基板沉積裝置的控制裝置及其控制方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于基板沉積裝置的控制裝置，以便根據(jù)由基板溫度傳感器感測到的溫度，實現(xiàn)對基板的總體表面狀態(tài)以及基座的總體驅(qū)動狀態(tài)的測量和測定。用于基板沉積裝置的控制裝置包括：溫度傳感器，用于感測放置在腔室內(nèi)的基板的溫度，以及支撐基板的基座的溫度；波形提取器，用于將由溫度傳感器感測到的溫度提取為隨時間變化的溫度波形；區(qū)域分離器，用于根據(jù)溫度波形，將基座的溫度所對應的基座區(qū)域與基板的溫度所對應的基板區(qū)域分開；以及測定器，用于根據(jù)基板區(qū)域的溫度波形以及基座區(qū)域的溫度波形，測定基板的表面狀態(tài)以及基座的驅(qū)動狀態(tài)。因此，用于基板沉積裝置的控制裝置可以削減基板沉積裝置的制造成本，并簡化其構造。
【專利說明】基板沉積裝置的控制裝置及其控制方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于基板沉積裝置的控制裝置及其控制方法；特定地說，涉及一種采用基板溫度測量器件的、用于基板沉積裝置的控制裝置及其控制方法。
【背景技術】
[0002]在形成發(fā)光顯示元件或類似元件的過程中，需要對AlN、GaAs、GaN和InP等薄膜進行沉積處理。這些薄膜所采用的沉積方法是，化學氣相沉積法(CVD)、分子束外延法(MBE)、金屬有機化學氣相沉積法(M0CVD)，等。在執(zhí)行這些沉積方法時，將基板安裝到真空態(tài)的腔室內(nèi)然后朝基板上供應工藝氣體，這樣來將結(jié)晶層沉積到基板表面上。[0003]在采用這些沉積方法進行沉積的時候，腔室內(nèi)的基板應該保持處于高溫狀態(tài)。于是，在基板沉積裝置上安裝有一個用于對基板加熱的加熱器，還安裝有一個用于測量腔室內(nèi)的基板的溫度的監(jiān)測器件。加熱器的加熱溫度可以由此監(jiān)測器件進行控制。
[0004]這種基板溫度監(jiān)測器件采用的是一種高溫計，用來監(jiān)測因為熱而從基板表面產(chǎn)生的紅外線。高溫計安裝在位于腔室上的窗的外側(cè)，通過檢測通過玻璃窗的紅外線來測量溫度，其中的紅外線產(chǎn)生自基板的表面，或者是所形成的半導體器件的表面。
[0005]要補充的是，基板表面的無法發(fā)現(xiàn)的缺陷(例如，表面受損、外界物質(zhì)粘附，等)；對基板高溫加熱導致的彎曲；位于基座上的基板旋轉(zhuǎn)時所處的處理環(huán)境導致出現(xiàn)基板對準錯誤；基座驅(qū)動狀態(tài)下也有錯誤發(fā)生，所有這些問題都可能導致形成于基板上的結(jié)晶層的質(zhì)量下降，還會導致工藝效率降低。
[0006]于是，需要觀察基板的表面狀態(tài)以及基座的驅(qū)動狀態(tài)，并且根據(jù)需要控制基板溫度并進行操縱以作工藝管理。
[0007]在傳統(tǒng)方法中，是通過獨立的設備來檢測基板溫度、基板的表面狀態(tài)以及基座的驅(qū)動狀態(tài)的。但是，用于感測基板溫度的高溫計以及用于檢測基板的表面狀態(tài)以及基座的驅(qū)動狀態(tài)的設備價格非常昂貴，從而導致基板沉積裝置的制造成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008][技術問題]
[0009]本發(fā)明的一個目標是，提供一種用于基板沉積裝置的控制裝置，其根據(jù)由基板溫度傳感器感測到的溫度，實現(xiàn)對基板的總體表面狀態(tài)以及基座的總體驅(qū)動狀態(tài)的測量和測定；以及所述控制裝置的控制方法。
[0010][技術方案]
