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      一種鈀膜的制備方法

      文檔序號(hào):3298691閱讀:979來(lái)源:國(guó)知局
      一種鈀膜的制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種鈀膜的制備方法,其特征在于:采用化學(xué)鍍法在多孔基體表面沉積一層鈀或鈀合金膜,將制備的鈀膜在一定正壓的惰性氣氛中燒結(jié),促使微納尺度鈀晶粒重排,使處于晶界相交處的閉孔及晶粒內(nèi)部孤立的微孔致密,再通過(guò)化學(xué)修補(bǔ)對(duì)剩余的缺陷進(jìn)行填補(bǔ)。該法可制備出膜層致密、均勻,使用壽命長(zhǎng),透氫性高的鈀膜。
      【專利說(shuō)明】一種鈀膜的制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種鈀膜的制備方法,用于制備膜層致密度極高、透氫性能優(yōu)良、使用壽命超長(zhǎng)的鈀膜,可廣泛應(yīng)用于氫氣分離。
      【背景技術(shù)】
      [0002]超高純氫氣廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏、燃料電池、半導(dǎo)體、LED制造等行業(yè),其應(yīng)用離不開(kāi)氫氣的分離與純化。氫的分離有變壓吸附法(PSA)、變溫吸附法(TSA)、深冷法和膜法等,其中膜法由于具有投資少、能耗低、效率高、操作方便等優(yōu)點(diǎn)已成為研究的熱點(diǎn),該法尤其適用于小型產(chǎn)氫系統(tǒng)??捎糜跉浞蛛x的膜材料有高分子膜、金屬鈀及其合金膜、分子篩膜、碳膜和二氧化硅膜等,其中鈀及其合金膜因具有透氫性強(qiáng)、選擇性高等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。鈀膜通過(guò)溶解擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行氫純化,氫在膜表面化學(xué)吸附解離成原子態(tài)氫,后者溶解到膜中并在濃度差驅(qū)動(dòng)下移動(dòng),在膜另一側(cè)重新結(jié)合成分子氫[黃彥,李雪,范益群,徐南平.透氫鈀復(fù)合膜的研究進(jìn)展;原理、制備及表征.化學(xué)進(jìn)展,2006,8 (2-3):230;俞健,胡小娟,黃彥.多孔不銹鋼表面的陶瓷修飾及所負(fù)載的透氫鈀膜.化學(xué)進(jìn)展.2008,20 (7-8):1208.]。
      [0003]已商業(yè)化的鈀膜主要為自支撐式鈀銀和鈀銅合金膜,采用滾軋工藝制備,為保持足夠強(qiáng)度,厚度在IOOym左右,該工藝制備的膜致密度極高,但透氫率低,成本高。由于膜的透氫率與膜厚成反比,所以應(yīng)降低膜厚以提高氫通量,將鈀或鈀合金負(fù)載于多孔載體上形成的復(fù)合膜成為研究熱點(diǎn),膜層厚度為幾個(gè)微米,透氫率有了極大的提高,適于負(fù)載鈀的基體有多孔陶瓷、多孔不銹鋼和多孔陶瓷/不銹鋼復(fù)合材料等。
      [0004]已報(bào)道的鈕復(fù)合膜制備方法有化學(xué)鍍法(electroless plating)、化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition)、物理氣相沉積法(physical vapor deposition)、電鍛法(electroplating)、派射法(sputtering)等。其中,化學(xué)鍍法是在無(wú)外加電流的情形下,利用自催化反應(yīng)將金屬鹽還原沉積成膜的方法。該法幾乎能在任何形狀的基體上沉積金屬,制得的膜厚度均勻、晶粒細(xì)小、缺陷少,被公認(rèn)為制備致密鈀復(fù)合膜最成功的方法之一。化學(xué)鍍包括清洗、活化、施鍍、后處理等操作步驟,每一步都影響膜層性能。
