沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
【專利摘要】為了改善沉積層的特性，提供了一種用于在基板上沉積沉積材料的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括：沉積源，面對(duì)基板并排出沉積材料；圖案化縫隙片，包括用于以期望的圖案沉積沉積材料的圖案化縫隙并被設(shè)置成面對(duì)基板；框架，連接到圖案化縫隙片；以及臺(tái)階，結(jié)合到框架，以支撐框架，其中，分離區(qū)域形成在框架和臺(tái)階之間。
【專利說(shuō)明】沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2013年3月29日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0034691號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的方面涉及一種沉積設(shè)備、一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法以及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]包括顯示設(shè)備的電子裝置可以包括多個(gè)薄膜。這里，可以通過(guò)沉積工藝形成各種薄膜。
[0004]具體地，具有設(shè)定圖案或預(yù)定圖案的掩?？梢杂糜谛纬善谕麍D案的沉積層。然而，不容易將這樣的掩模與基板精確地對(duì)準(zhǔn)，因此，在改善沉積層的特性方面存在限制。
[0005]同時(shí)，顯示設(shè)備已經(jīng)被可以是便攜式的薄平板顯示設(shè)備代替。在平板顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是自發(fā)射顯示設(shè)備，因其視角寬、對(duì)比度高以及響應(yīng)速度快而被認(rèn)為是下一代顯示設(shè)備。
[0006]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機(jī)發(fā)射層，當(dāng)向第一電極和第二電極施加電壓時(shí)，有機(jī)發(fā)射層發(fā)射可見(jiàn)光線。
[0007]可以通過(guò)利用沉積工藝形成有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的中間層和其他薄膜。為了利用沉積工藝在基板上形成特定圖案，通常使用沉積掩模。
[0008]通過(guò)沉積工藝?yán)贸练e掩模不容易形成精細(xì)且精確的圖案。特別地，隨著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備變得更大，不容易將基板與沉積掩模彼此精確地對(duì)準(zhǔn)，因此，難于控制沉積層的精確圖案。
[0009]即，改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的沉積層的特性方面存在限制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方面，提供了一種能夠改善沉積層的特性的沉積設(shè)備一種制造有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備的方法和一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種用于在基板上沉積沉積材料的沉積設(shè)備包括:沉積源，面對(duì)基板并被構(gòu)造成排出沉積材料；圖案化縫隙片，面對(duì)基板并包括用于以期望的圖案沉積沉積材料的圖案化縫隙；框架，接合到圖案化縫隙片；以及臺(tái)階，結(jié)合到框架，以支撐框架，其中，分離區(qū)域形成在框架和臺(tái)階之間。
[0012]分離區(qū)域可以在框架和臺(tái)階之間形成為鄰近于框架和臺(tái)階的結(jié)合區(qū)域。
[0013]框架和臺(tái)階可以通過(guò)多個(gè)結(jié)合構(gòu)件彼此結(jié)合，分離區(qū)域可以是在框架和臺(tái)階之間通過(guò)所述多個(gè)結(jié)合構(gòu)件形成的空間。
[0014]每個(gè)結(jié)合構(gòu)件可以形成為球形。
[0015]每個(gè)結(jié)合構(gòu)件可以為焊球。
[0016]分離區(qū)域可以在框架的鄰近于結(jié)合到臺(tái)階的表面的表面中形成為凹槽。
[0017]分離區(qū)域可以在臺(tái)階的鄰近于結(jié)合到框架的表面的表面中形成為凹槽。
[0018]臺(tái)階可以在被接合到框架的狀態(tài)下操作，使圖案化縫隙片相對(duì)于基板對(duì)準(zhǔn)。
[0019]臺(tái)階可以包括:第一臺(tái)階，被構(gòu)造成使圖案化縫隙片沿著第一方向和與第一方向交叉的第二方向移動(dòng)；以及第二臺(tái)階，位于第一臺(tái)階上以結(jié)合到框架，以使圖案化縫隙片沿著與第一方向和第二方向垂直的第三方向移動(dòng)。
[0020]一個(gè)或多個(gè)雜質(zhì)可以設(shè)置在分離區(qū)域中。
[0021]所述沉積設(shè)備還可以包括:屏蔽構(gòu)件，設(shè)置在沉積源和圖案化縫隙片之間，其中，屏蔽構(gòu)件形成為阻擋基板的至少一部分，并隨基板移動(dòng)。
[0022]所述沉積設(shè)備還可以包括:沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面，并包括多個(gè)沉積源噴嘴。
[0023]圖案化縫隙片可以沿著至少一個(gè)方向比基板小。
[0024]多個(gè)沉積源噴嘴可以沿著第一方向形成在沉積源噴嘴單元中，圖案化縫隙片可以包括沿著第一方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，沉積設(shè)備還可以包括阻擋板組件，所述阻擋板組件包括在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿著第一方向布置的多個(gè)阻擋板，從而將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分成多個(gè)沉積空間。
[0025]所述多個(gè)阻擋板中的每個(gè)可以沿著基本垂直于第一方向的第二方向延伸。
[0026]阻擋板組件可以包括具有多個(gè)第一阻擋板的第一阻擋板組件和具有多個(gè)第二阻擋板的第二阻擋板組件。
[0027]所述多個(gè)第一阻擋板中的每個(gè)和所述多個(gè)第二阻擋板中的每個(gè)可以沿著基本垂直于第一方向的第二方向形成，從而將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分成多個(gè)沉積空間。
[0028]沉積源噴嘴單元可以包括沿著第一方向的多個(gè)沉積源噴嘴，圖案化縫隙片可以包括沿著垂直于第一方向的第二方向布置的多個(gè)圖案化縫隙。
[0029]所述沉積設(shè)備還可以包括:輸送器單元，包括其上固定有基板的傳送單元，傳送單元被構(gòu)造為當(dāng)基板固定到傳送單元上時(shí)移動(dòng)，輸送器單元包括:第一輸送器單元，沿著第一方向輸送傳送單元；第二輸送器單元，在完成沉積工藝之后將從傳送單元去除基板的傳送單元輸送到第一方向的相反方向；加載單元，被構(gòu)造成將基板固定在傳送單元上；以及卸載單元，被構(gòu)造成將已經(jīng)對(duì)其執(zhí)行完沉積工藝的基板與傳送單元分離，其中，傳送單元可以被構(gòu)造為在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間循環(huán)，固定在傳送單元上的基板在傳送單元被第一輸送器單元輸送的同時(shí)與圖案化縫隙片分離。
[0030]第一輸送器單兀和第二輸送器單?？梢圆贾迷诒舜松戏胶拖路?。
[0031]所述沉積設(shè)備可以包括:室；以及多個(gè)沉積組件，所述多個(gè)沉積組件可以布置在加載單元和卸載單元之間的室中，每個(gè)沉積組件可以包括沉積源、圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階。
[0032]第一輸送器單元和第二輸送器單元可以設(shè)置在室中以穿過(guò)所述多個(gè)沉積組件。
[0033]第一輸送器單元可以將傳送單元順序地輸送到加載單元、沉積組件和卸載單元。
[0034]第二輸送器單元可以將傳送單元順序地輸送到卸載單元、沉積組件和加載單元。
[0035]所述沉積設(shè)備還可以包括:照相機(jī)，用于檢測(cè)基板相對(duì)于圖案化縫隙片的相對(duì)位置。
[0036]所述沉積設(shè)備還可以包括:傳感器，用于測(cè)量基板和圖案化縫隙片之間的間隙。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種通過(guò)利用沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括:在加載單元中將基板固定在傳送單元上；經(jīng)由被安裝成穿過(guò)室的第一輸送器單元將其上固定有基板的傳送單元傳送到室中；在設(shè)置在室內(nèi)的沉積組件與基板彼此分隔開(kāi)間隙的狀態(tài)下，在基板和沉積組件中的一個(gè)相對(duì)于另一個(gè)移動(dòng)的同時(shí)，通過(guò)在基板上沉積從沉積組件排出的沉積材料形成沉積層；在卸載單元中將其上執(zhí)行有沉積工藝的基板與傳送單元分離；以及使與基板分離的傳送單元經(jīng)由被構(gòu)造成穿過(guò)室的第二輸送器單元輸送到加載單元，其中，沉積組件可以包括沉積源、圖案化縫隙片、接合到圖案化縫隙片的框架和結(jié)合到框架的臺(tái)階，基板和圖案化縫隙片通過(guò)利用臺(tái)階彼此對(duì)準(zhǔn)，其中，在框架和臺(tái)階之間形成分離區(qū)域。
[0038]沉積設(shè)備可以包括多個(gè)沉積組件，在基板穿過(guò)所述多個(gè)沉積組件的同時(shí)在基板上連續(xù)地執(zhí)行沉積，每個(gè)沉積組件可以包括沉積源、圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階。
[0039]所述多個(gè)沉積組件中的每個(gè)可以排出彼此分離的沉積材料。
[0040]傳送單元可以在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間循環(huán)。
[0041]傳送單兀可以在室中以與第一輸送器單兀非接觸的方式被輸送。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:基板；第一電極，在基板上；中間層，在第一電極上并包括至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；以及第二電極 ，位于中間層上，其中，形成在基板上的至少一層可以通過(guò)沉積工藝形成，并且具有與沉積空間的中心距離越遠(yuǎn)的斜邊大于更靠近沉積空間的中心的斜邊的結(jié)構(gòu)。
[0043]通過(guò)基板上的沉積工藝形成的沉積層可以具有線性圖案。
[0044]彼此分離的多個(gè)沉積層可以通過(guò)沉積工藝形成在基板上，隨著所述多個(gè)沉積層中的沉積層可以遠(yuǎn)離沉積空間的中心，遠(yuǎn)離沉積空間的中心的側(cè)面的斜邊逐漸增加。
