研磨方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種研磨方法，能夠在晶片的邊緣部形成光滑的垂直面。本發(fā)明的研磨方法，使晶片（W）旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行第一研磨工序：在使研磨帶（38）的一部分從推壓墊（51）朝晶片（W）的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過推壓墊（51）將研磨帶（38）相對(duì)于晶片（W）的邊緣部推抵而對(duì)該晶片（W）的邊緣部進(jìn)行研磨，并且將研磨帶（38）的一部分沿推壓墊（51）折彎；將折彎的研磨帶（38）的一部分通過推壓墊（51）朝晶片（W）的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此進(jìn)行以研磨帶（38）對(duì)晶片（W）的邊緣部進(jìn)一步研磨的第二研磨工序。
【專利說明】研磨方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對(duì)晶片等的基板進(jìn)行研磨的研磨方法，尤其涉及將研磨帶等的研磨工具推抵在基板的周緣部而對(duì)該周緣部進(jìn)行研磨的研磨方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了對(duì)晶片的周緣部進(jìn)行研磨，使用研磨帶或者具有固定磨粒等的研磨工具的研磨裝置。這種研磨裝置，一邊使晶片旋轉(zhuǎn)，一邊使研磨工具接觸晶片的周緣部并由此對(duì)晶片的周緣部進(jìn)行研磨。本說明書中，對(duì)于晶片的周緣部，將其定義為包含位于晶片的最外周的斜角部、位于該斜角部的半徑方向內(nèi)側(cè)的上邊緣部以及底邊緣部的區(qū)域。
[0003]圖52A以及圖52B是表示晶片的周緣部的放大剖視圖。更詳細(xì)地說，圖52A是所謂直型的晶片的剖視圖，圖52B是所謂圓型的晶片的剖視圖。在圖52A的晶片W中，斜角部是由上側(cè)傾斜部(上側(cè)斜角部)P、下側(cè)傾斜部(下側(cè)斜角部)Q、以及側(cè)部(頂端)R構(gòu)成的晶片W的最外周面(以附圖標(biāo)記B表不)。在圖52B的晶片W中，斜角部是構(gòu)成晶片W的最外周面的具有彎曲剖面的部分(以附圖標(biāo)記B表示)。上邊緣部是與斜角部B相比位于半徑方向內(nèi)側(cè)的平坦部El。底邊緣 部是位于與上邊緣部相反的一側(cè)且與斜角部B相比位于半徑方向內(nèi)側(cè)的平坦部E2。以下，將這些上邊緣部El以及底邊緣部E2統(tǒng)稱地稱作邊緣部。邊緣部有時(shí)還包括形成有器件的區(qū)域。
[0004]在SOI (Silicon on Insulator:絕緣娃)基板等的制造工序中，如圖53所示,要求在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面。這樣的邊緣部的截面形狀能夠通過圖54所示那樣的研磨方法實(shí)現(xiàn)。即，一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)，一邊以推壓墊300將研磨帶301的邊緣部推抵于邊緣部，由此對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。研磨帶301的下表面構(gòu)成保持有磨粒的研磨面，該研磨面與晶片W平行地配置。而且，在使研磨帶301的邊緣部位于晶片W的邊緣部的狀態(tài)下，以推壓墊300將研磨帶301的研磨面相對(duì)于晶片W的邊緣部進(jìn)行推抵，由此，能夠在晶片W的邊緣部形成圖53所示那樣的直角的截面形狀，即垂直面以及水平面。
[0005]然而，上述垂直面是通過以研磨帶301的邊緣部對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行削去而形成的，因此，如圖55A所示，存在垂直面粗糙的情況。另外，如圖55B至圖5?所示，存在在對(duì)作為消耗品的推壓墊300進(jìn)行更換的前后，垂直面的形狀發(fā)生變化的情況。
[0006]在SOI基板等的制造工序中，存在優(yōu)選在晶片W的邊緣部取代圖53所示的垂直面而形成圖56所示那樣的倒錐面的情況。然而，以圖54所示的研磨方法難以形成這樣的倒錐面。
[0007]另外，存在由于通過晶片邊緣部的水平面內(nèi)的位置而使研磨帶與水平面的接觸面積不同，結(jié)果水平面的一部分傾斜的情況。對(duì)于該問題參照附圖進(jìn)行說明。圖57是表示圖54所示的推壓墊300以及研磨帶301的俯視圖。晶片W為圓形而推壓墊300為矩形形狀。因此，如圖57的虛線所示，研磨帶301與晶片W的接觸長(zhǎng)度(即研磨面積)在晶片邊緣部的水平面內(nèi)的半徑方向內(nèi)側(cè)區(qū)域和半徑方向外側(cè)區(qū)域是不同的。其結(jié)果，如圖58所示，水平面內(nèi)的半徑方向內(nèi)側(cè)區(qū)域會(huì)傾斜。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]本發(fā)明的第一目的在于，提供一種研磨方法，能夠在晶片等的基板的邊緣部形成平滑的垂直面。
[0010]另外，本發(fā)明的第二目的在于，提供一種研磨方法，能夠在晶片等的基板的邊緣部形成倒錐面。
[0011]并且，本發(fā)明的第三目的在于，提供一種研磨方法，能夠在晶片等的基板的邊緣部形成平坦的水平面。
[0012]用于解決課題的手段
[0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的，第一方式是一種研磨方法，其特征在于，使基板旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行第一研磨工序:在使研磨帶的一部分從推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過所述推壓部件將所述研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨，并且將所述研磨帶的所述一部分沿所述推壓部件折彎；進(jìn)行第二研磨工序:將折彎的所述研磨帶的所述一部分通過所述推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此通過所述研磨帶對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
[0014]第二方式是一種研磨方法，其特征在于，使基板旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行第一研磨工序:在使研磨帶的一部分從推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過所述推壓部件將所述研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨，在所述第一研磨工序之后，將所述研磨帶的一部分推抵于所述基板的邊緣部并將所述研磨帶的所述一部分沿所述推壓部件折彎；進(jìn)行第二研磨工序:將折彎的所述研磨帶的所述一部分通過所述推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以所述研磨帶對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
[0015]第三方式是一種研磨方法，其特征在于，使基板旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行第一研磨工序:在使第一研磨帶的一部分從第一推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過所述第一推壓部件將所述第一研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨，以第二研磨帶的一部分從第二推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的方式，對(duì)所述第二研磨帶與所述第二推壓部件進(jìn)行定位，通過所述第二推壓部件將所述第二研磨帶的所述一部分推壓在通過所述第一研磨工序而在所述基板的邊緣部形成的角部，并將所述第二研磨帶的所述一部分沿所述第二推壓部件折彎；進(jìn)行第二研磨工序:將折彎的所述第二研磨帶的所述一部分通過所述第二推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以所述第二研磨帶對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
[0016]第四方式是一種研磨方法，其特征在于，使基板旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行第一研磨工序:將研磨工具相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨，在所述第一研磨工序之后，進(jìn)行第二研磨工序:將所述研磨工具朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以所述研磨工具對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
[0017]第五方式是一種研磨方法，其特征在于，使基板旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行滑動(dòng)研磨工序，通過推壓部件將研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵，并且，使所述研磨帶以及所述推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)直至到達(dá)規(guī)定的停止位置，反復(fù)進(jìn)行所述滑動(dòng)研磨工序，每次進(jìn)行所述滑動(dòng)研磨工序，均使所述停止位置朝所述半徑方向內(nèi)側(cè)僅移動(dòng)少許。
[0018]第六方式是一種研磨方法，其特征在于，將推壓部件配置在從自基板的中心沿半徑方向延伸的中心線上的原點(diǎn)位置向所述基板的切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的位置，所述切線方向相對(duì)于所述中心線垂直，使所述基板旋轉(zhuǎn)，通過位于所述錯(cuò)開位置的推壓部件將研磨帶推抵于所述基板的邊緣部而在該基板的邊緣部形成水平面。
[0019]第七方式是一種研磨方法，其特征在于，將研磨工具配置在從自基板的中心沿半徑方向延伸的中心線上的原點(diǎn)位置在所述基板的切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的位置上，所述切線方向相對(duì)于所述中心線垂直，使所述基板旋轉(zhuǎn)，將位于所述錯(cuò)開位置的所述研磨工具推抵于所述基板的邊緣部而在該基板的邊緣部形成水平面。
[0020]發(fā)明的效果
[0021]根據(jù)第一方式至第四方式，通過第一研磨工序在基板的邊緣部形成垂直面，通過第二研磨工序?qū)⒋怪泵婕庸さ霉饣?br> [0022]根據(jù)第五方式，能夠在基板的邊緣部形成圖56所示那樣的倒錐面。
[0023]根據(jù)第六方式以及第七方式，通過將推壓部件的位置沿基板的切線方向錯(cuò)開，能夠不改變基板邊緣部的水平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)區(qū)域與研磨帶的接觸面積地減小水平面內(nèi)的外側(cè)區(qū)域與研磨帶的接觸面積。因此，能夠在基板邊緣部形成平坦的水平面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是用于對(duì)用于實(shí)施研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式的研磨裝置進(jìn)行說明的示意圖。
[0025]圖2是圖1所示的研磨裝置的俯視圖。
[0026]圖3A至圖3D是用于對(duì)研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。
[0027]圖4是用于對(duì)研磨方法的其他的實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。
[0028]圖5是用于對(duì)圖4所示的研磨方法的其他的例子進(jìn)行說明的圖。
[0029]圖6是表示具備第一研磨單元以及第二研磨單元的研磨裝置的示意圖。
[0030]圖7是對(duì)使用圖6所示的研磨裝置對(duì)晶片進(jìn)行研磨的方法進(jìn)行說明的圖。
[0031]圖8是用于對(duì)研磨方法的另外其他的實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。
[0032]圖9是用于對(duì)SOI基板的制造工序進(jìn)彳丁說明的圖。
[0033]圖10是用于對(duì)研磨方法的另外其他的實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。
