一種熒光燈用汞合金及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種熒光燈用汞合金，包括內(nèi)核、汞合金層和包膜層，所述內(nèi)核的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200℃的基底材料；所述汞合金層或/和所述包膜層含有錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種；其中，所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。相應(yīng)的，本發(fā)明還公開(kāi)了一種熒光燈用汞合金的制備方法。采用本發(fā)明，既能滿足熒光燈長(zhǎng)期存放后光通上升特性好、顆粒大、且表面不溢汞粘連的熒光燈用汞合金。
【專利說(shuō)明】一種熒光燈用汞合金及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及汞合金【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種熒光燈用汞合金及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低氣壓汞放電燈利用汞激發(fā)產(chǎn)生紫外光，紫外光用于殺菌或轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光用于照明。汞是有毒金屬，且常溫下易揮發(fā)，隨著全球環(huán)保意識(shí)的加強(qiáng)，已普遍使用汞合金代替液汞，嚴(yán)格控制燈內(nèi)含汞量，減少汞污染。
[0003]現(xiàn)時(shí)使用的Zn-Hg、Zn-Sn-Hg> Sn-Hg> B1-Sn-Hg等萊合金,這些萊合金常溫下的飽和萊蒸汽壓低于液萊的飽和萊蒸汽壓，萊合金中存在著Hg2Zn3、HgZn3> HgSn6> Hg3Sn2。、HgSn16, HgSn39等化合物，在燈熄滅后放電腔體內(nèi)游離的汞原子回吸到汞合金內(nèi)，燈長(zhǎng)時(shí)間熄滅后游離的汞原子大幅減少，再次重新點(diǎn)燈時(shí)，潘寧放電效應(yīng)差，燈啟動(dòng)困難，燈啟動(dòng)瞬間由于汞原子濃度低(汞蒸氣壓低)，燈的紫外輻射效率低，瞬時(shí)光通百分比(瞬時(shí)光通量與最大光通量之比)低，同時(shí)由于汞合金被加溫及放出汞原子均需要時(shí)間，光通百分比達(dá)到80%的爬升時(shí)間長(zhǎng)，燈長(zhǎng)時(shí)間發(fā)暗，即亮得慢，尤其是冬天，管路長(zhǎng)的低壓汞放電燈暗管現(xiàn)象非常明顯。瞬時(shí)光通百分比、爬升時(shí)間統(tǒng)稱為燈的啟動(dòng)爬升特性。目前常用汞合金配方如:Znl5%-Sn35%-Hg50% (金屬后面的百分比表示對(duì)應(yīng)該金屬的質(zhì)量百分比)、Zn35%-Snl5%-Hg50%、Sn80%_Hg20%、Bi50%-Sn35%-Hgl5%,它們均存在燈長(zhǎng)期存放后亮得慢的問(wèn)題。
[0004]裸露式節(jié)能燈、直管熒光燈、環(huán)形熒光燈均需要使用既能嚴(yán)格控制燈內(nèi)含汞量，又能有助于低溫啟動(dòng)，快速提高燈啟動(dòng)爬升特性的汞合金。熒光燈“亮得慢”是相對(duì)白熾燈及LED的另一缺陷，未來(lái)低壓汞放電燈內(nèi)汞含量將進(jìn)一步大幅降低，同時(shí)要求燈“亮得快”，由此對(duì)汞合金提出了新的要求。
[0005]當(dāng)燈內(nèi)含萊量降至1.0mg/支、0.5mg/支時(shí),采用高含萊比例的萊合金,如Zn-Hg(50%)、Zn-Sn-Hg (50%)、Sn-Hg (50%)等由于顆粒太小，外置于放電腔體困難，一般只能將汞合金內(nèi)置于放電腔體內(nèi)，盡管顆粒較小，但惡劣的道路顛簸或儲(chǔ)運(yùn)中的搬動(dòng)，仍會(huì)導(dǎo)致熒光粉的劃傷剝落。需要采用汞合金外置于放電腔體的方式，避免劃粉。
[0006]現(xiàn)有內(nèi)核鋅汞合金(含汞重量百分比為50%)、鋅錫汞合金(含汞重量百分比為20-30%)具有顆粒大、熔融溫度高，有利于將汞合金外置于放電腔體的優(yōu)點(diǎn)，但存在燈長(zhǎng)時(shí)間存放后爬升慢的缺陷；內(nèi)置于放電腔體內(nèi)的錫汞合金(含汞重量百分比為40-50%)具有長(zhǎng)時(shí)間存放后爬升快的優(yōu)點(diǎn)，但在運(yùn)輸過(guò)程中仍會(huì)導(dǎo)致燈管內(nèi)壁劃粉現(xiàn)象。
[0007]鋅錫汞合金、錫汞合金目前也多存在表面溢汞粘連問(wèn)題，批量使用仍有待改進(jìn)。
[0008]綜上所述，現(xiàn)有的內(nèi)核鋅汞合金、鋅錫汞合金、內(nèi)置錫汞合金材料均存在缺陷，不能同時(shí)滿足熒光燈用汞合金對(duì)爬升特性好、顆粒大、表面不溢汞粘連等要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種既能滿足熒光燈長(zhǎng)期存放后光通上升特性好、顆粒大、熔融溫度高且表面不溢汞粘連的熒光燈用汞合金。
[0010]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題還在于，提供一種制備上述熒光燈用汞合金的方法。
[0011]為達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明提供了一種熒光燈用汞合金，包括內(nèi)核、汞合金層和包膜層，所述內(nèi)核的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°c的基底材料；
[0012]所述汞合金層或/和所述包膜層含有錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種；
[0013]其中，所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。
