專利名稱：低溫等離子體清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種對(duì)物體表面污染及氧化物進(jìn)行還原清洗的設(shè)備，尤其是一種常溫常壓條件下的低溫等離子體清洗設(shè)備。
背景技術(shù)：
[0002]目前國內(nèi)外電子封裝行業(yè)利用等離子體清洗技術(shù)主要有兩個(gè)工藝環(huán)節(jié):其一是利用氧、氬混合氣體對(duì)晶片芯圓蝕刻后的殘留污染物進(jìn)行腐蝕轟擊清洗；其二是利用氫、氬混合氣體對(duì)引線框架焊線前的氧化污染物進(jìn)行還原分解剝離清洗。其所有的低溫等離子體生成環(huán)境氛圍都必須是在工作腔體真空狀態(tài)下進(jìn)行的，因此必然存在清洗過程周期長、清洗物品容積小、工藝過程不連貫、員工勞動(dòng)強(qiáng)度大、設(shè)備價(jià)格昂貴、使用效率偏低等諸多不足。[0003]類似于專利CN200510126280等技術(shù)方案公開了一種低溫等離子體用于晶片芯圓清洗的設(shè)備。該類技術(shù)方案通常是先將真空腔體按要求用真空分子泵抽至一定真空度，之后通入介質(zhì)氣體進(jìn)行自然擴(kuò)散，隨后施加射頻功率源使之形成等離子體氛圍場，用其對(duì)該真空腔體內(nèi)的被清洗物品進(jìn)行等離子清洗。所有過程一般均需要人工進(jìn)行操作。特別是被清洗物品數(shù)量發(fā)生較大變化時(shí)，真空腔體內(nèi)的電容量也隨之發(fā)生變化,此時(shí)必然需要對(duì)射頻電源進(jìn)行阻抗匹配。故而設(shè)備使用效率不高，且設(shè)備中的射頻電源、阻抗匹配器、真空分子泵、真空腔體等造價(jià)較高，不利于在封裝生產(chǎn)線上對(duì)引線框架進(jìn)行清洗的工藝環(huán)節(jié)中大量推廣使用。[0004]類似于專利CN200880128306等技術(shù)方案則公開了一種利用低溫等離子體清洗引線框架的裝置。該類技術(shù)方案形成的產(chǎn)品自動(dòng)化程度較高，它一般是在上述技術(shù)方案中加入自動(dòng)上料排片和自動(dòng)下料裝盒等輔助裝置。由于該類裝置精密度極高且體積較大，限制了用于引線框架清洗的真空腔體容積，故而整機(jī)效能不高，且整套清洗系統(tǒng)龐大、造價(jià)極高、維護(hù)復(fù)雜，只能在封裝行業(yè)中用于高檔芯片等不多的封裝場合。發(fā)明內(nèi)容[0005]本實(shí)用新型提供了一種常溫常壓條件下的低溫等離子體清洗設(shè)備，該設(shè)備的構(gòu)成和使用可以有效的解決現(xiàn)有技術(shù)和上述各種方案的諸多問題和不足。[0006]為實(shí)現(xiàn)在常溫常壓條 件下采用低溫等離子體對(duì)芯片引線框架的有效清洗之目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:發(fā)明制造一種低溫等離子體清洗設(shè)備，該設(shè)備構(gòu)成包括有低溫等離子體發(fā)生裝置、多氣體比例混合供給裝置、物料輸送裝置、設(shè)備總控制器、高頻高壓電源、氣源等，低溫等離子體發(fā)生裝置通過高頻高壓電纜與高頻高壓電源發(fā)生器電連接，其特征在于:所述低溫等離子體發(fā)生裝置、物料輸送裝置均設(shè)置在帶有觀察窗的密封反應(yīng)倉內(nèi)，該密封反應(yīng)倉兩端的進(jìn)出物料口處各設(shè)置一個(gè)風(fēng)門阻隔裝置，所述物料輸送裝置由履帶輸送機(jī)構(gòu)、自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)以及受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)組成，履帶輸送機(jī)構(gòu)的履帶呈水平設(shè)置，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)分置履帶兩端并靠近反應(yīng)倉進(jìn)出物料口處，所述低溫等離子體發(fā)生裝置位于履帶上方，數(shù)種氣源經(jīng)多氣體比例混合供給裝置和管道，進(jìn)入低溫等離子體發(fā)生裝置的輝光放電腔體內(nèi)，形成等離子體態(tài)工作氣體束流并射向履帶上的物料。[0007]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述低溫等離子體發(fā)生裝置由若干低溫等離子體發(fā)生單元組成，各個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元均勻地排布于履帶輸送機(jī)構(gòu)履帶正上方和斜上方，每個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元均通過高頻高壓電纜與高頻高壓電源呈電連接，氣源經(jīng)多氣體比例混合供給裝置和管道送入每個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元的輝光放電腔體內(nèi)，形成等離子體態(tài)工作氣體束流并從不同方向射向履帶上的物料。