[0045]彼此分離的多個(gè)沉積層可以通過(guò)沉積工藝形成在基板上，設(shè)置在所述多個(gè)沉積層的中心處的沉積層在相對(duì)的側(cè)面可以具有彼此基本相同的斜邊。
[0046]彼此分離的多個(gè)沉積層可以通過(guò)沉積工藝形成在基板上，所述多個(gè)沉積層可以基于沉積空間的中心對(duì)稱地設(shè)置。
[0047]基板可以具有40英寸或更大的尺寸。
[0048]沉積層可以具有非均勻的厚度。
[0049]沉積層可以至少包括有機(jī)發(fā)射層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0050]通過(guò)參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的一些示例實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚，在附圖中:
[0051]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備的剖視圖；
[0052]圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意性剖視圖；
[0053]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意性剖視圖；
[0054]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備中的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0055]圖5是圖4的沉積設(shè)備中的沉積單元的側(cè)視圖；
[0056]圖6是圖4的沉積設(shè)備中的沉積組件的透視圖；
[0057]圖7是圖4中示出的沉積組件的示意性剖視圖；
[0058]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意性透視圖；
[0059]圖9是圖8中示出的沉積設(shè)備的示意性側(cè)面剖視圖；
[0060]圖10是圖8中示出的沉積設(shè)備的示意性水平剖視圖；
[0061]圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意性透視圖；
[0062]圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意性透視圖；
[0063]圖13是示出圖4中示出的沉積設(shè)備的圖案化縫隙片中以等間距形成的圖案化縫隙的圖；
[0064]圖14是示出通過(guò)利用圖13的圖案化縫隙片形成在基板上的沉積層的圖；以及
[0065]圖15是通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0066]在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的一些實(shí)施例；然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以以不同的形式來(lái)實(shí)施并且不應(yīng)被解釋為限制于這里闡述的實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到的，在所有不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式對(duì)描述的實(shí)施例進(jìn)行修改。因此，附圖和描述將被認(rèn)為本質(zhì)是示出性的而不是限制性的。當(dāng)諸如“至少一個(gè)(種)”的表述放在一系列元件(要素)之后時(shí)，修飾整個(gè)系列的元件(要素)，而不是修飾所述系列的單個(gè)元件(要素)。
[0067]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備的剖視圖。
[0068]沉積設(shè)備I包括沉積源10、圖案化縫隙片30、框架35和臺(tái)階60。
[0069]沉積設(shè)備I設(shè)置成面對(duì)基板2，從而在基板2上沉積沉積材料。另外，盡管圖1中未示出，但是沉積設(shè)備I可以包括室，以向執(zhí)行沉積工藝的沉積工藝區(qū)域提供期望的壓力環(huán)境和清潔度。
[0070]沉積源10容納一種或多種沉積材料，并且使沉積材料蒸發(fā)以傳送到基板2。
[0071]圖案化縫隙片30設(shè)置成面對(duì)基板2。圖案化縫隙片30包括一個(gè)或多個(gè)縫隙31。圖案化縫隙片30設(shè)置在基板2和沉積源10之間，使得從沉積源10蒸發(fā)的沉積材料到達(dá)基板2，以通過(guò)穿過(guò)圖案化縫隙片30的縫隙31形成沉積層。
[0072]框架35設(shè)置成支撐圖案化縫隙片30。盡管圖1中未示出，但是框架35可以形成為諸如窗口框架的格柵(grating)，并且可以通過(guò)利用例如焊接方法結(jié)合到圖案化縫隙片30，從而穩(wěn)定地接合到圖案化縫隙片30。
[0073]臺(tái)階60結(jié)合到框架35。臺(tái)階60支撐框架35。另外，臺(tái)階60可以以一維方式、二維方式或三維方式移動(dòng)，這樣，圖案化縫隙片30相對(duì)于基板2對(duì)準(zhǔn)。即，臺(tái)階60包括一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器，使得臺(tái)階60可以相對(duì)于基板2移動(dòng)。
[0074]分離區(qū)域(SA)形成在臺(tái)階60和框架35之間。
[0075]具體地，臺(tái)階60和框架35通過(guò)多個(gè)結(jié)合構(gòu)件90彼此結(jié)合。結(jié)合構(gòu)件90可以形成為球形。例如，每個(gè)結(jié)合構(gòu)件90可以是用于將臺(tái)階60和框架35彼此結(jié)合的焊球。另外，結(jié)合構(gòu)件90可以由各種材料(即，用于將臺(tái)階60和框架35彼此結(jié)合的各種類型的材料)形成。
[0076]分離區(qū)域SA形成在臺(tái)階60和框架35之間，更詳細(xì)地講，分離區(qū)域SA與在臺(tái)階60和框架35之間由多個(gè)結(jié)合構(gòu)件90形成的空間相對(duì)應(yīng)。多個(gè)分離區(qū)域SA可以形成在例如相鄰的結(jié)合構(gòu)件90之間和位于邊緣處的結(jié)合構(gòu)件90周?chē)?br> [0077]為了形成分離區(qū)域SA，在一個(gè)實(shí)施例中形成結(jié)合構(gòu)件90，使得臺(tái)階60和框架35彼此點(diǎn)接觸，而非彼此面接觸。為此，除了上面描述的球形形狀以外，結(jié)合構(gòu)件90還可以形成為具有角的形狀。
[0078]在將臺(tái)階60與框架35彼此結(jié)合時(shí)產(chǎn)生的雜質(zhì)P可以設(shè)置在分離區(qū)域SA中。
[0079]如果臺(tái)階60與框架35彼此面接觸，而非點(diǎn)接觸，則當(dāng)雜質(zhì)P設(shè)置在結(jié)合表面上時(shí)，不能維持框架35的平整度，因此，降低基板2和圖案化縫隙片30之間的對(duì)準(zhǔn)特性，從而不易均勻地形成期望的沉積層。
[0080]然而，在本實(shí)施例中，即使在產(chǎn)生雜質(zhì)P時(shí)，雜質(zhì)P也設(shè)置在分離區(qū)域SA上，從而不影響臺(tái)階60與框架35之間的結(jié)合特性。即，可以容易地維持框架35的平整度和圖案化縫隙片30的平整度，這樣，可以將期望的沉積層在基板2上圖案化。
[0081]具體地，在本實(shí)施例的沉積設(shè)備I中，可以通過(guò)設(shè)置結(jié)合構(gòu)件90使臺(tái)階60和框架35彼此點(diǎn)接觸來(lái)容易地形成分離區(qū)域SA。因此，可以防止或基本防止因雜質(zhì)P引起的框架35的平整度劣化，而不需要執(zhí)行額外的工藝。
[0082]圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備I’的剖視圖。
[0083]沉積設(shè)備I’包括沉積源10’、圖案化縫隙片30’、框架35’和臺(tái)階60’。
[0084]沉積源10’容納一種或多種沉積材料，并且使沉積材料蒸發(fā)以傳送到基板2’。
[0085]圖案化縫隙片30’設(shè)置成面對(duì)基板2’。圖案化縫隙片30’包括一個(gè)或多個(gè)縫隙31’。圖案化縫隙片30’設(shè)置在基板2’和沉積源10’之間，使得從沉積源10’蒸發(fā)的沉積材料到達(dá)基板2’，以通過(guò)穿過(guò)圖案化縫隙片30’的縫隙31’形成沉積層。
[0086]框架35’設(shè)置成支撐圖案化縫隙片30’。盡管圖2中未示出，但是框架35’可以形成為諸如窗口框架的格柵，并且可以通過(guò)利用例如焊接方法結(jié)合到圖案化縫隙片30’，從而穩(wěn)定地接合到圖案化縫隙片30’。
[0087]臺(tái)階60’結(jié)合到框架35’。臺(tái)階60’支撐框架35’。另外，臺(tái)階60’可以以一維方式、二維方式或三維方式移動(dòng)，這樣，圖案化縫隙片30’相對(duì)于基板2’對(duì)準(zhǔn)。即，臺(tái)階60’包括一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器，使得臺(tái)階60’可以相對(duì)于基板2’移動(dòng)。
[0088]分離區(qū)域SA形成在臺(tái)階60’和框架35’之間。更詳細(xì)地講，形成為凹槽的分離區(qū)域SA形成在框架35’的結(jié)合到臺(tái)階60’的表面(即，框架35的下表面)中。即，如圖2中所示，通過(guò)去除框架35’的設(shè)定厚度或預(yù)定厚度使分離區(qū)域SA形成為凹槽，從而鄰近于框架35’的結(jié)合到臺(tái)階60’的部分。
[0089]由于分離區(qū)域SA在框架35’的下表面中形成為凹槽，因此框架35’和臺(tái)階60’可以以線接觸方式或面接觸方式彼此結(jié)合至較小的設(shè)定或預(yù)定區(qū)域。
[0090]在將臺(tái)階60’與框架35’彼此結(jié)合時(shí)可能產(chǎn)生的雜質(zhì)P可以設(shè)置在分離區(qū)域SA中。
[0091 ] 在本實(shí)施例中，即使在產(chǎn)生雜質(zhì)P時(shí)，雜質(zhì)P也可以設(shè)置在分離區(qū)域SA中，從而不影響臺(tái)階60’與框架35’的結(jié)合特性。即，可以容易地維持框架35’的平整度和圖案化縫隙片30’的平整度，因此，可以將期望的沉積層容易地在基板2’上圖案化。
[0092]具體地，由于形成為凹槽的分離區(qū)域SA在本實(shí)施例的沉積設(shè)備I’中形成在框架35’的下表面中，因此可以防止或基本防止可能因雜質(zhì)P引起的框架35’的平整度劣化，而不需執(zhí)行額外的工藝。
[0093]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備I’ ’的剖視圖。
[0094]沉積設(shè)備I’ ’包括沉積源10’ ’、圖案化縫隙片30’ ’、框架35’ ’和臺(tái)階60’ ’。
[0095]沉積源10’ ’容納一種或多種沉積材料，并且使沉積材料蒸發(fā)以傳送到基板2’ ’。