[0034]圖11是表示用于實(shí)施研磨方法的另外其他的實(shí)施方式的研磨裝置的示意圖。
[0035]圖12A、圖12B、圖12C是用于對(duì)使用圖11所示的研磨裝置的研磨方法進(jìn)行說明的圖。
[0036]圖13是用于對(duì)用于實(shí)施研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式的研磨裝置進(jìn)行說明的示意圖。
[0037]圖14是圖13所示的研磨裝置的俯視圖。
[0038]圖15是用于對(duì)研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。
[0039]圖16是表示將推壓墊從原點(diǎn)位置沿切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的狀態(tài)的圖。
[0040]圖17是用于對(duì)用于實(shí)施其他的實(shí)施方式的研磨方法的研磨裝置進(jìn)行說明的示意圖。
[0041]圖18是圖17所示的研磨裝置的俯視圖。[0042]圖19是用于對(duì)基于圖17以及圖18所示的研磨裝置的研磨方法進(jìn)行說明的圖。
[0043]圖20是表示將推壓墊從原點(diǎn)位置沿切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的狀態(tài)的圖。
[0044]圖21是示意性地表示用于執(zhí)行研磨方法的另外其他的實(shí)施方式的研磨裝置的側(cè)視圖。
[0045]圖22是圖21所示的晶片以及固定磨粒的俯視圖。
[0046]圖23是表示研磨裝置的俯視圖。
[0047]圖24是圖23的F —F線剖視圖。
[0048]圖25是從圖24的箭頭G表示的方向觀察的圖。
[0049]圖26是研磨頭以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)的俯視圖。
[0050]圖27是研磨頭以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)的主視圖。
[0051]圖28是圖27所示的H— H線剖視圖。
[0052]圖29是圖27所示的研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0053]圖30是對(duì)圖27所示的研磨頭從箭頭I所示方向觀察的縱剖視圖。
[0054]圖31是從上方觀察位置傳感器以及凸爪的圖。
[0055]圖32是表示移動(dòng)至規(guī)定的研磨位置的研磨頭以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)的圖。
[0056]圖33是從橫向觀察實(shí)施圖3A至圖3D所示的研磨方法以及圖4、圖7所示的研磨方法時(shí)的處于研磨位置的推壓墊、研磨帶、以及晶片的示意圖。
[0057]圖34是表示通過推壓墊將研磨帶推抵于晶片的狀態(tài)的圖。
[0058]圖35是從橫向觀察實(shí)施圖10以及圖13所示的研磨方法時(shí)的推壓墊、研磨帶以及晶片的不意圖。
[0059]圖36A至圖36C是對(duì)檢測(cè)研磨帶的邊緣部時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行說明的圖。
[0060]圖37A是從晶片的半徑方向觀察位于研磨位置的研磨帶以及推壓墊的圖，圖37B是表示推壓墊的下表面與研磨帶的上表面接觸的狀態(tài)的圖，圖37C是表示推壓墊將研磨帶相對(duì)于晶片從上推抵的狀態(tài)的圖。
[0061]圖38A是表示通過推壓墊將研磨帶推抵于晶片，結(jié)果晶片撓曲的狀態(tài)的圖，圖38B是以圖38A所示的狀態(tài)被研磨的晶片的剖視圖。
[0062]圖39是表示具備支承架的晶片保持部的縱剖視圖。
[0063]圖40是支承架的立體圖。
[0064]圖41是表示保持臺(tái)和保持于其上表面的晶片相對(duì)于支承架相對(duì)上升的狀態(tài)的圖。
[0065]圖42是表示設(shè)置有帶限位器的實(shí)施方式的圖。
[0066]圖43是表示研磨帶受到水平方向的負(fù)載而變形的狀態(tài)的圖。
[0067]圖44是表示設(shè)置有帶限位器以及帶罩的實(shí)施方式的圖。
[0068]圖45是表示設(shè)置有對(duì)推壓墊向外側(cè)的移動(dòng)進(jìn)行限制的移動(dòng)限制機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式的圖。
[0069]圖46是表示將圖39所示的實(shí)施方式與圖45所示的實(shí)施方式組合的例子的圖。
[0070]圖47是表示具備多個(gè)研磨單元的研磨裝置的俯視圖。
[0071]圖48是表示研磨裝置的其他的實(shí)施方式的俯視圖。
[0072]圖49是圖48所示的研磨裝置的縱剖視圖。[0073]圖50是圖49所示的研磨頭的放大圖。
[0074]圖51是表示研磨頭對(duì)晶片的上邊緣部進(jìn)行研磨的情形的圖。
[0075]圖52A以及圖52B是表示晶片的周緣部的放大剖視圖。
[0076]圖53是表示形成于晶片的邊緣部的垂直面以及水平面的圖。
[0077]圖54是用于對(duì)用于形成圖53所示的垂直面以及水平面的研磨方法進(jìn)行說明的圖。
[0078]圖55A至圖5?分別是表示通過以往的研磨方法而被研磨的晶片的邊緣部的截面的放大圖。
[0079]圖56是表示形成于晶片的邊緣部的倒錐面的剖視圖。
[0080]圖57是表示圖54所示的推壓墊以及研磨帶的俯視圖。
[0081]圖58是表示被研磨的晶片的邊緣部的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0082]以下，參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0083]圖1是用于對(duì)用于實(shí)施研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式的研磨裝置進(jìn)行說明的示意圖，圖2是圖1所示的研磨裝置的俯視圖。研磨裝置具備:保持作為基板的晶片W并使其旋轉(zhuǎn)的晶片保持部3 ;對(duì)保持于晶片保持部3的晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨的研磨單元25。
[0084]研磨單元25具備:對(duì)研磨帶38進(jìn)行支承的研磨帶支承機(jī)構(gòu)70 ;將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部的推壓墊(推壓部件)51 ;使推壓墊51在相對(duì)于晶片表面垂直的方向移動(dòng)的垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59 ;使推壓墊51以及垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59在晶片W的半徑方向移動(dòng)的半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45 ;使研磨帶38以及研磨帶支承機(jī)構(gòu)70在晶片W的半徑方向移動(dòng)的帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)46。
[0085]半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45以及帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)46能夠相互獨(dú)立地動(dòng)作。因此，晶片W的半徑方向上的推壓墊51與研磨帶38的相對(duì)位置，能夠通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45以及帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)46進(jìn)行調(diào)整。作為垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59、半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45、以及帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)46，能夠使用氣缸的組合、或者伺服馬達(dá)與滾珠絲杠的組合等。
[0086]研磨帶38以其研磨面與晶片W的表面平行、并且研磨面與晶片W的邊緣部相對(duì)的方式，通過研磨帶支承機(jī)構(gòu)70而被支承。研磨帶38的單面(下表面)構(gòu)成固定有磨粒的研磨面。研磨帶38是縱長(zhǎng)的研磨工具，沿晶片W的切線方向配置。推壓墊51是用于將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部的推壓部件，配置于晶片W的邊緣部的上方。在推壓墊51的底面上，固定有對(duì)研磨帶38的水平方向的移動(dòng)進(jìn)行限制的帶限位器185。該帶限位器185也可以省略。
[0087]圖3A至圖3D是表示研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式的圖。如圖3A所示，以研磨帶38的一部分(沿研磨帶38的長(zhǎng)度方向延伸的部分)從推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的方式，對(duì)研磨帶38和推壓墊51進(jìn)行定位。該狀態(tài)下，如圖3B所示，通過垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59將推壓墊51推下并將研磨帶38的研磨面推抵于進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部。通過進(jìn)一步將推壓墊51推下，如圖3C所示，對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨(第一研磨工序)直至在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面為止。推壓墊51的晶片推壓面是與晶片表面平行的水平面，通過以該水平的推壓面將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部，在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面。與晶片W接觸的研磨帶38的研磨面與晶片W的表面平行。研磨中的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部經(jīng)由研磨帶38而推抵于晶片W的邊緣部。
[0088]隨著推壓墊51向下方移動(dòng)，從推壓墊51突出的研磨帶38的一部分(突出部)沿推壓墊51向上方折彎。該狀態(tài)下，如圖3D所示，通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45將推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此，以研磨帶38的折彎的部分對(duì)垂直面進(jìn)行研磨(第二研磨工序)。通過研磨帶38折彎，其研磨面與晶片邊緣部的垂直面接觸。因此，晶片W的垂直面通過研磨帶38的研磨面被研磨。
[0089]這樣，通過第一研磨工序而形成于晶片W的邊緣部的垂直面，通過第二研磨工序被研磨帶38的研磨面研磨。因此，能夠使垂直面光滑。也可以在第一研磨工序中使用粗研磨用的組織粗糙的研磨帶，在第二研磨工序中使用精加工研磨用的組織細(xì)密的研磨帶。如圖3C所示，優(yōu)選折彎的研磨帶38的一部分比形成于晶片W的邊緣部的被研磨部分的深度(即垂直面的高度)長(zhǎng)。
[0090]在研磨中若僅將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部，則存在在邊緣部殘留研磨痕跡的情況。為解決該問題，可以一邊使研磨帶38沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)，一邊進(jìn)行第一研磨工序以及上述第二研磨工序中的至少一個(gè)。通過這樣一邊進(jìn)給研磨帶38 —邊進(jìn)行研磨，能夠?qū)⑿纬捎诰琖的研磨痕跡去除。該情況下，為了提高晶片W的研磨率，另外，為了制作出在幾何學(xué)上準(zhǔn)確的形狀，研磨帶38的移動(dòng)方向也可以與旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部的行進(jìn)方向相反。為了更有效地去除研磨痕跡，可以一邊將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部，一邊使研磨帶38在晶片的W的半徑方向移動(dòng)。