[0011]根據(jù)本發(fā)明的用于基板沉積裝置的控制裝置可以包括:溫度傳感器，用于感測放置在腔室內(nèi)的基板的溫度，以及支撐所述基板的基座的溫度；波形提取器，用于將由所述溫度傳感器感測到的溫度提取為隨時間變化的溫度波形；區(qū)域分離器，用于根據(jù)所述溫度波形，將所述基座的溫度所對應的基座區(qū)域與所述基板的溫度所對應的基板區(qū)域分開；以及測定器，用于根據(jù)所述基板區(qū)域的溫度波形以及所述基座區(qū)域的溫度波形，測定所述基板的表面狀態(tài)以及所述基座的驅(qū)動狀態(tài)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的用于基板沉積裝置的控制方法可以包括:工藝起始步驟，在基板安裝到腔室內(nèi)的基座上并且受熱的情況下，在所述基板上起始沉積過程，然后通過所述基座的旋轉(zhuǎn)，將工藝氣體供應到所述腔室內(nèi)；溫度感測步驟，由溫度傳感器對所述基座的溫度以及所述基板的溫度進行感測，所述溫度傳感器位于所述基座之上；波形提取步驟，將由所述溫度傳感器所感測的溫度提取為一個隨時間變化的溫度波形；區(qū)域分離步驟，根據(jù)所述溫度波形，分出所述基座的溫度所對應的基座區(qū)域與所述基板的溫度所對應的基板區(qū)域；以及測定步驟，根據(jù)所述基板區(qū)域的溫度波形以及所述基座區(qū)域的溫度波形，測定所述基板的表面狀態(tài)以及所述基座的驅(qū)動狀態(tài)。
[0013][有益效果]
[0014]根據(jù)本發(fā)明的用于基板沉積裝置的控制裝置以及其控制方法采用高溫計等用于感測基板溫度的溫度傳感器來實現(xiàn)基板沉積裝置對基板溫度和基座溫度的感測，并且實現(xiàn)了基于所感測的溫度對基板總體表面狀態(tài)以及基座總體驅(qū)動狀態(tài)的測定，據(jù)此可以削減基板沉積裝置的制造成本并簡化其構造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的基板沉積裝置的圖；
[0016]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于基板沉積裝置的控制裝置的圖；
[0017]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于說明基板沉積裝置的控制方法的序列圖；
[0018]圖4是用于說明表面狀態(tài)處于優(yōu)良的基板的圖；
[0019]圖5是示出了當基板的表面狀態(tài)優(yōu)良時溫度波形的曲線圖；
[0020]圖6是示出了當基板發(fā)生彎曲時溫度波形的曲線圖；
[0021]圖7是用于說明基板的上翹情況的圖；
[0022]圖8是用于說明基板的上翹情況的圖；
[0023]圖9是示出了當基板發(fā)生上翹時溫度波形的曲線圖；
[0024]圖10是用于說明基板表面的受損情況的圖；
[0025]圖11是示出了當基板的表面受損時溫度波形的曲線圖；
[0026]圖12是示意性地示出了對基板進行支撐的基座的驅(qū)動狀態(tài)的俯視圖；
[0027]圖13是用于說明驅(qū)動狀態(tài)處于優(yōu)良的基座的圖；
[0028]圖14是示出了當基座的驅(qū)動狀態(tài)優(yōu)良時溫度波形的曲線圖；
[0029]圖15是示出了基座的擺動情況的圖；
[0030]圖16是示出了當基座發(fā)生擺動時溫度波形的曲線圖。
【具體實施方式】
[0031 ] 下文中，結(jié) 合附圖描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的基板沉積裝置。
[0032]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的基板沉積裝置的圖。
[0033]參看圖1，根據(jù)此實施例的基板沉積裝置可以包括，腔室110、氣體供應單元120、基座130以及溫度傳感器210。
[0034]用于沉積工藝的空間可以設置在腔室110中。[0035]氣體供應單元120可以位于腔室110上方。氣體供應單元120上可以整合有一個蓋子，用于將腔室110的內(nèi)部打開和關閉。氣體供應單元120用于向腔室110中注入工藝氣體。氣體供應單元120可以制作成淋浴頭的形態(tài)，包括第一工藝氣體通道121、第二工藝氣體通道122、吹掃氣通道123以及冷卻通道124。