      [0005]鈀復(fù)合膜在制備與使用過(guò)程中極易產(chǎn)生缺陷,主要為晶界相交處產(chǎn)生的閉孔和晶粒內(nèi)部孤立的微孔,這些都會(huì)影響透氫純度和使用壽命。膜層中孤立的微孔可以通過(guò)增加膜厚來(lái)彌補(bǔ),但這會(huì)降低膜的透氫率。理想的方式是在不增加膜厚的情況下,對(duì)膜缺陷進(jìn)行修補(bǔ)。目前已有很多相關(guān)報(bào)道,主要使用化學(xué)方法進(jìn)行修補(bǔ),通過(guò)對(duì)膜缺陷進(jìn)行修補(bǔ),選擇性有了明顯提高,且膜層厚度增加較少,但修補(bǔ)后的鈀復(fù)合膜在使用過(guò)程中也極易產(chǎn)生上述缺陷,勢(shì)必影響鈀膜使用壽命,減少鈀膜使用過(guò)程中的再生缺陷是非常重要的。膜層中晶界相交處的閉孔同樣會(huì)降低膜的透氫率和使用壽命,文獻(xiàn)中關(guān)于消除此類型的孔報(bào)道很少。因此如何制備膜層完全致密、均勻,長(zhǎng)時(shí)間使用無(wú)缺陷,透氫性強(qiáng)的鈀復(fù)合膜是研究的重點(diǎn),對(duì)于鈀復(fù)合膜的產(chǎn)業(yè)化有著重要意義。
      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明的目的:提供一種鈀膜的制備方法,該法可有效消除膜層晶界相交處的閉孔及晶粒內(nèi)部孤立的微孔,提高膜層致密度,所制鈀膜使用壽命長(zhǎng),產(chǎn)氫純度高。
      [0007]本發(fā)明的技術(shù)方案是:采用化學(xué)鍍法在多孔基體上制備鈀或鈀合金膜,將制備的鈀復(fù)合膜在惰性氣體中進(jìn)行燒結(jié),促使微納尺度鈀晶粒進(jìn)行重排,使處于晶界相交處的閉孔及晶粒內(nèi)部孤立的微孔致密,再通過(guò)化學(xué)修補(bǔ)消除剩余缺陷。
      [0008]本發(fā)明的具體技術(shù)方案為:一種鈀膜的制備方法,具體步驟如下:
      [0009](I)采用化學(xué)鍍的方法,將多孔基體經(jīng)預(yù)處理、敏化、活化、施鍍、清洗后在其表面制得膜厚3?5μπι的純鈀膜;對(duì)于鈀合金膜,在純鈀膜上進(jìn)行化學(xué)鍍或電鍍沉積另外一種金屬,再進(jìn)行合金化。
      [0010](2)進(jìn)行施壓燒結(jié)。對(duì)燒結(jié)爐抽真空,真空度控制在IOOPa以下,升溫至燒結(jié)溫度,向爐內(nèi)充氣體達(dá)指定壓力,首先對(duì)膜兩側(cè)都進(jìn)行施壓燒結(jié),然后卸去基體側(cè)高壓繼續(xù)進(jìn)行單側(cè)施壓燒結(jié)(如圖1),達(dá)到燒結(jié)時(shí)間后,抽真空、冷卻,加熱爐降至室溫,開(kāi)爐取出樣品。
      [0011](3)對(duì)制得的鈀膜進(jìn)行化學(xué)修補(bǔ),清洗烘干后測(cè)試其氮?dú)馔俊?br> [0012]鈀復(fù)合膜基體主要為多孔陶瓷、多孔不銹鋼或多孔陶瓷/不銹鋼復(fù)合材料,基體表面最大孔孔徑一般為I?10 μ m,孔徑越小,越有利于制備致密的鈀膜。采用化學(xué)鍍法制備鈀膜,使用SnCl2 / PdCl2法對(duì)基體進(jìn)行活化,活化后的基體置于鍍液中制膜,所用鍍鈀液組成為 PdCl22 ?6g / L、Na2EDTA20 ?80g / L、濃氨水 100_400ml / L,還原劑為 N2H40.1 ?Imol / L,最終得到膜厚為3?5μπι的鈀膜,經(jīng)去離子水漂洗除去膜層中有機(jī)物,干燥得到所需鈀膜。若制備鈀合金膜(鈀銀、鈀銅),在已制備的純鈀膜表面通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍沉積另外一種金屬,銀化學(xué)鍍液組成為AgN032?10g/L、Na2EDTA20?50g/L、氨水300?600ml / L,還原劑為N2H40.1?Imol / L ;銀電鍍液組成AgN0350?60g / L、硫代硫酸銨200?260g/L、焦硫酸鉀90?110g/L、硼酸25?35g/L ;銅化學(xué)鍍液組成CuSO4.5H205?15g/L、酒石酸鉀鈉40?50g/L、Na0H5?20g/L,還原劑為N2H40.1?Imol / L ;銅電鍍液組成 CuSO4.5Η20150 ?200g / L、硫酸 50 ?70g / L、氯離子 20 ?80mg/L、聚乙二醇 0.05 ?