[0091 ] 圖4是用于對(duì)其他的實(shí)施方式的研磨方法進(jìn)行說明的圖。無特別說明的本實(shí)施方式的構(gòu)成以及動(dòng)作與上述的實(shí)施方式相同因而省略其重復(fù)說明。在步驟I中，以研磨帶38的一部分(沿研磨帶38的長(zhǎng)度方向延伸的部分)從推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)略微突出的方式，對(duì)研磨帶38與推壓墊51進(jìn)行定位。該定位通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45以及帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)46實(shí)現(xiàn)。研磨帶38位于晶片W的邊緣部的上方。使研磨帶38的一部分從推壓墊51突出的理由，是為了在晶片W的研磨中避免推壓墊51與晶片W的邊緣部接觸。
[0092]步驟2中，通過垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59將推壓墊51推下并將研磨帶38的研磨面推抵于旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部，在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面(第一研磨工序)。研磨中的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部經(jīng)由研磨帶38被推壓于晶片W的邊緣部。步驟3中，通過垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59使推壓墊51以及研磨帶38上升，研磨帶38從晶片W分離。
[0093]步驟4中，推壓墊51以及研磨帶38在從晶片W離開的狀態(tài)下朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)僅移動(dòng)規(guī)定的距離。更具體而言，推壓墊51以及研磨帶38向晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)的方向移動(dòng)，直至研磨帶38的內(nèi)側(cè)的邊緣部位于晶片W的垂直面的半徑方向內(nèi)側(cè)、并且推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部位于晶片W的垂直面的半徑方向外側(cè)。該步驟4中的推壓墊51以及研磨帶38的移動(dòng)通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45以及帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)46實(shí)現(xiàn)。
[0094]步驟5中，通過垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59使推壓墊51以及研磨帶38下降。步驟5中的研磨帶38的突出部的寬度與步驟I中的突出部的寬度相同或者也可以比其大。步驟6中，將研磨帶38的一部分(突出部)推壓在晶片W的垂直面與表面(上表面)相交的角部并將研磨帶38的一部分向上方折彎。該角部通過第一研磨工序而形成于晶片W的邊緣部。步驟7中，通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45將推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以研磨帶38的折彎的部分對(duì)垂直面進(jìn)行研磨(第二研磨工序)。由于研磨帶38折彎，因此其研磨面與晶片邊緣部的垂直面接觸。因此，晶片W的垂直面被研磨帶38的研磨面研磨。
[0095]在該實(shí)施方式中，通過第一研磨工序形成在晶片W的邊緣部的垂直面，在第二研磨工序中通過研磨帶38被研磨。因此，能夠在晶片W的邊緣部形成光滑的垂直面。也可以一邊使研磨帶38沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)，一邊進(jìn)行第一研磨工序以及第二研磨工序中的至少一個(gè)。該情況下，為了提高晶片W的研磨率，研磨帶38的移動(dòng)方向也可以與旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部的行進(jìn)方向相反。并且，為了去除研磨痕跡，也可以一邊將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部，一邊使研磨帶38在晶片的W的半徑方向移動(dòng)。
[0096]圖4所示的步驟3以及步驟4中，使研磨帶38從晶片W暫時(shí)分離，但也可以保持使研磨帶38與晶片W的邊緣部接觸的狀態(tài)不變地將研磨帶38的一部分折彎。對(duì)于該例參照?qǐng)D5進(jìn)行說明。圖5是用于對(duì)圖4所示的研磨方法的其他的例子進(jìn)行說明的圖。步驟I以及步驟2所示的第一研磨工序與圖4所示的步驟I以及步驟2相同。第一研磨工序后，在步驟3中，在研磨帶38與晶片W接觸的狀態(tài)下，使推壓墊51以及研磨帶38朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)，將研磨帶38的一部分(突出部)推壓在通過第一研磨工序而形成的邊緣部的垂直面上并將研磨帶38的一部分向上方折彎。步驟4中，通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45將推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)進(jìn)一步推壓，由此通過研磨帶38的折彎的部分對(duì)垂直面進(jìn)行研磨(第二研磨工序)。
[0097]也可以使用不同類型的研磨帶進(jìn)行圖4所示的第一研磨工序(步驟I?3)和第二研磨工序(步驟4?7)。該情況下，如圖6所示，使用具備具有相互相同的構(gòu)成的第一研磨單元25A以及第二研磨單元25B的研磨裝置。這些研磨單元25A、25B，相對(duì)于保持于晶片保持部3的晶片W的中心對(duì)稱地配置。研磨單元25A、25B具有與圖1所示的研磨單元25相同的構(gòu)成，因此省略其重復(fù)說明。
[0098]第一研磨單元25A具有組織粗糙的第一研磨帶38A，第二研磨單元25B具有組織細(xì)密的第二研磨帶38B。圖7是對(duì)使用圖6所示的研磨裝置對(duì)晶片進(jìn)行研磨的方法進(jìn)行說明的圖。
[0099]步驟I中，以第一研磨帶38A的一部分從第一研磨單元25A的推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)略微突出的方式，對(duì)第一研磨帶38A與推壓墊51進(jìn)行定位。步驟2中，通過第一研磨單元25A的垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59將推壓墊51推下并將第一研磨帶38A的研磨面推抵于旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部，在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面(第一研磨工序)。研磨中的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部經(jīng)由第一研磨帶38A而推壓在晶片W的邊緣部。步驟3中，通過垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59使第一研磨單元25A的推壓墊51以及第一研磨帶38A上升，第一研磨帶38A從晶片W分離。
[0100]步驟4中，以第二研磨帶38B的一部分從第二研磨單元25B的推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的方式，對(duì)第二研磨帶38B與推壓墊51進(jìn)行定位。第二研磨帶38B的內(nèi)側(cè)的邊緣部位于晶片W的垂直面的半徑方向內(nèi)側(cè)，并且第二研磨單元25B的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部位于晶片W的垂直面的半徑方向外側(cè)。第二研磨單元25B的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部與晶片W的垂直面之間的水平方向的距離比第二研磨帶38B的厚度大。
[0101]步驟5中，通過第二研磨單元25B的垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59使推壓墊51以及第二研磨帶38B下降，步驟6中，將第二研磨帶38B的一部分(突出部)推壓在晶片W的垂直面與表面(上表面)相交的角部并將第二研磨帶38B的一部分向上方折彎。該角部通過第一研磨工序而形成在晶片W的邊緣部。步驟7中，通過第二研磨單元25B的半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45將推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以第二研磨帶38B的折彎的部分對(duì)垂直面進(jìn)行研磨(第二研磨工序)。由于第二研磨帶38B被折彎，因此其研磨面與晶片邊緣部的垂直面接觸。因此，晶片W的垂直面被第二研磨帶38B的研磨面研磨。也可以一邊使研磨帶沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)，一邊進(jìn)行第一研磨工序以及第二研磨工序中的至少一個(gè)。該情況下，為了提高晶片W的研磨率，研磨帶的移動(dòng)方向也可以與旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部的行進(jìn)方向相反。并且，為了去除研磨痕跡，也可以一邊將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部，一邊使研磨帶38在晶片的W的半徑方向移動(dòng)。
[0102]根據(jù)本實(shí)施方式，能夠通過組織細(xì)密的第二研磨帶在晶片W的邊緣部形成更光滑的垂直面。并且，能夠在將晶片W保持于晶片保持部3的狀態(tài)下直接通過不同類型的研磨帶進(jìn)行多階段研磨。本實(shí)施方式具備下述優(yōu)點(diǎn):不必在第一研磨工序與第二研磨工序之間搬運(yùn)晶片W，能夠消除第一研磨工序與第二研磨工序之間的晶片的定心的錯(cuò)位。此外，還能夠配置三個(gè)以上的研磨單元。
[0103]接下來，對(duì)研磨方法的另外其他的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖8A至圖SE是用于對(duì)研磨方法的另外其他的實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。該實(shí)施方式中，研磨帶一邊在晶片W的邊緣部上沿晶片W的半徑方向滑動(dòng)，一邊多次對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。具體而言，如圖8A所示，在研磨帶38的一部分從推壓墊51朝半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過推壓墊51將研磨帶38推壓在晶片W的邊緣部，進(jìn)而在研磨帶38與邊緣部接觸的狀態(tài)下使研磨帶38以及推壓墊51朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)。研磨帶38在邊緣部上滑動(dòng)直至到達(dá)規(guī)定的停止位置，對(duì)邊緣部進(jìn)行研磨。
[0104]同樣地,如圖8B至圖8E所示，反復(fù)進(jìn)行使研磨帶38在邊緣部上滑動(dòng)的滑動(dòng)研磨工序。每次進(jìn)行滑動(dòng)研磨工序，使研磨帶38的停止位置朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)僅(僅以規(guī)定的距離)移動(dòng)少許。這樣，通過一邊每次使研磨帶38的停止位置向內(nèi)側(cè)移動(dòng)少許一邊反復(fù)進(jìn)行滑動(dòng)研磨工序，能夠在晶片W的邊緣部形成圖56所示那樣的倒錐面。當(dāng)研磨帶38到達(dá)規(guī)定的停止位置后，既可以在開始下一次滑動(dòng)研磨工序之前使推壓墊51以及研磨帶38暫時(shí)從晶片W分離并移動(dòng)至下一次滑動(dòng)研磨工序的開始位置，或者也可以使推壓墊51以及研磨帶38向晶片W的半徑方向外側(cè)滑動(dòng)并使其移動(dòng)至下一次滑動(dòng)研磨工序的開始位置。在本實(shí)施方式中，還能夠一邊使研磨帶38沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)一邊進(jìn)行滑動(dòng)研磨工序。該情況下，為了提高晶片W的研磨率，研磨帶38的移動(dòng)方向也可以與旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部的行進(jìn)方向相反。