[0014]作為上述方案的改進(jìn)，所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-42%、或42.01-44%、或 44.01%_46%、或 46.01%_48%、或 48.01%_50%、或 50.01%_52%、或 52.01%_55%。
[0015]作為上述方案的改進(jìn)，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-40%、或40.01-42%、或 42.01%-44%、或 44.01%_46%、或 46.01%_48%、或 48.01%_50%、或 50.01%_52%、或 52.01%-54%、或 54.01%_56%、或 56.01%_58%。
[0016]作為上述方案的改進(jìn)，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-1%、或
1.01-2%、或 2.01%-3%、或 3.01%-4%、或 4.01%_5%、或 5.01_6%、或 6.01_7%、或 7.01_8%。
[0017]作為上述方案的改進(jìn)，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-1%、或
1.01-2%、或 2.01%-3%、或 3.01%-4%。
[0018]作為上述方案的改進(jìn)，所述汞合金層不含有銀，所述包膜層含有銀。
[0019]作為上述方案的改進(jìn)，所述汞合金層含有汞和錫。
[0020]作為上述方案的改進(jìn)，所述汞合金為球體，直徑為0.8-2.5mm。
[0021]作為上述方案的改進(jìn)，所述內(nèi)核為無(wú)機(jī)材料，所述無(wú)機(jī)材料包括金屬材料、非金屬材料，其中，所述金屬材料選用鐵和/或鋼，所述非金屬材料選用由玻璃、陶瓷、碳、硅組成的材料。
[0022]作為上述方案的改進(jìn)，所述包膜層含有錫汞合金、銀汞合金、銅汞合金中的一種或幾種。
[0023]作為上述方案的改進(jìn)，所述包膜層含有錫、錫合金、銀、銀合金、銅、銅合金、氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
[0024]作為上述方案的改進(jìn)，所述包膜層的最外層含有氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
[0025]作為上述方案的改進(jìn)，所述內(nèi)核和所述汞合金層間還含有過(guò)渡層，所述過(guò)渡層是通過(guò)工藝設(shè)置或合金材料自然形成。
[0026]作為上述方案的改進(jìn)，所述過(guò)渡層為含有鎵的金屬。
[0027]作為上述方案的改進(jìn)，所述過(guò)渡層為含有鋅的金屬。
[0028]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種制備上述的熒光燈用汞合金的方法，包括:
[0029]加入內(nèi)核、汞合金材料和無(wú)機(jī)粘合材料，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述內(nèi)核的表面形成汞合金層；
[0030]將形成汞合金層的所述內(nèi)核置于包膜材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述汞合金層的表面形成包膜層，得到汞合金成品；
[0031]其中，所述內(nèi)核的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°C的基底材料；所述汞合金層或/和所述包膜層含有金屬錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種；所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。
[0032]作為上述方案的改進(jìn)，所述無(wú)機(jī)粘合材料為納米氧化鋁、氧化硅、硅粉、碳粉的中的一種或多種，所述娃粉、碳粉的粒徑范圍為1.5um-10um。
[0033]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了另一種制備上述的熒光燈用汞合金的方法，包括:
[0034]一、將內(nèi)核置于化學(xué)鍍液中涂覆過(guò)渡層，所述化學(xué)鍍液包含鎵、鋅、錫中的一種或多種；
[0035]二、將涂覆有過(guò)渡層的所述內(nèi)核置于汞合金材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述過(guò)渡層的表面形成萊合金層；
[0036]三、將形成汞合金層的所述內(nèi)核置于包膜材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述汞合金層的表面形成包膜層，得到汞合金成品；
[0037]其中，所述內(nèi)核的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°C的基底材料；所述汞合金層或/和所述包膜層含有金屬錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種；所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。作為上述方案的改進(jìn)，
[0038]作為上述方案的改進(jìn)，步驟一中，所述內(nèi)核經(jīng)過(guò)化學(xué)鍍液涂覆過(guò)渡層后，還經(jīng)過(guò)有機(jī)溶劑脫水及烘干處理。
[0039]作為上述方案的改進(jìn)，步驟二、三中，所述機(jī)械滾磨在內(nèi)部充有惰性氣體的容器中進(jìn)行，所述容器的環(huán)境溫度為20-100°C。
[0040]作為上述方案的改進(jìn)，步驟三中，所述包膜材料為含有錫粉、錫合金粉、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉、氧化鈦粉、氧化鋁粉、氧化硅粉、氧化鋯粉、氧化鐿粉、氧化釔粉中兩種或兩種以上的粉體；