[0036]第一工藝氣體通道121和第二工藝氣體通道122可以具有其自身的通路，以防止第一工藝氣體和第二工藝氣體混合在一起。吹掃氣通道123可以形成于氣體供應單元120的邊緣。吹掃氣用于防止供應到腔室110中的工藝氣體進入腔室110的內(nèi)壁，這樣，就不會有顆粒沉積在腔室110的內(nèi)壁上。冷卻通道124可以位于第一工藝氣體通道121和第二工藝氣體通道122的下部。于是，第一工藝氣體和第二工藝氣體便可以通過冷卻通道124供應到腔室110中。當有冷卻劑流經(jīng)冷卻通道124時，氣體供應單元120的下部表面便得到冷卻。其目的是防止在氣體供應單元120的下部表面上發(fā)生工藝氣體的反應。
[0037]基座130位于氣體供應單元120的下面。在基座130的上部表面上可以具有多個凹口(p0Cket)131。每一個凹口 131中都可以安裝有基板10?；?0的制作材料可以是，氮化鎵、藍寶石等，這些材料都接受了外延工藝。基座130下方可以安裝一個旋轉(zhuǎn)軸。馬達可以連接到基座130的旋轉(zhuǎn)軸的底端，它伸到腔室110的外部。于是，基座130便可以在工藝過程中通過馬達和旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。
[0038]可以在基座130中安裝用于對基座130加熱的加熱器133，以便調(diào)整基板10的溫度?？梢园惭b多個加熱器133來實現(xiàn)對基座130不同區(qū)域的溫度控制。每一個加熱器133都可以將安裝在基座130上的基板10加熱到600°C到1300°C。加熱器133可以采用鎢絲加熱器或RF (射頻)加熱器。
[0039]分割壁132向腔室110的底部延伸，它可以位于基座130的側(cè)面。在分割壁132與腔室Iio的內(nèi)壁之間可以安裝J形襯里140。襯里140用于防止在腔室110中產(chǎn)生渦流。于是，腔室110中的廢氣可以順利排空，因此可以避免在腔室110的內(nèi)壁與分割壁132之間發(fā)生顆粒沉積。這種襯里140可以用石英制成。在此實施例中，使用者可以選擇是否使用襯里140。
[0040]用于排放處理后所剩的廢氣和顆粒的排放孔111可以形成在腔室110的下部。于是，處理后所剩的廢氣和顆粒可以沿著襯里140排出排放孔111。還可以在排放孔111中安裝泵(未圖示)和廢氣洗滌器(未圖示)或類似設備，用于所排氣體的凈化。
[0041]溫度傳感器210可以位于腔室110的外部頂端。溫度傳感器210用于測量腔室110中基板10和基座130的溫度。溫度傳感器210可以采用通過光學方法來感測溫度的非接觸式溫度計。因此，可以在氣體供應單元120上安裝感測端口 211，以便讓位于工藝空間外的溫度傳感器210可以測量基板10或基座130的溫度。
[0042]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于基板沉積裝置的控制裝置的圖。
[0043]參看圖2，根據(jù)此實施例的用于基板沉積裝置的控制裝置包括，波形提取器220、區(qū)域分離器230、基板區(qū)域分離器240、溫度比較器250、旋轉(zhuǎn)周期檢測器260、旋轉(zhuǎn)速度檢測器270，以及波高比較器280和測定器290。
[0044]波形提取器220可以將溫度傳感器210所感測到的溫度提取為一個隨時間變化的溫度波形。也就是說，在基座130旋轉(zhuǎn)的情況下，使溫度傳感器210向著基座130輻射預定波長的光，同時，從基座130和基板10反射回來的光可以被溫度傳感器210持續(xù)感測到。通過這種方法，波形提取器220可以將溫度傳感器210所感測到的基座130和基板10的溫度的數(shù)值以攝氏度等單位計算出來，然后提取計算結(jié)果，得到一個隨時間變化的溫度波形。
[0045]區(qū)域分離器230可以將波形提取器220所提取的溫度波形分成基座區(qū)域和基板區(qū)域。也就是，區(qū)域分離器230用于將基座區(qū)域，即，具有相對高溫度波形的區(qū)域，與基板區(qū)域，即，具有相對低溫度波形的區(qū)域進行分離。另外，區(qū)域分離器230可以通過預定的溫度范圍來區(qū)分和辨別基座區(qū)域和基板區(qū)域，或者按預定的旋轉(zhuǎn)角單位來將基座區(qū)域和基板區(qū)域分離。通過這種方法，區(qū)域分離器230可以讓基座區(qū)域溫度和基板區(qū)域溫度清楚地區(qū)分開來。