[0105]通過圖8A至圖8E所示的滑動(dòng)研磨而在邊緣部形成的倒錐面,對(duì)于SOI (Siliconon Insulator)基板的制造有利。SOI基板通過使器件晶片與娃晶片貼合而制造。更具體而言，如圖9A以及圖9B所示，使器件晶片Wl與硅晶片W2貼合，并使貼合的器件晶片Wl與硅晶片W2反轉(zhuǎn)，如圖9C所示，對(duì)器件晶片Wl從其背面通過研磨機(jī)(grinder)進(jìn)行研削，由此得到圖9D所示那樣的SOI基板。根據(jù)圖9D可知，硅晶片W2上的器件層的端面為錐面，因此具有器件層不易破損的優(yōu)點(diǎn)。
[0106]圖10是用于對(duì)研磨方法的另外其他的實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。無特別說明的本實(shí)施方式的構(gòu)成以及動(dòng)作與上述的實(shí)施方式相同，因此省略其重復(fù)說明。在將研磨帶38沿晶片W的切線方向配置這一點(diǎn),本實(shí)施方式與上述的實(shí)施方式相同,但在本實(shí)施方式中,在下述方面與上述實(shí)施方式不同:以使推壓墊51的邊緣部與研磨帶38的邊緣部一致的狀態(tài)，通過推壓墊51將研磨帶38相對(duì)于晶片W的邊緣部推抵并對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。
[0107]本實(shí)施方式的研磨方法包含初始階段研磨工序即第一研磨工序、高去除率研磨工序即第二研磨工序、以及最終階段研磨工序即第三研磨工序。第一研磨工序是一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)一邊通過推壓墊51以第一推抵壓力將研磨帶38的邊緣部相對(duì)于晶片W的邊緣部推抵的工序。第二研磨工序是一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)一邊通過推壓墊51以比第一推抵壓力高的第二推抵壓力將研磨帶38的邊緣部相對(duì)于晶片W的邊緣部推抵的工序。而且，第三研磨工序是一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)一邊通過推壓墊51以比第二推抵壓力低的第三推抵壓力將研磨帶38的邊緣部相對(duì)于晶片W的邊緣部推抵的工序。第一研磨工序、第二研磨工序、以及第三研磨工序中，通過推壓墊51的邊緣部將研磨帶38的邊緣部推抵于晶片W的邊緣部，由此在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面。
[0108]對(duì)于第一研磨工序、第二研磨工序、第三研磨工序，能夠適當(dāng)?shù)馗淖冄心?8向晶片W的推抵壓力以及晶片W的旋轉(zhuǎn)速度。例如，也可以在第一研磨工序中使晶片W以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，而在第二研磨工序中使其以比第一旋轉(zhuǎn)速度高的第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。第三研磨工序中的晶片W的旋轉(zhuǎn)速度，既可以與上述第一旋轉(zhuǎn)速度相同，或者也可以與上述第二旋轉(zhuǎn)速度相同。另外，第三研磨工序中的上述第三推抵壓力既可以與第一研磨工序中的第一推抵壓力相同，或者也可以比第一推抵壓力低，或者還可以比第一推抵壓力高。
[0109]第一研磨工序中，以較低的推抵壓力對(duì)晶片W緩慢地進(jìn)行研磨，因此能夠不在角部產(chǎn)生缺損地在晶片W的邊緣部形成直角的角部。第二研磨工序中，以較高的推抵壓力對(duì)晶片W進(jìn)行研磨，因此能夠縮短整體的研磨時(shí)間。第三研磨工序中，以較低的推抵壓力對(duì)晶片W進(jìn)行研磨，因此能夠改善表面粗糙度。在第三研磨工序之后，還可以再實(shí)施追加的研磨工序。
[0110]在本實(shí)施方式中，在研磨帶38的邊緣部與推壓墊51的邊緣部一致的狀態(tài)下，包含研磨帶38的邊緣部在內(nèi)的平坦部被推壓于晶片W的邊緣部。研磨帶38的邊緣部為直角的角部，該直角的邊緣部通過推壓墊51的邊緣部而從上方推壓于晶片W的周緣部。因此，如圖10所示，能夠?qū)⒀心サ木琖的截面形狀形成為直角。第一研磨工序、第二研磨工序、以及第三研磨工序，也可以一邊使研磨帶38沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)一邊進(jìn)行。該情況下，為了提高晶片W的研磨率，研磨帶38的移動(dòng)方向可以與旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部的行進(jìn)方向相反。
[0111]圖11是表示用于實(shí)施研磨方法的另外其他的實(shí)施方式的研磨裝置的示意圖。該實(shí)施方式中，作為對(duì)晶片W的周緣部進(jìn)行研磨的研磨工具，取代研磨帶而使用固定磨粒(磨石)39。該固定磨粒39具有圓板形狀，并固定于圓形的推壓部件51的下表面。推壓部件51與馬達(dá)65連結(jié)，固定磨粒39與推壓部件51 —體地通過馬達(dá)65而旋轉(zhuǎn)。馬達(dá)65與使推壓部件51以及固定磨粒39在相對(duì)于晶片表面垂直的方向上移動(dòng)的垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59連結(jié),垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59與使推壓部件51以及固定磨粒39沿晶片W的半徑方向移動(dòng)的半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45連結(jié)。
[0112]圖12A至圖12C是用于對(duì)使用圖11所示的研磨裝置的研磨方法進(jìn)行說明的圖。如圖12A所示，一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)，一邊使固定磨粒39以及推壓部件51繞其中心通過馬達(dá)65而旋轉(zhuǎn)。該狀態(tài)下，如圖12B所示,通過垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59將推壓部件51以及固定磨粒39推下并將固定磨粒39的下表面推抵于旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部，在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面(第一研磨工序)。并且，如圖12C所示，通過半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)45將推壓部件51以及固定磨粒39朝晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以固定磨粒39的外周面對(duì)晶片邊緣部的垂直面進(jìn)行研磨(第二研磨工序)。這樣，作為研磨工具也能夠使用磨石等的固定磨粒39。
[0113]圖13是用于對(duì)用于實(shí)施研磨方法的另外其他的實(shí)施方式的研磨裝置進(jìn)行說明的示意圖，圖14是圖13所示的研磨裝置的俯視圖。研磨裝置具備:對(duì)基板即晶片W進(jìn)行保持并使其旋轉(zhuǎn)的晶片保持部3 ;將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部的推壓墊51 ;將推壓墊51朝晶片W推壓的推壓機(jī)構(gòu)53 ;使推壓墊51以及推壓機(jī)構(gòu)53沿晶片W的切線方向移動(dòng)的切線方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)30。作為推壓機(jī)構(gòu)53，能夠使用氣缸、或者伺服馬達(dá)與滾珠絲杠的組合，作為切線方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)30，能夠使用伺服馬達(dá)與滾珠絲杠的組合。
[0114]研磨帶38以其研磨面與晶片W的表面平行并且研磨面與晶片W的邊緣部相對(duì)的方式配置。研磨帶38的單面(下表面)構(gòu)成供磨粒固定的研磨面。研磨帶38是縱長(zhǎng)的研磨工具，沿晶片W的切線方向配置。推壓墊51是用于將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部的推壓部件，配置于晶片W的邊緣部的上方。在推壓墊51的底面，固定有對(duì)研磨帶38的水平方向的移動(dòng)進(jìn)行限制的帶限位器185。該帶限位器185也可以省略。
[0115]圖15是用于對(duì)本發(fā)明的研磨方法的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。推壓墊51的原點(diǎn)位置預(yù)先設(shè)定在從晶片W的中心Cw沿半徑方向延伸的中心線CL上。該原點(diǎn)位置是對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨時(shí)的推壓墊51的基準(zhǔn)位置。位于原點(diǎn)位置的推壓墊51的內(nèi)側(cè)緣部51b的中點(diǎn)Cp位于中心線CL上。該推壓墊51的內(nèi)側(cè)緣部51b是將研磨帶38相對(duì)于晶片W的邊緣部進(jìn)行推壓的推壓面的邊緣部，是在晶片W的半徑方向上內(nèi)側(cè)的邊緣部。
[0116]晶片W的研磨如下進(jìn)行。首先，使晶片W通過晶片保持部3而旋轉(zhuǎn)。而且，在使推壓墊51的邊緣部與研磨帶38的邊緣部一致的狀態(tài)下，通過推壓墊51將研磨帶38的邊緣部推抵于旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部而對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。也可以在使研磨帶38的一部分從推壓墊51的邊緣部向晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過推壓墊51將研磨帶38推抵于旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部。研磨帶38的邊緣部為直角的角部，該直角的邊緣部通過推壓墊51的邊緣部而從上方推壓于晶片W的邊緣部。與晶片W接觸的研磨帶38的研磨面與晶片W的表面平行。研磨中的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部經(jīng)由研磨帶38而被推壓于晶片W的邊緣部。推壓墊51的晶片推壓面(基板推壓面)是與晶片表面平行的水平面，通過該水平的推壓面將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部，由此在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面。
[0117]然而，如上述那樣，研磨帶38與晶片W的接觸面積因晶片邊緣部?jī)?nèi)的位置而不同，其結(jié)果是，如圖58所示，存在水平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)區(qū)域傾斜的情況。因此，如圖16所示，將推壓墊51從原點(diǎn)位置在與中心線CL正交的切線方向上錯(cuò)開規(guī)定的距離，在該錯(cuò)開的位置通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W。根據(jù)圖16可知，若將推壓墊51的位置在晶片W的切線方向上錯(cuò)開，則能夠不改變晶片邊緣部的水平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積(接觸長(zhǎng)度)地減小水平面內(nèi)的外側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積。因此，研磨帶38能夠在晶片W的邊緣部形成圖158所示的那樣的平坦的水平面。將推壓墊51錯(cuò)開的上述規(guī)定的距離，優(yōu)選不足沿上述切線方向的推壓墊51的長(zhǎng)度的一半。如果是這樣的距離，則位于最內(nèi)側(cè)的垂直面的形成幾乎不會(huì)受到推壓墊51的位置的影響。此外，通過對(duì)推壓墊51從原點(diǎn)位置在與中心線CL正交的切線方向錯(cuò)開的距離進(jìn)行調(diào)整，能夠改變水平面的剖面。例如，通過對(duì)推壓墊51的從原點(diǎn)位置錯(cuò)開的距離進(jìn)行調(diào)整，能夠形成具有所希望的角度的水平面。
[0118]本發(fā)明也能夠適用于在晶片W的半徑方向配置研磨帶38的研磨方法。圖17是用于對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的研磨方法的研磨裝置進(jìn)行說明的示意圖，圖18是圖17所示的研磨裝置的俯視圖。圖17以及圖18所示的研磨裝置在下述方面與圖13以及圖14所示的研磨裝置不同:當(dāng)從晶片W的上方觀察時(shí)，以研磨帶38沿中心線CL延伸的方式(即，研磨帶38沿晶片W的半徑方向延伸的方式)配置研磨帶38。其他的構(gòu)成與圖13以及圖14所示的研磨裝置相同。
