減壓處理室和排氣裝置制造方法
【專利摘要】為減壓處理室提供了一種改進(jìn)的加強(qiáng)和排氣裝置。該裝置特別有利于在減小的氣壓下的大型基板(一平方米或更大)的等離子處理室。該裝置包括沿著處理室的側(cè)壁形成的通道，并且來自該室的排氣出口連通至該通道中。該通道對側(cè)壁提供支承并且將廢氣傳輸至位于該氣體能夠從系統(tǒng)方便地泵送的位置處的口。在示例中，來自室的多個出口與提供到達(dá)單個排氣口的流動路徑的共用通道相連通。因此，雖然多個出口從室的內(nèi)部延伸至室的外部，但是僅需要提供到達(dá)排氣泵的單個連接件。
【專利說明】減壓處理室和排氣裝置
[0001]相關(guān)申請文件的交叉引用
[0002]本申請要求2012年6月21日提交的臨時申請61/662，415的優(yōu)先權(quán)，本申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及減壓處理系統(tǒng)例如等離子處理系統(tǒng)，并且特別地涉及一種用于在真空或減小(低于大氣壓)的壓力下運(yùn)行的等離子處理系統(tǒng)的改進(jìn)的支承或加強(qiáng)和排氣裝置。
[0004]等離子處理系統(tǒng)已知用于在處理基板中的各種操作。例如，等離子增強(qiáng)氣相化學(xué)沉積(PECVD)系統(tǒng)有利地使用在例如用在對平板顯示器、光伏電池或模塊或有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)的薄膜進(jìn)行沉積中。例如，硅或硅化合物例如硅基膜、氧化硅基膜或氮化硅基膜利用被激發(fā)以形成等離子的處理氣體(例如，硅烷、摻雜劑、氫等等)而形成。等離子處理系統(tǒng)能夠用于其他的過程例如蝕刻。
[0005]圖1示意性地示出了具有殼體或室I和一對大致平的平面電極2、3的PECVD系統(tǒng)。這種裝置例如在USP (美國專利)6，228，438中進(jìn)行了描述。該電極通過以7、8表示的連接器連接至一個或更多個合適的電源例如RF(射頻)/VHF(特高頻)電源(未圖示)。此外，在電極3上設(shè)置有基板4。示意性地示出了氣體供應(yīng)裝置5和排氣裝置6，然而應(yīng)當(dāng)理解的是，供應(yīng)裝置和排氣裝置具有不同的形式。
[0006]例如，這種裝置能夠用于例如將硅化合物沉積在玻璃基板例如具有11 OOmm-1300mm或1.4m2的尺寸的基板上。如所示出的，電極間間隙IEG設(shè)置為兩個電極之間的空間，而等離子間隙PG設(shè)置在基板4的頂部與上部電極2的底部之間。例如，標(biāo)準(zhǔn)間隙尺寸能夠是大約30mm,然而在IOmm以下的小間隙也能夠是期望的。應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，等離子間隙PG實際上是IEG減去 基板4的厚度。
[0007]這種系統(tǒng)能夠呈單個反應(yīng)器或單室系統(tǒng)的形式，但是也能夠是具有同時并行執(zhí)行對其他基板的化學(xué)氣相沉積(CVD)處理的多個反應(yīng)器的較大系統(tǒng)的一部分。此外，這種室或反應(yīng)器能夠設(shè)置成直列或集群構(gòu)型。兩種類型的反應(yīng)器裝置通常也是已知的，包括一個反應(yīng)器單壁室型裝置和盒(多盒)內(nèi)盒(box-1n-box)型裝置。在一個反應(yīng)器單壁室型裝置中，反應(yīng)器或室的壁形成在其中進(jìn)行所述處理的真空容積體或減壓容積體，并且周圍環(huán)境壓力或大約大氣壓圍繞在反應(yīng)器外部。在盒內(nèi)盒裝置中，反應(yīng)器盒提供處理區(qū)域，該處理區(qū)域位于另一室的外壁之內(nèi)以形成單獨的外殼體，并且該外殼體能夠保持在減小的壓力下。此外，在外部室中能夠設(shè)置多個反應(yīng)器用于進(jìn)行多個基板的分批處理。參見例如USP4, 989，543 和 USP5, 693，238。