[0041]所述內(nèi)核置于所述包膜材料中，經(jīng)過(guò)至少2次機(jī)械滾磨，在所述汞合金層的表面形成至少2個(gè)包膜層。
[0042]實(shí)施本發(fā)明具有如下有益效果:
[0043]本發(fā)明提供一種熒光燈用汞合金，所述汞合金包括內(nèi)核、汞合金層和包膜層，汞合金層和包膜層含有金屬錫、汞、鎵、銀，其中錫的質(zhì)量含量為40-55%，汞的質(zhì)量含量為38-58%，鎵的質(zhì)量含量為0.5-8%，銀的質(zhì)量含量為0.5_4% ;同時(shí)本發(fā)明還公開(kāi)了一種熒光燈用汞合金的制造方法，汞合金層和包膜層采用化學(xué)涂覆或機(jī)械滾磨的方法。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明的熒光燈用汞合金含有一定量的富余汞，汞合金對(duì)汞的回吸少，常溫下的飽和汞蒸氣壓高，燈的光通上升特性好。
[0044]2、本發(fā)明的熒光燈用汞合金直徑大、顆粒大，滿足了熒光燈將汞合金外置于放電腔體的要求，克服了熒光燈將汞合金內(nèi)置于放電腔體引起的劃粉問(wèn)題。
[0045]3、本發(fā)明的熒光燈用汞合金通過(guò)包膜層克服了儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用中表面溢汞粘連的問(wèn)題。
[0046]4、本發(fā)明采用熔點(diǎn)超過(guò)200°C內(nèi)核材料及熔點(diǎn)溫度遠(yuǎn)高于200°C的金屬、金屬氧化物作為包膜材料，包膜的金屬有助于緩解合金層的熔融，有效提高汞合金的熔融溫度，包膜的金屬氧化物能起到有效的隔熱作用。
[0047]總之，熒光燈用汞合金顆粒大，有利于外置于放電腔體；常溫下飽和汞蒸氣壓更易接近液汞性能，汞回吸少、光通上升特性好；表面不溢汞粘連，適宜大批生產(chǎn)使用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0048]圖1是本發(fā)明一種突光燈用萊合金一實(shí)施例的剖視圖；
[0049]圖2是本發(fā)明一種突光燈用萊合金又一實(shí)施例的剖視圖；
[0050]圖3是本發(fā)明一種熒光燈用汞合金的制備方法的流程圖；
[0051]圖4是本發(fā)明一種熒光燈用汞合金的制備方法又一實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0053]本發(fā)明旨在提供一種提升燈光通上升特性；同時(shí)汞合金顆粒較大，有利于外置于放電腔體外，如排氣管中；表面不溢汞粘連，便于運(yùn)輸、使用的汞合金。本發(fā)明同時(shí)提供上述汞合金的制造方法，保障上述汞合金性能，并有利于大批量生產(chǎn)。
[0054]參見(jiàn)圖1，本發(fā)明提供了 一種熒光燈用汞合金，包括內(nèi)核1、汞合金層2和包膜層3，所述內(nèi)核I的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°C的基底材料；所述汞合金層2或/和所述包膜層3含有錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種。所述熒光燈用汞合金是一種包括內(nèi)核
1、萊合金層2和包膜層3的萊合金材料,具體應(yīng)用在突光燈上。
[0055]本發(fā)明以高含汞比例(質(zhì)量含量)的錫汞合金為基礎(chǔ)，保障汞合金光通上升特性，輔以內(nèi)核使顆粒增大?；诂F(xiàn)有的各類汞合金分析，金屬元素的篩選及大量實(shí)驗(yàn)研究，添加鎵，用于提高合金材料與內(nèi)核的粘結(jié)力或親合力，同時(shí)鎵有利于阻止表面產(chǎn)生顆粒狀的液萊，從而減少或避免萊合金表面溢萊粘連。
[0056]在高含汞比例的錫汞中加入少量的Zn、Ag、Cu、Bi金屬，會(huì)導(dǎo)致汞合金吸汞能力強(qiáng)，光通上升特性變差，是由于這些金屬會(huì)與汞形成汞化合物或改變合金的晶格結(jié)構(gòu)，任何金屬的加入對(duì)合金性能都可能產(chǎn)生巨大影響。
[0057]錫、銀、銅或它們的金屬合金粉體及氧化物粉體涂覆在汞合金表面，避免從內(nèi)層蒸發(fā)或擴(kuò)散出到表面的汞粘連。
[0058]一般地，內(nèi)核選用無(wú)機(jī)材料，所述無(wú)機(jī)材料包括金屬材料、非金屬材料，具體而言，內(nèi)核可以選用玻璃、陶瓷、硅、碳等非金屬材料，內(nèi)核不與汞生成汞化合物，對(duì)汞合金性能無(wú)影響，當(dāng)內(nèi)核采用金屬時(shí)，應(yīng)選擇與汞產(chǎn)生汞化合物少，并與汞形成物理結(jié)合力較弱的金屬，如鐵、鋼、不銹鋼等。當(dāng)內(nèi)核采用熔點(diǎn)低于200°C的無(wú)機(jī)材料時(shí)，由于熔點(diǎn)低燈管燒尖時(shí)會(huì)變軟而掉入燈管中，影響汞合金工作性能。
[0059]在本發(fā)明中，汞合金層和包膜層含有金屬錫、汞、鎵、銀。所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。也就是說(shuō)，除內(nèi)核質(zhì)量外，汞合金層和包膜層中，錫的質(zhì)量含量為汞合金層和包膜層總質(zhì)量的40-55%，汞的質(zhì)量含量為汞合金層和包膜層總質(zhì)量的38-58%，鎵的質(zhì)量含量為汞合金層和包膜層總質(zhì)量的0.5-8%，銀的質(zhì)量含量為汞合金層和包膜層總質(zhì)量的0.5-4%。
[0060] 上述萊合金為球體，直徑優(yōu)選為0.8-2.5mm。更佳的，所述內(nèi)核I為直徑D00.4-2.0mm的球體，汞合金層2厚度T2為0.06-0.5mm,包膜層3厚度T3為0.005-0.1mm,但不以此為限。
