管式pecvd鍍膜時間自動生成方法
【專利摘要】本發(fā)涉及一種管式PECVD鍍膜時間自動生成方法。本發(fā)明的方法中，正常鍍膜生產(chǎn)過程中，設(shè)定一個目標(biāo)膜厚值Th，a.設(shè)定一個參與自動計算的舟的輪數(shù)值m；第1舟的鍍膜時間設(shè)定為T1，第m舟的鍍膜時間Tm=Th×(Tm-1+Tm-2…+T1)/(Thm-1+Thm-2…+Th1)；b.第m舟鍍膜完成后的第n舟鍍膜時間Tn=Th×(Tn-1+Tn-2…+Tn-m)/(Thn-1+Thn-2…+Thn-m)。本發(fā)明能夠通過軟件編程，自動計算單個石墨舟前若干輪鍍膜的平均膜厚，并及時將計算數(shù)值與設(shè)定膜厚進行對比，通過計算給出該舟下一輪的工藝時間，實現(xiàn)生產(chǎn)過程鍍膜沉積膜厚的精確控制。
【專利說明】管式PECVD鍍膜時間自動生成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)涉及晶硅太陽能電池的制造技術(shù)，具體是一種管式PECVD鍍膜時間自動生成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)階段，晶硅太陽電池氮化硅減反射膜沉積主要有管式PECVD和板式PECVD兩種方式。采用管式PECVD鍍膜，一般均通過修改鍍膜時間來實現(xiàn)膜厚控制，得到相應(yīng)光程，達成需要控制的顏色。其中，有些廠家會固定鍍膜時間，當(dāng)石墨舟使用到一定次數(shù)時，定時換下清洗，保證膜厚在一定范圍內(nèi)飄動；有些廠家會隨著石墨舟使用次數(shù)的增加固定增加或減少相應(yīng)時間來控制膜厚。盡管如此，受限于硅片表面、石墨舟狀態(tài)差異等客觀因素，上述方法均不能有效實現(xiàn)沉積膜厚的精確控制。
[0003]傳統(tǒng)管式PECVD沉積膜厚的卡控一般通過如下方式實現(xiàn):采用固定時間、隨石墨舟使用次數(shù)定期增加或減少固定時間來保證膜厚在一定范圍內(nèi)波動。盡管如此，由于影響鍍膜沉積速率的因素有很多，尤其是多晶硅太陽能電池生產(chǎn)，如硅片絨面反射率、硅片表面粗糙度、石墨舟使用次數(shù)、爐管機臺自身差異等等，在實際生產(chǎn)中，上述兩種采用相對固定時間的方法，均存在很大的隱患，實際鍍膜膜厚很難實現(xiàn)精準(zhǔn)控制。并且，因數(shù)據(jù)采集的相對薄弱，單石墨舟內(nèi)、同一石墨舟不同鍍膜次數(shù)間的膜厚整體均勻性優(yōu)化也難以有效實現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種能夠精確控制管式PECVD沉積膜厚、并且便于對設(shè)備運行參數(shù)進行采集和優(yōu)化的管式PECVD鍍膜時間自動生成方法。
[0005]本發(fā)明的管式PECVD鍍膜時間自動生成方法包括下步驟:
[0006](I)在管式PECVD鍍膜生產(chǎn)過程中，將管式鍍膜設(shè)備、自動下料機設(shè)備、膜厚測試設(shè)備分別與計算機連接，以單個石墨舟為單位，通過電腦采集的上述設(shè)備的信息，由軟件生成該石墨舟舟號；
[0007](2)正常鍍膜生產(chǎn)過程中，設(shè)定一個目標(biāo)膜厚值Th，用帶下標(biāo)的Th (如Th1Jnrl等) 表示下標(biāo)值對應(yīng)的石墨舟鍍膜舟次檢測的實際膜厚值；石墨舟的首次鍍膜時間采用人為設(shè)定方式予以實現(xiàn)(具體設(shè)定值可基于傳統(tǒng)過程的經(jīng)驗值)；完成首次輸入后，自第二舟起，所需鍍膜時間自動計算完成；具體計算方法是:
[0008]a.獲取初始值，即設(shè)定一個參與自動計算的舟的輪數(shù)值m，m大于2 ;第I舟的鍍膜時間設(shè)定為T1，第2舟的鍍膜時間T2=Th X IVTh1，第3舟的鍍膜時間T3=Th X (TjT1) / (TVTh1)，以此類推，第m舟的鍍膜時間Tm=ThX H.+T1) / (TUTtv2…+Th1)；
[0009]b?第m舟鍍膜完成后的第n舟鍍膜時間Tn=ThX (Tlri+! …+Tn_m) / (TUThnY" +Thn_m) ;n 大于 m。
[0010]上述步驟(2)的步驟b中，如果某一舟的數(shù)據(jù)出現(xiàn)異?；虿恍枰鋮⑴c計算，可將該次計算結(jié)果做標(biāo)記，該次鍍膜時間將不再參與到所需鍍膜時間的計算，同時向前再追溯一組數(shù)據(jù)作為替代進行計算。