      0.1g / L、乙撐硫脲0.2?0.7mg/L。膜層厚度可通過(guò)使用鍍液的體積進(jìn)行控制,實(shí)際厚度可通過(guò)化學(xué)鍍前后基體質(zhì)量差進(jìn)行計(jì)算。
      [0013]化學(xué)鍍制備的鈀膜膜層基本致密,且對(duì)除氫氣及其同位素外的任何氣體均致密,因此優(yōu)先采用氮?dú)?、氬氣、氦氣等惰性氣體對(duì)鈀膜進(jìn)行施壓燒結(jié),氣源壓力通過(guò)鋼瓶或增壓泵提供,壓力0.5?50MPa。鈀的熔點(diǎn)為1554°C,鈀膜是由鈀晶粒組成,其粒徑范圍為幾至幾百納米,純鈀膜常壓晶粒重排的起始溫度為350?450°C,綜合考慮純鈀膜燒結(jié)溫度為150?40(TC,升溫過(guò)程速率2?4°C / min,在燒結(jié)溫度保溫0.5?3h,降溫速率控制在40C/ min左右。對(duì)于鈀合金膜的制備,施壓燒結(jié)就是合金化的過(guò)程,文獻(xiàn)中報(bào)道的鈀膜合金化溫度為400?800°C,所以鈀合金膜的燒結(jié)溫度采用400?800°C,升溫速率2?4°C /min,在燒結(jié)溫度保溫10?15h,降溫速率在4°C / min左右。
      [0014]鈀膜在制備和使用過(guò)程中容易形成微納尺度的閉孔和微孔,這些會(huì)影響膜的致密性、透氫性及使用壽命,膜缺陷可通過(guò)化學(xué)修補(bǔ)來(lái)解決,但修補(bǔ)效果有限,且無(wú)法減少膜使用過(guò)程中的再生缺陷,而膜內(nèi)部的閉孔無(wú)法通過(guò)修補(bǔ)解決,關(guān)于消除鈀復(fù)合膜閉孔的報(bào)道很少。將化學(xué)鍍法制備的鈀復(fù)合膜進(jìn)行施壓燒結(jié),可有效消除鈀膜本身具有的閉孔和微孔,且保證在使用過(guò)程中不會(huì)有缺陷的再生成,延長(zhǎng)了鈀復(fù)合膜的使用壽命。施壓燒結(jié)過(guò)程中,鈀晶粒運(yùn)動(dòng)激烈程度提高,膜層孔隙內(nèi)壓力較低,惰性氣體產(chǎn)生的高壓使膜層鈀晶粒受到垂直于膜層的壓應(yīng)力作用,增加垂直方向上的燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力,使得垂直膜層方向上鈀晶粒結(jié)合速度加快,微納尺度的閉孔和微孔體積逐漸變小;在水平方向上,鈀晶粒受垂直的壓力發(fā)生塑性形變,導(dǎo)致與水平方向相鄰粒子發(fā)生擠壓,閉孔和微孔周圍粒子進(jìn)行結(jié)合,膜層孔隙體積減小以至消失,膜層致密度提高,且位置保持相對(duì)穩(wěn)定(如圖2)。該過(guò)程分兩步進(jìn)行,首先膜兩側(cè)都通高壓惰性氣體進(jìn)行燒結(jié),一段時(shí)間后,卸掉基體側(cè)氣體壓力,再進(jìn)行燒結(jié),這樣不僅可以使膜層更加致密,而且可以增加膜層與基體的結(jié)合力。施壓燒結(jié)后的膜厚度有一定的降低,致密度有了很大提高,在使用之前,將鈀膜經(jīng)氫氣還原以除去膜層可能存在的氧化物。
      [0015]鈀合金膜的制備工藝是在多孔基體上依次沉積不同金屬,然后進(jìn)行合金化,現(xiàn)報(bào)道的鈀膜合金化大多是在惰性氣氛下高溫處理。將施壓燒結(jié)用于鈀合金膜的制備,達(dá)到合金化和提高致密度同時(shí)進(jìn)行的目的,該法能強(qiáng)化金屬之間的相互擴(kuò)散,促使鈀和其他金屬的合金程度更完全,得到的鈀合金膜組成更均勻、致密。施壓燒結(jié)中,惰性氣體產(chǎn)生的高壓,增加了垂直膜層方向的燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力,促使兩種金屬界面的不同金屬晶粒之間進(jìn)行相互擴(kuò)散,兩種金屬本身及界面之間存在的閉孔和微孔都能被填補(bǔ),達(dá)到促進(jìn)致密的效果。而在水平方向,同純鈀膜一樣,垂直方向受力產(chǎn)生的形變,使水平方向鈀晶粒結(jié)合緊密,膜閉孔和微孔逐漸消失,金屬晶粒之間空隙減小,膜層致密度增加。
