在基底上沉積層體系的涂布方法和具有層體系的基底的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及在基底(1)上沉積由硬質(zhì)材料層形成的層體系(S)的涂布方法，其包括下列方法步驟：提供可抽空的工藝室(2)，該工藝室具有含蒸發(fā)材料(M1)的陰極真空電弧蒸發(fā)源(Q1)和具有含放電材料(M2)的磁控放電源(Q2)，其中所述磁控放電源(Q2)可在HIPIMS模式下操作。隨后僅利用陰極真空電弧蒸發(fā)源(Q1)在陰極真空電弧蒸發(fā)工藝中在基底(1)的表面上沉積至少一個(gè)包含所述蒸發(fā)材料(M1)的接觸層(S1)。根據(jù)本發(fā)明，在沉積該接觸層(S1)后，通過陰極真空電弧蒸發(fā)源(Q1)和磁控放電源(Q2)的平行操作，以納米結(jié)構(gòu)混合層形式，特別地以混合相中的納米層中間層(S2)形式或以納米復(fù)合層形式，沉積至少一個(gè)包含所述蒸發(fā)材料(MI)和所述放電材料(M2)的中間層(S2)。在此方面，所述磁控放電源(Q2)在HIPIMS模式下操作，和隨后，僅利用磁控放電源(Q2)沉積至少一個(gè)包含所述材料(M2)的頂層(S3)，其中所述磁控放電源(Q2)在HIPIMS模式下操作。此外，本發(fā)明涉及具有層體系的基底。
【專利說明】在基底上沉積層體系的涂布方法和具有層體系的基底
[0001] 本發(fā)明涉及在基底上沉積硬質(zhì)材料層的層體系的涂布方法，其采用電弧蒸發(fā)源 (arc evaporation source)和可以HIPIMS模式工作的磁控放電源（），還涉及根據(jù)分別類別 的獨(dú)立權(quán)利要求前序部分的具有層體系的基底。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中已知的，采用陰極真空電弧蒸發(fā)技術(shù)（CVAE)沉積的PVD層在磨損防護(hù) 領(lǐng)域中的許多應(yīng)用中顯示了非常好的摩擦性能。如今采用氮化物層、碳化物層和氧化層以 及它們的混合來涂布各種工具（切割，成型，初級(jí)成型，塑料）和機(jī)械部件（尤其是夾具） 以及發(fā)動(dòng)機(jī)零件（尤其是活塞環(huán)，閥）。已知PVD工藝的特征是高涂布速度，由于蒸發(fā)材料 的高離子化而導(dǎo)致的致密層結(jié)構(gòu)，以及工藝穩(wěn)定性。然而，另一方面，已知的陰極真空電弧 蒸發(fā)技術(shù)（CVAE)也有很多缺點(diǎn)。
[0003] -個(gè)實(shí)質(zhì)的缺點(diǎn)是實(shí)踐中不可避免的微滴噴射（droplet emission)，例如納米至 微米范圍的小金屬飛濺物噴射，其可在所選應(yīng)用中在所生成的層中具有負(fù)面影響，或者其 可在涂布后形成對(duì)確定足夠低的粗糙度值絕對(duì)重要的表面涂飾（surface finish)。另一個(gè) 實(shí)質(zhì)的缺點(diǎn)是，并不是所有的陰極材料都可以通過陰極真空電弧蒸發(fā)（CVAE)進(jìn)行工業(yè)蒸 發(fā)；這些例如包括材料諸如si、B、SiC、B 4C和其他對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員本身已知的材料。
[0004] 在這方面，當(dāng)?shù)湫偷腄C磁控濺射以在靶上至多20W/cm2的典型時(shí)間積分功率密 度、在靶上典型地低于0. lA/cm2的電流密度操作時(shí)，其不具有上面提到的這兩個(gè)缺點(diǎn)。
[0005] 在此方面，應(yīng)當(dāng)注意的是，對(duì)于在個(gè)別情況中的層粗糙度，，尤其是例如若干 微米厚的、在工業(yè)條件下制造的厚磨損防護(hù)層，經(jīng)常通過機(jī)械加工工序諸如擦光，噴丸 (blasting)，拋光等進(jìn)行后續(xù)的修平，以消除由不良生長引發(fā)的粗糙度峰。