[0096]圖案化縫隙片30’ ’設(shè)置成面對(duì)基板2’ ’。圖案化縫隙片30’ ’包括一個(gè)或多個(gè)縫隙31’ ’。圖案化縫隙片30’ ’設(shè)置在基板2’ ’和沉積源10’ ’之間，使得從沉積源10’ ’蒸發(fā)的沉積材料到達(dá)基板2’ ’，以通過(guò)穿過(guò)圖案化縫隙片30’ ’的縫隙31’ ’形成沉積層。
[0097]框架35’ ’設(shè)置成支撐圖案化縫隙片30’ ’。盡管圖3中未示出，但是框架35’ ’可以形成為諸如窗口框架的格柵，并且可以通過(guò)利用例如焊接方法結(jié)合到圖案化縫隙片30’’，從而穩(wěn)定地接合到圖案化縫隙片30’ ’。
[0098]臺(tái)階60’’結(jié)合到框架35’’。臺(tái)階60’’支撐框架35’’。另外，臺(tái)階60’’可以以一維方式、二維方式或三維方式移動(dòng)，這樣，圖案化縫隙片30’’相對(duì)于基板2’’對(duì)準(zhǔn)。SP，臺(tái)階60’’包括一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器，使得臺(tái)階60’’可以相對(duì)于基板2’’移動(dòng)。
[0099]分離區(qū)域SA形成在臺(tái)階60’’和框架35’’之間。更詳細(xì)地講，分離區(qū)域在臺(tái)階60’’的結(jié)合到框架35’’的表面(B卩，臺(tái)階60’’的上表面)中形成為凹槽。如圖3中所示，通過(guò)在臺(tái)階60’’的上表面中去除臺(tái)階60’’的設(shè)定厚度或預(yù)定厚度，使形成為凹槽的分離區(qū)域SA形成為鄰近于框架35’’的結(jié)合部分。
[0100]由于分離區(qū)域SA在臺(tái)階60’ ’的上表面中形成為凹槽，因此框架35’ ’和臺(tái)階60’ ’可以以線接觸方式或表面接觸方式彼此結(jié)合至較小的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域。
[0101]在將臺(tái)階60’ ’與框架35’ ’彼此結(jié)合時(shí)可能產(chǎn)生的雜質(zhì)P可以設(shè)置在分離區(qū)域SA中。
[0102]在本實(shí)施例中，即使在產(chǎn)生雜質(zhì)P時(shí)，雜質(zhì)P也可以設(shè)置在分離區(qū)域SA中，從而不影響臺(tái)階60’’與框架35’’的結(jié)合特性。即，可以容易地維持框架35’’的平整度和圖案化縫隙片30’’的平整度，因此，可以將期望的沉積層容易地在基板2’’上圖案化。
[0103]具體地，由于形成為凹槽的分離區(qū)域SA在本實(shí)施例的沉積設(shè)備I’’中形成在臺(tái)階60’’的上表面中，因此可以防止或基本防止可能因雜質(zhì)P引起的框架35’’的平整度劣化，而不需執(zhí)行額外的工藝。
[0104]參照?qǐng)D4至圖7，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備1000包括一個(gè)或多個(gè)沉積組件100-1至100-11?？梢圆煌卦O(shè)置沉積單元100中包括的沉積組件的個(gè)數(shù)。
[0105]沉積設(shè)備1000包括沉積單元100、加載單元200、卸載單元300和輸送器單元400。
[0106]加載單元200可以包括第一支架212、引進(jìn)室214、第一翻轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0107]其上沒(méi)有涂覆沉積材料的多個(gè)基板2向上堆疊在第一支架212上。包括在引進(jìn)室214中的傳輸機(jī)器人從第一支架212拾起一個(gè)基板2,將基板2放置在通過(guò)第二輸送器單兀420傳送的傳送單元430上，并將其上設(shè)置有基板2的傳送單元430移動(dòng)到第一翻轉(zhuǎn)室218中。
[0108]第一翻轉(zhuǎn)室218設(shè)置為鄰近于引進(jìn)室214。第一翻轉(zhuǎn)室218包括將傳送單元430翻轉(zhuǎn)然后將傳送單元430加載到沉積單元100的第一輸送器單元410中的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0109]如圖4中所示，引進(jìn)室214中的引進(jìn)機(jī)器人將一個(gè)基板2放置在傳送單元430的上表面上，其上設(shè)置有基板2的傳送單兀430被加載到翻轉(zhuǎn)室218中。第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將翻轉(zhuǎn)室218翻轉(zhuǎn)，從而基板2在沉積單元100中被上下顛倒。
[0110]卸載單元300被構(gòu)造為以與上面描述的加載單元200的方式相反的方式操作。具體地講，第二翻轉(zhuǎn)室328中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將已經(jīng)穿過(guò)沉積單元100同時(shí)基板2設(shè)置在傳送單元430上的傳送單元430翻轉(zhuǎn)。然后，排出機(jī)器人將其上設(shè)置有基板2的傳送單元430從排出室324取出，將基板2與傳送單元430分離，然后將基板2加載到第二支架322中。與基板2分開(kāi)的傳送單元430經(jīng)由第二輸送器單元420返回到加載單元200。
[0111]然而，本發(fā)明不限于上面的描述。例如，當(dāng)將基板2設(shè)置在傳送單元430上時(shí)，基板2可以固定到傳送單元430的底表面上，然后移動(dòng)到沉積單元100中。在這個(gè)實(shí)施例中，例如，不需要第一翻轉(zhuǎn)室218、第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人、第二翻轉(zhuǎn)室328和第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0112]沉積單元100可以包括至少一個(gè)沉積室101。多個(gè)沉積組件100-1至100-11設(shè)置在沉積室101中。沉積室在沉積工藝過(guò)程中可以保持處于真空狀態(tài)。
[0113]同時(shí)，其上設(shè)置有基板2的傳送單元430可以被第一輸送器單元410至少移動(dòng)到沉積單元100或者可以被第一輸送器單元410順序地移動(dòng)到加載單元200、沉積單元100和卸載單元300。在卸載單元300中與基板2分開(kāi)的傳送單元430被第二輸送器單元420移動(dòng)回到加載單元200。
[0114]第一輸送器單元410被構(gòu)造為在傳送單元430穿過(guò)沉積單元100時(shí)穿過(guò)沉積室101，第二輸送器單元420被構(gòu)造為輸送與基板2分開(kāi)的傳送單元430。
[0115]在本實(shí)施例的沉積設(shè)備1000中，第一輸送器單元410和第二輸送器單元420彼此形成在上方和下方，從而傳送單元430在卸載單元300中與基板2分開(kāi)(其中，傳送單元430在穿過(guò)第一輸送器單元410的同時(shí)在傳送單元430上完成了沉積)，并在這之后，傳送單元430經(jīng)由形成在第一輸送器單元410下方的第二輸送器單元420返回到加載單元200。因此，可以提高空間利用效率。
[0116]換言之，沉積單元100還可以包括位于沉積組件100-1至100-11中的每個(gè)的側(cè)面處的沉積源更換單元190。盡管在圖4至圖7中沒(méi)有示出，但是沉積源更換單元190形成為嵌入形式，從而從沉積組件100-1至100-11中的每個(gè)拉出。因此，可以容易地執(zhí)行對(duì)沉積組件100-1至100-11的沉積源(參照?qǐng)D6的110)的改變。
[0117]在圖4中，示出了在沉積設(shè)備1000中示出的一連串的兩組結(jié)構(gòu)，每組包括加載單元200、沉積單元100、卸載單元300和輸送器單元400。即，在圖4中的沉積設(shè)備1000中構(gòu)造了每組包括加載單元200、沉積單元100、卸載單元300和輸送器單元400的兩組結(jié)構(gòu)；然而，本發(fā)明不限于此，即，沉積設(shè)備1000可以僅包括一組。另外，作為另一示例，可以考慮兩個(gè)圖4中示出的沉積設(shè)備1000。
[0118]沉積設(shè)備1000還可以包括圖案化縫隙片更換單元500，從而提高空間利用效率。
[0119]另外，參照?qǐng)D5至圖7，本實(shí)施例的沉積設(shè)備1000中的沉積單元100可以包括一個(gè)或多個(gè)沉積組件100-1至100-11和輸送器單元400。
[0120]在下文中，將在下面描述沉積單元100的結(jié)構(gòu)。
[0121]室101形成為中空的盒子，其中容納一個(gè)或多個(gè)沉積組件100-1和輸送器單元400。從另一角度來(lái)看，腳部102形成為固定在地上，下殼體103形成在腳部102上，上殼體104形成在下殼體103上。此外，室101形成為在其中容納下殼體103和上殼體104。這里，密封下殼體103和室101之間的連接部分，從而室101的內(nèi)部與外部完全隔離。如上所述，由于下殼體103和上殼體104形成在固定在地上的腳部102上，所以即使室101重復(fù)地膨脹和收縮，下殼體103和上殼體104也可以保持在固定的位置，因此，下殼體103和上殼體104在沉積單元100中可以用作基準(zhǔn)框架。
[0122]同時(shí)，沉積組件100-1和輸送器單元400的第一輸送器單元410形成在上殼體104中，輸送器單元400的第二輸送器單元420形成在下殼體103中。此外，傳送單元430在第一輸送器單元410和第二輸送器單元420之間循環(huán)，以連續(xù)執(zhí)行沉積工藝。
[0123]在下面進(jìn)一步描述沉積組件100-1的結(jié)構(gòu)。每個(gè)沉積組件100-1可以包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、屏蔽構(gòu)件140、第一臺(tái)階150、第二臺(tái)階160、照相機(jī)170和傳感器180。這里，圖6和圖7中示出的沉積組件100-1的所有元件可以設(shè)置在保持在適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)的室101中，從而使得沉積材料沿著大體上直線移動(dòng)通過(guò)沉積組件100-1。
[0124]更具體地講，為了將從沉積源110發(fā)射并且穿過(guò)沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130排出的沉積材料115以期望的圖案沉積到基板2上，需要將室保持在與利用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法中一樣的高真空狀態(tài)。另外，圖案化縫隙片130的溫度必須充分低于沉積源110的溫度。圖案化縫隙片130的溫度應(yīng)當(dāng)充分低，從而減少圖案化縫隙片130的熱膨脹。
[0125]構(gòu)成其上將要沉積沉積材料115的靶的基板2設(shè)置在室101中?；?可以為用于平板顯示器的基板。用于制造多個(gè)平板顯示器的諸如母玻璃的40英寸或更大的大基板可以用作基板2。
