一種掩模板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于：所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角為30°～60°。本發(fā)明還提供了一種掩模板的制作方法，通過電鑄和激光切割混合工藝制作掩模板，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°～60°的夾角，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，很好地解決了現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍孔開口精度不高以及蒸鍍孔孔壁對蒸鍍材料的遮擋的問題。
【專利說明】一種掩模板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一掩模板及其制作方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術(shù)。
[0003]制作有機(jī)發(fā)光二極管顯示器時(shí)需要用到蒸鍍用的掩模板，通常電鑄工藝制作掩模板的蒸鍍孔與掩模板板面垂直，蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料產(chǎn)生遮蔽現(xiàn)象，如圖1所示，10為掩模板，11為蒸鍍孔，12為沉積基板，當(dāng)鍍源材料發(fā)射路線與掩模板板面的角度小于δ時(shí)，蒸鍍孔11的孔壁就會對材料產(chǎn)生遮擋，致使有機(jī)材料層的厚度不均勻，從而影響蒸鍍質(zhì)量。
[0004]而通過激光切割工藝制作掩模板時(shí)，切割蒸鍍孔具有一定的角度但蒸鍍孔的精度不高，同樣會影響到掩模板的質(zhì)量。
[0005]本發(fā)明主要是針對以上問題提出一種掩模板及其制作方法，較好的解決以上所述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種掩模板及其制作方法，提高掩模板的蒸鍍孔的精度，減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋。
[0007]本發(fā)明提供一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于:所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。
[0008]進(jìn)一步地，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角為30°~60°。
[0009]進(jìn)一步地，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面垂直。
[0010]進(jìn)一步地，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角為60°~90°。
[0011]進(jìn)一步地，掩模板蒸鍍面的厚度為10~50μπι。
[0012]進(jìn)一步地，掩模板ITO面的厚度為2~30 μ m。
[0013]進(jìn)一步地，掩模板的總厚度為12~80 μ m。
[0014]本發(fā)明還提供了一種制作上述所述掩模板的方法，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于:
所述電鑄步驟形成所述掩模板本體以及形成在所述掩模板本體上的通孔，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區(qū)域，形成所述蒸鍍孔。[0015]進(jìn)一步地，激光切割步驟中激光頭的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角調(diào)整范圍為30°~60°。
[0016]進(jìn)一步地，電鑄步驟中形成的掩模板本體的厚度為12~80 μ m，所述激光切割步驟中切除所述掩模板本體的厚度為2~30 μ m。
[0017]本發(fā)明的有益效果在于，通過本發(fā)明提供的掩模板及其制作方法，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°~60°的夾角，通過電鑄步驟和激光切割步驟相結(jié)合形成的蒸鍍孔，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋、提高蒸鍍孔的精度，很好地解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。
[0018]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中利用掩模板蒸鍍有機(jī)材料的截面示意圖；
圖2所示為本發(fā)明提供的掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3所示為圖2中沿A-A方向的一種結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
圖4所示為圖2中沿A-A方向的另一種結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
圖5所示為本發(fā)明完成貼膜步驟的截面示意圖；` 圖6所示為本發(fā)明完成曝光步驟的截面示意圖；
圖7所示為本發(fā)明完成顯影步驟的截面示意圖；
圖8所示為本發(fā)明完成電鑄步驟的截面示意圖；
圖9所示為本發(fā)明完成剝離驟的截面放大示意圖；
圖10所示為本發(fā)明完成激光切割驟的截面放大示意圖；
圖1中，10為掩模板，11為蒸鍍孔，12為沉積基板，δ為蒸鍍源材料發(fā)射路線與掩模板板面的角度；
圖2中，20為掩模板整體，21為蒸鍍孔，22為掩模板本體，A-A為待解剖觀測方向；
圖3中，Θ蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角，I為掩模板的ITO面，2為掩模板的蒸鍍面，t為掩模板的總厚度，tl為掩模板ITO面的厚度，t2為掩模板蒸鍍面的厚度；
圖4中，β為ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角；
圖5中，50為芯模，51為膜；
圖6中，60為曝光膜；
圖7中，70為露出的芯模區(qū)域；
圖9中，90為通孔；
圖10中，100為激光頭，α為中激光頭的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角。
[0020]【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖2~圖4所示，提供了一種掩模板，包括掩模板本體22及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔21，所述蒸鍍孔21貫穿所述掩模板本體22，其特征在于:所述掩模板20包括蒸鍍面(圖3中2代表蒸鍍面)和ITO面(圖3中I代表1TO面)，在所述蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。