[0008]特別地，當(dāng)在室中真空度或減小的壓力(低氣壓)的情況下對大型基板進(jìn)行處理時(例如，下部電極或基板支承件構(gòu)造成對一平方米或更大的基板進(jìn)行支承)，大的力能夠出現(xiàn)在室的外壁上。如果整個室的壁制得厚，則這種裝置的成本可能是昂貴的，特別是對于用于處理大型基板的足夠大的室以及其中系統(tǒng)包括多個這種室的這種裝置來說更是如此。
[0009]現(xiàn)有系統(tǒng)的額外的困難在于，通常設(shè)置有多個出口或泵送口用于從系統(tǒng)移除廢氣。特別是對于用于大型基板的大型系統(tǒng)來說，來自系統(tǒng)的單個排出口通常不足夠，并且因此，設(shè)置有多個口例如四個口。然而，該裝置的困難在于必須在每個排氣口位置處均設(shè)置配裝件、密封件、連接器等，并且此外，隨后必須將合適的管件或管道連接至排氣泵。此外，從提供緊湊設(shè)計的角度、或從不干涉其他功用或用于維護(hù)的通路的角度來看，排氣口的位置都會是不方便的。
[0010]本發(fā)明克服了已知的裝置的以上缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]從提供改進(jìn)的室支承的角度以及從提供改進(jìn)的廢氣處理裝置的角度來看，本發(fā)明提供了有利的特征。應(yīng)當(dāng)理解，本文中所描述的實施方式包括能夠單獨使用或結(jié)合使用的各種有利的特征。然而，由于實施方式能夠利用某些特征而不利用其他特征進(jìn)行構(gòu)造，故而本發(fā)明并不局限于本文中所描述的【具體實施方式】。
[0012]根據(jù)特別優(yōu)選的裝置，將室的加強(qiáng)與廢氣的處理結(jié)合以提供一種裝置，其在增強(qiáng)室的強(qiáng)度的同時也提供對于處理氣體的廢氣更方便地進(jìn)行處理。該裝置設(shè)置在處理室的外壁內(nèi)或者在外壁的外部，并且設(shè)置有沿著處理室壁中的至少一個處理室壁延伸的一個或更多個通道。此外，優(yōu)選地，該通道與從室的內(nèi)部延伸的孔連通，從而提供該通道與從室排出的廢氣的連通。因此，除了改進(jìn)室的支承，該通道還將來自排氣口的廢氣傳輸至廢氣能夠更方便地聯(lián)接至排氣泵所在的位置。因而，不需要將排氣泵直接地連接至廢氣排出室所在的位置。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的附加的特征，一個或更多個通道能夠與來自室的多個排氣口連通，所述通道提供至共用泵送口的流動路徑。因此，來自系統(tǒng)的一個排氣出口能夠用于從室出來的多個排氣出口。此外，來自系統(tǒng)的排氣出口或泵送口能夠設(shè)置在從室設(shè)計、排氣泵的位置的角度來看或者在減小對其他操作的干涉的方面更方便的位置處。另外，提供從來自室的多個出口至用于系統(tǒng)的一個排氣口的流動路徑減小了所有系統(tǒng)出口的數(shù)量，使得能夠減小與將多個出口聯(lián)接至一個或更多個泵相關(guān)聯(lián)的固定件的數(shù)量，從而節(jié)約了成本并且也減少了維護(hù)。此外，通過將排氣出口設(shè) 置在相對于排氣泵的位置更可取的位置處，能夠減小泵損耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]根據(jù)本文中的描述，特別是在結(jié)合附圖進(jìn)行考慮時，將容易得到對本發(fā)明的更好理解，其中:
[0015]圖1是常規(guī)等離子處理裝置的示意圖；以及
[0016]圖2A和圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子室的特征。
【具體實施方式】
[0017]根據(jù)下面的詳細(xì)描述，將容易得到對本發(fā)明的更好理解，其中，在各個不同的視圖中相同的附圖標(biāo)記用于相同或相似的部件。本發(fā)明特別有利于例如在PECVD系統(tǒng)中對基板進(jìn)行等離子處理，然而應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明能夠用于其他類型的處理系統(tǒng)、例如在蝕刻或其他類型的沉積系統(tǒng)中。此外，本發(fā)明特別有利于大型基板，例如，其中，基板支承件或下部電極構(gòu)造成對一平方米或更大的基板進(jìn)行支承。然而，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于用于對其他尺寸的基板進(jìn)行處理的系統(tǒng)。