[0011]本發(fā)明能夠通過軟件編程，自動計算單個石墨舟前若干輪鍍膜的平均膜厚，并及時將計算數(shù)值與設(shè)定膜厚進行對比，通過計算給出該舟下一輪的工藝時間，實現(xiàn)生產(chǎn)過程鍍膜沉積膜厚的精確控制；同時通過對設(shè)備運行參數(shù)的實時采集，可以對工藝過程中的各項參數(shù)進行集中分析，有便于對工藝過程進行優(yōu)化。
【具體實施方式】
[0012]本發(fā)明實施例的管式PECVD鍍膜時間自動生成方法包括下步驟:
[0013](I)在管式PECVD鍍膜生產(chǎn)過程中，將管式鍍膜設(shè)備、自動下料機設(shè)備、膜厚測試設(shè)備分別與計算機連接，以單個石墨舟為單位，通過電腦采集的上述設(shè)備的信息，由軟件生成該石墨舟舟號；
[0014](2)正常鍍膜生產(chǎn)過程中，設(shè)定一個目標(biāo)膜厚值Th，用帶下標(biāo)的Th表示下標(biāo)值對應(yīng)的石墨舟鍍膜舟次檢測的實際膜厚值(如Th4表示第4舟鍍膜后的實際膜厚值)；石墨舟的首次鍍膜時間采用人為設(shè)定方式予以實現(xiàn)(具體設(shè)定值可基于傳統(tǒng)過程的經(jīng)驗值)，設(shè)定值為T1 ;完成首次輸入后，自第二舟起，所需鍍膜時間自動計算完成；具體計算方法是:
[0015]a.獲取初始值，即設(shè)定參與自動計算的舟的輪數(shù)值為4 ;第I舟的鍍膜時間設(shè)定為T1，第2舟的鍍膜時間T2=ThXIVTh1，第3舟的鍍膜時間T3=ThX (VT1)Z(Th-Th1)，以此類推，第4舟的鍍膜時間T4=ThX (WT1V(TVTVTh1)；
[0016]b.第4舟鍍膜完成后的第η舟鍍膜時間Tn=ThX (?-+?-+?-+?-) /(Thn-+Th-+Th-+Th-) ;n 大于 4。
[0017]上述步驟(2)的步驟b中，如果某一舟的數(shù)據(jù)出現(xiàn)異?；虿恍枰鋮⑴c計算，可將該次計算結(jié)果做標(biāo)記，該次鍍膜時間將不再參與到所需鍍膜時間的計算，同時向前再追溯一組數(shù)據(jù)作為替代進行計算。如:第n-2次鍍膜出現(xiàn)異常，不能參與計算，做完標(biāo)記后，對應(yīng)計算公式可自動變更如下=Tn=ThX (UUUD/(UTh1-ThnJTlv5)。
【權(quán)利要求】
1.一種管式PECVD鍍膜時間自動生成方法，其特征是:包括下步驟 (1)在管式PECVD鍍膜生產(chǎn)過程中，將管式鍍膜設(shè)備、自動下料機設(shè)備、膜厚測試設(shè)備分別與計算機連接，以單個石墨舟為單位，通過電腦采集的上述設(shè)備的信息，由軟件生成該石墨舟舟號； (2)正常鍍膜生產(chǎn)過程中，設(shè)定一個目標(biāo)膜厚值Th，用帶下標(biāo)的Th表示下標(biāo)值對應(yīng)的石墨舟鍍膜舟次檢測的實際膜厚值；石墨舟的首次鍍膜時間采用人為設(shè)定方式予以實現(xiàn)；完成首次輸入后，自第二舟起，所需鍍膜時間自動計算完成；具體計算方法是: a.獲取初始值，即設(shè)定一個參與自動計算的舟的輪數(shù)值m，m大于2;第I舟的鍍膜時間設(shè)定為T1，第2舟的鍍膜時間T2=ThXIVTh1，第3舟的鍍膜時間T3=ThX (T T1) / (ThjTh1)，以此類推，第m舟的鍍膜時間Tm=ThX H.+T1) / (TUIV2…+Th1)； b.第m舟鍍膜完成后的第η舟鍍膜時間Tn=ThX (Tlri+ …+Tn_m) / (TtvAThn +Thn_m) ;n 大于 m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管式PECVD鍍膜時間自動生成方法，其特征是:上述步驟(2)的步驟b中，如果某一舟的數(shù)據(jù)出現(xiàn)異?；虿恍枰鋮⑴c計算，將該次計算結(jié)果做標(biāo)記，該次鍍膜時間將不再參與到所需鍍膜時間的計算，同時向前再追溯一組數(shù)據(jù)作為替代進行計
【文檔編號】C23C16/52GK103436863SQ201310358572
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月15日
【發(fā)明者】薛安俊, 姚劍, 潘煒, 趙全權(quán), 張良, 馬翔 申請人:鎮(zhèn)江大全太陽能有限公司