用于顯示器裝置中含銅金屬層的蝕刻組合物及用其蝕刻金屬層的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻組合物，該組合物包含至少一種銅離子源、至少一種氟離子源、至少一種無機(jī)酸和/或其鹽、一種第一含氮有機(jī)化合物、一種第二含氮有機(jī)化合物、以及至少一種有機(jī)酸和/或其鹽，該第一含氮有機(jī)化合物選自由脂肪胺、芳香胺和其任何組合組成的組，該第二含氮有機(jī)化合物選自由含氮雜環(huán)、多負(fù)載胺化合物（multi-chargeableaminecompounds）和其任何組合組成的組。根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物可以提供優(yōu)異的蝕刻均勻性，而不會對下面的半導(dǎo)體層造成損害。
【專利說明】用于顯示器裝置中含銅金屬層的蝕刻組合物及用其蝕刻金屬層的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于顯示器裝置(例如液晶顯示(IXD)裝置)中含銅金屬層的蝕刻組合物，以及一種用該蝕刻組合物蝕刻該金屬層的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(IXD)作為一種用于移動裝置、電腦監(jiān)視器以及電視的主要的顯示器裝置(除了等離子顯示板(PDP)或場致發(fā)射顯示器(FED)之外)，逐漸引起關(guān)注。在這些IXD裝置之中，薄膜晶體管(TFT)類型的LCD裝置具有若干導(dǎo)電電極和信號電極，例如柵極、源極、漏極、以及因此信號線，它們起到將信號傳輸?shù)皆淖饔谩?br> [0003]具體地，構(gòu)成此類電極和/或信號線的金屬的電阻是導(dǎo)致信號延遲的一個主要因素，并且正因?yàn)槿绱耍瑢⒕哂袃?yōu)越的電特性的銅(Cu)而不是其他已知的材料，例如像鉻(Cr)、鑰(Mo)、或鋁(Al)，用作一種用于電極和/或信號線的材料。為此目的，典型地，使用一個由銅構(gòu)成的單一的金屬層，或雙金屬層，在該雙金屬層中銅層、以及鈦(Ti)、鈦合金、鑰或鑰合金層被堆疊在一起。
[0004]常規(guī)地，使用一種除了作為基礎(chǔ)氧化劑的H2O2之外包含氟離子、硫酸、含氮化合物(比如胺)的蝕刻溶液來蝕刻所述一個或多個金屬層。
[0005]然而，在H2O2作為一種氧化劑在該蝕刻溶液中存在的情況下，該蝕刻溶液的壽命和蝕刻能力由于H2O2的自分解而降低，從而導(dǎo)致多個問題例如蝕刻溶液組成上的變化。另外的問題產(chǎn)生于H2O2的不穩(wěn)定性，這可能引起安全擔(dān)憂。這樣，如果一種不包含H2O2的蝕亥幡液可以達(dá)到所要求的蝕刻能力，則它可以是有利的。
[0006]韓國專利號10-0419071披露了一種用于銅-鈦層的蝕刻溶液，其特征在于包括
0.1 Wt.%至5 Wt.%的無機(jī)鹽氧化劑；0.5 Wt.%至10 Wt.%的無機(jī)酸或其鹽；0.05 wt.%至0.5 wt.%的氟源；0.005 wt.%至0.5 wt.%的添加劑，該添加劑選自由以下各項(xiàng)組成的組:吡咯烷、吡咯啉、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑、嘧啶、嘌呤、吡啶以及它們的衍生物；以及余量的去離子水(使得總蝕刻溶液是100 wt.%)。然而,使用此類蝕刻溶液具有缺點(diǎn),例如缺少蝕刻均勻性和/或蝕刻速度的減緩。
[0007]本發(fā)明現(xiàn)在使得一種適用于顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻組合物可用，這種蝕刻組合物沒有示出上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題
因此，本發(fā)明的目的是提供一種蝕刻組合物，這種組合物不具有以上缺點(diǎn)并且具有優(yōu)越的特性。具體地，本發(fā)明的目的是提供穩(wěn)定的蝕刻組合物，這種組合物使得能夠獲得良好的蝕刻均勻性而不會對顯示器裝置中的基底和/或下面的半導(dǎo)體層造成損害。 [0009]用于解決課題的方案因此，本發(fā)明涉及一種蝕刻組合物，該組合物包含至少一種銅離子源、至少一種氟離子源、至少一種無機(jī)酸和/或其鹽、一種第一含氮有機(jī)化合物、一種第二含氮有機(jī)化合物、以及至少一種有機(jī)酸和/或其鹽，該第一含氮有機(jī)化合物選自由脂肪胺、芳香胺和其任何組合組成的組，該第二含氮有機(jī)化合物選自由含氮雜環(huán)、多負(fù)載胺化合物和其任何組合組成的組。根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物可以有利地用于顯示器裝置中的含銅金屬層。
[0010]發(fā)明效果