[0006] 較之于CVAE工藝，可用于典型DC磁控濺射的材料種類更多。比如，除了金屬及其 合金，較低傳導(dǎo)性材料和脆性材料例如Si ;B，SiC，B4C ;MoS2, WS2及其它也可被濺射。因此 層組合物的生產(chǎn)能力的可能性顯著地比在CVAE中更多樣化。
[0007] 然而，典型DC磁控濺射也有某些缺點(diǎn)。與陰極真空電弧蒸發(fā)相比，典型DC磁控濺 射的特征是在工廠中較低的涂布速度，這自然也是在許多不同發(fā)面中的經(jīng)濟(jì)缺點(diǎn)。另外，由 于濺射材料相對(duì)較低的離子化，用典型直流磁控濺射制得的層經(jīng)常具有明顯的柱狀生長的 特征，不幸地是，這在許多應(yīng)用中經(jīng)常導(dǎo)致層功能性上的缺陷。
[0008] 因此，典型的DC磁控濺射在過去幾年中被不斷地發(fā)展和改進(jìn)。在這方面，通過以 高電流或高電流密度在脈沖模式下操作磁控管，，其導(dǎo)致呈現(xiàn)更致密層形式的改進(jìn)的層結(jié) 構(gòu)，特別是由于濺射材料提高了的離子化，，取得了很大進(jìn)展。柱狀生長因此被抑制在可預(yù) 先規(guī)定的程度或者甚至可被完全避免。這種利用高電流或高電流密度在脈沖模式下的磁控 濺射工藝通常也被稱為"高離子化脈沖磁控濺射"或者縮寫為HIPMS。HIPMS中的靶處的 電流密度通常超過典型DC磁控濺射中的電流密度，例如它們?cè)诟哂?. lA/cm2到若干A/cm2， 因此可以簡單地將若干l〇〇W/cm2至MW/cm 2的功率密度施加至靶。
[0009] 在磁控濺射和陰極真空電弧蒸發(fā)（CVAE)中用于沉積層的工藝條件通常不同。
[0010] 在磁控濺射中經(jīng)常用Ar作為濺射氣體。加入相應(yīng)的反應(yīng)性氣體以反應(yīng)沉積氮化 物、碳化物或氧化物層以及它們的混合。在實(shí)際中，經(jīng)常使用大于用于層沉積的反應(yīng)性氣體 流量的氬氣氣體流量進(jìn)行工作。涂布?jí)毫νǔＴ讴? Ι-lPa范圍內(nèi)。
[0011] 在CVAE中通常不使用Ar，即采用100%的反應(yīng)性氣體進(jìn)行工作。純氮?dú)饨?jīng)常用于 氮化物層的沉積。層的反應(yīng)沉積經(jīng)常在〇.〇5-lPa的壓力范圍下進(jìn)行。當(dāng)使用具有高A1份 數(shù)（portion)的粉末冶金陰極時(shí)，在這方面更高的壓力自身已經(jīng)證明。那么，通常使用的反 應(yīng)性氣體壓力在2-10Pa范圍內(nèi)。相應(yīng)地，可以假定關(guān)于壓力范圍和使用的氣體之間兼容性 的沖突情形。
[0012] 因此本發(fā)明的目的是提供用于制造多層體系的改進(jìn)涂布方法，以及由此產(chǎn)生的， 避免了現(xiàn)有技術(shù)中已知缺陷的具有改進(jìn)了的層體系的基底。
[0013] 滿足這些目的的本發(fā)明主題的特征在于分別的獨(dú)立權(quán)利要求的特征。
[0014] 從屬權(quán)利要求涉及本發(fā)明的特別優(yōu)選實(shí)施方案。
[0015] 因此，本發(fā)明涉及用于在基底上沉積由硬質(zhì)材料層形成的層體系的涂布方法，該 涂布方法包括下列方法步驟：提供可抽空的、具有含蒸發(fā)材料（Ml)的陰極電弧蒸發(fā)源以及 具有含放電材料的磁控放電源的工藝室，其中所述磁控放電源可在HIPMS模式下操作。隨 后，僅利用陰極真空電弧蒸發(fā)源在陰極真空電弧蒸發(fā)工藝中在基底表面上沉積至少一個(gè)包 含所述蒸發(fā)材料的接觸層。根據(jù)本發(fā)明，沉積該接觸層后，通過陰極真空電弧蒸發(fā)源和磁控 放電源的平行操作，以納米結(jié)構(gòu)混合層形式，特別是以混合相中的納米層中間層形式或以 納米復(fù)合層形式，沉積至少一個(gè)包含蒸發(fā)材料和放電材料的中間層。在這方面，在HIPMS 模式下操作磁控放電源，和隨后，僅利用磁控放電源沉積至少一個(gè)包含所述材料的覆蓋層， 其中所述磁控放電源在HIPIMS模式下操作。
