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      氣體通道及進(jìn)氣裝置制造方法

      文檔序號(hào):3291083閱讀:204來源:國知局
      氣體通道及進(jìn)氣裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氣體通道及包括所述氣體通道的進(jìn)氣裝置,所述氣體通道連通MOCVD的進(jìn)氣裝置的氣體腔和進(jìn)氣裝置下方的反應(yīng)區(qū)域,使得所述氣體通道包括第一部分及與第一部分相連接的第二部分,氣體自氣體腔經(jīng)過第一部分流向第二部分并且經(jīng)過第二部分的出氣口流向所述反應(yīng)區(qū)域,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大。這種氣體通道具有的逐漸擴(kuò)張的結(jié)構(gòu),能夠使得反應(yīng)氣體自上方向下流動(dòng)的路徑延長,并且降低了出氣口的氣體流速,從而提高了氣體的分解率和利用率。
      【專利說明】氣體通道及進(jìn)氣裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是一種氣體通道及進(jìn)氣裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]化學(xué)氣相沉積例如有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝的基本生長過程是,將反應(yīng)氣體從氣源通過進(jìn)氣裝置引入反應(yīng)腔室,利用以加熱器加熱的襯底引發(fā)化學(xué)反應(yīng),從而在基片上生成單晶或多晶薄膜。
      [0003]現(xiàn)有技術(shù)的進(jìn)氣裝置請(qǐng)參考圖1,所述進(jìn)氣裝置包括氣體腔室I,氣體腔室I與放置于通孔3中的氣體通道2相連通,所述氣體通道2的進(jìn)氣口為上端口 20,出氣口為下端口21,所述氣體通道2為圓柱狀,所述進(jìn)氣口、出氣口以及氣體通道上平行于進(jìn)氣口和出氣口各處的截面的直徑尺寸相同,如圖中所示,直徑D1=D2=D3。
      [0004]為了在進(jìn)氣裝置下方的托盤上形成均勻分布的氣流場(chǎng),現(xiàn)有技術(shù)的進(jìn)氣裝置采用數(shù)以萬計(jì)的分散的通孔3,每個(gè)通孔3中固定放置進(jìn)氣管道2,大量的反應(yīng)氣體通過這些進(jìn)氣管道2流向下方的托盤和托盤上的襯底上。反應(yīng)氣體通常包括NH3氣體和MO氣體,對(duì)于NH3氣體而言,比較難以分解,其分解時(shí)所需溫度較高,并且分解后的狀態(tài)無法穩(wěn)定,現(xiàn)有技術(shù)為了保證反應(yīng)的正常進(jìn)行,通常通入過量的NH3氣體,在反應(yīng)過程中,NH3的氣體流量是MO氣體的幾千倍甚至上萬倍,大量的NH3氣體未能參與反應(yīng)就被抽走,其利用率偏低。
      [0005]因此,有必要對(duì)現(xiàn)有的進(jìn)氣裝置進(jìn)行改進(jìn),以提高對(duì)反應(yīng)氣體的利用率。`
      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明的目的在于提供一種氣體通道和進(jìn)氣裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)氣裝置上對(duì)反應(yīng)氣體的利用率低的問題。
      [0007]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種用于MOCVD工藝的氣體通道,所述氣體通道連通MOCVD的進(jìn)氣裝置的氣體腔和進(jìn)氣裝置下方的反應(yīng)區(qū)域,所述氣體通道包括第一部分及與第一部分相連接的第二部分,氣體自氣體腔經(jīng)過第一部分流向第二部分并且經(jīng)過第二部分的出氣口流向所述反應(yīng)區(qū)域,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大。
      [0008]相應(yīng)的,本發(fā)明提供一種用于MOCVD工藝的進(jìn)氣裝置,所述進(jìn)氣裝置包括第一氣體腔和位于所述第一氣體腔下方的第二氣體腔,其中,所述第一氣體腔或第二氣體腔與所述氣體通道相連通,所述氣體通道用于將來自所述第一氣體腔或第二氣體腔中的氣體經(jīng)過所述氣體通道的出氣口流向所述反應(yīng)區(qū)域。
