一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，在制備新型氧化銦錫薄膜的過程中，首創(chuàng)使用高透光的含鈦元素的氧化銦錫薄膜，搭配中間層的銀或銀合金薄膜，形成三明治的多層薄膜結構設計。在適當?shù)暮穸瓤刂葡麓蠓档捅∧さ碾娮?，并提高薄膜在可見光的透光度，大幅提高了氧化銦錫薄膜在觸控屏及CIGS等薄膜光電池中的應用性，滿足了生產的要求。由于適合低溫度(＜150℃)鍍膜，所以可以應用于玻璃基材或者可撓性PET基材，擴大了應用范圍。電阻值可降低至5x10-5Ωcm以下，透光性可高達90％以上。
【專利說明】一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，屬于薄膜光電池、液晶電視及觸控屏的應用領域。
【背景技術】
[0002]隨著社會發(fā)展和科學技術的突飛猛進，人類對功能材料的需求日益迫切。新的功能材料已成為新技術和新興工業(yè)發(fā)展的關鍵。隨著顯示器、觸膜屏、半導體、太陽能等產業(yè)
的發(fā)展，一種新的功能材料-透明導電氧化物薄膜(transparent conducting oxide,簡
稱為TCO薄膜)隨之產生、發(fā)展起來。所謂透明導電薄膜是指一薄膜材料在可見光范圍內的透光率達到80%以上,而且導電性高,比電阻值低于1χ10_3Ω.cm ο習知Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等金屬，在形成3-15nm厚的薄膜時，都具有某種程度的透光性，都曾應用于透明薄膜電極。但這些金屬薄膜對光的吸收太大，硬度低且穩(wěn)定性差，因此漸漸發(fā)展成以金屬氧化物為透明導電薄膜材料(Transparent Conduction Oxide, TC0)為主,這類薄膜具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等共同光電特性，在太陽能電池、平面顯示、特殊功能窗口涂層及其它光電器件領域具有廣闊的應用前景。其中制備技術最成熟、應用最廣泛的當屬In2O3基(In2O3 =Sn簡稱ΙΤ0)薄膜。但是，由于ITO薄膜中In2O3價格昂貴，從而導致生產成本較高；非氧化銦系列的材料如氧化錫或者氧化鋅，近年也有相當多得研究，但目前在液晶電視及觸控屏等領域，這些新的導電薄膜材料性價比尚無法與氧化銦系列的材料相比擬。
[0003]為了獲得可見光譜區(qū)透射率高、電導率高、性能穩(wěn)定、附著性好、能符合不同用途不同要求的高質量的ITO膜，國內外已經研發(fā)出多種ITO薄膜的制備技術來調控和改善材料的性能。各種技術雖然各具特點但`都致力于完善薄膜性能、降低反應溫度、提高控制精度、簡化制備成本和適應大規(guī)模生產。目前主要有真空蒸鍍工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝、脈沖激光沉積(PLD)工藝、及真空濺鍍工藝等。為達大面積均勻性及量產性真空濺度的工藝是首選，因此薄膜濺鍍用鍍膜材料(靶材)的質量與性能就變得非常重要。隨著電子組件如液晶電視、觸控屏、薄膜太陽能電池等尺寸越來越大，如何獲得更高透光度與電性的ITO薄膜是當務之急。
[0004]靶材是具有固定形狀用于濺射鍍膜之母材。靶材若依材料分類可簡單地分為金屬與陶瓷兩大類，若依制程分類通?？纱舐詤^(qū)分為熔煉制程與粉末冶金制程兩大類。大多數(shù)金屬靶材采熔煉制程(Al，Sb，Bi，Cd，Ce，Co，Cu，Ge，Au，Hf, In，Ir, Fe，Pb，Mg，Ni，N1-Cr,N1-Fe，N1-V，Nb，Pd，Pt，Se，Si，Ag，Sn，Ti，V，Y，Zn，Zr)獲得，少數(shù)靶材鑒于使用時晶粒大小控制、合金成份熔點差距太大等諸因素才采用粉末冶金制程(As，B，Cr，Co，Mn，Mo，N1-Cr，Permalloy, Re，Ru，Te，W，90W_10Ti)。陶瓷靶材中只有 SiO2 與 ThF4, Na3AlF6 采熔煉制程，大多數(shù)采粉末冶金制程(壓制+燒結、熱壓、熱均壓)，包括氧化物(Al2O3, BaTi O3, PbTi O3,Ce O2, ΙΤ0, LiNbO3, SiO, Ta2O5, TiO2, ZrO2, Hf O2, MgO)，碳化物(SiC，TiC, TaC, WC)，硼化物(TiB2, Zr B2, LaB6),氮化物(Si3N4, TaN, TiN)，氟化物(CaF2, CeF3, MgF2)，硫化物(CdS，MoS2,TaS2),硒化物(CdSe，PbSe，MoSe)，碲化物(CdTe，MoTe)及硅化物(MoSi2, TaSi2, TiSi2, WSi2);其中氟化物、硫化物、硒化物與碲化物于制作與使用中可能產生毒性必須小心處理；碳化物，硼化物，氮化物其熔點皆十分高，通常以熱壓(相當高溫)方式制作。針對氧化物靶材傳統(tǒng)是用熱壓制程或者冷均壓再燒結制程，材料混合均勻性差，且燒結過程中應力分布不均，不易生產高密度大尺寸的氧化物靶材。
[0005]在大尺寸的觸控屏、液晶電視及CIGS薄膜太陽能電池的發(fā)展中透明導電膜(TCO)在大面積的導電性及透光度是關鍵，且TCO的透光度及電性一定程度影響電池的轉換效率及觸控屏的反應速率，傳統(tǒng)的ITO已漸漸無法滿足大尺寸產品在高透光及低電組的需求。且目前氧化銦系列透明導電膜仍存在可見光及長波長區(qū)域透光度較低及低溫鍍膜電性不佳等問題，需要熱處理才能獲的較佳的電性。由于傳統(tǒng)的Ι--(90%氧化銦)材料需在較高的溫度鍍膜才能達到較佳的電性，也不利于可撓性基材的使用。
[0006]

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明目的是提供一種制備導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍5_15nm的銀或銀合金薄膜，最后在濺鍍10_50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。氧化銦錫靶材中氧化錫質量分數(shù)含量在2-7%，余量為氧化銦，同時在氧化銦錫靶材中添加占總質量的0.1-2%的氧化鈦，以提高電載子移動性來提高透光性及導電性，并使得薄膜能夠在低溫狀態(tài)下濺鍍成膜，符合玻璃及各種可撓性基材得使用，提高濺鍍薄膜質量及性能，大幅提升了薄膜在可見光的透光度，形成一種高透光、低電阻及耐候性良好的透明導電的薄膜結構，符合液晶電視、觸控屏及CIG S薄膜太陽能的透明電極或者導線的生產需求。電阻值可降低至5xlO_5Qcm以下，透光性可高達90%以上。
[0008]所述氧化銦錫靶材優(yōu)選 氧化錫質量分數(shù)含量在2_4%，氧化鈦的質量分數(shù)含量0.1-1 %。
[0009]所述氧化銦錫靶材最優(yōu)選氧化錫質量分數(shù)含量在2.5%，氧化鈦的質量分數(shù)含量0.5 %。
[0010]濺鍍第一層和第三層氧化銦錫薄膜的還優(yōu)選厚度為10_20nm，銀或銀合金薄膜的厚度為6-8nm。
[0011]質量比為:氧化錫、氧化銦和氧化鈦粉末重:氧化錯球重:水重:分散劑重=1:3.0: 0.25:0.02。
[0012]分散劑為羧酸鹽類分散劑。
[0013]一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在玻璃先濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜,接著派鍍5_15nm的純銀或銀合金薄膜,最后在派鍍10_50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在2-7%氧化錫，并添加氧化鈦含量在0.1-2%，使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合相關氧化錫、氧化銦、氧化鈦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成三寸的自制氧化銦錫(ITiO)靶材。純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°c溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成3寸靶材備用。首先將玻璃基板、純銀靶材及氧化銦錫靶材放入真空濺鍍機中(臺灣北儒科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7\10_5-0.9\10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層10-50nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層5-15nm厚的純銀薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層10_50nm厚的氧化銦錫薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0014]一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在玻璃先濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜,接著派鍍5_15nm的純銀或銀合金薄膜,最后在派鍍10_50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在2-7%氧化錫，并添加氧化鈦含量在0.1-2%，使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合相關氧化錫、氧化銦、氧化鈦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成三寸的自制氧化銦錫(ITiO)靶材。