      [0016]經(jīng)施壓燒結(jié)處理后的鈀膜,使用壽命和膜層致密度有了極大提高,為進(jìn)一步增加膜的H2 / N2選擇性,對(duì)上述鈀膜進(jìn)行化學(xué)修補(bǔ),即可將剩余的數(shù)量極小的缺陷填補(bǔ)致密。
      [0017]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種鈀膜的制備方法,該工藝有效消除膜層晶界相交處的閉孔及晶粒內(nèi)部孤立的微孔,提高了膜層致密度、均勻性、使用壽命及透氫性能。本發(fā)明尤其適用于鈀合金膜的制備,將施壓燒結(jié)和合金化同時(shí)進(jìn)行,所制合金膜性能優(yōu)越。本發(fā)明設(shè)備簡(jiǎn)單,操作容易,效果顯著,易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0018]圖1鈀膜施壓燒結(jié)方式:1-膜層,2-基體,A-雙側(cè)施壓,B-單側(cè)施壓。
      [0019]圖2鈀膜施壓燒結(jié)過(guò)程:1_鈀晶粒,2-微孔,3-晶界,4-閉孔;A_原始膜層形態(tài),B-氣壓燒結(jié)中,C-結(jié)束膜層形態(tài)。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]實(shí)施例中氮?dú)馔繙y(cè)試在壓力lbar,室溫20°C時(shí)測(cè)試得到。
      [0021]實(shí)施例1
      [0022]采用本發(fā)明在管狀多孔陶瓷基體外表面制備鈀膜,包括以下步驟:
      [0023](I)所用基體為管狀多孔陶瓷,其外徑13mm,內(nèi)徑8mm,長(zhǎng)80mm,表面最大孔徑2.6 μ m。對(duì)基體進(jìn)行清洗,烘干后備用。
      [0024](2)采用SnCl2 / PdCl2活化法對(duì)上述基體外表面進(jìn)行活化,敏化液含SnCl24g/L、鹽酸Iml / L,活化液含PdCl20.2g / L、鹽酸Iml / L,經(jīng)敏化活化處理4次。
      [0025](3)將活化后的基體浸入鍍液開(kāi)始化學(xué)鍍,鍍液組成:PdCl25g / L、Na2EDTA50g /L、氨水250ml / L,鍍液溫度30°C。還原劑為0.4mol / L聯(lián)氨溶液。
      [0026](4)通過(guò)使用鍍液量估算膜厚達(dá)5 μ m時(shí),停止化學(xué)鍍。將鈀膜經(jīng)熱的去離子水漂洗,放入烘箱干燥。根據(jù)基體的增重計(jì)算,鈀膜厚度為4.9 μ m,測(cè)得其氮?dú)馔繛?.52ml /min。
      [0027](5)將(4)中的鈀膜置于施壓燒結(jié)裝置中,抽真空,加熱到燒結(jié)溫度380°C,升溫速率3°C / min,爐內(nèi)通入高純氮?dú)?,壓力?MPa,雙面施壓燒結(jié)2.5h,單面施壓燒結(jié)0.5h,降溫,降溫速率5°C/ min。測(cè)得鈀膜氮?dú)馔拷禐?.41ml / min。
