一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，包括研磨下盤，所述研磨下盤上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片，所述研磨下盤邊緣沿圓周設(shè)置有多個導(dǎo)流孔，所述導(dǎo)流孔上孔口設(shè)有封口件，所述研磨下盤外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊，所述環(huán)形擋塊與研磨下盤連接處設(shè)有密封構(gòu)件。本發(fā)明研磨下盤的“S”型刀片結(jié)構(gòu)可加快研磨時間，大大提高研磨效率。研磨砂液以及細碎的晶片飛濺時被周煒的環(huán)形擋塊阻擋，避免四周環(huán)境污染。清理時，使用刷子將研磨砂液以及細碎的晶片掃入導(dǎo)流孔即可，方便簡單。
【專利說明】一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，屬于晶片研磨加工領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體塊出廠時，其表面都是比較粗糙的，需要通過研磨機進行進行研磨。用于晶片研磨加工的研磨機，在加工過程中，研磨上盤與研磨下盤在研磨晶片時，會有研磨砂液以及細碎的晶片飛濺，造成工作環(huán)境的污染，由于研磨液屬于化學(xué)制劑，晶片碎屑又過于碎小，難以清理造成周圍環(huán)境的污染。且隨著晶片產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，目前對晶片研磨的技術(shù)要求越來越高。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對以上弊端提供一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，在提高研磨精度的同時，避免了在研磨過程中研磨砂液以及細碎的晶片飛濺的現(xiàn)象，改善工作效果，提高工作效率。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0005]一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，包括研磨下盤，其中，所述研磨下盤上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片，所述“S”型刀片間所成角度Θ為30度；所述研磨下盤邊緣沿圓周設(shè)置有多個導(dǎo)流孔，所述導(dǎo)流孔在研磨下盤內(nèi)呈傾斜設(shè)置，所述導(dǎo)流孔與研磨下盤下表面所成角度δ為45度，所述導(dǎo)流孔上孔口設(shè)有封口件；所述研磨下盤外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊，所述環(huán)形擋塊與研磨下盤連接處設(shè)有密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件由兩個“N”型密封環(huán)與一個“Ζ”型密封環(huán)組成，呈多重密封結(jié)構(gòu)，三個密封環(huán)間間隙構(gòu)成迷宮密封。
[0006]一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，其中，所述“S”型刀片的數(shù)量為12條。
[0007]一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，其中，所述兩個“N”型密封環(huán)位于“Ζ”型密封環(huán)上下兩端。
[0008]工作方法:使用時，研磨下盤呈順時針旋轉(zhuǎn)研磨，研磨砂液以及細碎的晶片飛濺時被周圍的環(huán)形擋塊阻擋，落在研磨下盤上。研磨結(jié)束后，將研磨好的晶片取出，將導(dǎo)流孔上的封口件取下，在導(dǎo)流孔下放置垃圾箱，使用刷子將研磨砂液以及細碎的晶片掃入導(dǎo)流孔即可。
[0009]有益效果；
[0010]1，研磨下盤的“S”型刀片結(jié)構(gòu)可加快研磨時間，大大提高研磨效率。
[0011]2，研磨砂液以及細碎的晶片飛濺時被周圍的環(huán)形擋塊阻擋，避免四周環(huán)境污染。
[0012]3，清理時，使用刷子將研磨砂液以及細碎的晶片掃入導(dǎo)流孔即可，方便簡單。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的正視圖。
[0014]圖2為本發(fā)明的俯視圖。[0015]圖3為本發(fā)明的導(dǎo)流孔示意圖。
[0016]圖4為本發(fā)明的密封部件示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0018]實施例
[0019]如圖所示，一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，包括研磨下盤1，其中，所述研磨下盤I上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片2，所述“S”型刀片2間所成角度Θ為30度；所述研磨下盤I邊緣沿圓周設(shè)置有多個導(dǎo)流孔3，所述導(dǎo)流孔3在研磨下盤內(nèi)呈傾斜設(shè)置，所述導(dǎo)流孔3與研磨下盤I下表面所成角度δ為45度，所述導(dǎo)流孔I上孔口設(shè)有封口件4 ;所述研磨下盤I外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊5，所述環(huán)形擋塊5與研磨下盤I連接處設(shè)有密封構(gòu)件6，所述密封構(gòu)件6由兩個“N”型密封環(huán)61與一個“Ζ”型密封環(huán)62組成，呈多重密封結(jié)構(gòu)，三個密封環(huán)間間隙構(gòu)成迷宮密封。所述“S”型刀片2的數(shù)量為12條。所述兩個“N”型密封環(huán)61位于“Ζ”型密封環(huán)62上下兩端。所述導(dǎo)流孔3數(shù)量為8個。
[0020]工作方法:使用時，研磨下盤I呈順時針旋轉(zhuǎn)研磨，研磨砂液以及細碎的晶片飛濺時被周圍的環(huán)形擋塊5阻擋，落在研磨下盤I上。研磨結(jié)束后，將研磨好的晶片取出，將導(dǎo)流孔3上的封口件4取下，在導(dǎo)流孔3下放置垃圾箱，使用刷子將研磨砂液以及細碎的晶片掃入導(dǎo)流孔3即可。
[0021]有益效果；研磨下盤的“S”型刀片結(jié)構(gòu)可加快研磨時間，大大提高研磨效率。研磨砂液以及細碎的晶片飛濺時被周煒的環(huán)形擋塊阻擋，避免四周環(huán)境污染。清理時，使用刷子將研磨砂液以及細碎的晶片掃入導(dǎo)流孔即可，方便簡單。
[0022]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，包括研磨下盤，其特征在于，所述研磨下盤上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片，所述“S”型刀片間所成角度Θ為30度；所述研磨下盤邊緣沿圓周設(shè)置有多個導(dǎo)流孔，所述導(dǎo)流孔在研磨下盤內(nèi)呈傾斜設(shè)置，所述導(dǎo)流孔與研磨下盤下表面所成角度δ為45度，所述導(dǎo)流孔上孔口設(shè)有封口件；所述研磨下盤外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊，所述環(huán)形擋塊與研磨下盤連接處設(shè)有密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件由兩個“N”型密封環(huán)與一個“ Z ”型密封環(huán)組成，呈多重密封結(jié)構(gòu)，三個密封環(huán)間間隙構(gòu)成迷宮密封。
2.如權(quán)利要求1所述的一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述“S”型刀片的數(shù)量為12條。
3.如權(quán)利要求1所述的一種新型研磨下盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩個“N”型密封環(huán)位于“Ζ”型密封環(huán)上下兩端。
【文檔編號】B24B37/11GK103769995SQ201310752315
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】聶金根 申請人:鎮(zhèn)江市港南電子有限公司