      [0009]本發(fā)明提供的氣體通道及進(jìn)氣裝置,使得所述氣體通道包括第一部分及與第一部分相連接的第二部分,氣體自氣體腔經(jīng)過第一部分流向第二部分并且經(jīng)過第二部分的出氣口流向所述反應(yīng)區(qū)域,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大。這種氣體通道具有的逐漸擴(kuò)張的結(jié)構(gòu),能夠使得反應(yīng)氣體自上方向下流動(dòng)的路徑延長,并且降低了出氣口的氣體流速,從而提高了氣體的分解率和利用率?!緦@綀D】

      【附圖說明】
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的氣體通道及進(jìn)氣裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
      [0016]為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
      [0017]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
      [0018]本發(fā)明的中心思想是,提供一種氣體通道,所述氣體通道包括第一部分及與第一部分相連接的第二部分,使得所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大,這種氣體通道具有的逐漸擴(kuò)張的結(jié)構(gòu),能夠使得反應(yīng)氣體自上方向下流動(dòng)的路徑延長,并且降低了出氣口的氣體流速,從而提高了氣體的分解率和利用率。
      [0019]請(qǐng)參考圖2,本發(fā)明提`供一種用于MOCVD工藝的氣體通道,所述氣體通道2連通MOCVD的進(jìn)氣裝置的氣體腔和進(jìn)氣裝置下方的反應(yīng)區(qū)域,所述氣體通道2包括第一部分21及與第一部分21相連接的第二部分22,氣體自氣體腔經(jīng)過第一部分21流向第二部分22并且經(jīng)過第二部分22的出氣口 222流向所述反應(yīng)區(qū)域,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大。具體的,所述第一部分21沿氣體流動(dòng)方向的截面尺寸不變,所述第二部分22沿氣體流動(dòng)方向的截面尺寸逐漸增大,所述第二部分22呈現(xiàn)喇叭狀,出氣口 222位于喇叭狀的尺寸最大處;或者,所述第二部分22也可以是沿氣體流動(dòng)方向呈階梯狀增大,但相比而言,前者能夠使得氣流更加穩(wěn)定。
      [0020]進(jìn)一步的,對(duì)于所述的氣體通道2,所述氣體通道2可以為一氣體管;或者,可以是至少所述第二部分22形成于所述進(jìn)氣裝置的一熱壁板中,即至少所述第二部分22為所述熱壁板中的通孔或通孔的一部分;還可以是,所述氣體通道2為氣體管和與所述氣體管相連通的通孔,所述通孔形成于所述進(jìn)氣裝置的一熱壁板中,所述氣體管插入通孔中或與通孔的孔壁連接為一體。
      [0021]結(jié)合上述氣體通道,本發(fā)明提供一種用于MOCVD工藝的進(jìn)氣裝置,所述進(jìn)氣裝置包括第一氣體腔和位于所述第一氣體腔下方的第二氣體腔,其中,所述第一氣體腔或第二氣體腔與如上所述的氣體通道相連通,用于將來自所述第一氣體腔或第二氣體腔中的氣體經(jīng)過所述氣體通道的出氣口流出至反應(yīng)區(qū)域。
      [0022]下面給出本發(fā)明的三個(gè)優(yōu)選實(shí)施例以對(duì)包含所述氣體通道的進(jìn)氣裝置加以詳細(xì)說明。
      [0023]請(qǐng)參考圖3,其為本發(fā)明的第一實(shí)施例的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,在本實(shí)施例中,所述進(jìn)氣裝置從上到下依次為:第一氣體腔10、冷卻腔11及第二氣體腔12,所述進(jìn)氣裝置朝向反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)具有熱壁板121。所述第一氣體腔10為III族氣體腔,通入有MO氣體,例如三甲基鎵等;所述冷卻腔11中通入有冷卻介質(zhì),例如可以是水,油或者氣體等;所述第二氣體腔12為V族氣體腔,通入有V族氣體,例如是氨氣(NH3)。上述第一氣體腔10、冷卻腔11及第二氣體腔12的排列設(shè)計(jì)是考慮到MO氣體與氨氣的分解溫度不同,MO氣體的分解溫度要低,故使得所述第一氣體腔10遠(yuǎn)離所述熱壁板121 (在本實(shí)施例中為所述第二氣體腔12朝向反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)),以使得所述第一氣體腔10受到來自具有加熱器的基座的熱輻射的影響變小,避免溫度過高,所述冷卻腔11設(shè)置在所述第一氣體腔10和第二氣體腔12之間,能夠進(jìn)一步的控制所述第一氣體腔10的溫度。