[0016] 這樣，通過本發(fā)明，可以令人吃驚地產(chǎn)生新型的多層層體系，該多層層體系結(jié)合了 自身內(nèi)兩種涂布方法（即陰極真空電弧蒸發(fā)（CVAE)和在HIPMS模式下的磁控放電工藝） 的各自優(yōu)點(diǎn)。
[0017] 下面將通過示意圖和進(jìn)一步【具體實(shí)施方式】在甚至更多的細(xì)節(jié)上對(duì)本發(fā)明做出解 釋。如下所示：
[0018] 圖la在示意圖中，具有陰極真空電弧蒸發(fā)源（CVAE源）和可在HIPMS模式下操 作的磁控放電源（HIPIMS濺射源）的工藝室；
[0019] 圖lb具有多個(gè)蒸發(fā)源和放電源的工藝室；
[0020] 圖lc具有多個(gè)蒸發(fā)源和放電源但不含擋板（shutters)的工藝室；
[0021] 圖Id并具有多個(gè)蒸發(fā)源和放電源并含有打開的擋板的工藝室；
[0022] 圖2示意性地根據(jù)本發(fā)明的具有三層的層體系的基底；和
[0023] 圖3閉場(chǎng)非平衡磁控HIPMS的布置。
[0024] 在特別簡單的實(shí)施方式中，給出了例如通過根據(jù)圖la所示的設(shè)備構(gòu)造實(shí)施根據(jù) 本發(fā)明方法的裝置基礎(chǔ)，，圖la在非常示意的圖中顯示了工藝室2,其具有陰極真空電弧蒸 發(fā)源Q1 (也稱為縮寫形式的CAVE源Q1)以及在根據(jù)本發(fā)明方法中以HIPMS模式操作的磁 控放電源Q2 (也稱為縮寫形式的HIPMS濺射源Q2或甚至還更縮寫為HIPMS源Q2)。
[0025] 接下來，例如在圖2中示意性地表示的，將首先討論根據(jù)本發(fā)明在基底1上制備 多層層體系S作為簡單實(shí)施方式。在這方面，根據(jù)圖2根據(jù)本發(fā)明的層體系應(yīng)當(dāng)具有盡可 能少的生長干擾，并且同時(shí)旨在具有致密層結(jié)構(gòu)。圖2的根據(jù)本發(fā)明的層體系包括接觸層 S1，其利用待霧化的第一蒸發(fā)材料Ml制成，所述第一蒸發(fā)材料Ml是通過根據(jù)圖la的至少 一個(gè)第一源Q1霧化并施加于基底1的。該層體系還包含位于所述接觸層S1上的并且包含 蒸發(fā)材料Ml以及放電材料M2的納米結(jié)構(gòu)中間層S2,其中待霧化的放電材料M2通過至少一 個(gè)磁控放電源Q2提供，以及包含材料M2的覆蓋層S3。在以本身已知的方式在各自的層S1 至S3中進(jìn)行沉積的過程中，在工藝室2中使用相應(yīng)反應(yīng)性氣體以固化（set)在層中的氮化 物、碳化物或氧化物部分，例如AlTiXN、AlCrXN、CrON(和它們的混合)。
[0026] 根據(jù)圖2,在工藝室2中安裝兩個(gè)陰極真空電弧蒸發(fā)源Q1 (CVAE源）和至少一個(gè)可 在HIPMS模式下操作的磁控放電源Q2 (HIPMS源）用于涂布基底1。
[0027] 在此方面，在工藝室2中更復(fù)雜的涂布源的布置也是可能的，例如在圖lb、圖lc、 圖Id和圖le中示意性地描畫的。
[0028] 例如，圖lb顯示了用于根據(jù)本發(fā)明制造層的，用于以更特殊的操作模式使用的工 藝室2的剖視圖。具有放電材料M2的兩個(gè)磁控放電源Q2安裝在根據(jù)圖lb的工藝室2中 的兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的凸緣（flanges)上。具有蒸發(fā)材料Ml的多個(gè)陰極真空電弧蒸發(fā)源Q1位 于相對(duì)于磁控放電源Q2成90°角偏移的兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的凸緣上。在此方面，優(yōu)選使用兩對(duì) 真空電弧蒸發(fā)源Q1，其相對(duì)于工藝室的高度一對(duì)在另一對(duì)之上布置，從圖lb的剖視圖中只 能看到其中一對(duì)。在圖lb的實(shí)施例中，磁控放電源Q2可以在如雙極HIPIMS模式下操作。 可以打開或關(guān)閉各自的擋板SC11，SC12，SC21和SC22,所述擋板優(yōu)選地位于所述源的前面。