[0119]晶片W的研磨以如下方式進(jìn)行。首先，使晶片W通過晶片保持部3而旋轉(zhuǎn)。然后，通過推壓墊51將研磨帶38推抵于旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部而對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。研磨中的推壓墊51的內(nèi)側(cè)的邊緣部經(jīng)由研磨帶38而推壓于晶片W的邊緣部。
[0120]圖19是用于對(duì)基于圖17以及圖18所示的研磨裝置的研磨方法進(jìn)行說明的圖。與上述的實(shí)施方式相同地，推壓墊51的原點(diǎn)位置被預(yù)先設(shè)定在從晶片W的中心Cw沿半徑方向延伸的中心線CL上。位于原點(diǎn)位置的推壓墊51的內(nèi)側(cè)緣部51b的中點(diǎn)Cp位于中心線CL上。
[0121]對(duì)晶片W進(jìn)行研磨時(shí)，如圖20所示，將推壓墊51從原點(diǎn)位置向與中心線CL正交的切線方向錯(cuò)開規(guī)定的距離，在該錯(cuò)開的位置通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W。同樣在本實(shí)施方式中，能夠不改變晶片邊緣部的水平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積(接觸長(zhǎng)度)地減小水平面內(nèi)的外側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積。因此，能夠在晶片W的邊緣部形成平坦的水平面。
[0122]圖21是示意性地表示用于執(zhí)行研磨方法的另外其他的實(shí)施方式的研磨裝置的側(cè)視圖。該實(shí)施方式中，取代研磨帶而將磨石等的固定磨粒39作為研磨工具進(jìn)行使用。該固定磨粒39具有圓板形狀，并固定在圓形的推壓部件51的下表面。推壓部件51與馬達(dá)65連結(jié)，固定磨粒39與推壓部件51 —體地通過馬達(dá)65而旋轉(zhuǎn)。馬達(dá)65與將固定磨粒39以及推壓部件51向晶片W推壓的推壓機(jī)構(gòu)53連結(jié)。推壓機(jī)構(gòu)53與使固定磨粒39以及推壓部件51向晶片W的切線方向移動(dòng)的切線方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)30連結(jié)。
[0123]圖22是圖21所不的晶片W以及固定磨粒39的俯視圖。對(duì)晶片W進(jìn)行研磨時(shí),如圖22所示，將固定磨粒39以及推壓部件51從原點(diǎn)位置在與中心線CL正交的切線方向上錯(cuò)開規(guī)定的距離，在該錯(cuò)開的位置通過推壓部件51將固定磨粒39推抵于晶片W。
[0124]接下來，對(duì)能夠執(zhí)行上述的研磨方法的實(shí)施方式的研磨裝置的詳細(xì)進(jìn)行說明。圖23是表示研磨裝置的俯視圖，圖24是圖23的F — F線剖視圖，圖25是從圖24的箭頭G所示方向觀察的圖。研磨裝置具備晶片保持部3，該晶片保持部3將作為研磨對(duì)象物的晶片(基板)W水平地保持，并使其旋轉(zhuǎn)。在圖23中，表示了晶片保持部3保持有晶片W的狀態(tài)。晶片保持部3具備:對(duì)晶片W的下表面通過真空吸引而進(jìn)行保持的保持臺(tái)4 ;與保持臺(tái)4的中央部連結(jié)的中空軸5 ;使該中空軸5旋轉(zhuǎn)的馬達(dá)Ml。晶片W以晶片W的中心與中空軸5的軸心一致的方式載置于保持臺(tái)4之上。
[0125]保持臺(tái)4配置在研磨室22內(nèi)，該研磨室22由隔壁20和底板21形成。隔壁20具備用于將晶片W相對(duì)于研磨室22搬入以及搬出的搬運(yùn)口 20a。搬運(yùn)口 20a水平地延伸且作為切口形成。該搬運(yùn)口 20a能夠通過閘門23關(guān)閉。
[0126]中空軸5通過滾珠花鍵軸承(直動(dòng)軸承)6而以能夠上下運(yùn)動(dòng)的方式支承。在保持臺(tái)4的上表面形成有槽4a，該槽4a與通過中空軸5而延伸的連通路7連通。連通路7經(jīng)由安裝于中空軸5的下端的旋轉(zhuǎn)連接器8而與真空管線9連接。連通路7還與用于使處理后的晶片W從保持臺(tái)4脫離的氮?dú)鈿怏w供給管線10連接。通過對(duì)這些真空管線9和氮?dú)鈿怏w供給管線10進(jìn)行切換，使晶片W在保持臺(tái)4的上表面被保持或使其脫離。
[0127]中空軸5經(jīng)由與該中空軸5連結(jié)的帶輪P1、安裝于馬達(dá)Ml的旋轉(zhuǎn)軸的帶輪p2、張掛于這些帶輪pl、p2的皮帶bl而通過馬達(dá)Ml旋轉(zhuǎn)。滾珠花鍵軸承6是允許中空軸5向其長(zhǎng)度方向自由移動(dòng)的軸承。滾珠花鍵軸承6固定于圓筒狀的外殼12。因此，中空軸5能夠相對(duì)于外殼12上下地直線移動(dòng)，中空軸5與外殼12 —體地旋轉(zhuǎn)。中空軸5與氣缸(升降機(jī)構(gòu))15連結(jié)，中空軸5以及保持臺(tái)4能夠通過氣缸15而上升以及下降。
[0128]在外殼12與在其外側(cè)配置于同心上的圓筒狀的外殼14之間，夾裝有徑向軸承18，外殼12通過軸承18而以能夠自由旋轉(zhuǎn)的方式被支承。通過這樣的構(gòu)成，晶片保持部3能夠使晶片W繞其中心軸旋轉(zhuǎn)，并且能夠使晶片W沿其中心軸上升、下降。
[0129]在保持于晶片保持部3的晶片W的半徑方向外側(cè)，配置有對(duì)晶片W的周緣部進(jìn)行研磨的研磨單元25。該研磨單元25配置于研磨室22的內(nèi)部。如圖25所示，研磨單元25的整體固定在設(shè)置臺(tái)27之上。該設(shè)置臺(tái)27經(jīng)由臂塊28與研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)30連結(jié)。
[0130]研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)30具備:保持臂塊28的滾珠絲杠機(jī)構(gòu)31 ;驅(qū)動(dòng)該滾珠絲杠機(jī)構(gòu)31的馬達(dá)32 ;連結(jié)滾珠絲杠機(jī)構(gòu)31與馬達(dá)32的動(dòng)力傳遞機(jī)構(gòu)33。動(dòng)力傳遞機(jī)構(gòu)33由帶輪以及皮帶等構(gòu)成。若使馬達(dá)32工作，則滾珠絲杠機(jī)構(gòu)31將臂塊28向圖25的以箭頭表示的方向移動(dòng)，研磨單元25整體沿晶片W的切線方向移動(dòng)。該研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)30還作為使研磨單元25以規(guī)定的振幅以及規(guī)定的速度擺動(dòng)的擺動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用。
[0131]研磨單元25具備:使用研磨帶38對(duì)晶片W的周緣部進(jìn)行研磨的研磨頭50 ;將研磨帶38供給至研磨頭50,并且從研磨頭50進(jìn)行回收的研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70。研磨頭50是將研磨帶38的研磨面從上方推壓在晶片W的周緣部而對(duì)晶片W的上邊緣部進(jìn)行研磨的上邊緣研磨頭。研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70還作為將研磨帶38與晶片W的表面平行地進(jìn)行支承的研磨帶支承機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用。
[0132]圖26是研磨頭50以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70的俯視圖，圖27是研磨頭50以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70的主視圖，圖28是圖27所示的H — H線剖視圖，圖29是圖27所示的研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70的側(cè)視圖，圖30是對(duì)圖27所示的研磨頭50從箭頭I所示方向觀察的縱剖視圖。
[0133]設(shè)置臺(tái)27上，配置有與晶片W的半徑方向平行地延伸的兩個(gè)直動(dòng)引導(dǎo)件40A、40B。研磨頭50與直動(dòng)引導(dǎo)件40A經(jīng)由連結(jié)塊41A而連結(jié)。并且，研磨頭50與使該研磨頭50沿直動(dòng)引導(dǎo)件40A (即，沿晶片W的半徑方向)移動(dòng)的馬達(dá)42A以及滾珠絲杠43A連結(jié)。更具體而言，滾珠絲杠43A固定于連結(jié)塊41A，馬達(dá)42A經(jīng)由支承部件44A固定于設(shè)置臺(tái)27。馬達(dá)42A以使?jié)L珠絲杠43A的螺紋軸旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)成，由此，連結(jié)塊41A以及與其連結(jié)的研磨頭50沿直動(dòng)引導(dǎo)件40A移動(dòng)。馬達(dá)42A、滾珠絲杠43A、以及直動(dòng)引導(dǎo)件40A構(gòu)成使研磨頭50沿保持于晶片保持部3的晶片W的半徑方向移動(dòng)的第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)45。[0134]相同地，研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70與直動(dòng)引導(dǎo)件40B經(jīng)由連結(jié)塊41B而連結(jié)。并且，研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70與使該研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70沿直動(dòng)引導(dǎo)件40B (B卩，沿晶片W的半徑方向)移動(dòng)的馬達(dá)42B以及滾珠絲杠43B連結(jié)。更具體而言，滾珠絲杠43B固定于連結(jié)塊41B，馬達(dá)42B經(jīng)由支承部件44B固定于設(shè)置臺(tái)27。馬達(dá)42B以使?jié)L珠絲杠43B的螺紋軸旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)成，由此，連結(jié)塊41B以及與其連結(jié)的研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70沿直動(dòng)引導(dǎo)件40B移動(dòng)。馬達(dá)42B、滾珠絲杠43B、以及直動(dòng)引導(dǎo)件40B構(gòu)成使研磨帶38以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)(研磨帶支承機(jī)構(gòu))70沿保持于晶片保持部3的晶片W的半徑方向移動(dòng)的帶移動(dòng)機(jī)構(gòu)(第二移動(dòng)機(jī)構(gòu))46。
[0135]如圖30所示，研磨頭50具備:將研磨帶38相對(duì)于晶片W推抵的推壓墊51 ;保持推壓墊51的墊保持件52 ;作為將該墊保持件52 (以及推壓墊51)推下的推壓機(jī)構(gòu)的氣缸53。氣缸53保持于保持部件55。并且，保持部件55經(jīng)由沿垂直方向延伸的直動(dòng)引導(dǎo)件54而與作為提升機(jī)構(gòu)的氣缸56連結(jié)。若從未圖示的氣體供給源將空氣等的氣體供給至氣缸56，則氣缸56將保持部件55推起。由此，保持部件55、氣缸53、墊保持件52、以及推壓墊51沿直動(dòng)引導(dǎo)件54被抬起。
[0136]在本實(shí)施方式中，使推壓墊51沿相對(duì)于晶片表面垂直的方向移動(dòng)的垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59由氣缸53以及氣缸56構(gòu)成。另外，由馬達(dá)42A、滾珠絲杠43A、以及直動(dòng)引導(dǎo)件40A構(gòu)成的第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)45,還作為使推壓墊51以及垂直移動(dòng)機(jī)構(gòu)59沿晶片W的半徑方向移動(dòng)的半徑方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用。并且，研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)30作為使推壓墊51(以及作為推壓機(jī)構(gòu)的氣缸53)沿晶片W的切線方向移動(dòng)的切線方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用。
[0137]氣缸56固定在固定于連結(jié)塊41A的裝配部件57。裝配部件57與墊保持件52經(jīng)由沿垂直方向延伸的直動(dòng)引導(dǎo)件58而連結(jié)。若通過氣缸53將墊保持件52推下，則推壓墊51沿直動(dòng)引導(dǎo)件58向下方移動(dòng)，將研磨帶38相對(duì)于晶片W的邊緣部推抵。推壓墊51由PEEK (聚醚醚酮)的等的樹脂、不銹鋼等的金屬、或者SiC (碳化硅)等的陶瓷形成。