[0008]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述若干低溫等離子體發(fā)生單元在履帶正上方和斜上方空間位置上相對(duì)交錯(cuò)排列，低溫等離子體發(fā)生單元所產(chǎn)生等離子體態(tài)工作氣體束流噴射方向或垂直于履帶平面或與履帶平面的法線成三十度至六十度夾角。[0009]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述低溫等離子體發(fā)生單元的輝光放電電極為針式陣列電極結(jié)構(gòu)或?yàn)閳A形針筒式電極結(jié)構(gòu)。[0010]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述多氣體比例混合供給裝置是由氣體流量調(diào)節(jié)閥、比例混合器、電磁控制氣閥構(gòu)成。[0011]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述氣源為氬氣、氫氣、氧氣、氮?dú)狻⒑?、氟氣。[0012]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述履帶是由耐腐蝕抗靜電的金屬合金材料或氟塑料復(fù)合金屬薄膜制成，所述受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)為可自調(diào)可受外控的變速電機(jī)。[0013]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述的自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)為吸盤式氣動(dòng)機(jī)械機(jī)構(gòu)或磋輪式電動(dòng)機(jī)械機(jī)構(gòu)，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)受設(shè)備總控制器控制。[0014]在上述低溫等離子體清洗設(shè)備技術(shù)方案中，所述密封反應(yīng)倉內(nèi)為自然條件下的常溫常壓狀態(tài)。[0015]眾所周知，等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài)。通常物質(zhì)是以固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)三種狀態(tài)存在，但在一些特定的外部條件下，物質(zhì)有第四種狀態(tài)即等離子態(tài)存在。等離子體狀態(tài)中存在下列物質(zhì):處于高速運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子；處于激活狀態(tài)的中性原子、分子、原子團(tuán)(自由基)；離子化的原子、分子；未反應(yīng)的分子、原子等，但物質(zhì)在總體上仍保持電中性狀態(tài)。[0016]本實(shí)用新型給出的低溫等離子體清洗設(shè)備正是在常溫常壓的自然條件下，對(duì)諸如集成電路引線框架、硅晶圓芯片、印刷電路板等物品表面的氧化物和污染物進(jìn)行清洗，清洗機(jī)理如下:本實(shí)用新型低溫 等離子體清洗設(shè)備將高頻高壓電源施加于低溫等離子體發(fā)生裝置，其中通入相應(yīng)工藝要求的介質(zhì)氣體，使裝置形成輝光放電，從而電離流經(jīng)的介質(zhì)氣體，進(jìn)而產(chǎn)生高能量的無序的等離子體狀態(tài)工作氣體。利用等離子體狀態(tài)工作氣體內(nèi)的物理高能粒子和化學(xué)活性基團(tuán)作用于被清洗物品的表面，通過化學(xué)反應(yīng)和物理作用以達(dá)到氧化物還原和污染物清洗目的。清洗通常包括以下過程:介質(zhì)氣體被激發(fā)為等離子態(tài)，氣相物質(zhì)被吸附在固體表面，被吸附基團(tuán)與固體表面分子反應(yīng)生成產(chǎn)物分子，產(chǎn)物分子解析形成氣相，反應(yīng)殘余物脫離表面。[0017]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是充分發(fā)揮了低溫等離子體發(fā)生裝置的獨(dú)特優(yōu)勢，構(gòu)造了一款新型實(shí)用的低溫等離子體清洗設(shè)備，由于密封反應(yīng)倉內(nèi)始終處在常溫常壓的自然條件下，故而整個(gè)設(shè)備造價(jià)大大降低，連續(xù)清洗作業(yè)的自動(dòng)化程度較高，設(shè)備運(yùn)行操作簡單，非常有利于在半導(dǎo)體封裝行業(yè)的引線框架清洗、硅晶圓芯片清洗以及電子元件、印刷電路板等的清洗。