本發(fā)明的諸位發(fā)明人已經(jīng)出人意料地發(fā)現(xiàn)了根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物示出優(yōu)異的蝕刻均勻性而不會對基底和/或下面的半導(dǎo)體層造成損害同時保持其隨著時間非常穩(wěn)定的狀態(tài)。此外，當(dāng)在用于顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻工藝中使用時，本發(fā)明的蝕刻組合物可以提供均勻的和/或快速的蝕刻。還已經(jīng)出人意料地發(fā)現(xiàn)了根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物具有優(yōu)越的蝕刻能力。這使得用某一量值的蝕刻組合物就能夠獲得更有效的蝕刻，這可以導(dǎo)致成本-競爭優(yōu)勢。
[0011]通過本發(fā)明的蝕刻組合物可以獲得優(yōu)異的蝕刻均勻性而不會對基底和/或下面的半導(dǎo)體層造成損害同時保持其隨著時間非常穩(wěn)定的狀態(tài)。此外，當(dāng)在用于顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻工藝中使用時，本發(fā)明的蝕刻組合物可以提供均勻的和/或快速的蝕亥IJ。額外地，本發(fā)明的蝕刻組合物具有優(yōu)越的蝕刻能力，從而使得能夠用某一量值的蝕刻組合物獲得更有效的蝕刻，并且因此，可以提供成本競爭優(yōu)勢。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1示出了用根據(jù)實(shí)例I的蝕刻組合物蝕刻的金屬層的掃描電子顯微鏡(SEM)的結(jié)果。
[0013]圖2示出了用根據(jù)實(shí)例2的蝕刻組合物蝕刻的金屬層的掃描電子顯微鏡(SEM)的結(jié)果。
【具體實(shí)施方式】
[0014]在本發(fā)明中，“芳香胺”應(yīng)理解為指代具有一個連接到至少一個芳環(huán)上的氨基基團(tuán)的胺。這些芳香胺可以是伯胺、仲胺以及叔胺，其中一個或多個氫原子可以被或者可以不被其他基團(tuán)如烷基基團(tuán)、烷氧基基團(tuán)、芳基基團(tuán)、或芳氧基基團(tuán)取代。芳香胺的具體的實(shí)例包括苯胺、N-甲基苯胺、以及1，4-苯二胺。
[0015]在本發(fā)明中，“脂肪胺”應(yīng)理解為指代具有一個連接到至少一種脂肪烴上的氨基基團(tuán)的胺。這些脂肪胺可以是伯胺、仲胺以及叔胺，其中一個或多個氫原子可能被或者可能不被其他基團(tuán)如烷基基團(tuán)、烷氧基基團(tuán)、芳基基團(tuán)、或芳氧基基團(tuán)取代。在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物中有用的脂肪胺的具體實(shí)例選自單、二或三烷基胺，例如丙胺、甲胺、三甲胺和己胺，以及單、二或三烷氧基胺，例如一乙醇胺、二乙醇胺以及三乙醇胺。
[0016] 在本發(fā)明中，“含氮雜環(huán)”應(yīng)理解為指代一種環(huán)狀化合物，這種環(huán)狀化合物具有至少一個氮原子作為它的一個或多個環(huán)的一個成員。這些含氮雜環(huán)可以或者是飽和的或者不飽和的，并且可以是，例如，3元環(huán)、4元環(huán)、5元環(huán)、6元環(huán)或者7元環(huán)。這些雜環(huán)的實(shí)例包括吡咯烷、吡咯、哌唆、吡啶、吡喃、吡唑、咪唑、以及它們的衍生物。這些雜環(huán)可以進(jìn)一步被其他基團(tuán)，例如烷基基團(tuán)、烷氧基基團(tuán)、芳基基團(tuán)、或芳氧基基團(tuán)所取代。[0017]在本發(fā)明中，“多負(fù)載胺化合物”應(yīng)理解為指代一種具有至少兩個氨基基團(tuán)的化合物。該多個氨基基團(tuán)可以是帶正電的例如當(dāng)在溶液中質(zhì)子化了時。典型的多負(fù)載胺化合物是二胺、三胺、四胺、以及五胺。其具體的實(shí)例包括乙二胺、1，6-己二胺、三亞乙基四胺、以及六亞甲基四胺。
[0018]不希望受任何具體理論的束縛，據(jù)信在本發(fā)明的蝕刻組合物中的該第一含氮有機(jī)化合物和/或該第二含氮有機(jī)化合物至少起到一種蝕刻抑制劑的作用，該蝕刻抑制劑防止了顯示器裝置中的含銅金屬層的過度蝕刻。該第一含氮有機(jī)化合物和/或該第二含氮有機(jī)化合物可以分別單獨(dú)使用或以至少兩種不同種類的組合的形式使用。
[0019]該第一含氮有機(jī)化合物優(yōu)選地選自由脂肪胺(例如環(huán)己胺)、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、以及其任何組合組成的組。更優(yōu)選的第一含氮有機(jī)化合物是環(huán)己胺或三乙醇胺。