[0029] 接下來，將通過舉例的方式描述第一層體系，其之前僅能使用陰極真空電弧蒸發(fā) 工藝以不足的質(zhì)量生產(chǎn)。
[0030] AlTiN層已經(jīng)在多種用途中例如在切割和成型中證明其本身。特別的，在這方面， 通過陰極真空電弧蒸發(fā)沉積的層具有高粘合強(qiáng)度。相反，釩-基層具有特殊的優(yōu)勢(shì)，當(dāng)施用 溫度為600°C左右或更高時(shí)導(dǎo)致具有優(yōu)異摩擦特性的氧化物形成。
[0031] 這種組合可以用于允許在相應(yīng)操作溫度具有優(yōu)異摩擦性能和磨損性能兩者的層 序列的設(shè)計(jì)。
[0032] 為此目的，例如，如圖la中示意性顯示，將陰極真空電弧蒸發(fā)源Q1和至少一個(gè)在 HIPMS模式下操作的磁控放電源Q2安裝在工藝室2內(nèi)。
[0033] 在其它特殊操作方式下，如圖lb中示意性地顯示，磁控放電源Q2在雙極HIPMS 模式下操作。在這兩種情況下，沉積根據(jù)圖2的層序列，其具有蒸發(fā)材料Ml的接觸層S1，具 有蒸發(fā)材料Ml和放電材料M2的中間層S2,和具有放電材料M2的頂層S3。令人驚訝的得 到（adopt) 了低于不含中間層S2和/或頂層S3的純接觸層S1的粗糙度的粗糙度。
[0034] 接下來將用稍微更多的細(xì)節(jié)來解釋在根據(jù)本發(fā)明的層體系的沉積中的進(jìn)一步測(cè) 試結(jié)果和方法。
[0035] 具體地，制造根據(jù)圖2的層體系S，其具有作為蒸發(fā)材料Ml的AlTi的AlTiN接觸 層S1和具有含氮?dú)獾墓に嚉怏w（process gas)。將納米結(jié)構(gòu)混合層形式的AlTiN-VZrN中 間層施加至AlTiN接觸層。這意味著所述中間層由作為蒸發(fā)材料Ml的AlTi和作為放電材 料M2的VZr和含氮?dú)獾墓に嚉怏w制造。最后，包含VZr的放電材料M2和含氮?dú)獾墓に嚉?體的VZrN頂層形成并沉積在中間層上。作為對(duì)比，僅利用陰極真空電弧蒸發(fā)沉積純AlTiN 層和兩個(gè)多層層體系。表1中編輯了測(cè)試結(jié)果與重要的層參數(shù)和實(shí)驗(yàn)參數(shù)以及所獲得的不 同層的粗糙度。所要達(dá)到的層厚度為大約4 μ m，在各方法之間以及在層體系內(nèi)的涂層厚度 波動(dòng)為層厚度的大約+/-10%。
[0036] 制備 AlTiN 層：
[0037] 首先，在本身已知的（例如加熱至500°C并用AE⑶工藝進(jìn)行Ar離子清潔）基底的 預(yù)處理后，在6Pa反應(yīng)性氣體壓力下在純氮?dú)庵星乙?50A的蒸發(fā)器電流在拋光試樣上沉積 AlTiN層。涂布過程中樣品處的偏壓等于50V。典型粗糙度達(dá)到大約0.21 μ m。
[0038] 僅陰極真空電弧蒸發(fā)工藝，具有頂層VZrN的AlTiN :
[0039] 這樣的層是利用CAVE以用于接觸層的AlTiN組合同樣利用CAVE在頂層中的VZrN 而沉積的。在相應(yīng)預(yù)處理后，進(jìn)而使用用于AlTiN的150A蒸發(fā)器電流和6Pa壓力；使用 用于VZrN的3Pa壓力。這導(dǎo)致粗糙度顯著增加。其原因是VZr陰極的高微滴噴射。得到 0. 42 μ m的粗糙度Ra。
[0040] 僅陰極真空電弧蒸發(fā)工藝用于接觸層AlTiN，以及平行操作AlTiN/VZrN和頂層 VZrN ：
[0041] 相同的預(yù)處理后，采用相同的工藝參數(shù)，現(xiàn)在通過平行操作AlTi和VZr陰極真空 電弧蒸發(fā)器，在接觸層和項(xiàng)層之間沉積納米結(jié)構(gòu)的中間層。這導(dǎo)致了粗糙度進(jìn)一步增加至 RaO. 55 μ m。這可能是由于利用CVAE的VZr陰極蒸發(fā)的更長運(yùn)行時(shí)間。