[0023]另外，根據(jù)本發(fā)明公開的一種掩模板還具有如下附加技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖3所示，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體22的板面的夾角Θ為30°~60°。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖3所示，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體22的板面垂直。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖4所示，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體22的板面的夾角β為60°~90°。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖3所示，掩模板22蒸鍍面的厚度t2為10~50 μ m。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖3所示，掩模板ITO面的厚度tl為2~30μπι。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖3所示，掩模板的總厚度t為12~80 μ m。
`[0029]本發(fā)明還提供了一種制作上述所述掩模板的方法，如圖5~圖10所示，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于:
所述電鑄步驟形成所述掩模板本體22以及形成在所述掩模板本體上的通孔90，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區(qū)域，形成所述蒸鍍孔21。
[0030]下面詳細(xì)描述掩模板制作方法的具體步驟，包括:
51、芯模貼膜步驟:如圖5所示，將膜51壓貼或涂覆到芯模50的一面；
52、曝光步驟:如圖6所示，將芯模50貼膜的一面按預(yù)設(shè)的曝光圖案進(jìn)行曝光，形成曝光膜60和未曝光膜區(qū)域；
53、顯影步驟:如圖7所示，經(jīng)顯影步驟去除未曝光膜區(qū)域的膜，使對應(yīng)未曝光膜區(qū)域的芯模區(qū)域70露出，曝光膜60繼續(xù)保留；
54、電鑄步驟:如圖8所示，經(jīng)電鑄步驟在露出的芯模區(qū)域70形成電鑄層22(電鑄層即為掩模板本體)，在曝光膜60區(qū)域形成通孔90 ；
55、后處理步驟:后處理步驟包括剝離步驟，經(jīng)剝離步驟將電鑄層(即掩模板本體22)從芯模50上剝離下來,如圖9所示；
56、激光切割步驟:如圖10所示，通過激光切割步驟切除掩模板蒸鍍面通孔90的周邊區(qū)域，形成蒸鍍孔21。
[0031]另外，根據(jù)本發(fā)明公開的一種制作掩模板的方法還具有如下附加技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖10所示，激光切割步驟中激光頭100的激光發(fā)射路線
與掩模板本體22板面之間的夾角α調(diào)整范圍為30°~60°。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖8~圖9所示，電鑄步驟中形成的掩模板本體22的厚度t為12~80 μ m。[0033]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖10所示，激光切割步驟中切除(切除掩模板蒸鍍面的通孔90的周邊區(qū)域)掩模板本體22的厚度t2為2~30 μ m。
[0034]本發(fā)明提供的掩模板及其制作方法，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔21的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°~60°的夾角，通過電鑄步驟和激光切割步驟相結(jié)合形成的蒸鍍孔21，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，很好地解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。
[0035]盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示意性實(shí)施例對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。`
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于:所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角為30°~60°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述ITO面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述ITO面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角為60°~90°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板蒸鍍面的厚度為10~50 μ m0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板ITO面的厚度為2~30μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板的總厚度為12~80μπι。
8.一種制作權(quán)利要求1~7任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述掩模板的方法，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于: 所述電鑄步驟形成所述掩模板本體以及形成在所述掩模板本體上的通孔，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區(qū)域，形成所述蒸鍍孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述激光切割步驟中激光頭的激光發(fā)射路線與所述掩模板本體板面之間的夾角調(diào)整范圍為30°~60°。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述電鑄步驟中形成的所述掩模板本體的厚度為12~80 μ m，所述激光切割步驟中切除所述掩模板本體的厚度為2 ~30 μ m0
【文檔編號】C23C14/04GK103556112SQ201310523520
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 趙錄軍, 許鐳芳 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司