[0046]基板區(qū)域分離器240可以隨時間對基板區(qū)域作分離。也就是，保持基座130旋轉(zhuǎn)，可以將基板區(qū)域分成起始區(qū)域、中間區(qū)域和結(jié)束區(qū)域，起始區(qū)域是指對基板10進行的感測開始之處。起始區(qū)域是指對基板10的溫度進行的感測開始的區(qū)域，結(jié)束區(qū)域是指對基板10的溫度進行的感測結(jié)束的區(qū)域。也就是，起始區(qū)域和結(jié)束區(qū)域?qū)诨?0的邊緣的溫度，而中間區(qū)域則對應于基板10的中央的溫度。[0047]溫度比較器250這個組件用于比較基板區(qū)域的起始區(qū)域、中間區(qū)域以及結(jié)束區(qū)域的溫度。溫度比較器250可以比較基板區(qū)域的起始區(qū)域和中間區(qū)域，也可以比較基板區(qū)域的結(jié)束區(qū)域與中間區(qū)域。
[0048]旋轉(zhuǎn)周期檢測器260可以根據(jù)基座130所支撐的基板10的數(shù)量，或者根據(jù)形成在基座130中的凹口 131的數(shù)量，檢測出基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期。例如，如果基座130中具有六個凹口 131，而每個凹口 131中支撐了一個基板10，那么一個溫度波形中可以出現(xiàn)六個基板區(qū)域或六個基座區(qū)域。于是，旋轉(zhuǎn)周期檢測器260可以檢測出具有六個基板區(qū)域或六個基座區(qū)域的一個溫度波形地帶，即，一個旋轉(zhuǎn)周期。
[0049]旋轉(zhuǎn)速度檢測器270可以根據(jù)旋轉(zhuǎn)周期檢測器260所檢測的基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期，檢測出基座130的旋轉(zhuǎn)速度。
[0050]波高比較器280可以比較基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期所對應的基座區(qū)域的波高。也就是，按照上述實例所示，基座130中具有六個凹口 131，而每個凹口 131中支撐了一個基板10，因此基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期中可以具有六個基座區(qū)域。那么，波高比較器280便可以比較這六個基座區(qū)域的波高。
[0051]測定器290可以采用溫度比較器250的比較結(jié)果測定基板10的表面狀態(tài)。
[0052]也就是，如果在基板區(qū)域的溫度波形中，起始區(qū)域Al和結(jié)束區(qū)域A3低于中間區(qū)域A2，那么測定器290便測定基板10發(fā)生了彎曲。溫度發(fā)生變化的原因是，隨著基板邊緣發(fā)生彎曲，基板10邊緣的受熱可能小于基板10的中央，或者也可能是，從溫度傳感器120輻射來的光反射時發(fā)生漫反射，從而導致了光反射率降低。
[0053]另外，如果基板區(qū)域的溫度波形向著結(jié)束區(qū)域A3逐漸變高，那么測定器290可以測定基板10的表面發(fā)生了上翹。同樣，如果基板區(qū)域的溫度波形向著結(jié)束區(qū)域A3逐漸降低，那么測定器290也可以測定基板10的表面發(fā)生了上翹。
[0054]另外，如果基板區(qū)域的溫度波形不規(guī)則，那么測定器290可以測定基板10的表面受損，或者是有外界物質(zhì)粘附在基板10的表面上。
[0055]另外，測定器290可以測定基座130的驅(qū)動狀態(tài)，測定中采用由旋轉(zhuǎn)速度檢測器270檢測出的基座130的旋轉(zhuǎn)速度，以及從波高比較器280得到的在基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期中各基座區(qū)域之間的高度比較結(jié)果。