[0126]在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在基板2或沉積組件100-1彼此相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。
[0127]具體地，在相當(dāng)?shù)腇MM沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸必須等于基板的尺寸。因此，F(xiàn)MM的尺寸必須隨著基板變得更大而增大。然而,制造大FMM或使FMM延伸成與圖案精確地對(duì)準(zhǔn)都不是簡(jiǎn)單的。
[0128]為了克服這個(gè)問(wèn)題，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的沉積組件100-1中，可以在沉積組件100-1與基板2彼此相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。換言之，可以在被設(shè)置成諸如面對(duì)沉積組件100-1的基板2沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。換言之，在基板2沿著圖6中的箭頭A的方向移動(dòng)的同時(shí)，以掃描方式執(zhí)行沉積。盡管基板2示出為在執(zhí)行沉積時(shí)在圖6中沿著Y軸方向移動(dòng)，但是本發(fā)明不限于此?？梢栽诔练e組件100-1沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，但是基板2被固定。
[0129]因此，在根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130可以顯著地小于在相當(dāng)?shù)某练e方法中使用的FMM。換言之，在根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的沉積組件100-1中，連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，在基板2沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)以掃描方式連續(xù)地執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片130沿著X軸方向和Y軸方向的長(zhǎng)度可以顯著地小于基板2沿著X軸方向和Y軸方向的長(zhǎng)度。如上所述，由于圖案化縫隙片130可以形成為顯著地小于相當(dāng)?shù)某练e方法中使用的FMM，所以相對(duì)容易制造本發(fā)明中使用的圖案化縫隙片130。換言之，與使用較大FMM的相當(dāng)?shù)某练e方法相比，使用比相當(dāng)?shù)某练e方法中使用的FMM小的圖案化縫隙片130在包括蝕刻和諸如精確拉伸、焊接、移動(dòng)和清洗工藝的其他后續(xù)工藝的所有工藝中更有利。這對(duì)相對(duì)大的顯示裝置更有利。
[0130]為了在沉積組件100-1和基板2如上所述地彼此相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，沉積組件100-1和基板2可以彼此分隔開(kāi)設(shè)定或預(yù)定的距離。下面對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0131]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在其中設(shè)置有基板2的室的相對(duì)側(cè)中。隨著包含在沉積源I1中的沉積材料115被蒸發(fā)，沉積材料115沉積在基板2上。
[0132]沉積源110包括含有沉積材料115的坩堝111和用于使沉積材料115蒸發(fā)的加熱器 112。
[0133]沉積源噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110的側(cè)面，具體地講，設(shè)置在沉積源110的面對(duì)基板2的側(cè)面。這里，在本實(shí)施例的沉積組件100-1中，用于形成公共層和圖案層的沉積源噴嘴可以形成為彼此不同。也就是說(shuō)，沉積源噴嘴單元120包括沿著Y軸方向(即，沿著基板2的掃描方向)布置的多個(gè)沉積源噴嘴121。因此，可以認(rèn)為沿著X軸方向存在一個(gè)沉積源噴嘴121，從而在基板2上不存在陰影區(qū)。盡管附圖中未示出，但是形成公共層的沉積源噴嘴單元可以包括沿著X軸方向的多個(gè)沉積源噴嘴121。因此，可改善公共層的厚度均勻性。
[0134]圖案化縫隙片130和形成為窗口框架的框架135設(shè)置在沉積源110和基板2之間，其中，圖案化縫隙片1 30被束縛在框架135中。
[0135]圖案化縫隙片130包括沿著X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙131。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115朝著作為沉積靶的基板2穿過(guò)沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130。圖案化縫隙片130可以通過(guò)與相當(dāng)?shù)闹圃霧MM (具體地講，條形FMM)的方法中使用的蝕刻方法相同的蝕刻方法來(lái)制造。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案化縫隙131的總數(shù)可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0136]沉積源110 (和接合到沉積源110的沉積源噴嘴單元120)和圖案化縫隙片130可以形成為彼此分隔開(kāi)設(shè)定的或預(yù)定的距離。
[0137]如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的沉積組件100-1在相對(duì)于基板2移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了使沉積組件100-1相對(duì)于基板2移動(dòng)，將圖案化縫隙片130與基板2分隔開(kāi)設(shè)定的或預(yù)定的距離。
[0138]具體地講，在利用FMM的相當(dāng)?shù)某练e方法中，利用與基板緊密接觸的FMM執(zhí)行沉積，從而防止在基板上形成陰影區(qū)。然而，當(dāng)FMM與基板緊密接觸地使用時(shí)，所述接觸會(huì)導(dǎo)致缺陷。此外，在相當(dāng)?shù)某练e方法中，由于掩模不能相對(duì)于基板移動(dòng)，所以掩模的尺寸必須與基板的尺寸相同。因此，掩模的尺寸必須隨著顯示裝置變得更大而增大。然而，難以制造這樣的大的掩模。
[0139]為了克服這個(gè)問(wèn)題，在根據(jù)本實(shí)施例的沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130設(shè)置為與作為沉積靶的基板2分隔開(kāi)設(shè)定的或預(yù)定的距離。即，通過(guò)在比基板2小的圖案化縫隙片130相對(duì)于基板2移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積工藝，可以容易制造圖案化縫隙片130。此外，可以防止因基板2與圖案化縫隙片130之間的接觸導(dǎo)致的缺陷，并且不需要使基板2與圖案化縫隙片130彼此粘合的時(shí)間。因此，可以減少制造時(shí)間。
[0140]可以如下設(shè)置上殼體104中的組件。
[0141]首先，上面描述的沉積源110和沉積源噴嘴單元120設(shè)置在上殼體104的底部上。此外，安裝單元104-1從沉積源110和沉積源噴嘴單元120的相對(duì)側(cè)突出。第一臺(tái)階150、第二臺(tái)階160和圖案化縫隙片130順序地形成在安裝單元104-1上。
[0142]這里，第一臺(tái)階150被構(gòu)造為沿著X軸和Y軸方向移動(dòng)，從而沿著X軸方向和Y軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。即，第一臺(tái)階150包括多個(gè)致動(dòng)器，從而第一臺(tái)階150可以相對(duì)于上殼體104沿著X軸方向和Y軸方向移動(dòng)。
[0143]此外，第二臺(tái)階160被構(gòu)造為沿著Z軸方向移動(dòng)，從而沿著Z軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。即，第二臺(tái)階160包括多個(gè)致動(dòng)器，從而相對(duì)于第一臺(tái)階150沿著Z軸方向移動(dòng)。
[0144]圖案化縫隙片130形成在第二臺(tái)階160上。如上所述，由于圖案化縫隙片130形成在第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160上，從而沿著X軸、Y軸和Z軸方向移動(dòng)，因此可以實(shí)時(shí)將基板2與圖案化縫隙片130對(duì)準(zhǔn)。
[0145]第二臺(tái)階160與框架135通過(guò)利用結(jié)合構(gòu)件90彼此結(jié)合，分離區(qū)域SA形成在第二臺(tái)階160和框架135之間。此外，雜質(zhì)P可以設(shè)置在分離區(qū)域SA中。這樣，可以維持框架135的平整度和圖案化縫隙片130的平整度，因此，可以容易將期望的沉積層在基板2上圖案化。具體地講，可以防止或基本防止在通過(guò)利用第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160對(duì)準(zhǔn)圖案化狹縫片130期間圖案化縫隙片130的平整度因雜質(zhì)P的劣化，因此，可以經(jīng)由第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160提高圖案化縫隙片130的對(duì)準(zhǔn)操作的精確度。
[0146]本實(shí)施例的分離區(qū)域SA與圖1中示出的分離區(qū)域SA相似；然而，本發(fā)明不限于此。即，可以使用圖2或圖3中示出的分離區(qū)域SA。因此，形成為凹槽的分離區(qū)域SA可以形成在框架135的表面或第二臺(tái)階160中。這里不提供詳細(xì)的描述。
[0147]上殼體104、第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160可以引導(dǎo)沉積材料的行進(jìn)路徑，從而通過(guò)沉積源噴嘴121排放的沉積材料可以不分散。即，沉積材料的移動(dòng)通道被上殼體104、第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160阻擋，因此，可以同時(shí)引導(dǎo)X軸和Y軸方向的移動(dòng)。
[0148]此外，屏蔽構(gòu)件140還可以設(shè)置在圖案化縫隙片130和沉積源110之間。更具體地講，電極圖案形成在基板2的邊緣上，以被用作測(cè)試產(chǎn)品或制造產(chǎn)品的端子。如果在形成有電極圖案的區(qū)域上形成有機(jī)材料或其他不期望的沉積層，則電極圖案難于正常運(yùn)行。因此，基板2的邊緣必須是可以不沉積有機(jī)材料的區(qū)域，即，必須是非膜形成區(qū)域。然而，如上所述，由于以掃描方式(即，基板2相對(duì)于沉積設(shè)備移動(dòng))執(zhí)行沉積，因此，不容易執(zhí)行在基板2的非膜形成區(qū)域上不形成沉積層的工藝。