[0018]圖1是本實(shí)用新型低溫等離子體清洗設(shè)備的主結(jié)構(gòu)示意圖。[0019]圖2是本實(shí)用新型低溫等離子體清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)剖面圖，圖1的A-A剖面圖。[0020]圖3是本實(shí)用新型低溫等離子體清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)剖面圖，圖1的B-B剖面圖。[0021]圖4是實(shí)施例一采用的針式陣列電極等離子體發(fā)生單元結(jié)構(gòu)示意圖。[0022]圖5是圖4的C-C剖面圖。[0023]圖6是實(shí)施例二采用的束流圓形針筒式電極等離子體發(fā)生單元結(jié)構(gòu)示意圖。[0024]圖7是圖6的D-D剖面圖。[0025]在附圖中，I是等離子體發(fā)生器單元，2是物料輸送履帶，3是自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)，4是進(jìn)料口及風(fēng)門阻隔裝置，5是高頻高壓電纜，6是高頻高壓電源，7是設(shè)備總控制器，8是氣源，9是氣源，10是多氣體比例混合供給裝置，11是介質(zhì)氣體輸送管道，12是取料口及風(fēng)門阻隔裝置，13是自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)，14是密封反應(yīng)倉，15是組合支架。
具體實(shí)施方式
[0026]實(shí)施例一[0027]本實(shí)施例為一種用于對(duì) 引線框架或印刷線路板等物品進(jìn)行還原分解清洗的低溫等離子體清洗設(shè)備，其結(jié)構(gòu)如附圖1、附圖2、附圖3所示，本實(shí)施例氣源種類分別為氫氣和IS氣。[0028]本實(shí)施例的低溫等離子體發(fā)生裝置由九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元I組成，九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元固定于組合支架15，從右至左第一、三、五、七、九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元設(shè)置在履帶2正上方，這五個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元所產(chǎn)生的等離子體裝態(tài)工作氣體束流噴射方向垂直于履帶平面，第二個(gè)、第六個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元設(shè)置在履帶2中心線一側(cè)的斜上方，這兩個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元所產(chǎn)生的等離子體狀態(tài)工作氣體束流噴射方向與履帶平面成四十五度夾角，第四個(gè)、第八個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元設(shè)置在履帶2中心線另一側(cè)的斜上方，這兩個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元所產(chǎn)生的等離子體狀態(tài)工作氣體束流噴射方向與履帶平面的法線成四十五度夾角。九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元通過高頻高壓電纜5與高頻高壓電源6電氣連接，九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元通過介質(zhì)氣體輸送管道11與多氣體比例混合供給裝置10相連通，氣源8為氫氣，氣源9為氬氣，氫氣8和氬氣9通過管道11與多氣體比例混合供給裝置10相連通。本實(shí)施例九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元采用針式陣列式電極等離子體發(fā)生單元，其結(jié)構(gòu)如附圖4、附圖5所示，該低溫等離子體發(fā)生單元的電極由成對(duì)的針式陣列極板構(gòu)成，所述針式陣列極板系若干金屬針按幾何陣列垂直安裝在金屬平板上，且金屬針和金屬平板均涂覆有耐腐蝕的非極性絕緣材料，成對(duì)的針式陣列正極板與針式陣列負(fù)極板的金屬針相對(duì)且錯(cuò)位嵌入組裝，當(dāng)高頻高壓電源通過高頻高壓電纜分別與針式陣列正負(fù)極板相連接，電極之間會(huì)形成輝光放電，從而電離穿過其周圍的介質(zhì)氣體，使穿過放電區(qū)域的介質(zhì)氣體成為等離子體狀態(tài)工作氣體束流，并噴射向被清洗物料。[0029]本實(shí)施例中密封反應(yīng)倉14兩端的下部分別設(shè)置有進(jìn)料口 4和取料口 12，在進(jìn)料口 4和取料口 12處各設(shè)置有一個(gè)風(fēng)門阻隔裝置，風(fēng)門阻隔裝置能形成一道“風(fēng)簾”，將密封反應(yīng)倉與外部相對(duì)隔開，阻止外界空氣進(jìn)入到密封反應(yīng)倉內(nèi)。[0030]本實(shí)施例中密封反應(yīng)倉14內(nèi)部設(shè)置有組合支架15，九個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元I固定于該組合支架15，在密封反應(yīng)倉14內(nèi)的下部安裝有物料輸送履帶2和受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)，該履帶2由受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，該履帶2右端處安裝自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)3，該履帶2左端處安裝自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)13。