平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，包括：A、直流電源濺射Cu靶，在玻璃基板上磁控濺射Cu層；B、交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在所述Cu層上磁控濺射第一Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述Al2O3陶瓷靶中摻30-45%的鎢；C、交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟B中所述第一Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射第二Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中摻10-25%的鎢；D、交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中第二Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射SiO2層。本發(fā)明的目的提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對較低的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法。
【專利說明】平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法。
【背景技術(shù)】 [0002]現(xiàn)有的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜其結(jié)構(gòu)相對比較復(fù)雜，制備工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對較低的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法。
[0004]為了達到上述目的，本發(fā)明采用以下方案:
[0005]一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0006]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Cu靶，在玻璃基板上磁控濺射Cu層；
[0007]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟A中所述Cu層上磁控濺射第一Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述Al2O3陶瓷靶中摻30-45%的鶴;
[0008]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟B中所述第一Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射第二Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中摻10-25%的鎢；
[0009]D、采用用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中第二 Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射SiO2層。
[0010]如上所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟A中所述Cu層的厚度為200nm。
[0011]如上所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟A中采用四個陰極濺射，每個陰極功率約60KW。
[0012]如上所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟D中所述SiO2層的厚度為80nm。
[0013]如上所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟D中所述硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，氬氣與氧氣的體積比為1:2，交流電源的濺射功率為50~75KW。
[0014]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0015]本發(fā)明工藝方法簡單，操作方便，生產(chǎn)成本相對較低。用本發(fā)明方法制備的太陽能熱水器與管式太陽能熱水器相比:占地面積小、美觀；吸熱高；基板采用不銹鋼，不易損壞。
【具體實施方式】[0016]下面結(jié)合【具體實施方式】對本發(fā)明做進一步描述:
[0017]實施例1
[0018]本發(fā)明一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，包括以下步驟:
[0019]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,直流電源濺射Cu靶，在玻璃基板上磁控濺射Cu層；所述Cu層的厚度為200nm。采用四個陰極濺射，每個陰極功率約60KW。
[0020]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟A中所述Cu層上磁控濺射第一 Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述Al2O3陶瓷靶中摻30%的鎢；
[0021]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟B中所述第一Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射第二Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中摻10%的鎢；
[0022]D、采用用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中第二 Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射SiO2層。所述SiO2層的厚度為80nm，所述硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500sccm:1000sccm，交流電源的濺射功率為50KW。
[0023]實施例2
[0024]本發(fā)明一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，包括以下步驟:
[0025]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,直流電源濺射Cu靶，在玻璃基板上磁控濺射Cu層；所述Cu層的厚度為200nm。采用四個陰極濺射，每個陰極功率約60KW。
[0026]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟A中所述Cu層上磁控濺射第一 Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述Al2O3陶瓷靶中摻35%的鎢；
[0027]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟B中所述第一Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射第二Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中摻15%的鎢；
[0028]D、采用用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中第二 Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射SiO2層。所述SiO2層的厚度為80nm，所述硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500sccm:1OOOsccm,交流電源的派射功率為65KW。
[0029]實施例3
[0030]本發(fā)明一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，包括以下步驟:
[0031]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為1000sccm,直流電源濺射Cu靶，在玻璃基板上磁控濺射Cu層；所述Cu層的厚度為200nm。采用四個陰極濺射，每個陰極功率約60KW。[0032]B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟A中所述Cu層上磁控濺射第一 Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述Al2O3陶瓷靶中摻45%的鎢；
[0033]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，其中氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟B中所述第一Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射第二Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中摻25%的鎢；
[0034]D、采用用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中第二 Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射SiO2層。所述SiO2層的厚度為80nm，所述硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，氬氣與氧氣的體積比為1:2，即氬氣與氧氣的體積流量比為500SCCm: lOOOsccm，交流電源的濺射功率為75KW。
[0035]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于包括以下步驟:
A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射Cu靶，在玻璃基板上磁控濺射Cu層； B、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟A中所述Cu層上磁控濺射第一 Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述Al2O3陶瓷靶中摻30-45%的鎢； C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鎢Al2O3金屬陶瓷靶，在步驟B中所述第一Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射第二 Al2O3金屬陶瓷層，其中按質(zhì)量百分比所述的Al2O3陶瓷靶中摻10-25%的鎢； D、采用用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟C中第二 Al2O3金屬陶瓷層上磁控濺射SiO2層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟A中所述Cu層的厚度為200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟A中采用四個陰極濺射，每個陰極功率約60KW。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟D中所述SiO2層的厚度為80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板太陽能熱水器吸熱元件用的選擇性吸收膜制備方法，其特征在于步驟D中所述硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，氬氣與氧氣的體積比為1:2，交流電源的濺射功率為50~75KW。
【文檔編號】C23C14/16GK103613288SQ201310571174
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年11月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月16日
【發(fā)明者】陳路玉 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司