      [0028](6)對(duì)上述鈀膜進(jìn)行化學(xué)修補(bǔ),將0.1mol / L的聯(lián)氨置于陶瓷管內(nèi)管,鍍液在管夕卜,其組成:PdCl25g / L、Na2EDTA50g/L、氨水250ml / L,通過(guò)載體的移動(dòng)對(duì)鍍液進(jìn)行攪拌。修補(bǔ)結(jié)束后,鈀膜清洗烘干,測(cè)得鈀膜氮?dú)馔拷禐?.22ml / min。鈀膜使用900h后,測(cè)得鈀膜氮?dú)馔繛?.32ml / min。
      [0029]實(shí)施例2
      [0030]采用本發(fā)明在管狀多孔不銹鋼基體外表面制備鈀膜,包括以下步驟:
      [0031](I)所用基體為管狀多孔不銹鋼,其外徑12mm,內(nèi)徑7mm,長(zhǎng)80mm,表面最大孔徑
      6.5 μ m。對(duì)基體進(jìn)行清洗,烘干后備用。
      [0032](2)同實(shí)施例1的步驟(2) (3)⑷(5),但當(dāng)鈀膜厚度達(dá)10 μ m時(shí)停止化學(xué)鍍,根據(jù)基體的增重計(jì)算,鈀膜厚度為9.7 μ m,測(cè)得其氮?dú)馔繛?.8ml / min。施壓燒結(jié)后的通量降為 1.35ml / min。
      [0033](3)對(duì)上述鈀膜進(jìn)行化學(xué)修補(bǔ),修補(bǔ)液選用0.0Olmol / L的Pd(OH)2膠體,膜管浸入修補(bǔ)液使Pd (OH)2膠體滲入基體孔道,再將其烘干置于0.5mol / L的聯(lián)氨溶液中還原lOmin,將該鈀管置于和步驟3—樣組成的鍍液中,修補(bǔ)結(jié)束后將膜管清洗烘干,測(cè)得氮?dú)馔繛?.72ml / min。鈀膜使用900h后,測(cè)得鈀膜氮?dú)馔繛?.97ml / min。
      [0034]實(shí)施例3
      [0035]采用本發(fā)明在片式多孔陶瓷基體上制備鈀膜,包括以下步驟:
      [0036](I)所用基體為圓形片式多孔陶瓷,其直徑30mm,厚度2mm,表面孔最大孔徑2.5 μ m。對(duì)基體進(jìn)行清洗,烘干后備用。
      [0037](2)同實(shí)施例1的步驟(2)⑶⑷(5) (6)。但根據(jù)基體的增重計(jì)算,鈀膜厚度為
      4.9 μ m,測(cè)得施壓燒結(jié)后氮?dú)馔坑?.51ml / min降為0.22ml / min。經(jīng)聯(lián)氨修補(bǔ)法處理后,氮?dú)馔繛?.1Oml / min,鈀膜使用900h后,測(cè)得氮?dú)馔繛?.18ml / min。
      [0038]實(shí)施例4
      [0039]采用本發(fā)明在管式多孔陶瓷基體外表面制備鈀銀(Pd77Ag23)合金膜,包括以下步驟:
      [0040](I)所用基體為管狀多孔陶瓷,其外徑13mm,內(nèi)徑8mm,長(zhǎng)80mm,表面孔最大孔徑2.8 μ m。對(duì)基體進(jìn)行清洗,烘干后備用。
      [0041](2)同實(shí)施例1的步驟(2) (3)。
      [0042](3)同實(shí)施例1的步驟(4),但膜厚為3.8 μ m。
      [0043](4)在(3)中鈀膜表面進(jìn)行化學(xué)鍍銀,銀鍍液組成:AgN035g/L、Na2EDTA35g/L、氨水250ml / L,還原劑為聯(lián)氨溶液0.2mol / L,反應(yīng)溫度30°C。
      [0044](5)至銀膜厚為1.2 μ m,停止化學(xué)鍍銀。將制備的鈀銀膜用熱的去離子水漂洗,放入烘箱干燥。