[0020]優(yōu)選地，該第二含氮有機(jī)化合物選自由以下各項(xiàng)組成的組:吡啶、咪唑、嘧啶、聚乙烯吡咯烷、乙二胺、1，6-己二胺、六亞甲基四胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、四亞乙基五胺、氨乙基哌嗪、氨乙基乙醇胺、氨基四唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡咯、吡咯啉、苯并三唑、甲苯并三唑、以及其任何組合。更優(yōu)選的第二含氮有機(jī)化合物是吡啶或六亞甲基四胺。
[0021]該第一含氮有機(jī)化合物和該第二含氮有機(jī)化合物的對應(yīng)的含量優(yōu)選地是從0.05wt.%至5 wt.%。相對于蝕刻組合物的總重量，這樣的含量的更優(yōu)選的范圍是從0.2 wt.%至1.0 wt.%。當(dāng)含量在上述的范圍內(nèi)時，可以獲得特別優(yōu)異的蝕刻速度而不會對有待蝕刻的金屬層造成損害。
[0022]在本發(fā)明中，含在蝕刻組合物中的銅離子源可以單獨(dú)使用或以至少兩種不同種類的組合的形式使用。當(dāng)它處于一種銅絡(luò)合物的形式時，銅離子的氧化效果可以增強(qiáng)。本發(fā)明的諸位發(fā)明人發(fā)現(xiàn)銅 絡(luò)合物的形式還可以影響蝕刻的速度。因此，可以通過選擇銅絡(luò)合物的種類來控制氧化效果和/或蝕刻速度。該銅絡(luò)合物可以優(yōu)選地通過適當(dāng)選擇蝕刻組合物中的第一含氮有機(jī)化合物、第二含氮有機(jī)化合物和/或有機(jī)酸和/或其鹽來形成。
[0023]該銅離子源優(yōu)選地選自由CuCl2、CuS04、Cu (CH3COO) 2、Cu (NO3) 2、以及其任何組合組成的組。該銅離子源更優(yōu)選地是CuCl2。
[0024]在本發(fā)明的組合物中，銅離子在蝕刻組合物中的濃度總體上是從1，500 ppm至20, 000 ppm。濃度的優(yōu)選的范圍是從4，000 ppm至15，000 ppm。當(dāng)濃度在以上范圍內(nèi)時，可以獲得對于含在該含銅金屬層中的銅來說的最佳的蝕刻速度而不會造成含銅金屬層的侵蝕。
[0025]不希望受任何具體理論的束縛，據(jù)信在本發(fā)明的蝕刻組合物中，該氟離子源主要蝕刻顯示器裝置中的含在該含銅金屬層中的除了銅之外的金屬組分。該氟離子源可以單獨(dú)使用或以至少兩種不同的氟離子源的一種混合物的形式使用。
[0026]優(yōu)選地，該氟離子源選自由以下各項(xiàng)組成的組:氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、氟化氫鉀、以及其任何組合。優(yōu)選的氟離子源是氟化銨。
[0027]在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物中，該氟離子的濃度在該蝕刻組合物中總體上是從
2,000 ppm至15,000 ppm。濃度的優(yōu)選的范圍是從3，000 ppm至8,000 ppm。當(dāng)濃度在以上范圍內(nèi)時，可以獲得對于含在該含銅金屬層中的除了銅之外的其他金屬組分來說的最佳的蝕刻速度而不會對基底和/或下面的半導(dǎo)體層造成損害。
[0028]不希望受任何具體理論的束縛，據(jù)信在本發(fā)明的蝕刻組合物中，該無機(jī)酸和/或其鹽可以起到一種輔助氧化劑(除了銅離子源和氟離子源之外)的作用。該無機(jī)酸的鹽可以是，例如，它的鈉鹽、鉀鹽、或銨鹽。該無機(jī)酸和/或其鹽可以單獨(dú)使用或以至少兩種不同的種類的組合的形式使用。
[0029]優(yōu)選地，該無機(jī)酸和/或其鹽選自由以下各項(xiàng)組成的組:硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、鹽酸、它們的鹽、以及其任何組合。更優(yōu)選的無機(jī)酸是鹽酸。
[0030]在根據(jù)本發(fā)明的組合物中，該無機(jī)酸和/或其鹽的含量相對于該蝕刻組合物的總重量總體上是從0.3 Wt.%至5 Wt.%。相對于蝕刻組合物的總重量,該含量的優(yōu)選的范圍是從I wt.%至3 wt.%。當(dāng)含量在以上范圍內(nèi)時，可以獲得對于含銅金屬層來說的最佳的蝕刻速度而不會對顯示器裝置中的該含銅金屬層內(nèi)的銅層造成損害。