[0018]如較早所討論的，特別是在減小的壓力環(huán)境下處理大型基板的情況下，在這種室的外壁上可能出現(xiàn)相當(dāng)大的力，并且此外，用于這種系統(tǒng)的廢氣移除裝置已經(jīng)不能充分地滿足要求了。
[0019]圖2A是穿過根據(jù)本發(fā)明的室的水平截面。在這種裝置中，例如，基板經(jīng)由例如以30表示的入口進(jìn)行給送或裝載，并且基板安置在位于室32的底部處的底板或下部電極上。處理氣體例如通過噴頭電極或其他氣體入口裝置而注入系統(tǒng)中，并且通過將電源例如RF電源施加于一個或更多個電極而將處理氣體激活成等離子。然后，將等離子用于對基板進(jìn)行處理、例如在玻璃基板上沉積膜或?qū)印?br> [0020]在所示出的示例中，室壁34 (連同室的頂部和底部)對位于其中的處理容積體進(jìn)行限定，并且室在低于大氣壓的壓力或減小的壓力下運(yùn)行。由于這種系統(tǒng)的尺寸，設(shè)置有多個排氣出口，然后廢氣通過聯(lián)接至每個排氣出口的排氣泵進(jìn)行泵送。在所示裝置中，從室設(shè)置有四個排氣出口 36。然而，在所示的裝置中，除了將每個開口或排氣口 36連接至排氣泵或真空泵，如下面所討論的，排氣口各自延伸至支承通道。
[0021]在室壁34中還能夠設(shè)置其他孔，所述孔例如用以提供用于其他功用的通路，例如提供用于對下部電極進(jìn)行冷卻的冷卻介質(zhì)的入口和出口、或用于提供用于電源的入口等。這種附加的入口孔或出口孔以38示出。
[0022]在所示的裝置中，排氣口 36與以40表示的一個或更多個通道連通。該通道由殼體形成，當(dāng)以橫截面觀察時，該殼體能夠看作包括側(cè)壁41。例如，側(cè)壁41能夠呈沿室的外壁36的外表面延伸的肋的形式。在所示裝置中，通道和形成通道的壁沿著側(cè)壁34豎向延伸。然而，能夠提供替代性的構(gòu)型，例如在該構(gòu)型中，通道(或部分通道)水平地延伸(或換句話說，垂直于所示的裝置延伸)。此外，設(shè)置頂部或蓋42以限定通道40。有時，室包括沿著壁延伸的預(yù)先存在的肋，并且在該情 況下，能夠通過增加頂部或蓋42以及增加形成通道端部的結(jié)構(gòu)體以形成通道殼體而形成通道40。頂部或蓋42能夠是能夠移除的或是能夠打開的例如以允許進(jìn)行清洗。室壁34a本身的外表面的一部分形成底部或與蓋相對的壁。
[0023]應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，能夠以各種方式提供通道。例如，如果在室壁上存在已有的肋，則能夠為肋設(shè)置蓋以形成通道。替代性地，能夠?qū)⒗呋騻?cè)壁41容易地增加至室的外部并且為其設(shè)置蓋，或者這種結(jié)構(gòu)體能夠設(shè)置為初始配備。作為另外的替代，通道結(jié)構(gòu)體的一個或更多個部分例如能夠通過對包括用于加強(qiáng)和氣體流動兩者的通道的壁結(jié)構(gòu)體進(jìn)行鑄造而與室壁一體地形成，或者能夠利用以上手段的結(jié)合。因而，通道也能夠形成在室壁之內(nèi)或部分地形成在室壁之內(nèi)并且與室壁形成為一體，使得通道沿室壁34延伸。應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，這種裝置提供了用于改進(jìn)室壁34的強(qiáng)度和支承、并且從而提高了系統(tǒng)的完整性和強(qiáng)度的外部支承件或外部骨架。如下文中所討論的，該裝置也提供改進(jìn)的廢氣處理。