[0056]也就是，測定器290可以測定，由旋轉(zhuǎn)速度檢測器270檢測出的基座的旋轉(zhuǎn)速度是快于預置旋轉(zhuǎn)速度還是慢于預置旋轉(zhuǎn)速度。
[0057]此外，如果在基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期中各基座區(qū)域之間的波高比較結(jié)果顯示，基座區(qū)域逐漸升高或降低，那么測定器290測定基座130發(fā)生了擺動。
[0058]下文將描述根據(jù)此實施例的基板沉積裝置的控制方法。
[0059]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于說明基板沉積裝置的控制方法的序列圖。
[0060]如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的基板沉積裝置的控制方法可以包括，工藝起始步驟S11、溫度感測步驟S13、波形提取步驟S15、區(qū)域分離步驟S17以及測定步驟S19。
[0061]在工藝起始步驟Sll這個步驟中，在基板10安裝到腔室110內(nèi)的基座130上并且受熱的情況下，在基板10上起始沉積工藝，然后通過基座130的旋轉(zhuǎn)，將工藝氣體供應到腔室110內(nèi)。在溫度感測步驟S13這個步驟中，由溫度傳感器210對基座130的溫度以及基板10的溫度進行感測，溫度傳感器210位于基座130上方。在波形提取步驟S15這個步驟中，將由溫度傳感器210所感測到的溫度提取為一個隨時間變化的溫度波形。在區(qū)域分離步驟S17這個步驟中，根據(jù)溫度波形，將基座130的溫度所對應的基座區(qū)域與基板10的溫度所對應的基板區(qū)域進行 分離。在測定步驟S19這個步驟中，根據(jù)基板區(qū)域的溫度波形以及基座區(qū)域的溫度波形，測定基板的表面狀態(tài)以及基座的驅(qū)動狀態(tài)。
[0062]圖4是用于說明表面狀態(tài)處于優(yōu)良的基板的圖。圖5是示出了當基板的表面狀態(tài)優(yōu)良時溫度波形的曲線圖。
[0063]參看圖4和圖5，如果基板10的表面狀態(tài)優(yōu)良，那么在將基板10拿到腔室110內(nèi)并使之在基座130的凹口 131中排列好之后，基座區(qū)域B和基板區(qū)域A是分離的，同時基板區(qū)域A的溫度波形呈現(xiàn)為相對規(guī)則的圖案。也就是，經(jīng)檢測，整個基板10區(qū)域上的溫度幾乎是均勻的，同時，提取自基板區(qū)域A的起始區(qū)域Al、中間區(qū)域A2以及結(jié)束區(qū)域A3的溫度波形幾乎是平坦的。
[0064]通過這種方法，如果提取自基板區(qū)域A的起始區(qū)域Al、中間區(qū)域A2以及結(jié)束區(qū)域A3的溫度波形幾乎是平坦的，那么測定器290便測定基板10的表面狀態(tài)是優(yōu)良的，因此過程可以繼續(xù)進行。
[0065]圖6是示出了當基板發(fā)生彎曲時溫度波形的曲線圖。圖7是用于說明基板的上翹情況的圖。
[0066]參看圖6和圖7，如果基板10發(fā)生了彎曲，那么在基板區(qū)域A的溫度波形中，起始區(qū)域Al和結(jié)束區(qū)域A3可能會高出中間區(qū)域A2。也就是，基板10的邊緣可能與凹口 131的底表面間隔開來，而基板的中央可能支撐在凹口 131上，與凹口 131的底表面接觸。因此，如果基板邊緣發(fā)生彎曲，那么基板10的邊緣的受熱可能小于基板10的中央，或者，從溫度傳感器120輻射來的光反射時可能會發(fā)生漫反射，導致光反射率降低。于是，如果在基板區(qū)域A的溫度波形中，起始區(qū)域Al和結(jié)束區(qū)域A3低于中間區(qū)域A2，那么測定器290便測定基板發(fā)生了彎曲。
[0067]圖8是用于說明基板的上翹情況的圖。圖9是示出了當基板發(fā)生上翹時溫度波形的曲線圖。