[0031]不希望受任何具體理論的束縛，據(jù)信在本發(fā)明的組合物中，該有機(jī)酸和/或其鹽至少起到一種穩(wěn)定劑和/或螫合劑的作用，它使得能夠緩沖該蝕刻組合物以便保持溶液的PH以及使得能夠增強(qiáng)潤濕和穩(wěn)定性，從而導(dǎo)致適當(dāng)?shù)奈g刻性能。該有機(jī)酸和/或其鹽可以單獨(dú)使用或以至少兩種不同的種類的組合的形式使用。[0032]優(yōu)選地，該有機(jī)酸和/或其鹽選自由以下各項(xiàng)組成的組:乙酸、丙烯酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、丙酸、丙二酸、戊酸(petanoic acid)、草酸、酒石酸、次氨基三乙酸、乙酸銨、乙酸鉀、乙酸鈉以及其任何組合。更優(yōu)選的有機(jī)酸和/或其鹽是乙酸、甲酸、次氨基三乙酸、乙酸銨、或其任何組合。該有機(jī)酸和/或其鹽可以優(yōu)選地以上述化合物中的不同的兩個種類的組合的形式來使用。
[0033]在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物中，該有機(jī)酸和/或其鹽的含量相對于該蝕刻組合物的總重量是從0.1 wt.%至8 wt.%。相對于該蝕刻組合物的總重量,該含量的優(yōu)選的范圍是從5 wt.%至7 wt.%。當(dāng)含量在以上的范圍內(nèi)時，可以獲得蝕刻組合物的優(yōu)異的穩(wěn)定性和/或均勻性，而不會隨時間產(chǎn)生變化。此外，可以保持蝕刻組合物的足夠的溶解度，并且因此在該蝕刻設(shè)備中不存在不希望的殘余物。
[0034]在一個具體的實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物可以進(jìn)一步包含至少一種膦酸(包含至少一個胺殘基)。本發(fā)明的諸位發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過結(jié)合此類膦酸，可以移除可能存在于基底的表面上的剩余的未蝕刻的殘余銅。并且，這可以穩(wěn)定蝕刻組合物中的銅離子，并且這樣，可以防止金屬沉積。此類膦酸優(yōu)選地選自由以下各項(xiàng)組成的組:多氨基聚醚亞甲基膦酸酯、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、以及其任何組合。
[0035]與常規(guī)蝕刻組合物相比，本發(fā)明的蝕刻組合物示出了優(yōu)越的蝕刻能力。根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物通常具有從6，000 ppm至8，000 ppm的蝕刻能力。這個特征有助于根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物的成本競爭優(yōu)勢。除了上述含在該蝕刻組合物中的組分之外，可以任選地將一種或多種添加劑加入根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物中。此類添加劑可以選自，例如，由以下各項(xiàng)組成的組:表面活性劑、螫合劑、腐蝕抑制劑、蝕刻改性劑、PH調(diào)節(jié)劑、以及其任何組合。
[0036]在根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物中，水總體上以某一量值包含在該蝕刻組合物中。這個量值經(jīng)常補(bǔ)足蝕刻組合物的總重量的余量，除了此處以上討論的它的組分之外。適合的水可以是用于半導(dǎo)體工藝的一種，優(yōu)選去離子水。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的具體的組合物可以優(yōu)選地選自以下各項(xiàng):組合物(I):CuCl2 0.7 wt.% ~1.5 wt.% / NH4F 0.3 wt.% ~0.7 wt.% / HCl 1.5wt.% ~2 wt.% / 三乙醇胺 1.5 wt.% ~2.5 wt.% / 批P定 0.1 wt.% ~0.4 wt.% / 乙酸5 wt.%~7 wt.% /次氨基三乙酸0.1 wt.%~0.5 wt% /余量的去離子水
組合物(II) =CuCl2 0.6 wt.% ~1.2 wt.% / NH4F 0.2 wt.% ~0.6 wt.% / HCl 0.5wt.%~L5 wt.% / 環(huán)己胺 0.2 wt.%~0.8 wt.% / 六亞甲基四胺 0.05 wt.%~0.2 wt.%/甲酸2 wt.%~4 wt.% /乙酸銨0.5 wt.%~1.5 wt% /余量的去離子水
組合物(III) =CuCl2 0.5 Wt.%~1.5 wt.% / NH4F 0.2 wt.%~0.6 wt.% / HCl 0.5wt.% ~1.5 wt.% / 一乙醇胺 1.5 wt.% ~3 wt.% / 批P定 0.6 wt.% ~I wt.% / 乙酸 5wt.%~7 wt.% /次氨基三乙酸0.3 wt.%~0.6 wt% /余量的去離子水