銀合金靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀及純鈦顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成3寸Ag-0.5Τ?的靶材備用。首先將玻璃基板、銀鈦靶材及氧化銦錫靶材放入真空濺鍍機中(臺灣北儒科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7 X 10-5-0.9 X 10-5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10-3torr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層10_50nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層5-15nm厚的純銀薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層10-50nm厚的氧化銦錫薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0015]一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在玻璃先濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜,接著派鍍5_15nm的純銀或銀合金薄膜,最后在派鍍10_50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在2-7%氧化錫，并添加氧化鈦含量在0.1_2%，使用`氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合相關氧化錫、氧化銦、氧化鈦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成三寸的自制氧化銦錫(ITiO)靶材。銀合金靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀、純鈦及純銅顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成3寸Ag-0.5Τ?-1.0Cu的靶材備用。首先將玻璃基板、銀鈦靶材及氧化銦錫靶材放入真空濺鍍機中(臺灣北儒科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至
0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層10_50nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層5-15nm厚的純銀薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層10-50nm厚的氧化銦錫薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0016]一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在PET膠膜上面先濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍5_15nm的純銀或銀合金薄膜，最后在濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在2-7%氧化錫，并添加氧化鈦含量在0.1-2%，使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合相關氧化錫、氧化銦、氧化鈦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成尺寸700x100x6mm的氧化銦錫(ITiO)靶材。純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成尺寸700x100x6mm的靶材備用。首先將PET、純銀靶材及氧化銦錫(ITiO)靶材放入真空卷對卷的濺鍍機中(臺灣勤友科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，PET不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層10_50nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層5-15nm厚的純銀薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層10-50nm厚的氧化銦錫薄膜，即形成所需的PET/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0017]一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在PET膠膜上面先派鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜,接著派鍍5_15nm的銀鈦合金薄膜,最后在派鍍10_50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在2-7%氧化錫，并添加氧化鈦含量在0.1-2%，使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合相關氧化錫、氧化銦、氧化鈦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成尺寸700x100x6mm的氧化銦錫(ITiO)靶材。銀合金靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀及鈦顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成尺寸700x100x6mm的Ag-0.5Τ?靶材備用。首先將PET、銀鈦靶材及氧化銦錫靶材放入真空卷對卷的濺鍍機中(臺灣勤友科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_ 5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，PET不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層10_50nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層5-15nm厚的銀鈦薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層10-50nm厚的氧化銦錫薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0018]一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先在PET膠膜上面先濺鍍10_50nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍5_15nm的銀鈦銅合金薄膜，最后在濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜。自制氧化銦錫靶材控制氧化錫含量在
2-7%氧化錫，并添加氧化鈦含量在0.1-2%，使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合相關氧化錫、氧化銦、氧化鈦等粉末材料，研磨時間約24小時，然后將漿料灌入多孔性模具中，經過一段時間的干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成尺寸700x100x6mm的氧化銦錫(ITiO)靶材。銀合金靶材的制備使用周波爐，在1100°C溶解純銀、鈦及銅顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成尺寸700x100x6mm的Ag-0.5Τ?-1.0Cu靶材備用。首先將PET、銀鈦銅靶材及氧化銦錫靶材放入真空卷對卷的濺鍍機中(臺灣勤友科技)、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，PET不加熱。接著先以DC電源濺鍍第一層10_50nm厚的氧化銦錫薄膜，然后以DC電源濺鍍第二層5_15nm厚的銀鈦銅薄膜，最后以DC電源濺鍍第三層10-50nm厚的氧化銦錫薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0019]本發(fā)明的特點是在制備新型氧化銦錫薄膜的過程中，首創(chuàng)使用高透光的含鈦元素的氧化銦錫薄膜，搭配中間層的銀或銀合金薄膜，行程三明治的多層薄膜結構設計。在適當?shù)暮穸瓤刂葡麓蠓档捅∧さ碾娮?，并提高薄膜在可見光的透光度，大幅提高了氧化銦錫薄膜在觸控屏及CIGS等薄膜光電池中的應用性，滿足了生產的要求。由于適合低溫度(<150°C)鍍膜，所以可以應用于玻璃基材或者可撓性PET基材，擴大了應用范圍。電阻值可降低至5χ10_5Ω cm以下,透光性可高達90%以上。