[0068]參看圖8和圖9，如果因為設備震動等處理因素，導致基板10在凹口 131中沒有排列好，或者基板19有一部分落到凹口 131外面，那么基板區(qū)域A的溫度波形向著結(jié)束區(qū)域A3逐漸升高或降低。也就是，如果基板10有一部分落到基板10的凹口 131外面而基板10是支撐在凹口 131上的，那么基板10可能發(fā)生了上翹，同時，從基板10反射的光的反射角可能會隨上翹基板10的斜度而波動。于是，光從基板10反射到溫度傳感器210的距離、光到達溫度傳感器210的時間等因素會改變，從而導致溫度傳感器210感測到的光的強度或光量逐漸增加或減小。
[0069]因此，如果所提取的基板區(qū)域A的溫度波形向著結(jié)束區(qū)域A3逐漸升高或降低，那么測定器290測定基板10的表面發(fā)生了上翹，因此控制器(未圖示)可以讓過程停止。
[0070]圖10是用于說明基板表面的受損情況的圖。圖11是示出了當基板的表面受損時溫度波形的曲線圖。
[0071]參看圖10和圖11，如果過程執(zhí)行時，基板10的表面受損或者有外界物質(zhì)粘附，那么基板區(qū)域A的溫度波形可能呈現(xiàn)為不規(guī)則的圖案。也就是，如果基板10受損或有外界物質(zhì)粘附到基板10的表面上，那么基板10所反射的光會因為凹陷、突起等形成在基板中的缺陷而導致在反射時發(fā)生漫反射。于是，光從基板10反射到溫度傳感器210的距離、光到達溫度傳感器210的時間等因素會不規(guī)則地改變，從而導致溫度傳感器210感測到的光的強度或光量不均勻。
[0072]因此，如果所提取的基板區(qū)域A的溫度波形具有不規(guī)則的圖案，那么測定器290測定基板10的表面受損或者有外界物質(zhì)粘附到基板10的表面上，因此控制器(未圖示)可以讓過程停止。
[0073]圖12是示意性地示出了對基板進行支撐的基座的驅(qū)動狀態(tài)的俯視圖。圖13是用于說明驅(qū)動狀態(tài)處于優(yōu)良的基座的圖。圖14是示出了當基座的驅(qū)動狀態(tài)優(yōu)良時溫度波形的曲線圖。
[0074]在圖12中，具有六個凹口 131并且每個凹口 131中持有一個基板10，下文將描述其一實例，以方便理解本發(fā)明。
[0075]參看圖12到圖14，在六個凹口 131的每一個中持有一個基板10，在基座旋轉(zhuǎn)的情況下，通過溫度傳感器210感測六個基板10的溫度以及位于凹口 131之間的基座的表面溫度。波形提取器220將測量所得的溫度提取為圖6所示的溫度波形。區(qū)域分離器230將基座區(qū)域B，即，具有較高溫度波形的區(qū)域，與基板區(qū)域A，即，具有較低溫度波形的區(qū)域進行分離。
[0076]在這種情況下，基座130旋轉(zhuǎn)一次可以出現(xiàn)六個基座區(qū)域B和六個基板區(qū)域A。旋轉(zhuǎn)周期檢測器240從第一個檢測到的基座區(qū)域B或基板區(qū)域A開始，檢測出一個包括六個基座區(qū)域B和六個基板區(qū)域A的地帶，作為基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期。旋轉(zhuǎn)速度檢測器250可以根據(jù)基座130的一個旋轉(zhuǎn)周期，檢測出基座130的旋轉(zhuǎn)速度。
[0077]測定器290將旋轉(zhuǎn)速度檢測器250檢測到的基座130的旋轉(zhuǎn)速度與預置旋轉(zhuǎn)速度進行比較，以測定基座130的旋轉(zhuǎn)速度是否正常。
[0078]另外，如果基座130在平坦位置中正常旋轉(zhuǎn)，那么六個基座區(qū)域B的波高幾乎是均勻的，如圖6所示。于是，測定器290測定基座130在平坦位置中正常旋轉(zhuǎn)。
[0079]圖15是示出了基座的擺動情況的圖。圖16是示出了當基座發(fā)生擺動時溫度波形的曲線圖。[0080]參看圖15和圖16，如果基座130發(fā)生擺動，那么基座130的表面可能發(fā)生了上翹。于是，從基座130反射的光的反射角可能隨基座130的斜度而波動。也就是，光從基座130反射到溫度傳感器210的距離、光到達溫度傳感器210的時間等因素會改變，從而導致溫度傳感器210感測到的光的強度或光量逐漸增加或減小。