組合物(IV) =CuCl2 0.7 wt.% ~1.2 wt.% / NH4F 0.3 wt.% ~0.7 wt.% / HCl Iwt.% ~2 wt.% / 二乙醇胺 2 wt.% ~3 wt.% / 1，6-己二胺 0.5 wt.% ~I wt.% / 乙酸3 wt.%~5 wt.% /次氨基三乙酸0.3 wt.%~0.6 wt% /余量的去離子水
組合物(V):CuCl2 0.5 wt.% ~1.5 wt.% / NH4F 0.3 wt.% ~0.7 wt.% / HCl 0.5wt.% ~1.5 wt.% / 環(huán)己胺 0.5 wt.% ~I wt.% / I, 6-己二胺 0.2 wt.% ~0.5 wt.% /甲酸2 wt.%~5 wt.% /乙酸鈉I wt.%~2 wt% /余量的去離子水
組合物(VI): CuCl2 0.7 wt.% ~1.5 wt.% / NH4F 0.3 wt.% ~0.5 wt.% / HCl Iwt.%~2 wt.% /三乙醇胺I wt.%~2 wt.% /六亞甲基四胺0.1 wt.%~0.3 wt.% /甲酸1.5 wt.%~5 wt.% /乙酸銨I wt.%~2 wt.% /多氨基聚醚亞甲基勝酸酯0.5wt.%~I wt.% /余量的去離子水
組合物(VII) =CuCl2 0.5 wt.% ~1.5 wt.% / KF 0.1 wt.% ~0.3 wt.% / HCl Iwt.% ~2 wt.% / 三乙醇胺 2 wt.% ~3 wt.% / 乙二胺 0.5 wt.% ~I wt.% / 批P定 0.3wt.% ~0.8 wt.% / 乙酸 5 wt.% ~7 wt.% / 乙酸鈉 1.5 wt.% ~2.5 wt% / 余量的去離子水
組合物(VIII) =CuCl2 0.6 wt.% ~1.2 wt.% / NH4F 0.2 wt.% ~0.6 wt.% / HCl 0.5wt.%~1.5 wt.% /氨乙基哌嗪0.2 wt.%~0.8 wt.% /六亞甲基四胺0.05 wt.%~0.2wt.% /甲酸2 wt.%~4 wt.% /乙酸銨0.5 wt.%~1.5 wt% /余量的去離子水
組合物(IX) =CuCl2 0.7 wt.% ~1.5 wt.% / NH4F 0.3 wt.% ~0.7 wt.% / HCl Iwt.%~2 wt.% /三乙醇胺2 wt.%~3 wt.% /三亞乙基四胺0.5 wt.%~I wt.% /乙酸5 wt.%~7 wt.% /乙酸鉀1.5 wt.%~2.5 wt% / 二亞乙基三胺五(亞甲基勝酸)0.5wt.%~1 wt.% /余量的去離子水。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物可以用于顯示器裝置中的金屬電極和/或信號線的蝕刻工藝。因此，本發(fā)明的另一個方面是一種用于蝕刻顯示器裝置中的含銅金屬層的方法，該方法包含使該金屬層的一個表面與根據(jù)本發(fā)明的蝕刻組合物相接觸。
[0039]將以實(shí)例的方式更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是應(yīng)理解的是本發(fā)明的范圍不受這些實(shí)例的具體模式所限制并且可以包括明顯的模式和變更。
[0040]為了確認(rèn)用于LCD裝置中的導(dǎo)電金屬層的蝕刻溶液的蝕刻性能，將鈦和銅以此順序沉積到玻璃基底上，并且在該銅層上形成一種光致抗蝕劑(PR)。在進(jìn)行了光刻工藝之后，制備具有20 mm X 20 mm尺寸的樣品。
[0041 ] 實(shí)例1:制備蝕刻溶液(I)制備2 L的用于IXD裝置中導(dǎo)電金屬層的蝕刻溶液(包含下面的組分)。在30° C的溫度下在0.1 MPa的壓力下用噴灑蝕刻設(shè)備在通過上述方法制備的樣品(20 mm X 20 mm)上進(jìn)行蝕刻持續(xù) 35 秒。將 ISJJX-Y-PP 020Y, IKEUCHI (2 L/min 在 0.2 MPa 下)用作一個噴嘴，并且噴灑距離是100 mm。通過使用掃描電子顯微鏡術(shù)(SEM)確定了 IXD裝置中的導(dǎo)電金屬層的蝕刻后的形狀和表面狀態(tài)。
[0042]<表1:蝕刻溶液(I)的組成>
【權(quán)利要求】