[0149]在本實(shí)施例中，為了防止或基本防止沉積層形成在基板2的非膜形成區(qū)域上，額外的屏蔽構(gòu)件140還可以形成為對(duì)應(yīng)于基板2的邊界。盡管圖6中未詳細(xì)地示出，但是屏蔽構(gòu)件140可以包括兩個(gè)相鄰的板。
[0150]當(dāng)基板2沒(méi)有穿過(guò)沉積組件100-1時(shí)，屏蔽構(gòu)件140遮擋沉積源110，因此，從沉積源110發(fā)射的沉積材料115不能到達(dá)圖案化縫隙片130。在此狀態(tài)下，當(dāng)基板2開(kāi)始進(jìn)入到沉積組件100-1時(shí)，阻擋沉積源110的屏蔽構(gòu)件140隨基板2的移動(dòng)而移動(dòng)，沉積材料115的行進(jìn)通道被打開(kāi)，因此，從沉積源110發(fā)射的沉積材料115穿過(guò)圖案化縫隙片130以被沉積在基板2上。在基板2穿過(guò)沉積組件100-1時(shí)，基板2的后部分處的屏蔽構(gòu)件140隨基板2的移動(dòng)而移動(dòng)，以阻擋沉積材料115的行進(jìn)通道并阻擋沉積源110，因此，從沉積源110發(fā)射的沉積材料115不可以到達(dá)圖案化縫隙片130。
[0151]由于基板2的非膜形成區(qū)域被屏蔽構(gòu)件140阻擋，因此可以防止有機(jī)材料在基板2的非膜形成區(qū)域上的沉積，而不需要使用額外的結(jié)構(gòu)。
[0152]在下文中，將更詳細(xì)地描述輸送作為沉積靶的基板2的輸送器單元400。參照?qǐng)D6和圖7，輸送器單兀400包括第一輸送器單兀410、第二輸送器單兀420和傳送單兀430。
[0153]第一輸送器單元410以在線方式輸送包括運(yùn)送器431和接合到運(yùn)送器431的靜電卡盤(pán)432的傳送單元430以及設(shè)置在傳送單元430上的基板2，使得可以通過(guò)沉積組件100-1將沉積層形成在基板2上。第一輸送器單兀410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承、側(cè)面磁懸浮軸承以及間隙傳感器。
[0154]在傳送單元430穿過(guò)沉積單元100的同時(shí)完成了一個(gè)沉積循環(huán)之后，第二輸送器單元420將已經(jīng)在卸載單元300中與基板2分離的傳送單元430返回加載單元200。第二輸送器單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0155]傳送單元430包括沿著第一輸送器單元410和第二輸送器單元420輸送的運(yùn)送器431和結(jié)合在運(yùn)送器431的表面上的靜電卡盤(pán)432，基板2附著于靜電卡盤(pán)432。
[0156]在下文中，在下面將更詳細(xì)地描述輸送器單元400的元件。
[0157]首先，將更詳細(xì)地描述傳送單元430的運(yùn)送器431。
[0158]運(yùn)送器431包括主體部件431a、磁軌431b、非接觸電源(CPS)模塊431c和電源單元431d。運(yùn)送器431還可以包括凸輪從動(dòng)件431f。
[0159]主體部件431a構(gòu)成運(yùn)送器431的基體部件，并且可以由諸如鐵的磁性材料形成。關(guān)于這一點(diǎn)，由于主體部件431a與對(duì)應(yīng)的下面描述的上磁懸浮軸承和側(cè)面磁懸浮軸承之間的排斥力，運(yùn)送器431可以被保持為與引導(dǎo)構(gòu)件412分隔開(kāi)一定的距離。
[0160]設(shè)定的或預(yù)定的引導(dǎo)槽可以形成在主體部件431a的相對(duì)的側(cè)表面上，引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起可以容納在引導(dǎo)槽中。磁軌431b可以在主體部件431a行進(jìn)的方向沿著主體部件431a的中線形成。磁軌431b和線圈411 (后面將描述)可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性電動(dòng)機(jī)，運(yùn)送器431可以在線性電動(dòng)機(jī)的作用下沿著箭頭A的方向輸送。
[0161]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部件431a中分別形成在磁軌431b的兩側(cè)上。電源單元431d為提供電力的充電電池，從而靜電卡盤(pán)432卡住基板2并且保持操作。CPS模塊431c是為電源單元431d充電的無(wú)線充電模塊。具體地講，形成在第二輸送器單元420中的下面描述的充電軌道423連接到逆變器，因此，當(dāng)運(yùn)送器431被傳送到第二輸送器單元420中時(shí)，在充電軌道423和CPS模塊431c之間形成磁場(chǎng)，從而為CPS模塊431c供電。供應(yīng)到CPS模塊431c的電力用來(lái)為電源單元431d充電。
[0162]靜電卡盤(pán)432可以包括嵌入在由陶瓷形成的主體中的電極，其中，電極被供電。當(dāng)向電極施加高電壓時(shí)，基板2被附于靜電卡盤(pán)432的主體的表面上。
[0163]在下文中，更詳細(xì)地描述傳送單元430的操作。
[0164]主體部件431a的磁軌431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。在這方面，操作單元可以為線性電動(dòng)機(jī)。與相當(dāng)?shù)幕瑒?dòng)引導(dǎo)系統(tǒng)相比，線性電動(dòng)機(jī)具有小的摩擦系數(shù)、小的位置誤差以及非常高程度的位置確定。如上所述，線性電動(dòng)機(jī)可以包括線圈411和磁軌431b。磁軌431b線性地設(shè)置在運(yùn)送器431中，多個(gè)線圈411可以以一定的距離設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)，以面對(duì)磁軌431b。由于磁軌431b設(shè)置在運(yùn)送器431上而不是線圈411上，所以運(yùn)送器431可以在沒(méi)有對(duì)其提供電力的情況下操作。關(guān)于這一點(diǎn)，線圈411可以形成在在空氣氣氛下的大氣(ATM)箱中，磁軌431b附著到的運(yùn)送器431可以在保持真空的室101中移動(dòng)。
[0165]在下文中，更詳細(xì)地描述第一輸送器單元410和傳送單元430。
[0166]第一輸送器單兀410輸送固定基板2的靜電卡盤(pán)432并且輸送運(yùn)送器431,其中，運(yùn)送器431輸送靜電卡盤(pán)432。
[0167]線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412形成在上殼體104內(nèi)側(cè)。線圈411形成在上殼體104的上部中，引導(dǎo)構(gòu)件412分別形成在上殼體104的兩個(gè)內(nèi)側(cè)上。引導(dǎo)構(gòu)件412引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定方向移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，引導(dǎo)構(gòu)件412形成為穿過(guò)沉積單元100。
[0168]側(cè)面磁懸浮軸承均設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的側(cè)表面中，以分別對(duì)應(yīng)于運(yùn)送器431的兩側(cè)。側(cè)面磁懸浮軸承使在運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間形成距離，使得運(yùn)送器431沿著引導(dǎo)構(gòu)件412與引導(dǎo)構(gòu)件412非接觸地移動(dòng)。
[0169]上磁懸浮軸承可以設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的側(cè)表面中，以位于運(yùn)送器431上方。上磁懸浮軸承能夠使運(yùn)送器431以與引導(dǎo)構(gòu)件412非接觸且與引導(dǎo)構(gòu)件412保持恒定間隙的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動(dòng)。
[0170]引導(dǎo)構(gòu)件412還可以包括間隙傳感器，從而測(cè)量運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。此外，磁懸浮軸承還可以包括間隙傳感器?？梢愿鶕?jù)間隙傳感器測(cè)量的值實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的間隙。即，可以利用磁懸浮軸承和間隙傳感器通過(guò)反饋控制使運(yùn)送器431精確地移動(dòng)。
[0171]接下來(lái)，更詳細(xì)地描述第二輸送器單元420和傳送單元430。
[0172]第二輸送器單元420使已經(jīng)在卸載單元300中與基板2分離的傳送單元430和運(yùn)送傳送單元430的運(yùn)送器431返回到加載單元200。關(guān)于這一點(diǎn)，第二輸送器單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0173]具體地講，線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423可以位于下殼體103內(nèi)。線圈421和充電軌道423可以設(shè)置在下殼體103的頂部?jī)?nèi)表面上，輥式引導(dǎo)件422可以設(shè)置在下殼體103的兩個(gè)內(nèi)側(cè)上。盡管附圖中未示出，但是線圈421可以與第一輸送器單元410的線圈411 一樣設(shè)置在ATM箱中。
[0174]與第一輸送器單元410相似，第二輸送器單元420還可以包括線圈421，運(yùn)送器431的主體部分431a的磁軌431b和線圈421彼此結(jié)合，以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點(diǎn)，所述操作單元可以為線性電動(dòng)機(jī)。運(yùn)送器431可以沿著與圖6中示出的箭頭A的方向相反的方向在線性電動(dòng)機(jī)的作用下移動(dòng)。
[0175]棍式引導(dǎo)件422引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定方向移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，棍式引導(dǎo)件422形成為穿過(guò)沉積單元100。具體地講，錕式引導(dǎo)件422支撐分別形成在運(yùn)送器431的兩側(cè)上的凸輪從動(dòng)件431f，以引導(dǎo)運(yùn)送器431沿圖6中示出的箭頭A的方向相反的方向移動(dòng)。即，運(yùn)送器431與設(shè)置在運(yùn)載器431的兩側(cè)上的分別沿著錕式引導(dǎo)件422旋轉(zhuǎn)的凸輪從動(dòng)件431f移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，凸輪從動(dòng)件431f是用于準(zhǔn)確地重復(fù)特定操作的各種軸承。在實(shí)施例中，多個(gè)凸輪從動(dòng)件431f形成在運(yùn)送器431的側(cè)表面上，并用作在第二輸送器單元420中輸送運(yùn)送器431的輪。