[0024]圖2B是室的比圖2A較低的位置處的下部——并且特別是通道和蓋裝置——的放大截面圖以示出來自通道的泵送出口。側(cè)壁或肋41能夠具有各種形式例如具有圖2B中所示出的梁構(gòu)件裝置或作為實體肋。此外，蓋42能夠設(shè)置在側(cè)壁或肋41的最外表面上。替代性地，蓋42能夠在肋之間延伸，這會減小通道的尺寸。如果需要，例如能夠在蓋42上設(shè)置手柄42a，從而易于將蓋移除以進(jìn)行清洗。如圖2所示，蓋能夠具有延伸穿過該蓋的出口50。因而，廢氣能夠經(jīng)由排氣出口 36排出，然后通過通道40并且經(jīng)由聯(lián)接至合適的真空泵或排氣泵的出口 50排出。能夠為每個通道均設(shè)置排氣口或泵送口 50以從該通道排氣。該裝置從廢氣處理的角度來看是有利的，因為將出口 50定位于更便于聯(lián)接至排氣泵或真空泵的位置處，而將出口 36定位于最適于從室的內(nèi)部至室的外部進(jìn)行連通的位置處。例如，口 50能夠根據(jù)泵的位置或整個系統(tǒng)設(shè)計而設(shè)置在出口 36的位置的豎向上方或豎向下方。此外，因為不需要附加的真空管道或廢氣管道，故而通道40增強(qiáng)了室的強(qiáng)度或完整性，同時也改進(jìn)了廢氣處理，并且顯著地減小了空間需求，因而通道40提供了兩個功能的結(jié)合。
[0025]排氣出口或泵送出口 36能夠與每個通道40相關(guān)聯(lián)。替代性地，多個出口 36能夠與一個通道連通。例如，通道或通道部分能夠水平地延伸以覆蓋兩個出口 36。根據(jù)本發(fā)明的另外的優(yōu)選特征，通道能夠進(jìn)行連接或能夠?qū)⑼ǖ涝O(shè)置成包括共用通道或連接通道，使得從多個室出口 36排出的氣體能夠由單個真空泵從單個排氣口進(jìn)行泵送，并且能夠?qū)⒈盟涂诨蚺艢饪谠O(shè)置在從真空泵的位置和/或與室相關(guān)聯(lián)的其他操作或功用的方面來說更方便的位置處。例如，在圖2A中所示出的裝置中，通道40能夠沿著室的壁34豎向向下延伸，并且然后與圖2A中的虛線所示的、沿著室的底部延伸的附加通道或連接通道52連通。然后，這些通道52中的每個通道均能夠與另外的通道或連接通道53連通，所述另外的通道或連接通道53包括能夠連接至真空泵的引出排氣口或泵送口 54。因而，應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，除了需要至排氣出口 36的四個連接裝置，能夠利用以54表示的僅僅單個連接裝置，從而顯著地減少了所需要的固定件、密封件、聯(lián)接裝置等的數(shù)量。此外，出口 54能夠設(shè)置在使泵損耗最小的位置處、使得對其他操作的干涉最小的位置處、和/或提供更吸引人的設(shè)計的位置處。在出口或泵送口 54處于室的頂部處的情況下，如果需要，還能夠在室的頂部設(shè)置提供通向共用泵送口的一個或更多個連接通道52、53的裝置。作為另一替代，在泵送口54從單個連接通道延伸的情況下，例如能夠在室的底部(或頂部)上設(shè)置一個更大的通道，通道40中的每個通道均向該更大的通道中給送。能夠使用替代性的構(gòu)型或泵送口位置。合適的導(dǎo)管或柔性的管件60能夠?qū)⒈盟涂?54(或50)連接至泵62。
[0026]應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，能夠?qū)Ρ景l(fā)明進(jìn)行改型和變型，并且因此，本發(fā)明并不理解為局限于本文中所不出和描述的實施方 式。
【權(quán)利要求】
1.一種真空室包括: 殼體，所述殼體包括限定有處理容積體的至少一個壁，所述處理容積體以低于大氣壓的壓力容納一種或更多種處理氣體，所述殼體包括一個或更多個排氣口，所述一個或更多個排氣口形成從所述處理容積體延伸且穿過所述至少一個壁的開口； 一個或更多個閉合的加強(qiáng)元件，所述一個或更多個閉合的加強(qiáng)元件聯(lián)接至所述殼體的所述至少一個壁或形成于所述殼體的所述至少一個壁中，并且構(gòu)造成對所述殼體的至少一部分進(jìn)行強(qiáng)化以抵抗由所述低于大氣壓的壓力所引起的應(yīng)力，其中，所述一個或更多個閉合的加強(qiáng)元件包括: 至少一個通道，所述至少一個通道對從所述處理容積體經(jīng)由所述一個或更多個排氣口排出的處理氣體進(jìn)行傳輸； 