[0061 ] 其中，(一)所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-42%、或42.01-44%,或44.01%-46%、或 46.01%_48%、或 48.01%_50%、或 50.01%_52%、或 52.01%_55%，但不以此為限。
[0062]在計(jì)算金屬質(zhì)量比時(shí)，由于內(nèi)核與汞合金性能關(guān)系影響很小，不予計(jì)算在內(nèi)。
[0063]若金屬錫的質(zhì)量含量太低，則在合金中富余的游離汞量太多，表面易溢汞，包膜一致性不受控，汞合金強(qiáng)度小，一般錫的質(zhì)量含量需選取40%以上；若金屬錫的質(zhì)量含量太高，則富余汞少，長(zhǎng)時(shí)間存放后汞合金回吸汞快，燈管光通上升特性差，一般錫的質(zhì)量含量需選取55%以下。
[0064]進(jìn)一步的，錫的質(zhì)量含量?jī)?yōu)選為:42-44%、44%-46%、46%-48%、48%-50%。
[0065]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明在說(shuō)明書中無(wú)法對(duì)錫的質(zhì)量含量的范圍進(jìn)行窮盡例舉，上述范圍 40-42%、42.01-44%、44.01%_46%、46.01%_48%、48.01%_50%、50.01%_52%、52.01%-55%應(yīng)視為40-55%的連續(xù)分段，例如，在40-42%和42.01-44%的范圍中，42.001,42.0001、42.00001,42.000001,42.0000001等也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0066](二)所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-40%、或40.01-42%、或42.01%-44%、或 44.01%_46%、或 46.01%_48%、或 48.01%_50%、或 50.01%_52%、或 52.01%_54%、或54.01%-56%、或56.01%_58%，但不以此為限。
[0067]若金屬汞的質(zhì)量含量太低，則燈啟動(dòng)爬升慢，亮的慢，一般汞的質(zhì)量含量需選取38%以上；若金屬汞的質(zhì)量含量太高，則汞合金顆粒強(qiáng)度變差，表面易溢汞，難以大批量使用，一般萊的質(zhì)量含量需選取58%以下。
[0068]進(jìn)一步的，汞的質(zhì)量含量?jī)?yōu)選為:40-42%、42%-44%、44%-46%、46%-48%、48%-50%、50%-52%。
[0069]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明在說(shuō)明書中無(wú)法對(duì)汞的質(zhì)量含量的范圍進(jìn)行窮盡例舉，上述范圍 38-40%、40.01-42%、42.01%_44%、44.01%_46%、46.01%_48%、48.01%_50%、50.01%-52%、52.01%-54%、54.01%_56%、56.01%_58% 應(yīng)視為 38-58% 的連續(xù)分段，例如，在38-40%、40.01-42% 的范圍中，40.001,40.0001,40.00001,40.000001、40.0000001 等也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0070](三)所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-1%、或1.01-2%、或2.01%_3%、或3.01%-4%、或 4.01%-5%、或 5.01_6%、或 6.01_7%、或 7.01_8%。
[0071]若金屬鎵的質(zhì)量含量太低，則汞合金表面易出現(xiàn)液汞顆粒，增加包膜難度，一般鎵的質(zhì)量含量需選取0.5%以上；若金屬鎵的質(zhì)量含量太高，則成本高，顆粒強(qiáng)度差，一般鎵的質(zhì)量含量選取8%以下。
[0072]進(jìn)一步的，鎵的質(zhì)量含量?jī)?yōu)選為:1-1.5%、1.5-2%、2%-2.5%、2.5-3%, 3-3.5%、3.5-4%。
[0073]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明在說(shuō)明書中無(wú)法對(duì)鎵的質(zhì)量含量的范圍進(jìn)行窮盡例舉，上述范圍 0.5-1%、1.01-2%,2.01%-3%、3.01%_4%、4.01%_5%、5.01-6%,6.01-7%,7.01-8% 應(yīng)視為 0.5-8% 的連續(xù)分段，例如，在 0.5-1%、1.01-2% 的范圍中，1.001,1.0001,1.00001、1.000001,1.0OOOOOl等也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0074](四)所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-1%、或1.01-2%、或2.01%_3%、或
3.01%-4%。
[0075]若金屬銀的質(zhì)量含量太低，則萊合金易溢萊粘連，一般銀的質(zhì)量含量需選取0.5%以上；若金屬銀的質(zhì)量含量太高，則汞合金易回吸汞，影響燈的光通上升特性，且合金成本高，一般銀的質(zhì)量含量需選取4%以下。
[0076]進(jìn)一步的，銀的質(zhì)量含量?jī)?yōu)選為:1-1.5%、1.5-2%、2%-2.5%、2.5-3%,3-3.5%。
[0077]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明在說(shuō)明書中無(wú)法對(duì)銀的質(zhì)量含量的范圍進(jìn)行窮盡例舉，上述范圍 0.5-1%、1.01-2%,2.01%-3%、3.01%-4% 應(yīng)視為 0.5-4% 的連續(xù)分段，例如，在 0.5-1%,