      [0024]所述第一氣體腔10設(shè)置有第一氣體通道101,所述第二氣體腔12設(shè)置有第二氣體通道122,分別用于將來自所述第一氣體腔10和第二氣體腔12中的氣體傳送至反應(yīng)區(qū)域。具體的,如圖3所示,所述第一氣體通道101為包括第一部分1011和與所述第一部分1011相連通的第二部分1012的氣體通道,所述第一部分1011為氣體管,所述第二部分為1012形成于所述熱壁板121中的通孔,在本實(shí)施例中,所述第二部分1012為從所述熱壁板121朝向所述第二氣體腔12的一面向朝向反應(yīng)區(qū)域的一面逐漸擴(kuò)張的結(jié)構(gòu),所述第一部分1011貫穿所述冷卻腔11后與所述第二部分1012的上端連接為一體。所述第二氣體通道122為所述的第一部分和第二部分皆是形成于所述熱壁板121中的通孔的氣體通道。
      [0025]本實(shí)施例中所述第一氣體通道101和第二氣體通道122分別采用了一種形式的氣體通道,由于所述氣體通道是具有喇叭狀結(jié)構(gòu),能夠使得反應(yīng)氣體向反應(yīng)區(qū)域流出時(shí)變得緩和,并使得氣體的利用率提高。考慮到通常氨氣的量比MO氣體的量多得多,因此在不同的工藝中,可以視情況僅保留所述第二氣體通道122,將所述第一氣體通道改為一氣體管。例如,所述第一氣體通道101為與所述第一氣體腔10相連通的第一氣體管,所述第一氣體管貫穿所述第二氣體腔12和所述熱壁板121,所述第一氣體管用于將來自第一氣體腔10的氣體通過所述第一氣體管的出氣口排出,所述第一氣體管位于熱壁板121中的一段可以是貫穿所述通孔(即第二氣體通道122),且所述第一氣體管的管壁與所述通孔的孔壁之間有間隙,來自第二氣體腔12的氣體自所述間隙向下流出。優(yōu)選的,為了提高氣體的利用率,減少預(yù)反應(yīng)發(fā)生,所述第一氣體管的出氣口位于所述第二氣體通道122的出氣口的下方。
      [0026]本實(shí)施例中,采用為如圖3所示的僅僅貫穿熱壁板121且上下兩端與所述熱壁板121齊平的結(jié)構(gòu)。所述第一氣體通道101的第二部分1012還可以是一部分貫穿所述熱壁板121,另一部分可以延伸至第二氣體腔12中,甚至延伸至冷卻腔11中;并且出氣口也可以是超過熱壁板121的下表面。所述第二氣體通道122為所述形成于一熱壁板121中的氣體通道,即利用了熱壁板121中的通孔作 為所述第二氣體通道122,這樣不僅可以簡化整個(gè)進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu),也能夠降低制作難度。在其他可選的實(shí)施例中,還可以有其他結(jié)構(gòu)。例如,所述第一氣體通道101的第二部分1012以及第一部分1011的一部分形成在所述熱壁板121中,所述第一部分1011的另一部分則至少向熱壁板121上方的腔室延伸(根據(jù)具體的設(shè)計(jì),所述第一部分1011的另一部分可以穿過I個(gè)或多個(gè)腔室)。
      [0027]下面請(qǐng)參考圖4,其為本發(fā)明第二實(shí)施例的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例與上一實(shí)施例的相同或相似的模塊米用相同的標(biāo)號(hào),并省略其說明。如圖4中,本實(shí)施例與上一實(shí)施例的區(qū)別在于,所述進(jìn)氣裝置從上到下依次為:第一氣體腔10、第二氣體腔12及冷卻腔11,基于相同的原則,所述第一氣體腔10中通入MO氣體,所述第二氣體腔中12通入氨氣。所述冷卻腔11朝向反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)為熱壁板121。所述第一氣體腔10設(shè)置有第一氣體通道101,所述第二氣體腔12設(shè)置有第二氣體通道122,在本實(shí)施例中,所述第一氣體通道101為與所述第一氣體腔10相連通的第一氣體管,所述第一氣體管貫穿所述第二氣體腔
      12、冷卻腔11和所述熱壁板121,所述第一氣體通道101用于將來自第一氣體腔10的氣體通過所述第一氣體管的出氣口排出。所述第二氣體通道122包括第一部分1221和與所述第一部分1221相連通的第二部分1222,所述第一部分1221為氣體管,所述第二部分1222為貫穿所述熱壁板121的通孔,所述第一部分1221貫穿所述冷卻腔11,在本實(shí)施例中,所述第二部分1222為從所述熱壁板121朝向所述冷卻腔11的一面向朝向反應(yīng)區(qū)域的一面逐漸擴(kuò)張的結(jié)構(gòu),還可以是所述第一部分1221的一部分及所述第二部分1222位于所述熱壁板121 中。