[0081]因此，如果基座區(qū)域的溫度波形隨時間逐漸升高或降低，那么測定器290便測定基座發(fā)生了擺動，因此控制器(未圖示)便可以讓過程停止。
[0082][序號列表]
[0083]A:基板區(qū)域Al:起始區(qū)域
[0084]A2:中間區(qū)域A2:結(jié)束區(qū)域
[0085]B:基座區(qū)域10:基板
[0086]110:腔室120:氣體供應單元
[0087]121:第一工藝氣體通道122:第二工藝氣體通道
[0088]123:吹掃氣通道124:冷卻通道
[0089]130:基座 131:凹口
[0090]132:分割壁140:襯里
[0091]210:溫度傳感器 211:感測端口
[0092]220:波形提取器 230:區(qū)域分離器
[0093]240:基板區(qū)域分離器250:溫度比較器
[0094]260:旋轉(zhuǎn)周期檢測器270:旋轉(zhuǎn)速度檢測器
[0095]280:波高比 較器 290:測定器
【權利要求】
1.一種用于基板沉積裝置的控制裝置，所述控制裝置包括: 溫度傳感器，用于感測放置在腔室內(nèi)的基板的溫度； 波形提取器，用于將由所述溫度傳感器感測到的基板溫度提取為隨時間變化的溫度波形；以及 測定器，用于根據(jù)所述基板的所述溫度波形，測定所述基板是否發(fā)生彎曲以及所述基板的表面狀態(tài)和斜度。
2.根據(jù)權利要求1所述的控制裝置，進一步包括: 基板區(qū)域分離器，用于將所述基板的所述溫度波形隨時間分成起始區(qū)域、中間區(qū)域和結(jié)束區(qū)域；以及 溫度比較器，用于將所述基板的與所述起始區(qū)域、中間區(qū)域和結(jié)束區(qū)域相對應的溫度波形進行比較。
3.一種用于基板沉積裝置的控制裝置，所述控制裝置包括: 溫度傳感器，用于感測放置在腔室內(nèi)的基座的溫度； 波形提取器，用于將由所述溫度傳感器感測到的基座溫度提取為隨時間變化的溫度波形；以及 測定器，用于根據(jù)所述基座的所述溫度波形，測定所述基座的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。
4.根據(jù)權利要求3所述的控制裝置，其中，所述溫度傳感器還用于感測支撐在所述基座上的基板的溫度；并且所述控制裝置進一步包括區(qū)域分離器，用于將溫度波形分成基座溫度所對應的基座區(qū)域和基板溫度所對應的基板區(qū)域。
5.根據(jù)權利要求4所述的控制裝置，其中，所述區(qū)域分離器用于將整個溫度波形分成呈現(xiàn)為相對高的溫度波形的基座區(qū)域和相比于所述基座區(qū)域呈現(xiàn)為較低的溫度波形的基板區(qū)域。
6.根據(jù)權利要求1所述的控制裝置，進一步包括: 旋轉(zhuǎn)周期檢測器，用于根據(jù)基板區(qū)域的數(shù)量或基座區(qū)域的數(shù)量，檢測出所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期；以及 旋轉(zhuǎn)速度檢測器，用于根據(jù)所述旋轉(zhuǎn)周期檢測器所檢測的所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期，檢測出所述基座的旋轉(zhuǎn)速度。
7.根據(jù)權利要求6所述的控制裝置，進一步包括波高比較器，用于比較所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期所對應的所述基座區(qū)域的波高， 其中，所述測定器用于根據(jù)在所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期中各基座區(qū)域之間的波高比較結(jié)果，測定所述基座是否發(fā)生了擺動。
8.一種用于基板沉積裝置的控制方法，所述控制方法包括: 工藝起始步驟，在基板于腔室內(nèi)受熱的情況下，在所述基板上起始沉積工藝，然后將工藝氣體供應到所述腔室內(nèi)； 溫度感測步驟，由溫度傳感器對所述基板的溫度進行感測； 波形提取步驟，將由所述溫度傳感器感測到的基板溫度提取為隨時間變化的溫度波形； 區(qū)域分離步驟，用于根據(jù)所述溫度波形，將所述基座的溫度所對應的基座區(qū)域與所述基板的溫度所對應的基板區(qū)域分開；以及測定步驟，根據(jù)所述基板的溫度波形，測定所述基板是否發(fā)生彎曲，以及所述基板的表面狀態(tài)和斜度。