[0020]【具體實施方式】:
實施例1:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、純銀靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2 X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的純銀薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0021]實施例2:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、純銀靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2 X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的純銀薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0022]實施例3:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、純銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0023]實施例4:一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0024]實施例5:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITi0多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0025]實施例6:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203 +3%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITi0多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0026]實施例7:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0027]實施例8:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的 Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO 多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0028]實施例9:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀(Ag)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。[0029]實施例10:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀(Ag)薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITi0/Ag/ITi0多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0030]實施例11:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0031]實施例12:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的 Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO 多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。[0032]實施例13:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、純銀靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2 X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的純銀薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0033]實施例14:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、純銀靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2 X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的純銀薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0034]實施例15:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、純銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0035]實施例16:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0036]實施例17:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0037]實施例18:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0038]實施例19:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+3%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量 測。
[0039]實施例20:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的 Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO 多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0040]實施例21:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀(Ag)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0041]實施例22:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀(Ag)薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0042]實施例23:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0043]實施例24:` 一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將玻璃基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的 Glass/ITiO/AgTiCu/ITiO 多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0044]實施例25:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、純銀靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2 X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的純銀薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的PET/ITi0/Ag/ITi0多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0045]實施例26:一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、純銀靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的純銀薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0046]實施例27:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、純銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0047]實施例28:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的 氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0048]實施例29:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0049]實施例30:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0050]實施例31:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0051]實施例32:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0052]實施例33:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀(Ag)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+0.5%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0053]實施例34:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀(Ag)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀(Ag)薄膜，第三層45nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/Ag/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。[0054]實施例35:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀鈦(Ag-0.5Ti)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦(Ag-0.5Ti)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTi/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0055]實施例36:
一種制備新型導電氧化銦錫薄膜的方法，采用多層結構設計，首先將PET基板、銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)靶材及氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X10_5-0.9X10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X10_3tOrr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源順序濺鍍第一層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，第二層IOnm厚的銀鈦銅(Ag-Ο.5Τ?-1.0Cu)薄膜，第三層20nm厚的氧化銦錫(In203+5%Sn02+l.0%Ti02)薄膜，即形成所需的PET/ITiO/AgTiCu/ITiO多層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0056]對比例1:
現(xiàn)有技術中制備導電氧化銦靶材的方法，將氧化銦中添加氧化錫10wt%，使用冷均壓成型及高溫燒結的方式制作坯體，然后加工成靶材。首先將玻璃基板及氧化銦錫(In203+10%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至
0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源濺鍍一層50nm厚的氧化銦錫(In203+10%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITO的層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0057]對比例2:
現(xiàn)有技術中制備導電氧化銦靶材的方法，將氧化銦中添加氧化錫10wt%，使用冷均壓成型及高溫燒結的方式制作坯體，然后加工成靶材。首先將PET基板及氧化銦錫(In203+10%Sn02)靶材放入真空濺鍍機中、真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至
0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3torr，玻璃基板不加熱。接著以DC電源濺鍍一層50nm厚的氧化銦錫(In203+10%Sn02)薄膜，即形成所需的Glass/ITO的層膜結構，然后使用可見光譜儀進行透光度量測，使用四點探針電阻測試儀進行電性的量測。
[0058]各實施例和對比例制得的透明導電氧化銦錫薄膜的性能如下表所示:
【權利要求】
1.一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于: 氧化銦錫靶材中氧化錫質量分數(shù)含量在2-7%，余量為氧化銦，同時在氧化銦錫靶材中添加占總質量的0.1-2%的氧化鈦，然后使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合氧化錫、氧化銦、氧化鈦粉末材料，研磨時間24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經過干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550度的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體； 成膜工藝:濺鍍薄膜時采用三明治結構，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍10-50nm的氧化銦錫薄膜，接著濺鍍5-15nm的銀或銀合金薄膜，最后在濺鍍10-50 nm的氧化銦錫薄膜，形成三明治結構的薄膜，使得薄膜在〈150°C狀態(tài)下濺鍍成膜。
2.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于質量比為:氧化錫、氧化銦和氧化鈦粉末重:氧化鋯球重:水重:分散劑重=1:3.0:0.25:0.02。
3.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于分散劑為羧酸鹽類分散劑。
4.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于濺鍍第一層和第三層氧化銦錫薄膜的優(yōu)選厚度為10-30nm，銀或銀合金薄膜的厚度為5_10nmo
5.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于純銀靶材的制備使用周波爐，在1100°c溶解純銀顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成靶材備用。
6.根據權利要求1所述的一種 制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于:將玻璃或者PET基板、純銀靶材及氧化銦錫靶材放入真空濺鍍機中，真空抽氣系統(tǒng)將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7X 10_5-0.9X 10_5 torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節(jié)流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2X 10_3tOrr，玻璃基板不加熱。
7.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于:銀合金為 Ag-0.5Τ? 或 Ag-0.5Τ?-1.0Cu0
8.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于:所述氧化銦錫靶材優(yōu)選氧化錫質量分數(shù)含量在3-5%，氧化鈦的質量分數(shù)含量0.1-1 %。
9.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于:所述氧化銦錫靶材最優(yōu)選氧化錫質量分數(shù)含量在4.5%，氧化鈦的質量分數(shù)含量0.5 %。
10.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫材料及其薄膜的方法，其特征在于:濺鍍第一層和第三層氧化銦錫薄膜的還優(yōu)選厚度為10-20nm，銀或銀合金薄膜的厚度為6_8nm。
【文檔編號】B22F3/22GK103510047SQ201310494754
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年10月21日 優(yōu)先權日:2013年10月21日
【發(fā)明者】黃信二 申請人:研創(chuàng)應用材料（贛州）有限公司