[0138]推壓墊51具有沿垂直方向延伸的多個(gè)貫通孔51a，在該貫通孔51a中連接有真空管線60。真空管線60上，設(shè)有未圖示的閥，通過打開閥而將推壓墊51的貫通孔51a內(nèi)形成真空。若在推壓墊51與研磨帶38的上表面接觸的狀態(tài)下在貫通孔51a形成真空，則研磨帶38的上表面被保持于推壓墊51的下表面。此外，推壓墊51的貫通孔51a也可以是一個(gè)。關(guān)于貫通孔51a的形狀，只要研磨帶38能夠通過真空而可靠地被保持在推壓墊51上，則無特別限定。例如，貫通孔51a既可以是狹縫狀，或者也可以設(shè)置具有不同形狀的一個(gè)或者多個(gè)貫通孔51a。
[0139]墊保持件52、氣缸53、保持部件55、氣缸56、以及裝配部件57收容于箱62內(nèi)。墊保持件52的下部從箱62的底部突出，在墊保持件52的下部安裝推壓墊51。在箱62內(nèi)，配置有對(duì)推壓墊51的垂直方向的位置進(jìn)行檢測(cè)的位置傳感器63。該位置傳感器63安裝于裝配部件57。在墊保持件52上，設(shè)有作為傳感器靶的凸爪64，位置傳感器63根據(jù)凸爪64的垂直方向的位置檢測(cè)推壓墊51的垂直方向的位置。
[0140]圖31是從上方觀察位置傳感器63以及凸爪64的圖。位置傳感器63具有投光部63A和受光部63B。若凸爪64與墊保持件52 (以及推壓墊51) —同下降,貝U從投光部63A發(fā)出的光的一部分被凸爪64遮擋。因此，根據(jù)通過受光部63B受光的光的量能夠檢測(cè)凸爪64的位置、即推壓墊51的垂直方向的位置。此外，圖31所示的位置傳感器63是所謂的透射式的光學(xué)式傳感器，但也可以使用其他類型的位置傳感器。
[0141]研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70具備:對(duì)研磨頭50供給研磨帶38的供給卷盤71 ;將研磨帶38從研磨頭50回收的回收卷盤72。供給卷盤71以及回收卷盤72分別與張力馬達(dá)73、74連結(jié)。這些張力馬達(dá)73、74通過對(duì)供給卷盤71以及回收卷盤72施加規(guī)定的扭矩，從而能夠?qū)ρ心?8施加規(guī)定的張力。
[0142]在供給卷盤71與回收卷盤72之間,設(shè)有研磨帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)76。該研磨帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)76具備:進(jìn)給研磨帶38的帶進(jìn)給棍77 ;將研磨帶38相對(duì)于帶進(jìn)給棍77推抵的夾持棍78 ；使帶進(jìn)給棍--旋轉(zhuǎn)的帶進(jìn)給馬達(dá)79。研磨帶38被夾在夾持棍78與帶進(jìn)給棍77之間。通過使帶進(jìn)給輥77向圖27的箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，研磨帶38從供給卷盤71被送往回收卷盤72。
[0143]張力馬達(dá)73、74以及帶進(jìn)給馬達(dá)79設(shè)置于基臺(tái)81。該基臺(tái)81固定于連結(jié)塊41B?；_(tái)81具有從供給卷盤71以及回收卷盤72向研磨頭50延伸的兩根支承臂82、83。在支承臂82、83上，安裝有對(duì)研磨帶38進(jìn)行支承的多個(gè)引導(dǎo)輥84A、84B、84C、84D、84E。研磨帶38通過這些引導(dǎo)輥84A~84E以包圍研磨頭50的方式被引導(dǎo)。
[0144]研磨帶38的延伸方向，當(dāng)從上方觀察時(shí)，相對(duì)于晶片W的半徑方向垂直。位于研磨頭50的下方的兩個(gè)引導(dǎo)輥84D、84E，以研磨帶38的研磨面與晶片W的表面(上表面)平行的方式支承研磨帶38。并且，位于這些兩個(gè)引導(dǎo)輥84D、84E之間的研磨帶38與晶片W的切線方向平行地延伸。在研磨帶38與晶片W之間，在垂直方向形成有間隙。
[0145]研磨裝置還具備對(duì)研磨帶38的邊緣部的位置進(jìn)行檢測(cè)的帶邊緣檢測(cè)傳感器100。帶邊緣檢測(cè)傳感器100與上述位置傳感器63相同地是透射式的光學(xué)式傳感器。帶邊緣檢測(cè)傳感器100具有投光部100A和受光部100B。投光部100A，如圖26所示，固定于設(shè)置臺(tái)27，受光部100B，如圖24所示，固定于形成研磨室22的底板21。該帶邊緣檢測(cè)傳感器100構(gòu)成為，根據(jù)通過受光部100B受光的光的量對(duì)研磨帶38的邊緣部的位置進(jìn)行檢測(cè)。
[0146]對(duì)晶片W進(jìn)行研磨時(shí)，如圖32所示，研磨頭50以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70通過馬達(dá)42A、42B以及滾珠絲杠43A、43B而分別移動(dòng)至規(guī)定的研磨位置。位于研磨位置的研磨帶38，當(dāng)從晶片W的上方觀察時(shí)，沿晶片W的切線方向延伸。因此，研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70的引導(dǎo)輥84D、84E作為在沿晶片W的切線方向的狀態(tài)下將研磨帶38與晶片W的表面平行地支承的研磨帶支承機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用。
[0147]圖33是從橫向?qū)?shí)施圖3A至圖3D所示的研磨方法以及圖4、圖7所示的研磨方法時(shí)的位于研磨位置的推壓墊51、研磨帶38、以及晶片W進(jìn)行觀察的示意圖。如圖33所示，研磨帶38位于晶片W的邊緣部的上方，推壓墊51位于研磨帶38的上方。圖34是表示通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W的狀態(tài)的圖。
[0148]圖35是對(duì)實(shí)施圖10以及圖13所示的研磨方法時(shí)的推壓墊51、研磨帶38、以及晶片W從橫向觀察的示意圖，表示的是通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W的狀態(tài)。如圖35所示，位于研磨位置的推壓墊51的邊緣部與研磨帶38的邊緣部一致。即，以推壓墊51的邊緣部與研磨帶38的邊緣部一致的方式，研磨頭50以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70分別獨(dú)立地移動(dòng)至研磨位置。但是，推壓墊51的邊緣部與研磨帶38的邊緣部不必完全一致，研磨帶38的邊緣部也可以從推壓墊51的邊緣部探出20μπι~100 μ m左右。
[0149]研磨帶38是細(xì)長(zhǎng)帶狀的研磨工具。研磨帶38的寬度基本上在其全長(zhǎng)范圍內(nèi)恒定，但有時(shí)根據(jù)研磨帶38的部分不同其寬度存在若干差別。因此，存在位于研磨位置的研磨帶38的邊緣部的位置針對(duì)各個(gè)晶片而不同的擔(dān)心。另一方面，位于研磨位置的推壓墊51的位置始終恒定。因此，在移動(dòng)至研磨位置之前，對(duì)研磨帶38的邊緣部的位置通過上述的帶邊緣檢測(cè)傳感器100進(jìn)行檢測(cè)。
[0150]圖36A至圖36C是對(duì)檢測(cè)研磨帶38的邊緣部時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行說明的圖。在晶片W的研磨之前，研磨帶38從圖36A所示的退避位置移動(dòng)至圖36B所示的帶邊緣檢測(cè)位置。在該帶邊緣檢測(cè)位置，通過帶邊緣檢測(cè)傳感器100，檢測(cè)研磨帶38的晶片側(cè)的邊緣部的位置。而且，如圖36C所示以研磨帶38的一部分從推壓墊51的邊緣部?jī)H以規(guī)定的寬度探出的方式，或者如圖35所示以研磨帶38的邊緣部與推壓墊51的邊緣部一致的方式，研磨帶38移動(dòng)至研磨位置。
[0151]位于研磨位置的推壓墊51的邊緣部的位置預(yù)先被存儲(chǔ)于研磨控制部11 (參照?qǐng)D23)。因此，研磨控制部11能夠根據(jù)檢測(cè)到的研磨帶38的邊緣部的位置及推壓墊51的邊緣部的位置計(jì)算研磨帶38的移動(dòng)距離。這樣，由于根據(jù)檢測(cè)到的研磨帶38的邊緣部的位置能夠確定研磨帶38的移動(dòng)距離，因此，能夠與研磨帶38的寬度的差別無關(guān)地使研磨帶38移動(dòng)至規(guī)定的位置。
[0152]在圖13所示的研磨方法中，也可以如圖34所示，以使研磨帶38的一部分從推壓墊51的內(nèi)側(cè)緣部向晶片W的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)，通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部。
[0153]接下來，對(duì)如上述那樣構(gòu)成的研磨裝置的研磨動(dòng)作進(jìn)行說明。以下進(jìn)行說明的研磨裝置的動(dòng)作，通過圖23所示的研磨控制部11進(jìn)行控制。晶片W以形成于其表面的膜(例如，器件層)朝向上方的方式被保持于晶片保持部3，并繞晶片W的中心旋轉(zhuǎn)。從未圖示的液體供給機(jī)構(gòu)對(duì)旋轉(zhuǎn)的晶片W的中心供給液體(例如，純水)。研磨頭50的推壓墊51以及研磨帶38，如圖33所示，分別移動(dòng)至規(guī)定的研磨位置。
[0154]圖37A表示從晶片W的半徑方向觀察位于研磨位置的研磨帶38以及推壓墊51的圖。圖37A所示的推壓墊51處于被氣缸56 (參照?qǐng)D30)抬起的狀態(tài)，推壓墊51位于研磨帶38的上方。接下來，使氣缸56的動(dòng)作停止并使其活塞桿下降，如圖37B所示，推壓墊51下降直至其下表面與研磨帶38的上表面接觸。在該狀態(tài)下經(jīng)由真空管線60將推壓墊51的貫通孔51a形成為真空，使研磨帶38保持于推壓墊51的下表面。在保持研磨帶38的狀態(tài)下，推壓墊51通過氣缸53 (參照?qǐng)D30)而下降，如圖37C所示，推壓墊51將研磨帶38的研磨面以規(guī)定的研磨壓力推抵于晶片W的周緣部。研磨壓力是從研磨帶38作用于晶片W的周緣部的推抵壓力。該研磨壓力能夠通過供給至氣缸53的氣體的壓力進(jìn)行調(diào)整。
[0155]執(zhí)行圖13所示的研磨方法時(shí)，如圖16所示，推壓墊51位于從預(yù)先設(shè)定的原點(diǎn)位置向切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的位置。在該錯(cuò)開位置通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W，對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。根據(jù)圖16可知，若將推壓墊51的位置在晶片W的切線方向錯(cuò)開，則能夠不改變晶片邊緣部的水平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積(接觸長(zhǎng)度)地減小水平面內(nèi)的外側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積。因此，能夠在晶片W的邊緣部形成平坦的水平面。
[0156]晶片W的邊緣部通過旋轉(zhuǎn)的晶片W與研磨帶38的滑動(dòng)接觸而被研磨。為了提高晶片W的研磨率，還可以在晶片W的研磨過程中通過研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(切線方向移動(dòng)機(jī)構(gòu))30使研磨帶38以及推壓墊51沿晶片W的切線方向擺動(dòng)。研磨中，對(duì)旋轉(zhuǎn)的晶片W的中心部供給液體(例如純水)，晶片W在有水的情況下被研磨。供給至晶片W的液體，因離心力而在晶片W的整個(gè)上表面散開，由此能夠防止在形成于晶片W的器件上附著研磨屑。如上述那樣，研磨中，研磨帶38通過真空吸引而被保持于推壓墊51，因此能夠防止研磨帶38與推壓墊51的位置錯(cuò)位。因此，能夠使研磨位置以及研磨形狀穩(wěn)定。并且，即使增大研磨壓力也不會(huì)出現(xiàn)研磨帶38與推壓墊51的位置錯(cuò)位的情況，能夠縮短研磨時(shí)間。
[0157]晶片W的研磨中的推壓墊51的垂直方向的位置通過位置傳感器63進(jìn)行檢測(cè)。因此，能夠根據(jù)推壓墊51的垂直方向的位置檢測(cè)出研磨終點(diǎn)。例如，當(dāng)推壓墊51的垂直方向的位置到達(dá)規(guī)定的目標(biāo)位置時(shí)，能夠結(jié)束晶片W的邊緣部的研磨。該規(guī)定的目標(biāo)位置根據(jù)作為目標(biāo)的研磨量而決定。