1.01-2% 的范圍中，1.001,1.0001,1.00001,1.000001,1.0000001 等也應(yīng)視為本發(fā)明的保
護(hù)范圍。
[0078]—般的，銀可以加入到汞合金層中，也可以作為包膜金屬，銀加入到汞合金層可以提高汞合金的強(qiáng)度，但會(huì)影響汞合金的釋汞性能以及回吸汞的性能。
[0079]故優(yōu)選的，銀只作為包膜材料，所述汞合金層不含有銀，所述包膜層含有銀。
[0080]更佳的，所述汞合金層含有汞和錫。生成汞合金層采用的含錫、汞的金屬材料，預(yù)先進(jìn)行混合，以使每個(gè)汞合金顆粒成分均勻，但也可以直接進(jìn)行機(jī)械滾磨。
[0081]作為包膜層的一實(shí)施例，所述包膜層可分為金屬膜層、氧化物膜層。其中，所述金屬膜層含有錫、錫合金、銀、銀合金、銅、銅合金中的一種或幾種；所述氧化物膜層含有氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
[0082]更佳的，所述包膜層的最外層含有氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
[0083]作為包膜層的另一實(shí)施例，所述包膜層含有錫汞合金、銀汞合金、銅汞合金中的一種或幾種。包膜層含有錫、銀、銅的汞合金粉體中的一種或多種，即使采用含有錫、銀、銅的金屬粉包膜，在制造的過(guò)程中或做成產(chǎn)品后，包膜層中也含有一定量的汞或汞合金。
[0084]作為包膜層的再一實(shí)施例，所述包膜層為復(fù)合膜層，復(fù)合膜層含有錫、錫合金、銀、銀合金、銅、銅合金、氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
[0085]進(jìn)一步的，參見(jiàn)圖2，圖2提供了本發(fā)明的更佳實(shí)施例，包括內(nèi)核1、汞合金層2和包膜層3，與圖1所示實(shí)施例不同的是，圖2所示的內(nèi)核I和汞合金層2間還含有過(guò)渡層4，所述過(guò)渡層4是通過(guò)工藝設(shè)置或合金材料自然形成。
[0086]本發(fā)明在內(nèi)核I表面設(shè)置中間過(guò)渡層4，可以改進(jìn)汞合金層2與內(nèi)核I的粘結(jié)力或親合力，過(guò)渡層4材料應(yīng)有助于提高合金材料與內(nèi)核材料的親合力。過(guò)渡層4可以為各種金屬或無(wú)機(jī)粘合劑。其中，所述過(guò)渡層4可以是含有鎵的金屬，也可以是含有鋅的金屬，還可以是含有錫的金屬，金屬與汞的合金均可實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)，優(yōu)選金屬鎵或鎵合金。
[0087]大多數(shù)情況下如缺乏過(guò)渡層，汞合金難以包裹附著在內(nèi)核基材上，導(dǎo)致汞合金層易開(kāi)裂破碎，生產(chǎn)合格率低。鋅或者鋅汞合金作為過(guò)渡層有助于合金層包裹附著在內(nèi)核上，提高合金層的強(qiáng)度，但合金的光通上升特性變差，也易導(dǎo)致表面溢汞。采用化學(xué)鍍錫作為過(guò)渡層能提升合金層在內(nèi)核上包裹性能，但包裹性能不如鋅或者鋅汞合金作為過(guò)渡層。鎵或者鎵合金作為過(guò)渡層有助于合金層包裹附著在內(nèi)核上，提高合金層的強(qiáng)度，而合金的光通上升特性維持不變，能克服鋅或者鋅汞合金作為過(guò)渡層帶來(lái)的表面溢汞問(wèn)題。
[0088]當(dāng)不采用過(guò)渡層時(shí)，在含有錫和汞的汞合金材料中添加鎵、鋅及其合金。在包裹汞合金層時(shí)，會(huì)自然形成一層過(guò)渡層。當(dāng)改變滾膜工藝條件時(shí)，也能形成致密且具有一定強(qiáng)度的汞合金層。
[0089]所述內(nèi)核I的直徑Dtl為0.4-2.0mm的球體，過(guò)渡層4的厚度T1為0-0.05mm,汞合金層2的厚度T2為0.06-0.5mm,包膜層3的厚度T3為0.005-0.1mm。
[0090]相應(yīng)的，參見(jiàn)圖3，本發(fā)明提供了一種制造上述熒光燈用汞合金的方法，包括:
[0091]S301、加入內(nèi)核、汞合金材料和無(wú)機(jī)粘合材料，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述內(nèi)核的表面形成
汞合金層；
[0092]所述汞合金材料含有錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種。優(yōu)選的，所述汞合金材料含有錫、汞、鎵。汞合金層的具體配方與圖1所述的相同，在此不再贅述。
[0093]一般地，生成汞合金層采用的含錫、汞的金屬材料，需預(yù)先進(jìn)行混合，以使每個(gè)汞合金顆粒成分均勻，但也可以直接進(jìn)行機(jī)械滾磨。含錫、汞的金屬材料在混合時(shí)，環(huán)境溫度為:20-30°C，即常溫，也可以是一定的高溫，如100°C，150°C，以不形成錫汞合金塊為限。
[0094]故步驟S301的較佳操作方法是:在容器中依次放入內(nèi)核，含錫、汞的金屬材料，無(wú)機(jī)粘合材料，容器處于真空、惰性氣體保護(hù)下，常溫或100°c以下溫度，轉(zhuǎn)速為每分鐘約30-80轉(zhuǎn)，充分滾磨，再在內(nèi)核上涂覆汞及其它材料，形成汞合金層。
[0095]其中，無(wú)機(jī)粘合材料包括各種無(wú)機(jī)粘合劑，其中不含可分解的有機(jī)物，也不含水，避免在燈內(nèi)引入雜質(zhì)，汞合金在弓I入有機(jī)雜質(zhì)后難以除干凈。所述無(wú)機(jī)粘合材料采用納米氧化鋁、氧化硅、硅粉、碳粉的中的一種或多種。優(yōu)選的，硅粉、碳粉選用超細(xì)硅粉、超細(xì)碳粉，所述超細(xì)娃粉、超細(xì)碳粉是指粒徑范圍為1.5um-10um的粉體。
[0096]無(wú)機(jī)粘合材料利用粘合材料本身的粘合性能；或，材料本身的帶電性能改善各種物質(zhì)的親合力；或，采用納米、超細(xì)粉體改變涂層顆粒間的分子力，從而起到粘合固著的作用。