[0176]因此，第二輸送器單元420用在使已經(jīng)與基板2分離的運(yùn)送器431返回的工藝中，而沒(méi)有用在將有機(jī)材料沉積在基板2上的工藝中，因此，不需要如第一輸送器單元410那樣要求第二輸送器單元420的位置準(zhǔn)確度。因此，對(duì)需要高位置準(zhǔn)確度的第一輸送器單元410施加磁懸浮，從而獲得位置準(zhǔn)確度，對(duì)需要相對(duì)低的位置準(zhǔn)確度的第二輸送器單元420應(yīng)用相當(dāng)?shù)妮伿椒椒?，從而降低制造成本并且?jiǎn)化有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。盡管在圖6中未不出，但是也可以如第一輸送器單兀410中一樣對(duì)第二輸送器單兀420施加磁懸浮。
[0177]根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備1000的有機(jī)層沉積組件100-1還可以包括用于對(duì)準(zhǔn)工藝的照相機(jī)170和傳感器180。更具體地說(shuō)，照相機(jī)170可以將在框架135或圖案化縫隙片130中形成的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與在基板2上形成的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)。關(guān)于這一點(diǎn)，設(shè)置照相機(jī)170以在沉積期間在維持在真空的室101中進(jìn)行更精確的觀察。為此，照相機(jī)170可以安裝在處于大氣狀態(tài)中的照相機(jī)容納單元171中。
[0178]由于基板2與圖案化縫隙片130彼此分隔開(kāi)一定的距離，因此到設(shè)置在不同位置處的基板2的距離和到設(shè)置在不同位置處的圖案化縫隙片130的距離都需要利用照相機(jī)170測(cè)量。為了這個(gè)操作，沉積設(shè)備1000的沉積組件100-1可以包括傳感器180。關(guān)于這一點(diǎn)，傳感器180可以為共焦傳感器。共焦傳感器可以采用掃描鏡通過(guò)利用以高速旋轉(zhuǎn)的激光束來(lái)掃描將被測(cè)量的物體，并通過(guò)利用激光束發(fā)射的熒光或反射線測(cè)量到物體的距離。共焦傳感器可以通過(guò)感測(cè)不同介質(zhì)之間的邊界界面來(lái)測(cè)量距離。
[0179]由于基板2和圖案化縫隙片130之間的距離利用照相機(jī)170和傳感器180實(shí)時(shí)可測(cè)，因此基板2可以與圖案化縫隙片130實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)，從而可以顯著地提高圖案的位置準(zhǔn)確度。
[0180]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備700的示意性透視圖，圖9是圖8中示出的沉積設(shè)備700的側(cè)面剖視圖，圖10是圖8中示出的沉積設(shè)備700的示意性平面剖視圖。
[0181]參照?qǐng)D8至圖10，根據(jù)本實(shí)施例的沉積設(shè)備700包括沉積源710、沉積源噴嘴單元720、阻擋板組件740、圖案化縫隙片730、框架735和臺(tái)階760。
[0182]圖案化縫隙片730可以設(shè)置在沉積源710和基板2之間。圖案化縫隙片730結(jié)合到形狀與窗口框架的形狀相似的框架735。圖案化縫隙片730包括多個(gè)沿著X軸方向布置的圖案化縫隙731。
[0183]由于圖案化縫隙片730、框架735和臺(tái)階760與先前實(shí)施例的圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階相似，因此這里不提供對(duì)其的詳細(xì)描述。在本實(shí)施例中，臺(tái)階760形成為單層結(jié)構(gòu)；然而，也可以使用如圖6和圖7中示出的兩個(gè)堆疊的臺(tái)階。
[0184]已經(jīng)在沉積源710中蒸發(fā)的沉積材料715穿過(guò)沉積源噴嘴單元720和圖案化縫隙片730，然后沉積到作為沉積靶的基板2上。
[0185]沉積源710包括填充有沉積材料715的坩堝711和加熱器712，加熱器712對(duì)坩堝711加熱，從而使沉積材料715朝向填充有沉積材料715的坩堝711的側(cè)面(具體地講，朝向沉積源噴嘴單元720)蒸發(fā)。此外，沉積源噴嘴單元720設(shè)置在沉積源110的側(cè)面，沉積源噴嘴單元720包括多個(gè)沿著X軸方向布置的沉積源噴嘴721。
[0186]阻擋板組件740設(shè)置在沉積源噴嘴單元720的側(cè)面。阻擋板組件740包括多個(gè)阻擋板741和覆蓋阻擋板741的側(cè)面的阻擋板框架742。多個(gè)阻擋板741可以被布置為沿X軸方向以相等間距彼此平行。此外，每個(gè)阻擋板741可布置成平行于圖8中的Y-Z平面，并且可具有矩形形狀。如上面描述地布置的多個(gè)阻擋板741將沉積源噴嘴單元720和圖案化縫隙片730之間的空間劃分成多子沉積空間S。在根據(jù)本實(shí)施例的沉積設(shè)備700中，如圖10中所示，沉積空間被阻擋板741劃分成子沉積空間S，子沉積空間S分別對(duì)應(yīng)于通過(guò)其排放沉積材料715的沉積源噴嘴721。如上所述，由于阻擋板741將沉積源噴嘴單元720和圖案化縫隙片730之間的空間劃分成子沉積空間S，所以通過(guò)每個(gè)沉積源噴嘴721排放的沉積材料715不與通過(guò)其他沉積源噴嘴721排放的沉積材料混合，而是穿過(guò)圖案化縫隙731，從而沉積在基板2上。換言之，阻擋板741將通過(guò)沉積源噴嘴721排放的沉積材料715引導(dǎo)成不沿著X軸方向直線流動(dòng)。
[0187]如上所述，通過(guò)經(jīng)由阻擋板741確保沉積材料的線性，在基板2上可以形成較小的陰影區(qū)，因此，沉積設(shè)備700和基板2可以彼此分開(kāi)設(shè)定或預(yù)設(shè)的距離。
[0188]阻擋板組件740可以選擇性地包括可以連接到圖案化縫隙片730的框架735的連接構(gòu)件745。
[0189]另外，在被靜電卡盤(pán)600固定的基板2相對(duì)沉積設(shè)備700移動(dòng)的同時(shí)，可以執(zhí)行在基板2上的沉積工藝。
[0190]盡管圖8至圖10中未示出，但是可以設(shè)置本實(shí)施例的多個(gè)沉積設(shè)備700，使得在基板2順序地穿過(guò)多個(gè)沉積設(shè)備700的同時(shí)順序地執(zhí)行沉積工藝。另外，分離區(qū)域像先前的實(shí)施例一樣形成在框架735和臺(tái)階760之間。
[0191]圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備800的示意性透視圖。為了便于描述，下面將描述與先前實(shí)施例的區(qū)別。
[0192]參照?qǐng)D11，沉積設(shè)備800可以包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一阻擋板組件840、第二阻擋板組件850、圖案化縫隙片830、框架835以及臺(tái)階860。
[0193]圖案化縫隙片830可以設(shè)置在沉積源810和基板2之間。圖案化縫隙片830接合到形狀與窗口框架的形狀相似的框架835。圖案化縫隙片830包括多個(gè)沿著X軸方向布置的圖案化縫隙831。
[0194]由于圖案化縫隙片830、框架835和臺(tái)階860的結(jié)構(gòu)與先前實(shí)施例的圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階的結(jié)構(gòu)相同，因此這里不提供對(duì)其的詳細(xì)描述。在本實(shí)施例中，臺(tái)階860形成為單層結(jié)構(gòu)；然而，也可以使用如圖6和圖7中示出的兩個(gè)堆疊的臺(tái)階。
[0195]另外，沉積源810和第一阻擋板組件840與參照?qǐng)D8描述的實(shí)施例相同，因此不提供對(duì)其的詳細(xì)描述。本實(shí)施例與先前的實(shí)施例不同之處在于在第一阻擋板組件840的一側(cè)設(shè)置有第二阻擋板組件850。
[0196]更詳細(xì)地講，第二阻擋板組件850包括多個(gè)第二阻擋板851和覆蓋第二阻擋板851的側(cè)面的第二阻擋板框架852。多個(gè)第二阻擋板851可以以相等的間距沿著X軸方向彼此平行地布置。另外，每個(gè)第二阻擋板851可以形成為沿著圖11中的YZ平面延伸，即，垂直于X軸方向延伸。
[0197]如上面描述地布置的多個(gè)第一阻擋板841和多個(gè)第二阻擋板851劃分沉積源噴嘴單元820和圖案化縫隙片830之間的空間。沉積空間被第一阻擋板841和第二阻擋板851分成分別對(duì)應(yīng)于沉積材料通過(guò)其排放的沉積源噴嘴821的子沉積空間。
[0198]第二阻擋板851可被設(shè)置為分別與第一阻擋板841相對(duì)應(yīng)。第二阻擋板851可以與第一阻擋板841分別對(duì)準(zhǔn)，以在與第一阻擋板841的平面相同的平面上平行。每對(duì)相對(duì)應(yīng)的第一阻擋板841和第二阻擋板851可位于同一平面上。盡管第一阻擋板841和第二阻擋板851被分別示出為沿著X軸方向具有相同的厚度，但是本發(fā)明的方面不限于此。換言之，需要與圖案化縫隙831精確對(duì)準(zhǔn)的第二阻擋板851可以形成為相對(duì)薄，而不需要與圖案化縫隙831精確對(duì)準(zhǔn)的第一阻擋板841可以形成為相對(duì)厚。這使得制造有機(jī)層沉積組件較容易。
[0199]另外，基板2相對(duì)于處于被靜電卡盤(pán)600固定的狀態(tài)的沉積設(shè)備800移動(dòng)，因此，可以執(zhí)行沉積工藝。
[0200]此外，盡管圖11中未示出，但是可以根據(jù)本實(shí)施例設(shè)置多個(gè)沉積設(shè)備800，使得在基板2可以順序地穿過(guò)每個(gè)沉積設(shè)備800的同時(shí)執(zhí)行沉積。另外，與先前實(shí)施例相似，在框架835和臺(tái)階860之間可以形成分離區(qū)域(SA)。
[0201]圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積設(shè)備900的示意性透視圖。為了便于描述，在下面將描述與先前實(shí)施例的不同。
[0202]參照?qǐng)D12，根據(jù)本實(shí)施例的沉積設(shè)備900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920、圖案化縫隙片930、框架935和臺(tái)階960。
[0203]圖案化縫隙片930可以設(shè)置在沉積源910和基板2之間。圖案化縫隙片930可以接合到形狀與窗口框架的形狀相似的框架935。圖案化縫隙片930包括多個(gè)沿著X軸方向布置的圖案化縫隙931。