[0042] 根據(jù)本發(fā)明的層體系S。CVAE用于AlTiN接觸層Sl，AlTiN的CVAE與VZr的 HIPIMS模式下磁控放電平行操作用于中間層S2,以及HIPIMS模式下的磁控放電用于VZrN 項(xiàng)層S3 :
[0043] 使用CAVE沉積層S1。在下一步驟中，通過CVAE和HIPMS的結(jié)合在S1和S3之間 制備納米結(jié)構(gòu)層S2。令人驚訝地，該工藝即使在若干Pa壓力下工作也是穩(wěn)定的，而這對(duì)于 濺射工藝是非典型的。同時(shí)，即使主要?dú)怏w是氮?dú)?，也發(fā)現(xiàn)了從靶濺射VZr。推測(cè)該濺射過 程是由氮?dú)夥肿拥募ぐl(fā)或它們的霧化或甚至通過由于同時(shí)操作CVAE而導(dǎo)致的極高的氮原 子的離子化所輔助的。此外，伴隨著濺射靶處的高偏壓（高達(dá)1000V)，由CVAE產(chǎn)生的金屬 離子（A1或Ti)也可有助于濺射過程。未預(yù)料到的是，得到了低于純Si層的粗糙度的非常 低的粗糙度Ra = 0. 13 μ m。
[0044] 從表1可清楚看到，具有層序列S1，S2，S3的層體系可以使用根據(jù)本發(fā)明中的涂布 方法制造，與采用現(xiàn)有技術(shù)中已知方法制造的化學(xué)組成大體相同的涂層相比，所述層體系 具有顯著更低的粗糙度。
[0045]

【權(quán)利要求】
1. 在基底（1)上沉積由硬質(zhì)材料層形成的層體系（S)的涂布方法，其包括下列方法步 驟： -提供可抽空的工藝室（2)，該工藝室具有含蒸發(fā)材料（Ml)的陰極真空電弧蒸發(fā)源 (Q1)和具有含放電材料（M2)的磁控放電源（Q2)，其中所述磁控放電源（Q2)可在HIPIMS 模式下操作； -在陰極真空電弧蒸發(fā)工藝中僅利用所述陰極真空電弧蒸發(fā)源（Q1)在基底（1)的表面 上沉積至少一個(gè)包含所述蒸發(fā)材料（Ml)的接觸層（S1); 其特征在于： 在沉積該接觸層（S1)后，通過所述陰極真空電弧蒸發(fā)源（Q1)和所述磁控放電源（Q2) 的平行操作，以納米結(jié)構(gòu)混合層形式，特別地以混合相中的納米層中間層（S2)形式或以納 米復(fù)合層形式，沉積至少一個(gè)包含所述蒸發(fā)材料（Ml)和所述放電材料（M2)的中間層（S2)， 其中所述磁控放電源（Q2)在HIPIMS模式下操作；和在于，隨后，僅利用所述磁控放電源 (Q2)沉積至少一個(gè)包含所述材料（M2)的頂層（S3)，其中所述磁控放電源（Q2)在HIPMS 模式下操作。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述涂布方法，其中，在利用所述陰極真空電弧蒸發(fā)法的反應(yīng)沉積 中，形成氮化物接觸層（S1)形式的所述接觸層（S1)，和/或形成氮化物中間層（S2)形式的 所述中間層（S2)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2之一所述涂布方法，其中，在利用所述陰極真空電弧蒸發(fā)法的反 應(yīng)沉積中，形成碳化物接觸層（S1)形式的所述接觸層（S1)，和/或形成碳化物中間層（S2) 形式的所述中間層（S2)。
4. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在利用所述陰極真空電弧蒸發(fā)法 的反應(yīng)沉積中，形成硼化物接觸層（S1)形式的所述接觸層（S1)，和/或形成硼化物中間層 (S2)形式的所述中間層（S2)。
5. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在利用所述陰極真空電弧蒸發(fā)法 的反應(yīng)沉積中，形成氧化物接觸層（S1)形式的所述接觸層（S1)，和/或形成氧化物中間層 (S2)形式的所述中間層（S2)。
6. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在利用所述陰極真空電Cr基層、 TiSi基層形式或AlCr基層形式的所述接觸層（S1)和/或所述中間層（S2)。
