一種磁控濺射在塑料上制鋁氧化鋅膜的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明所述的一種磁控濺射在塑料上制鋁氧化鋅膜的方法，是采用對(duì)傳統(tǒng)濺射鍍膜工藝進(jìn)行改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)塑料基材上進(jìn)行磁控濺射鍍膜的方法，通過(guò)在塑料基材上鍍鋁氧化鋅，有效的避免了塑料基材的放氣，使鍍膜不變黑，具有較好的鏡面效果；同時(shí)該方法的利用，有效的解決了在塑料部件上直接濺射鍍鋁膜時(shí)，附著力差的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種磁控濺射在塑料上制鋁氧化鋅膜的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于磁控濺射鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種塑料上鍍膜的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的磁控濺射鍍鋁膜技術(shù)是在底真空下，直接濺射鍍鋁，在玻璃、不銹鋼、銅工件等基材上得到附著力良好的鏡面鋁膜。在針對(duì)塑料的鍍膜中，基材放氣量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于玻璃、不銹鋼等材料?；牡姆艢馐且粋€(gè)持續(xù)不斷的過(guò)程，其造成的后果是，在濺射過(guò)程中，鋁膜被材料放出的氣體氧化變黃，甚至發(fā)黑，出現(xiàn)鏡面效果差的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明就是針對(duì)鍍鋁膜技術(shù)的不足，提出一種塑料上鍍鋁氧化鋅膜的方法，有效解決了鋁膜發(fā)黃、鏡面效果差的問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明的在塑料上制鋁氧化鋅膜的工藝，具體步驟如下:
[0005]第一步:將工件經(jīng)過(guò)超聲波除油、清洗、烘干后送入磁控濺射裝置，然后抽真空至5 X KT3Pa ；
[0006]第二步:進(jìn)行磁控濺射鍍鋁氧化鋅薄膜，將本底抽真空至5X10_3Pa，濺射氣體為氬氣，氣壓0.1-0.9Pa，濺射功率2-5W/cm2，沉積時(shí)間為20_50s ；
[0007]第三步:停止鋁氧化鋅鍍膜，關(guān)閉濺射電源，關(guān)閉工藝氣體氬氣，將鍍膜室本底真空抽至5 X KT3Pa ；
[0008]第四步:進(jìn)行磁控濺射鍍鋁薄膜，將本底抽真空至5X 10_3Pa，濺射氣體為氬氣，濺射氣壓0.1-0.9Pa，濺射功率2-5W/cm2，沉積時(shí)間為70_100s。
[0009]進(jìn)一步的，所述的塑料上鍍的鋁氧化鋅膜，厚度為lO-lOOnm，沉積的鋁膜厚度為60_300nmo
[0010]本發(fā)明的有益效果在于:通過(guò)在塑料上鋁氧化鋅膜，有效的避免了塑料基材的放氣，使鍍膜不變黑，具有較好的鏡面效果；同時(shí)該方法的利用，有效的解決了在塑料上直接濺射鍍鋁膜時(shí)，附著力很差的問(wèn)題。

【具體實(shí)施方式】
[0011]一般情況下的鍍膜流程:
[0012]第一步:將塑料進(jìn)行超聲波清洗、烘干后，送入磁控濺射鍍膜設(shè)備中緩沖室內(nèi)，鍍膜面朝向鋁氧化鋅陰極靶材；
[0013]第二步:緩沖室及鍍膜室內(nèi)真空抽至5X 10_3Pa ；
[0014]第三步:打開(kāi)紅氣流量流量計(jì)，流量為340SCCm，微調(diào)后使鍍膜室氣壓為0.4Pa，穩(wěn)定后打開(kāi)鋁氧化鋅靶材濺射電源，緩慢增加功率至2W/cm2，然后預(yù)濺射15min ；
[0015]第四步:將工件運(yùn)送至靶材下，進(jìn)行鍍膜，時(shí)間為30s左右，然后關(guān)閉鋁氧化鋅靶材電源，關(guān)閉紅氣，抽真空至5X10_3Pa ；
[0016]第五步:將工件移出真空室，進(jìn)入緩沖間，鍍膜面朝向鋁陰極靶材；
[0017]第六步:緩沖室及鋁膜鍍膜室內(nèi)真空抽至5X 10_3Pa ；
[0018]第七步:打開(kāi)紅氣流量流量計(jì)，流量為380SCCm，微調(diào)后使鍍膜室氣壓為0.7Pa，穩(wěn)定后打開(kāi)鋁靶材濺射電源，緩慢增加功率至5W/cm2，然后預(yù)濺射15min ；
[0019]第八步:將工件運(yùn)送至靶材下，進(jìn)行鍍膜，時(shí)間為90s左右。
[0020]通過(guò)上述八步即可完成鍍膜。
[0021]一般的，鋁氧化鋅膜厚度為lO-lOOnm，沉積的鋁膜厚度為60_300nm。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射在塑料上制鋁氧化鋅膜的方法，包括: 第一步:將工件經(jīng)過(guò)超聲波除油、清洗、烘干后送入磁控濺射裝置，然后抽真空至.5 X KT3Pa ； 第二步:進(jìn)行磁控濺射鍍鋁氧化鋅薄膜，將本底抽真空至5 X 10_3Pa，濺射氣體為氬氣，氣壓0.1-0.9Pa，濺射功率2-5W/cm2，沉積時(shí)間為20_50s ； 第三步:停止鋁氧化鋅鍍膜，關(guān)閉濺射電源，關(guān)閉工藝氣體氬氣，將鍍膜室本底真空抽至 5 X KT3Pa ； 第四步:進(jìn)行磁控濺射鍍鋁薄膜，將本底抽真空至5 X 10?,濺射氣體為氬氣，濺射氣壓0.1-0.9Pa，濺射功率2-5W/cm2，沉積時(shí)間為70_100s。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK104513961SQ201310460028
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】袁萍 申請(qǐng)人:無(wú)錫慧明電子科技有限公司