[0097]無(wú)機(jī)粘合材料的質(zhì)量含量為汞合金層和包膜層總質(zhì)量的0.5-10%ο
[0098]此外，惰性氣體可以是氬氣、氮?dú)獾?，但不限于此?br> [0099]S302、將形成汞合金層的所述內(nèi)核置于包膜材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述汞合金層的表面形成包膜層，得到汞合金成品。
[0100]一般地，涂覆包膜層時(shí)，需要在內(nèi)部充有惰性氣體的容器中進(jìn)行機(jī)械滾磨，所述容器的環(huán)境溫度為20-100°C，其中，惰性氣體可以是氬氣、氮?dú)獾?，但不限于此?br> [0101]進(jìn)一步，所述的容器在涂覆包膜層機(jī)械滾磨時(shí)，環(huán)境溫度為:20-30°C，即常溫，為了包膜金屬粉體易附著，也可以將環(huán)境溫度設(shè)置為30-40 V、40-50 V、50-60 V。
[0102]此處的包膜層與圖1所述的相同，在此不再贅述。
[0103]優(yōu)選的，包膜材料包括錫粉、錫合金粉、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉、氧化鈦粉、氧化鋁粉、氧化硅粉、氧化鋯粉、氧化鐿粉、氧化釔粉中兩種或兩種以上的粉體；所述內(nèi)核置于所述包膜材料中，經(jīng)過(guò)至少2次機(jī)械滾磨，在所述汞合金層的表面形成至少2個(gè)包膜層。
[0104]故步驟S302的較佳操作方法是:首先，在容器中放入含有錫粉、錫合金粉、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉中的至少一種，容器處于真空或惰性氣體保護(hù)下，常溫或60°C以下溫度，轉(zhuǎn)速為每分鐘約30-60轉(zhuǎn)，充分滾磨，涂覆包膜層，可根據(jù)需要分兩次或多次進(jìn)行，重復(fù)涂覆包膜層工序；然后，在容器中放入質(zhì)量含量為0.1%-2.0%的氧化鈦粉、氧化鋁粉、氧化硅粉、氧化鋯粉、氧化鐿粉、氧化釔粉中的一種或一種以上粉體，可根據(jù)需要分兩次或多次進(jìn)行，重復(fù)包膜層工序。
[0105]更佳的，參見(jiàn)圖4，本發(fā)明提供了又一種制造上述熒光燈用汞合金的方法，包括:
[0106]S401、將內(nèi)核置于化學(xué)鍍液中涂覆過(guò)渡層，所述化學(xué)鍍液包含鎵、鋅、錫中的一種或多種。
[0107]為了改進(jìn)汞合金層與內(nèi)核的粘結(jié)力或親合力，需在內(nèi)核表面設(shè)置中間過(guò)渡層，過(guò)渡層材料應(yīng)有助于提高合金材料與內(nèi)核材料的親合力。過(guò)渡層為各種金屬或無(wú)機(jī)粘合劑。其中，所述過(guò)渡層可以是含有鎵的金屬，也可以是含有鋅的金屬，還可以是含有錫的金屬，金屬與汞的合金均可實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)，優(yōu)選金屬鎵或鎵合金。
[0108]過(guò)渡層優(yōu)選采用化學(xué)鍍液涂覆相應(yīng)的金屬，也可以采用機(jī)械滾磨的方式涂覆，鎵的熔點(diǎn)為29°C，易實(shí)現(xiàn)液態(tài)滾鍍。
[0109]當(dāng)然，過(guò)渡層形成的方法，還有其它涂覆、鍍膜方式，其并不局限于本發(fā)明所列舉的化學(xué)鍍、機(jī)械滾磨等方式。
[0110]優(yōu)選的，所述內(nèi)核經(jīng)過(guò)化學(xué)鍍液涂覆過(guò)渡層后，還經(jīng)過(guò)有機(jī)溶劑脫水及烘干處理。
[0111]故步驟S401的較佳操作方法是:在容器中將內(nèi)核材料浸沒(méi)在含有鎵、鋅、錫中的一種或多種金屬元素的化學(xué)鍍液中，在常溫或加溫條件下涂覆過(guò)渡層，經(jīng)過(guò)化學(xué)鍍液涂覆的內(nèi)核再經(jīng)去離子水清洗、有機(jī)溶劑脫水及烘干處理。
[0112]S402、將涂覆有過(guò)渡層的所述內(nèi)核置于汞合金材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述過(guò)渡層的表面形成萊合金層；
[0113]所述汞合金層含有錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種。優(yōu)選的，所述汞合金層含有錫、汞、鎵。其中，汞合金層的具體配方與圖1所述的相同，在此不再贅述。
[0114]一般地，生成汞合金層采用的含錫、汞的金屬材料，需預(yù)先進(jìn)行混合，以使每個(gè)汞合金顆粒成分均勻，但也可以直接進(jìn)行機(jī)械滾磨。含錫、汞的金屬材料在混合時(shí)，環(huán)境溫度為:20-30°C，即常溫，也可以是一定的高溫，如100°C，150°C，以不形成錫汞合金塊為限。
[0115]在含錫、汞的金屬材料預(yù)先混合之后，便在容器中放入經(jīng)S401處理的內(nèi)核材料，經(jīng)過(guò)充分的機(jī)械滾磨，在內(nèi)核上涂覆汞及其它材料，形成汞合金層。優(yōu)選的，所述機(jī)械滾磨在內(nèi)部充有惰性氣體的容器中進(jìn)行，所述容器的環(huán)境溫度為0-60°C。其中，惰性氣體可以是氬氣、氮?dú)獾?，但不限于此?br> [0116]進(jìn)一步，所述的容器在涂覆合金層機(jī)械滾磨時(shí)，環(huán)境溫度可以為20_30°C，即常溫，但是，為了更好滾磨成型，也可以將環(huán)境溫度設(shè)置為40-100°C。
[0117]故步驟S402的較佳操作方法是:首先，在三維包膜設(shè)備的罐體或器皿中放入含有錫、汞的金屬材料，罐體或器皿等容器處于真空、惰性氣體保護(hù)下，常溫或200°C以下溫度，轉(zhuǎn)速為每分鐘約50-100轉(zhuǎn)，充分混合；然后，在容器中放入經(jīng)處理的內(nèi)核材料，容器處于真空、惰性氣體保護(hù)下，常溫或100°C以下溫度，轉(zhuǎn)速為每分鐘約30-80轉(zhuǎn)，充分滾磨，在內(nèi)核上涂覆汞及其它材料，形成汞合金層?？筛鶕?jù)需要分兩次或多次進(jìn)行，重復(fù)涂覆合金層工序。