1.一種顯示器裝置的含銅金屬膜用蝕刻組合物，包含: 一種以上的銅離子源； 一種以上的氟離子源； 一種以上的無機(jī)酸和/或其鹽； 第一含氮有機(jī)化合物，選自由脂肪胺、芳香胺以及它們的任意組合構(gòu)成的組； 第二含氮有機(jī)化合物，選自由含氮雜環(huán)化合物、能進(jìn)行多重電荷的胺化合物以及它們的任意組合構(gòu)成的組；以及 一種以上的有機(jī)酸和/或其鹽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物,其中， 所述第一含氮有機(jī)化合物選自由環(huán)己胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺以及它們的任意的組合構(gòu)成的組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 所述第二含氮有機(jī)化合物選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組:吡啶、咪唑、嘧啶、聚乙烯吡咯烷、乙二胺、1，6-己二胺、六亞甲基四胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、四亞乙基五胺、氨乙基哌嗪、氨乙基乙醇胺、氨基四唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡咯、吡咯啉、苯并三唑、甲苯并三唑以及它們的任意組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物,其中， 所述銅離子源選自由CuCl2、CuSO4, Cu(CH3COO)2、Cu(NO3)2以及它們的任意組合構(gòu)成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物,其中， 所述氟離子源選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組:氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、氟化氫鉀以及它們的任意組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 所述無機(jī)酸和/或其鹽選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組:硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、鹽酸、它們的鹽、以及它們的任意組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物,其中， 所述有機(jī)酸和/或其鹽選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組:乙酸、丙烯酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、丙酸、丙二酸、戊酸、草酸、酒石酸、次氨基三乙酸、乙酸銨、乙酸鉀、乙酸鈉以及它們的任意組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 所述銅離子在蝕刻組合物中的濃度為1，500ppm至20，OOOppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 所述氟離子在蝕刻組合物中的濃度為2，OOOppm至15，OOOppm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 所述無機(jī)酸和/或其鹽的含量相對于蝕刻組合物的總重量為0.3wt.%至5wt.%。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 所述第一含氮有機(jī)化合物和所述第二含氮有機(jī)化合物的含量相對于蝕刻組合物的總重量分別為0.05wt.%至5wt.%。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，所述有機(jī)酸和/或其鹽的含量相對于蝕刻組合物的總重量為0.1wt.%至8wt.%。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 還包含一種以上的膦酸，所述膦酸包含一個以上的胺殘基，該胺殘基選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組:多氨基聚醚亞甲基膦酸酯、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)以及它們的任意組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中， 具有6，OOOppm至8，OOOppm的蝕刻能力。
15.一種顯示器裝置的含銅金屬膜的蝕刻方法，包括使權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物與含 銅金屬膜的表面接觸。
【文檔編號】C23F1/18GK103898508SQ201310720361
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月24日
【發(fā)明者】W.H.胡, S.K.李, Y-H.帕克 申請人:索爾維公司