      [0045](6)如實(shí)施例1的步驟(5),但壓力為lOMPa,燒結(jié)溫度為650°C,雙側(cè)施壓燒結(jié)為8.5h,單側(cè)施壓燒結(jié)0.5h,升溫速率3°C / min,降溫速率5°C / min。根據(jù)基體的增重計(jì)算,鈀銀膜厚度為4.8 μ m,測(cè)得其氮?dú)馔繛?.25ml / min。
      [0046](7)如實(shí)施例1的步驟(6),測(cè)得修補(bǔ)后的氮?dú)馔繛?.14ml / min,鈀膜使用900h后氮?dú)馔繛?.22ml / min。
      [0047]實(shí)施例5
      [0048]采用本發(fā)明在管式多孔陶瓷基體上制備鈀銅(Pd6tlCu4tl)合金膜,包括以下步驟:
      [0049](I)所用基體為管狀多孔陶瓷,其外徑13mm,內(nèi)徑8mm,長(zhǎng)80mm,表面孔最大孔徑
      2.4 μ m。對(duì)基體進(jìn)行清洗,烘干后備用。
      [0050](2)同實(shí)施例1的步驟(2) (3)。
      [0051](3)同實(shí)施例1的步驟(4),但膜厚為3.6 μ m。
      [0052](4)在(3)中鈀膜表面進(jìn)行電鍍銅,電鍍液組成=CuSO4.5H20150~200g/L、硫酸50~70g / L、氯離子20~80mg/L、聚乙二醇0.05~0.1g / L、乙撐硫脲0.2~0.7mg/L。電流密度1.5A / dm2,電鍍溫度30°C。
      [0053](5)至銅膜厚為1.4 μ m,停止化學(xué)鍍銅。將制備的鈀銅膜用熱的去離子水漂洗,放入烘箱干燥。
      [0054](6)如實(shí)施例1的步驟(5),但壓力為lOMPa,燒結(jié)溫度為550°C,雙側(cè)施壓燒結(jié)為
      8.5h,單側(cè)施壓燒結(jié)0.5h,升溫速率3°C / min,降溫速率5°C / min。根據(jù)基體的增重計(jì)算,鈀銅膜厚度為5.0 μ m,測(cè)得其氮?dú)馔繛?.35ml / min。
      [0055](7)如實(shí)施例1的步驟(6),測(cè)得修補(bǔ)后的氮?dú)馔繛?.19ml / min,鈀膜使用900h后氮?dú)馔繛?.27ml / min。
      [0056]實(shí)施例6
      [0057]采用本發(fā)明對(duì)一個(gè)有缺陷的鈀管進(jìn)行修補(bǔ)。
      [0058](I)所用樣品為一個(gè)有缺陷的純金屬鈕膜管,外徑13mm,內(nèi)徑8mm,長(zhǎng)80mm,膜厚4μ--,基體為多孔陶瓷。測(cè)得其氮?dú)馔繛?.02ml / min。
      [0059](2)由于其缺陷較多,先進(jìn)行化學(xué)修補(bǔ),同實(shí)施事例I的步驟(6)中的修補(bǔ)過(guò)程一樣,修補(bǔ)厚度約為I μ m,鈀膜清洗烘干后測(cè)得氮?dú)馔繛?.22ml / min。
      [0060](3)同實(shí)施事例I的步驟(5)對(duì)鈀膜進(jìn)行施壓燒結(jié)后測(cè)得氮?dú)馔繛?.5ml /min,鈀膜使用900h后測(cè) 得氮?dú)馔繛?.51ml / min。
      【權(quán)利要求】