[0118]S403、將形成汞合金層的所述內(nèi)核置于包膜材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述汞合金層的表面形成包膜層，得到汞合金成品。
[0119]—般地，涂覆包膜層時(shí)，需要在內(nèi)部充有惰性氣體的容器中進(jìn)行機(jī)械滾磨，所述容器的環(huán)境溫度為20-100°C，其中，惰性氣體可以是氬氣、氮?dú)獾龋幌抻诖恕?br> [0120]進(jìn)一步，所述的容器在涂覆包膜層機(jī)械滾磨時(shí)，環(huán)境溫度為:20-30°C，即常溫，為了包膜金屬粉體易附著，也可以將環(huán)境溫度設(shè)置為30-40 V、40-50 V、50-60 V。
[0121]此處的包膜層與圖1所述的相同，在此不再贅述。
[0122]優(yōu)選的，包膜材料包括錫粉、錫合金粉、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉、氧化鈦粉、氧化鋁粉、氧化硅粉、氧化鋯粉、氧化鐿粉、氧化釔粉中兩種或兩種以上的粉體；所述內(nèi)核置于所述包膜材料中，經(jīng)過(guò)至少2次機(jī)械滾磨，在所述汞合金層的表面形成至少2個(gè)包膜層。
[0123]故步驟S403的較佳操作方法是:首先，在容器中放入含有錫粉、錫合金粉、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉中的至少一種，容器處于真空或惰性氣體保護(hù)下，常溫或60°C以下溫度，轉(zhuǎn)速為每分鐘約30-60轉(zhuǎn)，充分滾磨，涂覆包膜層，可根據(jù)需要分兩次或多次進(jìn)行，重復(fù)涂覆包膜層工序；然后，在容器中放入質(zhì)量含量為0.1%-2.0%的氧化鈦粉、氧化鋁粉、氧化硅粉、氧化鋯粉、氧化鐿粉、氧化釔粉中的一種或一種以上粉體，可根據(jù)需要分兩次或多次進(jìn)行，重復(fù)包膜層工序。
[0124]需要說(shuō)明的是，與圖3提供的熒光燈用汞合金的制備方法相比，圖4提供的熒光燈用汞合金的制備方法增 加了涂覆過(guò)渡層這一步驟。一般而言，大多數(shù)情況下如缺乏過(guò)渡層，汞合金難以包裹附著在內(nèi)核基材上，導(dǎo)致汞合金層易開(kāi)裂破碎，生產(chǎn)合格率低。鋅或者鋅汞合金作為過(guò)渡層有助于合金層包裹附著在內(nèi)核上，提高合金層的強(qiáng)度，但合金的光通上升特性變差，也易導(dǎo)致表面溢汞。采用化學(xué)鍍錫作為過(guò)渡層能提升合金層在內(nèi)核上包裹性能，但包裹性能不如鋅或者鋅汞合金作為過(guò)渡層。鎵或者鎵合金作為過(guò)渡層有助于合金層包裹附著在內(nèi)核上，提高合金層的強(qiáng)度，而合金的光通上升特性維持不變，能克服鋅或者鋅汞合金作為過(guò)渡層帶來(lái)的表面溢汞問(wèn)題。
[0125]而在圖3提供的熒光燈用汞合金的制備方法中，其不采用過(guò)渡層，在含有錫和汞的汞合金材料中添加鎵、鋅及其合金。在包裹汞合金層時(shí)，會(huì)自然形成一層過(guò)渡層。當(dāng)改變滾膜工藝條件時(shí)，也能形成致密且具有一定強(qiáng)度的汞合金層。
[0126]綜上所述，按上述金屬錫、汞、鎵、銀的比例配比及制備方法，制得的汞合金顆粒大、一致性好；強(qiáng)度大，不易碎；常溫下飽和汞蒸氣壓接近液汞，汞合金對(duì)汞回吸少，燈長(zhǎng)期存放后光通上升特性好；熔融溫度高，表面不溢汞粘連。并將本發(fā)明所得的汞合金應(yīng)用于熒光燈上，具體是T836W的熒光燈、T518W的熒光燈、T414W的熒光燈、T29W的熒光燈，將上述突光燈做技術(shù)檢測(cè)，相關(guān)技術(shù)參數(shù)如表一所不:
[0127]
熒光燈I光通上升特性I溢束I顆粒I溶融溫度~
T836W~ 存放 60 天 tOT〈75s~ 5N 無(wú)破碎~~ 2.2mm 220°C
T518W~ 存放 60 天 tm〈60s~ 4.5N 無(wú)破碎無(wú) 1.8mm 225°C
【權(quán)利要求】
1.一種突光燈用萊合金，包括內(nèi)核、萊合金層和包膜層，其特征在于，所述內(nèi)核的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°c的基底材料； 所述汞合金層或/和所述包膜層含有錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種； 其中，所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。
2.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的 40-42%、或 42.01-44%、或 44.01%_46%、或 46.01%_48%、或 48.01%_50%、或50.01%-52%、或 52.01%-55%。
3.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的 38-40%、或 40.01-42%、或 42.01%_44%、或 44.01%_46%、或 46.01%_48%、或48.01%-50%、或 50.01%-52%、或 52.01%_54%、或 54.01%_56%、或 56.01%_58%。
4.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的 0.5-1%、或 1.01-2%、或 2.01%-3%、或 3.01%_4%、或 4.01%_5%、或 5.01-6%,或6.01-7%、或 7.01-8%。
5.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的 0.5-1%、或 1.01-2%、或 2.01%-3%、或 3.01%_4%。