泵送口，所述泵送口從所述至少一個通道抽出所述處理氣體，并且所述泵送口能夠聯(lián)接至泵送系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空室，其中，所述至少一個通道的內(nèi)表面的至少一部分由所述殼體的所述至少一個壁的外表面形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空室，其中，多個排氣口從所述處理容積體延伸至所述至少一個通道，并且其中，在所述處理氣體通過所述至少一個通道之后，一個泵送口抽出從所述處理容積體經(jīng)由所述多個排氣口排出的處理氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空室，其中，所述至少一個通道的至少一部分沿著所述殼體的所述至少一個壁豎向延伸，并且其中，所述泵送口與所述一個或更多個排氣口的位置豎向間隔開，并且其中，所述泵送口連接至真空泵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空室，其中，所述真空室是等離子處理室。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空室，其中，所述至少一個壁包括: 第一壁，所述第一壁具有延伸穿過所述第一壁的第一排氣口 ；以及 第二壁，所述第二壁具有延伸穿過所述第二壁的第二排氣口 ； 其中，所述至少一個通道包括: 第一通道，所述第一通道沿著所述第一壁的至少一部分延伸，并且其中，所述第一排氣口通向所述第一通道，使得處理氣體從所述處理容積體經(jīng)由所述第一排氣口排出至所述第一通道中；以及 第二通道，所述第二通道沿著所述第二壁的至少一部分延伸，并且其中，所述第二排氣口通向所述第二通道，使得處理氣體從所述處理容積體經(jīng)由所述第二排氣口排出至所述第二通道中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空室，其中，所述至少一個通道還包括: 至少一個連接通道，其中，所述至少一個連接通道與所述第一通道和所述第二通道兩者都連通，并且其中，所述泵送口從所述至少一個連接通道延伸，使得通過所述第一通道和所述第二通道兩者的處理氣體經(jīng)由所述泵送口排出系統(tǒng)外。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空室，其中，所述第一通道和所述第二通道中的每個通道均包括四個壁，所述四個壁包括: 第一通道側(cè)壁和第二通道側(cè)壁，所述第一通道側(cè)壁和所述第二通道側(cè)壁從所述殼體的外表面突出；第三通道壁，所述第三通道壁與所述殼體的所述外表面間隔開，所述第三通道壁從所述第一通道側(cè)壁延伸至所述第二通道側(cè)壁；以及 第四通道壁，所述第四通道壁由所述殼體的所述外表面的在所述第一通道側(cè)壁與第二通道側(cè)壁之間延伸的部分提供。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空室，其中，所述至少一個壁包括所述殼體的側(cè)壁，并且其中，所述至少一個通道包括: 第一通道側(cè)壁和第二通道側(cè)壁，所述第一通道側(cè)壁和所述第二通道側(cè)壁從所述殼體的所述側(cè)壁突出； 第三通道壁，所述第三通道壁與所述殼體的所述側(cè)壁間隔開，所述第三通道壁從所述第一通道側(cè)壁延伸至所述第二通道側(cè)壁；以及 第四通道壁，所述第四通道壁由所述殼體的所述側(cè)壁的外表面的在所述第一通道側(cè)壁與第二通道側(cè)壁之間延伸的部分提供。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空室，其中，所述第三通道壁包括蓋，所述蓋能夠被打開或被移除以提供進(jìn)入所述通道的內(nèi)部的通路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空室，其中，來自所述處理容積體的所述一個或更多個排氣口包括四個排氣口，并且其中，所述至少一個通道包括四個通道，并且其中，所述四個排氣口各自通向所述四個通道中的相應(yīng)的一個通道。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空室，其中，來自所有四個通道的氣體經(jīng)由單個泵送口排出所述系統(tǒng)，并且其中，所述單個泵送口連接至真空泵。