[0158]若晶片W的研磨結(jié)束，則停止向氣缸53的氣體的供給，由此推壓墊51上升至圖37B所示的位置。同時(shí)，研磨帶38的真空吸引停止。并且，推壓墊51通過氣缸56而上升至圖37A所示的位置。而且，研磨頭50以及研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)70移動(dòng)至圖26所示的退避位置。被研磨的晶片W通過晶片保持部3而上升，并通過未圖示的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的機(jī)械手部而被搬出研磨室22之外。在下一晶片的研磨開始之前，研磨帶38通過帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)76而僅以規(guī)定的距離從供給卷盤71被送往回收卷盤72。由此，新的研磨面能夠用于接下來的晶片的研磨。當(dāng)推斷為研磨帶38被研磨屑堵塞時(shí)，也可以在將研磨帶38僅以規(guī)定的距離輸送后，以新的研磨面對(duì)被研磨的晶片W再次進(jìn)行研磨。研磨帶38的堵塞，例如，能夠根據(jù)研磨時(shí)間以及研磨壓力推斷。
[0159]還可以一邊對(duì)研磨帶38沿其長(zhǎng)度方向通過帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)76以規(guī)定的速度進(jìn)給(移動(dòng))，一邊研磨晶片W。該情況下，為了提高晶片W的研磨率，研磨帶38的移動(dòng)方向也可以與旋轉(zhuǎn)的晶片W的邊緣部的行進(jìn)方向相反。還可以對(duì)研磨帶38通過真空吸引將其保持于推壓墊51，且保持上述狀態(tài)不變地以帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)76將研磨帶38沿其長(zhǎng)度方向進(jìn)給。根據(jù)情況，還可以不通過真空吸引而將研磨帶38保持于推壓墊51。
[0160]如圖38A所示，在增大了向晶片W的研磨壓力的情況下，晶片W通過推壓墊51的研磨壓力而大幅撓曲，其結(jié)果，如圖38B所示，存在導(dǎo)致晶片W的被研磨面傾斜的情況。因此，在圖39所示的實(shí)施方式中，從下方支承晶片W的周緣部的支承架180設(shè)置于晶片保持部3。無特別說明的其他的構(gòu)成與圖24所示的構(gòu)成相同，故省略其重復(fù)說明。支承架180固定于支承臺(tái)181。該支承臺(tái)181固定于外殼12的上端，與外殼12 —體旋轉(zhuǎn)。因此，支承架180與外殼12以及保持臺(tái)4 一體旋轉(zhuǎn)。
[0161]支承架180為了在整體范圍內(nèi)對(duì)晶片W的周緣部下表面進(jìn)行支承，具有圖40所不那樣的倒圓錐臺(tái)形。通過支承架180而被支承的晶片W的周緣部下表面，是至少包含圖52A以及圖52B所示的底邊緣部E2的區(qū)域。支承架180的環(huán)狀的上表面180a構(gòu)成對(duì)晶片W的周緣部下表面進(jìn)行支承的支承面。在晶片W的研磨時(shí)，支承架180的最外周端與晶片W的最外周端幾乎一致。
[0162]通過使用這樣的支承架180，即使推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W，晶片W也不會(huì)撓曲。因此，通過研磨帶38對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨，由此能夠在晶片W的邊緣部形成垂直面以及水平面。另外，支承架180對(duì)晶片W的周緣部下表面的整體進(jìn)行支承，因此，與僅對(duì)晶片的一部分進(jìn)行支承的以往的晶片支承機(jī)構(gòu)相比，能夠?qū)琖的邊緣部均勻地進(jìn)行研磨。
[0163]由于在中空軸5與外殼12之間配置有滾珠花鍵軸承6，因此中空軸5能夠相對(duì)于外殼12沿上下方向移動(dòng)。因此，連結(jié)于中空軸5的上端的保持臺(tái)4能夠相對(duì)于外殼12以及支承架180相對(duì)地沿上下方向移動(dòng)。圖41表示了保持臺(tái)4及保持于其上表面的晶片W相對(duì)于支承架180相對(duì)地上升了的狀態(tài)。
[0164]對(duì)于研磨帶38而言，存在因與晶片W的接觸情況、晶片W的周緣部的形狀的影響而受到水平方向的負(fù)載的情況。其結(jié)果，存在研磨帶38退到晶片W的外側(cè)的情況。因此，如圖42所示，對(duì)研磨帶38的水平方向的移動(dòng)進(jìn)行限制的帶限位器185設(shè)置于推壓墊51。帶限位器185在晶片W的半徑方向上配置于研磨帶38的外側(cè)，對(duì)研磨帶38的向外側(cè)的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行限制。通過這樣配置的帶限位器185，能夠防止研磨帶38退到晶片W的外側(cè)。因此，能夠使晶片W的研磨形狀以及研磨寬度穩(wěn)定。
[0165]若研磨帶38的向外側(cè)的運(yùn)動(dòng)通過帶限位器185而被阻止，則如圖43所示，存在研磨帶38變形的情況。因此，在圖44所示的實(shí)施方式中，為了防止研磨帶38的變形，與研磨帶38的研磨面接近地設(shè)置有帶罩186。帶罩186固定于帶限位器185，以將研磨帶38的研磨面的大部分覆蓋的方式配置。帶罩186配置于研磨帶38的下方，在研磨帶38的研磨面與帶罩186的上表面之間，形成有微小的間隙dg。研磨帶38配置于推壓墊51與帶罩186之間。通過設(shè)置這樣的帶罩186，能夠防止研磨帶38變形，能夠?qū)⒀心?8保持為平坦。因此，能夠使晶片W的研磨形狀以及研磨寬度穩(wěn)定。
[0166]如圖44所示，在被推壓墊51、帶限位器185、以及帶罩186圍成的空間中配置有研磨帶38。推壓墊51的下表面與帶罩186的上表面之間的間隙h設(shè)定為比研磨帶38的厚度大。研磨帶38與帶罩186之間的間隙dg比晶片W的厚度小。
[0167]帶罩186的內(nèi)側(cè)面186a與推壓墊51的邊緣部51b相比在晶片W的半徑方向位于夕卜側(cè)。因此，研磨帶38的研磨面僅露出研磨帶38的邊緣部與帶罩186的內(nèi)側(cè)面186a之間的距離dw。晶片W的研磨通過該露出的研磨面進(jìn)行。
[0168]在圖44所示的構(gòu)造中，由于帶限位器185承受作用于研磨帶38的水平方向的負(fù)載，因此存在推壓墊51與研磨帶38 —同向外側(cè)移動(dòng)的情況。這樣的推壓墊51的移動(dòng)會(huì)使研磨形狀以及研磨寬度不穩(wěn)定。因此，在圖45所示的實(shí)施方式中，設(shè)置有對(duì)推壓墊51的向外側(cè)的移動(dòng)進(jìn)行限制的移動(dòng)限制機(jī)構(gòu)。該移動(dòng)限制機(jī)構(gòu)具有:固定于推壓墊51的突起部件190 ;對(duì)該突起部件190的水平方向的移動(dòng)進(jìn)行限制的側(cè)限位器191。在本實(shí)施方式中，作為關(guān)起部件190使用柱塞。
[0169]側(cè)限位器191在晶片W的半徑方向上配置于柱塞(突起部件)190的外側(cè)，阻止柱塞190的向外側(cè)的移動(dòng)。側(cè)限位器191固定在研磨頭50的箱62的下表面上，側(cè)限位器191的位置是固定的。柱塞190與側(cè)限位器191相互接近地配置，柱塞190與側(cè)限位器191之間的間隙dr為10 μ m至100 μ m。根據(jù)這樣的構(gòu)成,在研磨中若推壓墊51從研磨帶38受到水平負(fù)載而向外側(cè)移動(dòng)，則柱塞190與側(cè)限位器191接觸，由此對(duì)推壓墊51以及研磨帶38向外側(cè)的移動(dòng)進(jìn)行限制。因此，能夠使晶片W的研磨形狀以及研磨寬度穩(wěn)定。
[0170]圖39至圖45所示的實(shí)施方式能夠適當(dāng)?shù)亟M合。例如，圖46表示將圖39所示的支承架180與圖45所示的研磨頭50組合的例子。根據(jù)該圖46所示的構(gòu)成，能夠防止晶片W的撓曲，并且能夠防止研磨帶38的移動(dòng)及變形。[0171]圖47是表示具備多個(gè)研磨單元的研磨裝置的俯視圖。該研磨裝置中，在研磨室22內(nèi)設(shè)有第一研磨單元25A以及第二研磨單元25B。研磨單元25A、25B具有與上述研磨單元25相同的構(gòu)成，因此省略其重復(fù)說明。這兩個(gè)研磨單元25A、25B的配置，相對(duì)于保持于晶片保持部3的晶片W對(duì)稱。第一研磨單元25A能夠通過第一研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)而移動(dòng)，第二研磨單元25B能夠通過第二研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)而移動(dòng)。這些第一以及第二研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有與上述的研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)30相同的構(gòu)成。
[0172]在第一研磨單元25A和第二研磨單元25B中，能夠使用不同類型的研磨帶。例如，可以在第一研磨單元25A中進(jìn)行晶片W的粗研磨，在第二研磨單元25B進(jìn)行晶片W的精加工研磨。圖7所示的研磨方法能夠通過使用圖47所示的研磨裝置來實(shí)施。
[0173]接下來，對(duì)能夠執(zhí)行圖19以及圖20所示的上述研磨方法的實(shí)施方式的研磨裝置的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。圖48是表示研磨裝置的俯視圖，圖49是圖48所示的研磨裝置的縱剖視圖。如圖48以及圖49所示，研磨裝置具備:將研磨帶38推壓于晶片W的邊緣部而對(duì)該邊緣部進(jìn)行研磨的研磨頭組裝體111 ;對(duì)該研磨頭組裝體111供給研磨帶38的研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)112。研磨頭組裝體111配置于研磨室22的內(nèi)部，研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)112配置于研磨室22之外。
[0174]研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)112具備:將研磨帶38供給至研磨頭組裝體111的供給卷盤124 ;將使用于晶片W的研磨的研磨帶38回收的回收卷盤125。在供給卷盤124以及回收卷盤125上分別連結(jié)有馬達(dá)129、129 (圖48中，僅表示了與供給卷盤124連結(jié)的馬達(dá)129)。各個(gè)馬達(dá)129、129能夠?qū)┙o卷盤124以及回收卷盤125施加規(guī)定的扭矩，從而對(duì)研磨帶38施加規(guī)定的張力。
[0175]研磨頭組裝體111具備用于使研磨帶38與晶片W的周緣部抵接的研磨頭131。研磨帶38以研磨帶38的研磨面朝向晶片W的方式被供給至研磨頭131。研磨帶38通過設(shè)置于隔壁20的開口部20b而從供給卷盤124向研磨頭131供給，使用后的研磨帶38通過開口部20b被回收至回收卷盤125。
[0176]研磨頭131固定于臂135的一端，臂135以能夠繞與晶片W的切線方向平行的旋轉(zhuǎn)軸Ct自由旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)成。臂135的另一端經(jīng)由帶輪p3、p4以及皮帶b2而與馬達(dá)138連結(jié)。馬達(dá)138順時(shí)針以及逆時(shí)針地僅以規(guī)定的角度旋轉(zhuǎn)，由此，臂135繞軸Ct僅以規(guī)定的角度旋轉(zhuǎn)。在本實(shí)施方式中，通過馬達(dá)138、臂135、帶輪p3、p4、以及皮帶b2，構(gòu)成使研磨頭131相對(duì)于晶片W的表面傾斜的傾斜機(jī)構(gòu)。
[0177]傾斜機(jī)構(gòu)搭載于移動(dòng)臺(tái)140。移動(dòng)臺(tái)140與研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(切線方向移動(dòng)機(jī)構(gòu))30連結(jié),通過研磨單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)30,研磨頭131以及支承于該研磨頭131的研磨帶38能夠沿晶片W的切線方向移動(dòng)。另一方面，研磨帶供給回收機(jī)構(gòu)112固定于底板21。
[0178]圖50是圖49所示的研磨頭131的放大圖。如圖50所示，研磨頭131具備:將研磨帶38推抵于晶片W的邊緣部的推壓墊51 ;作為將推壓墊51朝晶片W推壓的推壓機(jī)構(gòu)的氣缸53。另外,研磨頭131具備將研磨帶38從供給卷盤124向回收卷盤125進(jìn)給的帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)151。研磨頭131具備引導(dǎo)研磨帶38的行進(jìn)方向的多個(gè)弓I導(dǎo)輥153A、153B、153C、153D、153E、153F、153G。