      [0028]如圖4所示,所述第一氣體通道101插入所述第二氣體通道122中,且所述第一氣體通道101的管壁與所述第二氣體通道122管壁和孔壁之間有間隙,來自第二氣體腔12的氣體自所述間隙向下流出。為了提高氣體的利用率,優(yōu)選的,所述第一氣體通道101的出氣口低于所述第二氣體通道的出氣口。本實(shí)施例中采用第一氣體通道101插入所述第二氣體通道122中的結(jié)構(gòu),能夠降低制作難度,同時(shí)也能夠使得反應(yīng)氣體在熱壁板121上的沉積不容易造成氣體通道的堵塞。
      [0029]請(qǐng)參考圖5,其為本發(fā)明第三實(shí)施例的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的相同或相似的模塊采用相同`的標(biāo)號(hào),并省略其說明。本實(shí)施例與上述多個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于,所述進(jìn)氣裝置從上到下依次為:第一氣體腔10、吹掃氣體腔13、冷卻腔11及第二氣體腔12?;谙嗤脑瓌t,所述第一氣體腔10中通入有MO氣體,所述第二氣體腔12中通入有氨氣,所述吹掃氣體腔13中通入有吹掃氣體,例如可以是氮?dú)狻錃饣蛘叨叩幕旌蠚?,以保持進(jìn)氣裝置整體的整潔。所述第一氣體腔10設(shè)置有第一氣體通道101,所述第二氣體腔12設(shè)置有第二氣體通道122,所述吹掃氣體腔13設(shè)置有吹掃氣體通道131。所述氣體通道可以應(yīng)用于所述第一氣體通道101、第二氣體通道122及吹掃氣體通道131中的至少一個(gè),以提聞相應(yīng)氣體的利用率。
      [0030]請(qǐng)參考圖5,在本實(shí)施例中,所述第一氣體通道101為第一氣體管,貫穿所述吹掃氣體腔13、冷卻腔11及第二氣體腔12到達(dá)所述反應(yīng)區(qū)域;所述吹掃氣體通道131為包括第一部分1311和第二部分1312的氣體通道,所述第一部分1311為氣體管,貫穿所述冷卻腔11和第二氣體腔12,所述第二部分1312為貫穿所述熱壁板121的通孔;所述第二氣體通道122為第一部分和第二部分皆形成在所述熱壁板121中的結(jié)構(gòu),且所述第一部分和第二部分相連接形成通孔。為了降低制作難度,優(yōu)選的,可以將所述第一氣體通道101分別設(shè)置于所述吹掃氣體通道131和第二氣體通道122中,且與所述吹掃氣體通道131和第二氣體通道122之間不接觸,以使得吹掃氣體和氨氣氣體通過。在本實(shí)施例中,由于引入了吹掃氣體,使得MO氣體和氨氣在熱壁板121下表面的預(yù)反應(yīng)大大減少,能夠有效的減少對(duì)襯底上成膜的影響,并且使得每個(gè)氣體通道被堵塞的幾率大大降低。為了進(jìn)一步的降低預(yù)反應(yīng)發(fā)生的情況,還可以使得所述第一氣體通道101的出氣口低于所述吹掃氣體通道131和第二氣體通道122的出氣口。
      [0031]在上述實(shí)施例中,提及到所述氣體通道為第一部分是氣體管,第二部分是熱壁板中的通孔這樣的結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)的連接方式有多種,但是應(yīng)要保證第一部分與第二部分之間的連接處的氣體不會(huì)泄露。作為一個(gè)實(shí)施例,所述第一部分的管徑小于所述第二部分的(最小)直徑,所述第一部分直接插入在所述第二部分中,在所述第一部分與第二部分的連接處可以設(shè)置一圈密封環(huán),所述密封環(huán)例如可以是金屬,或者是其他耐熱材質(zhì)。作為又一實(shí)施例,所述第一部分是與所述第二部分的側(cè)壁連接為一體,或者所述第一部分與所述熱壁板一體成型。
      [0032]上述幾個(gè)實(shí)施例當(dāng)能夠表達(dá)本發(fā)明的主要思想,在實(shí)際生產(chǎn)中應(yīng)當(dāng)依據(jù)對(duì)相應(yīng)氣體的利用率情況而加以適應(yīng)性調(diào)整,例如V族氣體的分解利用率比III族低,而V族氣體的用量通常要比III族氣體的量多,因此,使得V族氣體流過所述氣體通道夠提高V族氣體的利用率,降低MOCVD工藝的成本??蛇x的,所述氣體通道中還可以通入載體氣體,例如與V族氣體共同流向反應(yīng)區(qū)域。所述載體氣體可以為氮?dú)狻錃饣騼烧叩幕旌?,具體可根據(jù)相應(yīng)工藝進(jìn)行選擇。