      1.一種鈀膜的制備方法,其特征在于:采用化學(xué)鍍法在多孔基體上沉積一層鈀或鈀合金膜,將制備的鈀復(fù)合膜在一定正壓的惰性氣體中進(jìn)行燒結(jié),促使微納尺度鈀晶粒進(jìn)行重排,使處于晶界相交處的閉孔及晶粒內(nèi)部孤立的微孔致密,再通過(guò)化學(xué)修補(bǔ)對(duì)剩余的缺陷進(jìn)行填補(bǔ)。該法可制備出膜層致密、均勻,使用壽命長(zhǎng),透氫性高的鈀膜。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀膜的制備方法,其特征在于所述基體為多孔陶瓷,多孔不銹鋼或多孔陶瓷/不銹鋼復(fù)合材料等。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的鈀膜的制備方法,其特征在于所述多孔基體的表面最大孔孔徑為I?10 μ m。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀膜的制備方法,其特征在于鈀膜的制備方法為化學(xué)鍍法,鍍液組成為:PdCl22?6g/L、Na2EDTA20?80g / L、氨水100?400ml / L的溶液,還原劑為0.3?0.9mol / L聯(lián)氨溶液。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀膜的制備方法,其特征在于所述鈀合金膜為鈀銀或鈀銅合金膜。鈀合金膜的制備方法為先在基體上沉積一層純鈀膜,再通過(guò)化學(xué)鍍或電鍍?cè)诩冣Z膜上沉積另外一種金屬,最后在一定壓力的惰性氣體中進(jìn)行燒結(jié)制成鈀合金膜。銀化學(xué)鍍液組成:AgN032 ?IOg / L、Na2EDTA20 ?50g/L、氨水 300 ?600ml / L,還原劑為 0.3 ?0.9mol / L聯(lián)氨溶液;銀電鍍液組成為:AgN0350?60g/L、硫代硫酸銨200?260g/L、焦硫酸鉀90?110g/L、硼酸25?35g / L ;銅化學(xué)鍍液組成為=CuSO4.5H205?15g / L、酒石酸鉀鈉40?50g/L、Na0H5?20g / L,還原劑為0.3?0.9mol / L聯(lián)氨溶液;銅電鍍液組成為=CuSO4.5H20150 ?200g/L、H2S0450 ?70g/L、氯離子 20 ?80mg/L、聚乙二醇 0.05 ?0.lg/L、乙撐硫脲 0.2 ?0.7mg/L。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀膜的制備方法,其特征在于高壓惰性氣體對(duì)膜層分別以雙側(cè)和單側(cè)的形式進(jìn)行施壓。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀膜的制備方法,其特征在于鈀膜進(jìn)行施壓燒結(jié)所用氣體為非氫及其同位素氣體,優(yōu)先選用氮?dú)?、IS氣及氦氣,氣體壓力為0.5?50MPa。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀膜的制備方法,其特征在于純鈀膜燒結(jié)溫度為150?400°C,燒結(jié)溫度保溫2?5h ;鈀合金膜燒結(jié)溫度300?800°C,燒結(jié)溫度保溫8?15h。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈀復(fù)合膜的制備方法,其特征在于化學(xué)修補(bǔ)的方法為聯(lián)氨修補(bǔ)法、Pd (OH) 2修補(bǔ)法、反滲透修補(bǔ)法等。
      【文檔編號(hào)】C23F17/00GK103721576SQ201310713960
      【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月20日
      【發(fā)明者】黃彥, 魏浩, 俞健, 魏磊, 丁維華, 黎月華, 黃韜 申請(qǐng)人:南京工業(yè)大學(xué)
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