9.根據(jù)權利要求8所述的控制方法，進一步包括基板區(qū)域分離步驟，用于將所述基板的溫度波形隨時間分成起始區(qū)域、中間區(qū)域和結(jié)束區(qū)域。
10.根據(jù)權利要求9所述的控制方法，進一步包括溫度比較步驟，用于將所述基板的與所述起始區(qū)域、中間區(qū)域和結(jié)束區(qū)域相對應的溫度波形進行比較。
11.根據(jù)權利要求10所述的控制方法，其中，在所述測定步驟中，如果所述中間區(qū)域的溫度波形高于所述起始區(qū)域或所述結(jié)束區(qū)域的溫度波形，那么測定所述基板發(fā)生了彎曲。
12.根據(jù)權利要求10所述的控制方法，其中，在所述測定步驟中，如果所述基板區(qū)域的溫度波形向著所述結(jié)束區(qū)域逐漸降低，那么測定所述基板的表面發(fā)生了上翹。
13.根據(jù)權利要求10所述的控制方法，其中，在所述測定步驟中，如果所述基板區(qū)域的溫度波形向著所述結(jié)束區(qū)域逐漸升高，那么測定所述基板的表面發(fā)生了上翹。
14.根據(jù)權利要求10所述的控制方法，其中，在所述測定步驟中，如果所述基板的溫度波形不規(guī)則，那么測定所述基板的表面受損或者有外界物質(zhì)粘附到所述基板的表面上。
15.一種用于基板沉積裝置的控制方法，所述控制方法包括: 工藝起始步驟，在 腔室內(nèi)支撐基板的基座旋轉(zhuǎn)的情況下，在所述基板上起始沉積工藝，然后將工藝氣體供應到所述腔室內(nèi)； 溫度感測步驟，由溫度傳感器對所述基座的溫度進行感測； 波形提取步驟，將由所述溫度傳感器感測到的基座溫度提取為隨時間變化的溫度波形； 基座驅(qū)動狀態(tài)測定步驟，根據(jù)所述基座的溫度波形，測定所述基座的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。
16.根據(jù)權利要求15所述的控制方法，其中，所述溫度傳感器對基座溫度和基板溫度均進行感測，并且所述控制方法進一步包括區(qū)域分離步驟，用于將溫度波形分成呈現(xiàn)為相對高的溫度波形的基座區(qū)域和相比于所述基座區(qū)域呈現(xiàn)為較低的溫度波形的基板區(qū)域。
17.根據(jù)權利要求16所述的控制方法，其中，根據(jù)基板區(qū)域的數(shù)量和基座區(qū)域的數(shù)量檢測出所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期。
18.根據(jù)權利要求17所述的控制方法，其中，根據(jù)所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期檢測出所述基座的旋轉(zhuǎn)速度。
19.根據(jù)權利要求17所述的控制方法，其中，將所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期所對應的各基座區(qū)域的波高進行比較。
20.根據(jù)權利要求19所述的控制方法，其中，根據(jù)在所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期中各基座區(qū)域之間的波高比較結(jié)果，測定所述基座是否發(fā)生了擺動。
21.根據(jù)權利要求17所述的控制方法，其中，如果在所述基座的一個旋轉(zhuǎn)周期中各基座區(qū)域之間的波高比較結(jié)果顯示，所述基座區(qū)域逐漸升高或降低，那么測定所述基座發(fā)生了擺動。
【文檔編號】C23C16/52GK103911604SQ201310744475
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權日:2012年12月28日
【發(fā)明者】洪性在 申請人:麗佳達普株式會社