述多個第二角度限制部件被限制為預(yù)定角度。
      6.如權(quán)利要求5所述的沉積裝置,其中,所述基板包括多個子像素區(qū)域和分別與所述多個子像素區(qū)域?qū)?yīng)的多個有效沉積區(qū)域,所述多個子像素區(qū)域中形成有多個子像素,`所述多個有效沉積區(qū)域中的每一個的寬度均大于所述多個子像素區(qū)域中的每一個的寬度。
      7.如權(quán)利要求6所述的沉積裝置,其中,所述預(yù)定角度被設(shè)定成允許所述被蒸發(fā)的沉積材料沉積到所述有效沉積區(qū)域中的角度。
      8.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,與所述沉積源單元的上表面和所述多個角度限制部件的上表面之間的高度相對應(yīng)的第一高度被設(shè)定成高于與所述沉積源單元的上表面和所述多個噴嘴的上表面之間的高度相對應(yīng)的第二高度。
      9.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置,其中,所述第一加熱器單元中的每一個均具有半圓形、矩形、正方形、半橢圓形和帶圓角的矩形形狀中的一種。
      10.一種沉積裝置,包括:沉積源單元,使沉積材料蒸發(fā);多個噴嘴,布置在所述沉積源單元的上表面上并用于將被蒸發(fā)的沉積材料噴射到面向所述沉積源單元的上表面的基板上;多個角度限制部件,布置在所述沉積源單元的上表面上;以及多個加熱器單元,所述加熱器單元中的每一個均布置在所述角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面上,所述角度限制部件包括:多個第一角度限制部件,布置在所述噴嘴之間;第二角度限制部件,布置在所述多個噴嘴之中的設(shè)置在最靠右位置處的噴嘴的右側(cè);以及第三角度限制部件,布置在所述多個噴嘴之中的設(shè)置在最靠左位置處的噴嘴的左側(cè)。
      11.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,所述多個第一角度限制部件中的每一個均具有第一寬度,所述第一寬度小于由兩個彼此相鄰的噴嘴之間的寬度限定的第二寬度并大于所述第二寬度的一半。
      12.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,所述多個第一角度限制部件中的每一個均具有第一寬度,所述第一寬度小于由兩個彼此相鄰的噴嘴之間的寬度限定的第二寬度的一半。
      13.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,所述多個加熱器單元包括:多個第一子加熱器單元,所述多個第一子加熱器單元中的每一個均布置在所述多個第一角度限制部件、所述第二角度限制部件和所述第三角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面的左部;以及 多個第二子加熱器單元,所述多個第二子加熱器單元中的每一個均布置在所述多個第一角度限制部件、所述第二角度限制部件和所述第三角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面的右部。
      14.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,所述多個加熱器中的每一個均單元覆蓋所述多個第一角度限制部件、所述第二角度限制部件和所述第三角度限制部件中的相應(yīng)的角度限制部件的上表面。
      15.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置,其中,所述多個第一角度限制部件、所述第二角度限制部件和所述第三角度限制部件中的每一個均具有T形形狀。
      【文檔編號】C23C14/24GK103526162SQ201310247589
      【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月5日
      【發(fā)明者】李相允 申請人:三星顯示有限公司
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