7. 根據(jù)前述任一項(xiàng)所述權(quán)利要求的涂布方法，其中，在利用所述磁控放電源（Q2)涂布 時(shí)，形成VMe氮化物層形式的所述中間層（S2)和/或所述頂層（S3)，其中Me是金屬。
8. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在利用所述磁控放電源（Q2)涂布 時(shí)，通過VZrN濺射形成VZrN層形式的所述中間層（S2)和/或所述頂層（S3)，其中在所述 中間層（S2)和/或所述頂層（S3)中VZr特別以組成V = 98. 5at%和Zr = 1. 5at%形成。
9. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的層方法，其中，在利用所述磁控放電源（Q2)涂布 時(shí)，形成MeSiBNCO層形式的所述中間層（S2)和/或所述頂層（S3)，其中Me是金屬。
10. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在利用所述磁控放電源（Q2)涂 布時(shí)，通過SiBNC濺射形成SiBNC層形式的所述中間層（S2)和/或所述頂層（S3)，其中在 所述中間層（S2)和/或所述頂層（S3)中，SiBC特別以組成Si = 66at%，Zr = 20at%和 C = Hat % 形成。
11. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在所述陰極真空電弧蒸發(fā)源 (Q1)和所述磁控放電源（Q2)的平行操作中，涂布?jí)毫x擇在0.5Pa至20Pa的范圍內(nèi)，優(yōu)選 為IPa至lOPa的范圍內(nèi)。
12. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中在以HIPMS模式濺射時(shí)，特別地 為沉積所述中間層（S2)和/或?yàn)槌练e所述項(xiàng)層（S3)，設(shè)置所述磁控放電源（Q2)使得在 脈沖峰中達(dá)到至少0. lA/cm2,優(yōu)選至少0. 3A/cm2的一個(gè)電流密度（at least one current density ofO. lA/cm2, preferably at leastO. 3A/cm2, is reached) 〇
13. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，在以HIPMS模式濺射時(shí)，特別地 為沉積所述中間層（S2)和/或?yàn)槌练e所述頂層（S3)，設(shè)置所述磁控放電源（Q2)使得達(dá)到 在10 μ s和5000 μ s之間的脈沖長度和在100 μ s和10000 μ s之間的脈沖間隔，其中特別 地，設(shè)置脈沖長度與脈沖間隔的比率為1 : 3至1 : 20。
14. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的涂布方法，其中，所述磁控放電源（Q2)通過所述 陰極真空電弧蒸發(fā)源（Q1)涂布以蒸發(fā)材料（Ml)。
15. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述涂布方法形成的具有層體系的基底，其中，所述接觸 層（S1)優(yōu)選具有0-50000nm的厚度，所述中間層優(yōu)選具有50nm-10000nm的厚度，以及所述 頂層優(yōu)選具有l(wèi)〇nm-10000nm的厚度。
【文檔編號(hào)】C23C14/22GK104060225SQ201310313395
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2013年4月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月20日
【發(fā)明者】J·費(fèi)特爾, G·埃爾肯斯, J·米勒 申請(qǐng)人:蘇舍梅塔普拉斯有限責(zé)任公司