[0204]由于圖案化縫隙片930、框架935和臺(tái)階960的結(jié)構(gòu)與先前實(shí)施例的圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階的結(jié)構(gòu)相同，因此這里不提供對(duì)其的詳細(xì)描述。在本實(shí)施例中，臺(tái)階960形成為單層結(jié)構(gòu)；然而，也可以使用如圖6和圖7中示出的兩個(gè)堆疊的臺(tái)階。
[0205]這里，沉積源910包括填充有沉積材料915的坩堝911和加熱器912，加熱器912加熱坩堝911，以使包含在坩堝911中的沉積材料915蒸發(fā)，從而使蒸發(fā)的沉積材料915向著沉積源噴嘴單元920移動(dòng)。沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的側(cè)面。沉積源噴嘴單元920包括多個(gè)沿著Y軸方向布置的沉積源噴嘴921。
[0206]另外，沉積源910、沉積源噴嘴單元920與圖案化縫隙片930可以通過(guò)連接構(gòu)件945而彼此連接。連接構(gòu)件945可以引導(dǎo)沉積材料915的行進(jìn)通道。
[0207]沉積源噴嘴單元920包括以相等間距沿著Y軸方向(即，基板2的掃描方向)布置的多個(gè)沉積源噴嘴921。在沉積源910中蒸發(fā)的沉積材料915朝著構(gòu)成沉積靶的基板2穿過(guò)沉積源噴嘴單元920。如上所述，沉積源噴嘴單元920包括沿著Y軸方向(即，基板2的掃描方向)布置的多個(gè)沉積源噴嘴921。在一個(gè)實(shí)施例中，沿著X軸方向僅一行沉積源噴嘴921，因此在基板2上可以沒(méi)有形成陰影區(qū)。此外，由于多個(gè)沉積源噴嘴921沿著基底2的掃描方向布置，所以即使沉積源噴嘴921之間的流量存在差異，但是該差異可以被補(bǔ)償并且可使沉積均勻性保持恒定。
[0208]另外，基板2在被靜電卡盤(pán)600固定的狀態(tài)下相對(duì)沉積設(shè)備900移動(dòng)，因此，可以執(zhí)行沉積工藝。
[0209]此外，盡管圖12中未示出，但是可以根據(jù)本實(shí)施例設(shè)置多個(gè)沉積設(shè)備900，使得在基板2可以順序地穿過(guò)每個(gè)沉積設(shè)備900的同時(shí)執(zhí)行沉積。另外，與先前描述的實(shí)施例相似，在框架935和臺(tái)階960之間可以形成分離區(qū)域(SA)。
[0210]圖13是示出圖4中示出的有機(jī)層沉積設(shè)備的圖案化縫隙片中以等間距形成的圖案化縫隙的圖，圖14是示出通過(guò)圖13中示出的圖案化縫隙片形成在基板上的沉積層的圖。
[0211]圖13和圖14示出了其中圖案化縫隙131以相等間距布置的圖案化縫隙片130。即，在圖13中，圖案化縫隙131滿足以下條件:11=12=13=14。
[0212]在這個(gè)實(shí)施例中，沿著沉積空間S的中線C排放的沉積材料的入射角基本上垂直于基板2。因此，利用已經(jīng)穿過(guò)圖案化縫隙131a的沉積材料形成的沉積層Pl具有最小尺寸的陰影，右側(cè)陰影SRl和左側(cè)陰影SLl形成為彼此對(duì)稱。這里，沉積空間S是通過(guò)利用圖案化縫隙131將沉積圖案形成在基板2上的空間。
[0213]然而，穿過(guò)設(shè)置成距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料的臨界入射角Θ逐漸增大，因此，穿過(guò)最外側(cè)圖案化縫隙131e的沉積材料的臨界入射角Θ為大約55°。因此，沉積材料以相對(duì)于圖案化縫隙131e傾斜的方式入射，利用已經(jīng)穿過(guò)圖案化縫隙131e的沉積材料形成的沉積層P5具有最大的陰影。具體地講，左側(cè)陰影SL5比右側(cè)陰影SR5大。
[0214]即，隨著沉積材料的臨界入射角Θ增大，陰影的尺寸也增大。具體地講，在距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸增大。另外，隨著沉積空間S的中線C與各圖案化縫隙之間的距離增加，沉積材料的臨界入射角Θ增大。因此，利用穿過(guò)設(shè)置為距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料形成的有機(jī)層具有較大的陰影尺寸。具體地講，各有機(jī)層的兩側(cè)上的陰影之中，距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸大于其他位置處的陰影的尺寸。
[0215]即，參照?qǐng)D14，形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的沉積層具有左側(cè)斜邊大于右側(cè)斜邊的結(jié)構(gòu)，形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的沉積層具有右側(cè)斜邊大于左側(cè)斜邊的結(jié)構(gòu)。
[0216]另外，在形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層中，左側(cè)斜邊的長(zhǎng)度朝向左側(cè)增加。在形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層中，右側(cè)斜邊的長(zhǎng)度朝向右側(cè)增加。結(jié)果，在沉積空間S中形成的沉積層可以形成為關(guān)于沉積空間S的中線C彼此對(duì)稱。
[0217]關(guān)于這一點(diǎn)，臨界入射角滿足下面的條件:Θ b〈 Θ?！?Θ d〈 Θ e，因此，有機(jī)層的陰影尺寸也滿足下面的條件AL^SI^SLySLZSLp
[0218]圖15是通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備20的剖視圖。
[0219]下面將更詳細(xì)地描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備20。
[0220]緩沖層22形成在基板2上。基板2可以由玻璃材料、有彈性的塑料材料或其他各種材料形成。緩沖層22防止雜質(zhì)滲透到基板2中并使基板2平坦化，并且可以由能夠執(zhí)行上面功能的各種材料形成。緩沖層22不是必要元件，因此，可以省略。
[0221]設(shè)定的或預(yù)設(shè)的圖案的有源層23形成在緩沖層22上。有源層23可以由諸如非晶硅或多晶硅的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體或半導(dǎo)體氧化物形成。
[0222]柵極絕緣層24形成在有源層23上，柵電極25形成在柵極絕緣層24上的設(shè)定的或預(yù)設(shè)的區(qū)域上。柵極絕緣層24形成為使有源層23與柵電極25彼此絕緣，并且可以由有機(jī)材料或諸如SiNx和S12的無(wú)機(jī)材料形成。
[0223]柵電極25可以包括Au、Ag、Cu、N1、Pt、Pd、Al、Mo或諸如Al: Nd合金或Mo: W合金的合金；然而，本發(fā)明不限于，即，考慮到能夠粘附到鄰近的層、平整度、電阻和加工性，柵電極25可以由各種材料形成。
[0224]層間介電層26形成在柵電極25上。層間介電層26和柵極絕緣層24形成為暴露有源層23的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，源電極27和漏電極28形成為接觸有源層23的被暴露的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
[0225]源電極27和漏電極28可以由各種導(dǎo)電材料形成為具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
[0226]鈍化層29形成在薄膜晶體管(TFT)上。具體地講，鈍化層29形成在源電極27和漏電極28上。
[0227]鈍化層29形成為暴露漏電極28的設(shè)定的或預(yù)設(shè)的區(qū)域，第一電極41形成為接觸漏電極28的暴露的區(qū)域。
[0228]像素限定層45在第一電極41上由絕緣材料形成。像素限定層45形成為暴露第一電極41的設(shè)定的或預(yù)定的區(qū)域，包括有機(jī)發(fā)射層的中間層43形成為接觸第一電極41的暴露的部分。此外，第二電極42形成為接觸中間層43。
[0229]包括有機(jī)發(fā)射層的中間層可以由低分子量的有機(jī)材料或高分子量的有機(jī)材料形成。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層由低分子量的有機(jī)材料形成時(shí)，可以形成包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
[0230]這里，包括有機(jī)發(fā)射層的中間層43可以由上面描述的沉積設(shè)備1、1’、1’’、1000、700、800 或 900 形成。
[0231]即，在第一電極41形成在基板2上并形成像素限定層45之后，中間層43可以通過(guò)利用上面描述的沉積設(shè)備1、1’、1’’、1000、700、800或900形成。
[0232]具體地講，當(dāng)利用圖4中示出的沉積設(shè)備1000時(shí)，通過(guò)利用沉積設(shè)備1000中的多個(gè)沉積組件100-1至100-11可以在基板2上使紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層、藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層和輔助發(fā)射層順序地形成在第一電極41上。
[0233]第一電極41可以包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZ0)、Zn0、In2O3、或Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr 及其混合物。
[0234]第二電極42可以包括L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它們的混合物或ΙΤ0、IZO、ZnO、In2O30
[0235]密封構(gòu)件可以設(shè)置在第二電極42上。密封構(gòu)件形成為保護(hù)中間層43或抵抗外部濕氣或氧的其他層，并且可以由塑料材料或有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的堆疊物質(zhì)形成。
[0236]根據(jù)本發(fā)明的沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，可以容易地提高沉積層的特性。
[0237]盡管已經(jīng)具體地示出并參照本發(fā)明的一些示例實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在基板上沉積沉積材料的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括: 沉積源，面對(duì)基板并被構(gòu)造成排出沉積材料； 圖案化縫隙片，面對(duì)基板并包括被構(gòu)造成以期望的圖案沉積沉積材料的圖案化縫隙； 框架，接合到圖案化縫隙片；以及 臺(tái)階，結(jié)合到框架，以支撐框架， 其中，分離區(qū)域形成在框架和臺(tái)階之間。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，分離區(qū)域在框架和臺(tái)階之間形成為鄰近于框架和臺(tái)階的結(jié)合區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，框架和臺(tái)階通過(guò)多個(gè)結(jié)合構(gòu)件彼此結(jié)合，分離區(qū)域是在框架和臺(tái)階之間通過(guò)所述多個(gè)結(jié)合構(gòu)件形成的空間。