本實(shí)施例中的物料履帶傳輸裝置2是由耐腐蝕、抗靜電的鈦合金材料制成，該履帶可人工調(diào)控物料傳輸速度，也可受設(shè)備總控制器7控制以調(diào)控物料的輸送速度，該速度取決于物料的清洗處理工藝時(shí)間和傳輸履帶長度。本實(shí)施例中的自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)3、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)13采用磋輪式電動(dòng)機(jī)械機(jī)構(gòu)，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)3、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)13與傳輸履帶2聯(lián)動(dòng)，且受設(shè)備總控制器7控制，其上料、下料速度取決于被清洗處理物品的外形尺寸和傳輸履帶的傳輸速度。[0031]本實(shí)施例中的多氣體比例混合供給裝置10又是由兩只帶流量顯示的氣體流量調(diào)節(jié)閥、一組多輸入氣體比例混合器和一只受設(shè)備總控制器控制的電磁氣閥構(gòu)成；在設(shè)備運(yùn)行中，氫氣和氬氣的比例由氣體流量調(diào)節(jié)閥調(diào)整，再由比例混合器充分混合后，最后由總控制器控制電磁氣閥以控制介質(zhì)氣體的射流流量，該流量大小取決于物料清洗處理工藝的具體要求。[0032]本實(shí)施例中設(shè)備總控制器7分別控制高頻高壓電源6、多氣體比例混合供給裝置10、物料輸送履帶2、自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)3、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)13，設(shè)備總控制器7除了保證設(shè)備有條不紊地上料和下料外，還能改變和調(diào)整密封反應(yīng)倉14內(nèi)部等離子體狀態(tài)工作氣體的密度，改變和調(diào)整物料在輸送履帶2上的移動(dòng)速度，以達(dá)到所需要的清洗效果。[0033]本實(shí)施例中的等離子體發(fā)生裝置1、履帶傳輸裝置2、自動(dòng)上料下料裝置3、13等均集中組合安裝在透明密封反應(yīng)倉14空間內(nèi)；設(shè)備總控制器7、高頻高壓電源發(fā)生器6、多氣體比例混合供給裝置10及氣源8、9等均安裝在該密封反應(yīng)倉空間外部；進(jìn)料口 4、取料口12處均設(shè)置有風(fēng)門阻隔裝置。[0034]用本實(shí)施例中的清洗設(shè)備對(duì)半導(dǎo)體封裝行業(yè)數(shù)家微電子封裝企業(yè)的8種不同規(guī)格的引線框架進(jìn)行清洗實(shí)驗(yàn)，在同等工藝條件和檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)下，與現(xiàn)有技術(shù)方案產(chǎn)品比較:清洗處理速度提高了 5 20倍，人工操作時(shí)間為現(xiàn)有技術(shù)方案產(chǎn)品的1/4，而本實(shí)施例的清洗設(shè)備造價(jià)僅為現(xiàn)有技術(shù)方案 產(chǎn)品的1/2 1/8，且工藝過程中省去了壓縮空氣裝置等設(shè)備設(shè)施。[0035]實(shí)施例二[0036]本實(shí)施例為一種用于對(duì)硅材料表面或精密機(jī)械零件殘留有機(jī)污染物進(jìn)行清洗的低溫等離子體清洗設(shè)備，其結(jié)構(gòu)仍如附圖1、附圖2、附圖3所示，本實(shí)施例氣源種類分別為氧氣和氬氣。[0037]本實(shí)施例清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)基本同實(shí)施例一，區(qū)別之一是本實(shí)施例介質(zhì)氣體不相同；區(qū)別之二是本實(shí)施例的低溫等離子體發(fā)生裝置由三十三個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元組成，三十三個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元沿履帶上方的排列方式及布局類同于實(shí)施例一；區(qū)別三是本實(shí)施例三十三個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元采用束流圓形針筒式低溫等離子體發(fā)生單元，其結(jié)構(gòu)如附圖6、附圖7所示；該等離子體發(fā)生單元的電極為圓形針筒式結(jié)構(gòu)，其金屬針電極外表面和金屬圓筒電極內(nèi)表面均涂覆有耐腐蝕的非極性絕緣材料，金屬針電極通過尾部的絕緣材料端封蓋密封固定在金屬圓筒內(nèi)且兩電極保持同心，高頻高壓電源兩電極通過高頻高壓電纜分別連接放電針和圓筒，放電針與圓筒之間會(huì)形成輝光放電，從而電離穿過其周圍的介質(zhì)氣體，使穿過放電區(qū)域的介質(zhì)氣體成為等離子體狀態(tài)工作氣體束流，并噴射向被清洗物料。[0038]利用本實(shí)施例可以對(duì)硅晶圓芯片或精密機(jī)械零件表面進(jìn)行氧化分解清洗，也可以對(duì)各類塑料或橡膠進(jìn)行表面改性處理。[0039]本實(shí)施例的操作 及控制同實(shí)施例一，在此不重復(fù)。