13.—種系統(tǒng)包括:` 處理室，所述處理室中具有處理容積體并且構(gòu)造成對具有大的平面表面面積的至少一個基板進(jìn)行處理，所述處理室包括室壁以容納用于在所述處理容積體中蝕刻所述基板或在所述基板上沉積膜的一種或更多種處理氣體，所述室壁包括: 內(nèi)表面； 外表面；以及 穿過所述室壁的一個或更多個開口，所述處理氣體通過所述一個或更多個開口以從所述處理容積體排出； 其中，所述系統(tǒng)還包括沿著所述室壁的所述外表面的至少一個殼體，所述至少一個殼體形成通道，所述通道限定在所述一個或更多個開口中的至少一個開口與所述殼體的引出口之間的流動路徑；以及 真空泵，所述真空泵聯(lián)接至所述引出口以經(jīng)由所述引出口移除處理氣體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述通道包括內(nèi)部表面，所述內(nèi)部表面包括所述室壁的所述外表面的一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述一個通道的至少一部分沿著所述室壁的所述外表面豎向延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述殼體包括能夠打開的蓋。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述一個或更多個開口包括第一開口和第二開口，并且其中，所述至少一個殼體包括多個通道，所述多個通道包括: 第一通道，所述第一通道接收經(jīng)由所述第一開口排出所述處理容積體的處理氣體；以及第二通道，所述第二通道接收經(jīng)由所述第二開口排出所述處理容積體的處理氣體；并且其中，來自所述第一通道和所述第二通道兩者的處理氣體經(jīng)由所述引出口排出所述系統(tǒng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，還包括至少一個連接通道，所述至少一個連接通道與所述第一通道和所述第二通道連通，并且其中，所述引出口從所述至少一個連接通道延伸。
19.一種處理氣體容器包括: 多個加強(qiáng)肋，所述多個加強(qiáng)肋沿著所述處理氣體容器的外部表面； 一個或更多個開口，所述一個或更多個開口在所述處理氣體容器中，所述一個或更多個開口中的至少一個開口設(shè)置在所述加強(qiáng)肋中的至少兩個加強(qiáng)肋之間；以及通道，所述通道沿著所述處理氣體容器的所述外部表面，所述通道包括: 第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁包括所述加強(qiáng)肋中的至少一個加強(qiáng)肋； 第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁包括所述加強(qiáng)肋中的至少另一個加強(qiáng)肋； 第三壁，所述第三壁從所述第一側(cè)壁延伸至所述第二側(cè)壁并且與所述處理氣體容器的所述外部表面間隔開，并且其中，所述第三壁的至少一部分能夠與所述通道選擇性地分離以打開所述通道并且提供進(jìn)入所述通道的通路； 第四壁，所述第四壁包括所述處理氣體容器的所述外部表面的一部分； 在所述處理氣體容器中的所述一個或更多個開口中的至少一個開口延伸至所述通道中；以及 出口，所述出口聯(lián)接至所述泵并且從所述通道泵送氣體。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的處理氣體容器，其中，所述容器是等離子處理室，并且其中，設(shè)置有所述通道中的至少兩個通道，并且其中，處理氣體經(jīng)由聯(lián)接至所述泵的所述出口從所述通道中的兩個通道均移除。
【文檔編號】C23C16/455GK103510068SQ201310271854
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月21日
【發(fā)明者】菲利普·瓦格納, 愛德華多·伊利尼奇, 達(dá)米安·埃倫施佩格 申請人:Tel太陽能公司