4.如權(quán)利要求3所述的沉積設(shè)備，其中，每個(gè)結(jié)合構(gòu)件形成為球形。
5.如權(quán)利要求3所述的沉積設(shè)備，其中，每個(gè)結(jié)合構(gòu)件為焊球。
6.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，分離區(qū)域在框架的鄰近于結(jié)合到臺(tái)階的表面的一部分的表面中形成為凹槽。
7.如權(quán)利要求1所述的沉 積設(shè)備，其中，分離區(qū)域在臺(tái)階的鄰近于結(jié)合到框架的表面的一部分的表面中形成為凹槽。
8.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，臺(tái)階在被接合到框架的狀態(tài)下操作，使圖案化縫隙片相對(duì)于基板對(duì)準(zhǔn)。
9.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，臺(tái)階包括: 第一臺(tái)階，被構(gòu)造成使圖案化縫隙片沿著第一方向和與第一方向交叉的第二方向移動(dòng)；以及 第二臺(tái)階，位于第一臺(tái)階上并結(jié)合到框架，以使圖案化縫隙片沿著與第一方向和第二方向垂直的第三方向移動(dòng)。
10.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，一個(gè)或多個(gè)雜質(zhì)設(shè)置在分離區(qū)域中。
11.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括:屏蔽構(gòu)件，設(shè)置在沉積源和圖案化縫隙片之間，其中，屏蔽構(gòu)件形成為阻擋基板的至少一部分，并隨基板移動(dòng)。
12.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括:沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面，并包括多個(gè)沉積源噴嘴。
13.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，圖案化縫隙片沿著至少一個(gè)方向比基板小。
14.如權(quán)利要求12所述的沉積設(shè)備，其中，沉積源噴嘴沿著第一方向布置在沉積源噴嘴單元中，圖案化縫隙片包括沿著第一方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，沉積設(shè)備還包括阻擋板組件，所述阻擋板組件包括在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿著第一方向布置的多個(gè)阻擋板，從而將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分成多個(gè)沉積空間。
15.如權(quán)利要求14所述的沉積設(shè)備，其中，所述多個(gè)阻擋板中的每個(gè)沿著基本垂直于第一方向的第二方向延伸。
16.如權(quán)利要求14所述的沉積設(shè)備，其中，阻擋板組件包括具有多個(gè)第一阻擋板的第一阻擋板組件和具有多個(gè)第二阻擋板的第二阻擋板組件。
17.如權(quán)利要求16所述的沉積設(shè)備，其中，所述多個(gè)第一阻擋板中的每個(gè)和所述多個(gè)第二阻擋板中的每個(gè)沿著基本垂直于第一方向的第二方向形成，從而將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分成所述多個(gè)沉積空間。
18.如權(quán)利要求12所述的沉積設(shè)備，其中，沉積源噴嘴單元包括沿著第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴，圖案化縫隙片包括沿著垂直于第一方向的第二方向布置的多個(gè)圖案化縫隙。
19.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括: 輸送器單元，包括其上固定有基板的傳送單元，傳送單元被構(gòu)造為當(dāng)基板固定到傳送單兀上時(shí)移動(dòng)，輸送器單兀包括:第一輸送器單兀，沿著第一方向輸送傳送單兀；第二輸送器單元，在完成沉積工藝之后將從傳送單元去除基板的傳送單元輸送到第一方向的相反方向； 加載單元，被構(gòu)造成將基板固定在傳送單元上；以及 卸載單元，被構(gòu)造成將已經(jīng)對(duì)其執(zhí)行完沉積工藝的基板與傳送單元分離， 其中，傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間循環(huán)，固定在傳送單元上的基板在傳送單元被第一輸送器單元輸送的同時(shí)與圖案化縫隙片分離。
20.如權(quán)利要求19所述的沉積設(shè)備，其中，第一輸送器單元和第二輸送器單元中的一個(gè)布置在第一輸送器單兀和第二輸送器單兀中的另一個(gè)上方。
21.如權(quán)利要求19所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括: 室；以及 多個(gè)沉積組件，所述多個(gè)沉積組件布置在加載單元和卸載單元之間的室中，每個(gè)沉積組件包括各自的沉積源、圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階。
22.如權(quán)利要求21所述的沉積設(shè)備，其中，第一輸送器單元和第二輸送器單元設(shè)置在室中以穿過(guò)所述多個(gè)沉積組件。
23.如權(quán)利要求21所述的沉積設(shè)備，其中，第一輸送器單元順序地通過(guò)加載單元、沉積組件和卸載單元來(lái)輸送傳送單元。
24.如權(quán)利要求21所述的沉積設(shè)備，其中，第二輸送器單元順序地通過(guò)卸載單元、沉積組件和加載單元來(lái)輸送傳送單元。
25.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括:照相機(jī)，被構(gòu)造成檢測(cè)基板相對(duì)于圖案化縫隙片的相對(duì)位置。
26.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備還包括:傳感器，被構(gòu)造成測(cè)量基板和圖案化縫隙片之間的間隙。
27.一種通過(guò)利用沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在加載單元中將基板固定在傳送單元上； 經(jīng)由被安裝成穿過(guò)室的第一輸送器單元將其上固定有基板的傳送單元傳送到室中； 在設(shè)置在室內(nèi)的沉積組件與基板彼此分隔開(kāi)間隙的狀態(tài)下，在基板和沉積組件中的一個(gè)相對(duì)于另一個(gè)移動(dòng)的同時(shí)，通過(guò)在基板上沉積從沉積組件排出的沉積材料形成沉積層；在卸載單元中將其上沉積有沉積材料的基板與傳送單元分離；以及使與基板分離的傳送單元經(jīng)由被構(gòu)造成穿過(guò)室的第二輸送器單元輸送到加載單元，其中，沉積組件包括沉積源、圖案化縫隙片、接合到圖案化縫隙片的框架、結(jié)合到框架的臺(tái)階，基板和圖案化縫隙片通過(guò)利用臺(tái)階彼此對(duì)準(zhǔn)， 其中，在框架和臺(tái)階之間形成分離區(qū)域。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，沉積設(shè)備包括多個(gè)沉積組件，在基板穿過(guò)所述多個(gè)沉積組件的同時(shí)在基板上連續(xù)地執(zhí)行沉積，每個(gè)沉積組件包括各自的沉積源、圖案化縫隙片、框架和臺(tái)階。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述多個(gè)沉積組件中的每個(gè)排出彼此分離的沉積材料。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，傳送單元在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間循環(huán)。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，傳送單元在室中以與第一輸送器單元非接觸的方式被輸送。
32.—種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括: 基板； 第一電極，位于基板上； 中間層，在第一電極上并包括至少包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；以及 第二電極，位于中間層上， 其中，中間層中的至少一層通過(guò)沉積工藝形成，并且具有與沉積空間的中心距離越遠(yuǎn)的斜邊大于更靠近沉 積空間的中心的斜邊的結(jié)構(gòu)。
33.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，通過(guò)基板上的沉積工藝在基板上形成的至少一層具有線性圖案。
34.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，彼此分離的多個(gè)沉積層通過(guò)沉積工藝形成在基板上，隨著所述多個(gè)沉積層中的沉積層遠(yuǎn)離沉積空間的中心，遠(yuǎn)離沉積空間的中心的側(cè)面的斜邊逐漸增加。
35.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，彼此分離的多個(gè)沉積層通過(guò)沉積工藝形成在基板上，設(shè)置在所述多個(gè)沉積層的中心處的沉積層在相對(duì)的側(cè)面具有彼此基本相同的斜邊。
36.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，彼此分離的多個(gè)沉積層通過(guò)沉積工藝形成在基板上，所述多個(gè)沉積層基于沉積空間的中心對(duì)稱地設(shè)置。
37.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，基板具有40英寸或更大的尺寸。
38.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，通過(guò)沉積工藝形成在基板上的所述至少一層具有非均勻的厚度。
39.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，通過(guò)沉積形成在基板上的所述至少一層至少包括有機(jī)發(fā)射層。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104073761SQ201310472801
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】崔云鉉, 金京漢, 崔明煥, 吳京原 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司