6.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述汞合金層不含有銀，所述包膜層含有銀。
7.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述汞合金層含有汞和錫。
8.如權(quán)利要求1所述的熒光`燈用汞合金，其特征在于，所述汞合金為球體，直徑為0.8-2.5mm。
9.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述內(nèi)核為無(wú)機(jī)材料，所述無(wú)機(jī)材料包括金屬材料、非金屬材料，其中，所述金屬材料選用鐵和/或鋼，所述非金屬材料選用由玻璃、陶瓷、碳、硅組成的材料。
10.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述包膜層含有錫汞合金、銀汞合金、銅汞合金中的一種或幾種。
11.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述包膜層含有錫、錫合金、銀、銀合金、銅、銅合金、氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
12.如權(quán)利要求1所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述包膜層的最外層含有氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鋯、氧化鐿、氧化釔中的一種或多種。
13.如權(quán)利要求1-12任一項(xiàng)所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述內(nèi)核和所述汞合金層間還含有過(guò)渡層，所述過(guò)渡層是通過(guò)工藝設(shè)置或合金材料自然形成。
14.如權(quán)利要求13所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述過(guò)渡層為含有鎵的金屬。
15.如權(quán)利要求13所述的熒光燈用汞合金，其特征在于，所述過(guò)渡層為含有鋅的金屬。
16.—種制備如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的突光燈用萊合金的方法,其特征在于,包括: 加入內(nèi)核、汞合金材料和無(wú)機(jī)粘合材料，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述內(nèi)核的表面形成汞合金層；將形成汞合金層的所述內(nèi)核置于包膜材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述汞合金層的表面形成包膜層，得到汞合金成品； 其中，所述內(nèi)核的材料為不與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°C的基底材料；所述汞合金層或/和所述包膜層含有金屬錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種；所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)粘合材料為納米氧化鋁、氧化硅、硅粉、碳粉的中的一種或多種,所述硅粉、碳粉的粒徑范圍為1.5um-10um。
18.一種制備如權(quán)利要求13-15任一項(xiàng)所述的熒光燈用汞合金的方法，其特征在于，包括: 一、將內(nèi)核置于化學(xué)鍍液中涂覆過(guò)渡層，所述化學(xué)鍍液包含鎵、鋅、錫中的一種或多種； 二、將涂覆有過(guò)渡層的所述內(nèi)核置于汞合金材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述過(guò)渡層的表面形成萊合金層； 三、將形成汞合金層的所述內(nèi)核置于包膜材料中，經(jīng)機(jī)械滾磨在所述汞合金層的表面形成包膜層，得到汞合金成品； 其中，所述內(nèi)核的材料為不 與汞生成化合物且熔點(diǎn)超過(guò)200°C的基底材料；所述汞合金層或/和所述包膜層含有金屬錫、汞、鎵、銀中的一種或幾種；所述錫的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的40-55%，所述汞的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的38-58%，所述鎵的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-8%，所述銀的質(zhì)量含量為除內(nèi)核外總質(zhì)量的0.5-4%。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，步驟一中，所述內(nèi)核經(jīng)過(guò)化學(xué)鍍液涂覆過(guò)渡層后，還經(jīng)過(guò)有機(jī)溶劑脫水及烘干處理。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，步驟二、三中，所述機(jī)械滾磨在內(nèi)部充有惰性氣體的容器中進(jìn)行，所述容器的環(huán)境溫度為20-100°C。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，步驟三中，所述包膜材料為含有錫粉、錫合金粉、銀粉、銀合金粉、銅粉、銅合金粉、氧化鈦粉、氧化鋁粉、氧化硅粉、氧化鋯粉、氧化鐿粉、氧化釔粉中兩種或兩種以上的粉體； 所述內(nèi)核置于所述包膜材料中，經(jīng)過(guò)至少2次機(jī)械滾磨，在所述汞合金層的表面形成至少2個(gè)包膜層。
【文檔編號(hào)】C22C30/04GK103617942SQ201310652257
【公開(kāi)日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月3日
【發(fā)明者】何志明 申請(qǐng)人:何志明