[0179]設(shè)置于研磨頭131的帶進(jìn)給機(jī)構(gòu)151具備帶進(jìn)給輥151a、夾持輥151b、使帶進(jìn)給輥151a旋轉(zhuǎn)的馬達(dá)151c。馬達(dá)151c設(shè)置于研磨頭131的側(cè)面，在馬達(dá)151c的旋轉(zhuǎn)軸上安裝有帶進(jìn)給輥151a。夾持輥151b與帶進(jìn)給輥151a鄰接地配置。夾持輥151b以向圖50的箭頭NF所示方向(朝向帶進(jìn)給輥15Ia的方向)產(chǎn)生力的方式，被未圖示的機(jī)構(gòu)支承，并以推壓帶進(jìn)給棍151a的方式構(gòu)成。
[0180]若馬達(dá)151c向圖50所示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)，則帶進(jìn)給輥151a旋轉(zhuǎn)而將研磨帶38從供給卷盤124經(jīng)由研磨頭131向回收卷盤125進(jìn)給。夾持輥151b以能夠繞其自身的軸心旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)成。
[0181]推壓墊51配置于研磨帶38的背面?zhèn)?，氣?3使該推壓墊51朝晶片W的周緣部移動(dòng)。通過對(duì)向氣缸53供給的氣體的壓力進(jìn)行控制，能夠調(diào)整向晶片W的研磨壓力。
[0182]對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨時(shí),如圖51所示,通過上述的傾斜機(jī)構(gòu)將研磨頭131向上方傾轉(zhuǎn)直至推壓墊51的晶片推壓面與晶片W的表面平行。然后，通過推壓墊51將研磨帶38推壓于晶片W的邊緣部，對(duì)邊緣部進(jìn)行研磨。以隔著推壓墊51的方式配置的兩個(gè)引導(dǎo)輥153D、153E以從晶片W的上方觀察時(shí)，研磨帶38沿晶片W的中心線CL (參照?qǐng)D20)延伸的方式構(gòu)成支承該研磨帶38的研磨帶支承機(jī)構(gòu)。
[0183]研磨中的推壓墊51，如圖20所示，位于從預(yù)先設(shè)定的原點(diǎn)位置沿切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的位置。在該錯(cuò)開位置通過推壓墊51將研磨帶38推抵于晶片W，對(duì)晶片W的邊緣部進(jìn)行研磨。根據(jù)圖20可知，若將推壓墊51的位置沿晶片W的切線方向錯(cuò)開，則能夠不改變晶片邊緣部的水平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積(接觸長(zhǎng)度)地減小水平面內(nèi)的外側(cè)區(qū)域與研磨帶38的接觸面積。因此，能夠在晶片W的邊緣部形成平坦的水平面。
[0184]上述的實(shí)施方式是以具有本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的通常知識(shí)的人能夠?qū)嵤┍景l(fā)明為目的而記載的。上述實(shí)施方式的各種的變形例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言當(dāng)然能夠得到，本發(fā)明的技術(shù)思想也能夠適用于其他的實(shí)施方式。因此，本發(fā)明不限定于所記載的實(shí)施方式，而能夠解釋為依照由權(quán)利要求書所定義的技術(shù)思想的最大范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種研磨方法，其特征在于， 使基板旋轉(zhuǎn)， 進(jìn)行第一研磨工序:在使研磨帶的一部分從推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過所述推壓部件將所述研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨，并且將所述研磨帶的所述一部分沿所述推壓部件折彎， 進(jìn)行第二研磨工序:將折彎的所述研磨帶的所述一部分通過所述推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此通過所述研磨帶對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，折彎的所述研磨帶的所述一部分，比通過所述第一研磨工序而在所述基板的邊緣部形成的被研磨部分的深度長(zhǎng)。
3.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨工序以及所述第二研磨工序中的至少一個(gè)，一邊使所述研磨帶沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)一邊進(jìn)行。
4.如權(quán)利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨帶的移動(dòng)方向與旋轉(zhuǎn)的所述基板的邊緣部的行進(jìn)方向相反。
5.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于， 所述第一研磨工序中的所述研磨帶是組織粗糙的研磨帶， 所述第二研磨工序取代所述組織粗糙的研磨帶而使用組織細(xì)密的研磨帶進(jìn)行。
6.—種研磨方法,其特征在于， 使基板旋轉(zhuǎn)， 進(jìn)行第一研磨工序:在使研磨帶的一部分從推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過所述推壓部件將所述研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨， 在所述第一研磨工序之后，將所述研磨帶的一部分推抵于所述基板的邊緣部并將所述研磨帶的所述一部分沿所述推壓部件折彎， 進(jìn)行第二研磨工序:將折彎的所述研磨帶的所述一部分通過所述推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以所述研磨帶對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
7.如權(quán)利要求7所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨工序以及所述第二研磨工序中的至少一個(gè)，一邊使所述研磨帶沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)一邊進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求7所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨帶的移動(dòng)方向與旋轉(zhuǎn)的所述基板的邊緣部的行進(jìn)方向相反。
9.一種研磨方法，其特征在于， 使基板旋轉(zhuǎn)， 進(jìn)行第一研磨工序:在使第一研磨帶的一部分從第一推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)下，通過所述第一推壓部件將所述第一研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨， 以第二研磨帶的一部分從第二推壓部件朝基板的半徑方向內(nèi)側(cè)突出的方式，對(duì)所述第二研磨帶與所述第二推壓部件進(jìn)行定位， 通過所述第二推壓部件將所述第二研磨帶的所述一部分推壓在通過所述第一研磨工序而在所述基板的邊緣部形成的角部，并將所述第二研磨帶的所述一部分沿所述第二推壓部件折彎，進(jìn)行第二研磨工序:將折彎的所述第二研磨帶的所述一部分通過所述第二推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以所述第二研磨帶對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
10.如權(quán)利要求9所述的研磨方法，其特征在于，進(jìn)行所述第二研磨帶與所述第二推壓部件的定位，使得所述第二推壓部件的端部與通過所述第一研磨工序而在所述邊緣部形成的垂直面相比位于半徑方向外側(cè)，并且所述第二推壓部件的端部與所述垂直面的水平方向的距離比所述第二研磨帶的厚度大。
11.如權(quán)利要求9所述的研磨方法，其特征在于， 所述第一研磨帶是組織粗糙的研磨帶， 所述第二研磨帶是組織細(xì)密的研磨帶。
12.如權(quán)利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨工序一邊使所述第一研磨帶沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)一邊進(jìn)行。
13.如權(quán)利要求12所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨帶的移動(dòng)方向與旋轉(zhuǎn)的所述基板的邊緣部的行進(jìn)方向相反。
14.如權(quán)利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述第二研磨工序一邊使所述第二研磨帶沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)一邊進(jìn)行。
15.如權(quán)利要求14所述的研磨方法，其特征在于，所述第二研磨帶的移動(dòng)方向與旋轉(zhuǎn)的所述基板的邊緣部的行進(jìn)方向相反。
16.—種研磨方法,其特征在于， 使基板旋轉(zhuǎn)， 進(jìn)行第一研磨工序:將研磨工具相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵而對(duì)該基板的邊緣部進(jìn)行研磨， 在所述第一研磨工序之后，進(jìn)行第二研磨工序:將所述研磨工具朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)推壓，由此以所述研磨工具對(duì)所述基板的邊緣部進(jìn)一步進(jìn)行研磨。
17.一種研磨方法，其特征在于， 使基板旋轉(zhuǎn)， 進(jìn)行滑動(dòng)研磨工序，一邊通過推壓部件將研磨帶相對(duì)于所述基板的邊緣部推抵，一邊使所述研磨帶以及所述推壓部件朝所述基板的半徑方向內(nèi)側(cè)移動(dòng)直至到達(dá)規(guī)定的停止位置， 反復(fù)進(jìn)行所述滑動(dòng)研磨工序， 每次進(jìn)行所述滑動(dòng)研磨工序，均使所述停止位置朝所述半徑方向內(nèi)側(cè)僅移動(dòng)少許。
18.一種研磨方法，其特征在于， 將推壓部件配置在從自基板的中心沿半徑方向延伸的中心線上的原點(diǎn)位置向所述基板的切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的位置，所述切線方向相對(duì)于所述中心線垂直， 使所述基板旋轉(zhuǎn)， 通過位于所述錯(cuò)開位置的推壓部件將研磨帶推抵于所述基板的邊緣部而在該基板的邊緣部形成水平面。
19.如權(quán)利要求18所述的研磨方法，其特征在于，位于所述原點(diǎn)位置時(shí)的所述推壓部件的內(nèi)側(cè)緣部的中點(diǎn)位于所述中心線上。
20.如權(quán)利要求18所述的研磨方法，其特征在于，與所述基板接觸的所述研磨帶的研磨面相對(duì)于所述基板的表面平行。
21.如權(quán)利要求18所述的研磨方法，其特征在于，所述規(guī)定的距離不足所述推壓部件沿所述切線方向的長(zhǎng)度的一半。
22.如權(quán)利要求18所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)從所述基板的上方觀察時(shí)，所述研磨帶沿所述切線方向延伸。
23.如權(quán)利要求22所述的研磨方法，其特征在于，在使所述推壓部件的邊緣部與所述研磨帶的邊緣部一致的狀態(tài)下，通過所述推壓部件的邊緣部將所述研磨帶推抵于所述基板的邊緣部。
24.如權(quán)利要求22所述的研磨方法，其特征在于，在所述研磨帶的一部分從所述推壓部件的邊緣部突出的狀態(tài)下，通過所述推壓部件將所述研磨帶推抵于所述基板的邊緣部。
25.如權(quán)利要求18所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)從所述基板的上方觀察時(shí)，所述研磨帶沿所述中心線延伸。
26.—種研磨方法,其特征在于， 將研磨工具配置在從自基板的中心沿半徑方向延伸的中心線上的原點(diǎn)位置在所述基板的切線方向僅以規(guī)定的距離錯(cuò)開的位置上， 所述切線方向相對(duì)于所述中心線垂直， 使所述基板旋轉(zhuǎn)， 將位于所述錯(cuò)開位置的所述研磨工具推抵于所述基板的邊緣部而在該基板的邊緣部形成水平面。
【文檔編號(hào)】B24B21/06GK103659534SQ201310444560
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月24日
【發(fā)明者】戶川哲二, 吉田篤史, 山下道義 申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所