      [0033]綜上所述,本發(fā)明提供的氣體通道及進(jìn)氣裝置,所述氣體通道連通MOCVD的進(jìn)氣裝置的氣體腔和進(jìn)氣裝置下方的反應(yīng)區(qū)域,所述氣體通道包括第一部分及與第一部分相連接的第二部分,氣體自氣體腔經(jīng)過第一部分流向第二部分并且經(jīng)過第二部分的出氣口流向所述反應(yīng)區(qū)域,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大。這種氣體通道具有的逐漸擴(kuò)張的結(jié)構(gòu),能夠使得反應(yīng)氣體自上方向下流動(dòng)的路徑延長,并且降低了出氣口的氣體流速,從而提高了氣體的分解 率和利用率。
      [0034]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于MOCVD工藝的氣體通道,所述氣體通道連通MOCVD的進(jìn)氣裝置的氣體腔和進(jìn)氣裝置下方的反應(yīng)區(qū)域,其特征在于,所述氣體通道包括第一部分及與第一部分相連接的第二部分,氣體自氣體腔經(jīng)過第一部分流向第二部分并且經(jīng)過第二部分的出氣口流向所述反應(yīng)區(qū)域,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向,其截面尺寸增大。
      2.如權(quán)利要求1所述的氣體通道,其特征在于,所述第二部分沿氣體流動(dòng)方向的截面尺寸逐漸增大,所述第二部分呈現(xiàn)喇叭狀,出氣口位于喇叭狀的尺寸最大處。
      3.如權(quán)利要求1或2所述的氣體通道,其特征在于,所述第一部分沿氣體流動(dòng)方向的截面尺寸不變。
      4.如權(quán)利要求1或2所述的氣體通道,其特征在于,所述氣體通道為一氣體管。
      5.如權(quán)利要求1或2所述的氣體通道,其特征在于,所述進(jìn)氣裝置朝向反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)具有熱壁板,至少所述第二部分形成于一熱壁板中,所述第二部分為所述熱壁板的通孔或通孔的一部分。
      6.如權(quán)利要求1或2所述的氣體通道,其特征在于,所述進(jìn)氣裝置朝向反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)具有熱壁板,所述氣體通道包括氣體管和與所述氣體管相連通的通孔,所述通孔形成于熱壁板中,所述氣體管插入通孔中或與通孔的孔壁連接為一體。
      7.如權(quán)利要求1所述的氣體通道,其特征在于,所述氣體腔用于通入V族氣體,所述氣體通道用于通入V族氣體。
      8.一種用于MOCVD工藝的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣裝置包括第一氣體腔和位于所述第一氣體腔下方的第二氣體腔,其中,所述第一氣體腔或第二氣體腔與如權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的氣體通道相連通,所述氣體通道用于將來自所述第一氣體腔或第二氣體腔中的氣體經(jīng)過所述氣體通道流向所述反應(yīng)區(qū)域。
      9.如權(quán)利要求8所述的進(jìn)氣 裝置,其特征在于,所述第二氣體腔與所述氣體通道相連通,所述第二氣體腔靠近反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)為熱壁板,所述氣體通道為形成于熱壁板中的通孔。
      10.如權(quán)利要求9所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,還包括:與所述第一氣體腔相連通的第一氣體管,所述第一氣體管貫穿第二氣體腔和所述熱壁板,所述第一氣體管用于將來自第一氣體腔的氣體通過所述第一氣體管的出氣口排出,第一氣體管位于熱壁板中的一段貫穿所述通孔,且所述第一氣體管的管壁與通孔的孔壁之間有間隙,來自第二氣體腔的氣體自所述間隙向下流出。
      11.如權(quán)利要求9所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述第一氣體管的出氣口位于所述氣體通道的出氣口的下方。
      12.如權(quán)利要求9所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述第一氣體腔通入III族氣體,所述第二氣體腔通入V族氣體,第二氣體腔與所述氣體通道相連通。
      【文檔編號(hào)】C23C16/455GK103436860SQ201310360609
      【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月16日
      【發(fā)明者】譚華強(qiáng), 喬徽, 林翔, 蘇育家 申請(qǐng)人:光壘光電科技(上海)有限公司
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