權(quán)利要求1.一種低溫等離子體清洗設(shè)備，該設(shè)備構(gòu)成包括有低溫等離子體發(fā)生裝置、多氣體比例混合供給裝置、物料輸送裝置、設(shè)備總控制器、高頻高壓電源、氣源等，低溫等離子體發(fā)生裝置通過高頻高壓電纜與高頻高壓電源發(fā)生器電連接，其特征在于:所述低溫等離子體發(fā)生裝置、物料輸送裝置均設(shè)置在帶有觀察窗的密封反應(yīng)倉內(nèi)，該密封反應(yīng)倉兩端的進(jìn)出物料口處各設(shè)置一個(gè)風(fēng)門阻隔裝置，所述物料輸送裝置由履帶輸送機(jī)構(gòu)、自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)以及受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)組成，履帶輸送機(jī)構(gòu)的履帶呈水平設(shè)置，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)分置履帶兩端并靠近反應(yīng)倉進(jìn)出物料口處，所述低溫等離子體發(fā)生裝置位于履帶上方，數(shù)種氣源經(jīng)多氣體比例混合供給裝置和管道，進(jìn)入低溫等離子體發(fā)生裝置的輝光放電腔體內(nèi)，形成等離子體態(tài)工作氣體束流并射向履帶上的物料。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫等離子體清洗設(shè)備，其特征在于:所述低溫等離子體發(fā)生裝置由若干低溫等離子體發(fā)生單元組成，各個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元均勻地排布于履帶輸送機(jī)構(gòu)履帶正上方和斜上方，每個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元均通過高頻高壓電纜與高頻高壓電源呈電連接，氣源經(jīng)多氣體比例混合供給裝置和管道送入每個(gè)低溫等離子體發(fā)生單元的輝光放電腔體內(nèi)，形成等離子體態(tài)工作氣體束流并從不同方向射向履帶上的物料。
3.如權(quán)利要求2所述的低溫等離子體清洗設(shè)備，其特征在于:所述若干低溫等離子體發(fā)生單元在履帶正上方和斜上方空間位置上相對(duì)交錯(cuò)排列，低溫等離子體發(fā)生單元所產(chǎn)生等離子體態(tài)工作氣體束流噴射方向或垂直于履帶平面、或與履帶平面法線成三十度至六十度夾角。
4.如權(quán)利要求1或2所述的低溫等離子體清洗設(shè)備，其特征在于:所述多氣體比例混合供給裝置是由氣體流量調(diào)節(jié)閥、比例混合器、電磁控制氣閥構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的低溫等離子體清洗設(shè)備，其特征在于:所述履帶是由耐腐蝕抗靜電的金屬合金材料或氟塑料復(fù)合金屬薄膜制成，所述受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)為可自調(diào)、可受外控的變速電機(jī)。
6.如權(quán)利要求1所述的低溫等離子體清洗設(shè)備，其特征在于:所述的自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)為吸盤式氣動(dòng)機(jī)械機(jī)構(gòu)或磋輪式電動(dòng)機(jī)械機(jī)構(gòu)，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)受設(shè)備總控制器控制。
7. 如權(quán)利要求1所述的低溫等離子體清洗設(shè)備，其特征在于:所述密封反應(yīng)倉內(nèi)為自然條件下的常溫常壓狀態(tài)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種低溫等離子體清洗設(shè)備，該設(shè)備低溫等離子體發(fā)生裝置、履帶輸送機(jī)構(gòu)、自動(dòng)上料、下料機(jī)構(gòu)以及受控驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)置在密封反應(yīng)倉內(nèi)，該反應(yīng)倉兩端的進(jìn)出物料口處各設(shè)置一個(gè)風(fēng)門阻隔裝置，履帶輸送機(jī)構(gòu)履帶呈水平設(shè)置，自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)和自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)分置履帶兩端并靠近反應(yīng)倉進(jìn)出物料口處，低溫等離子體發(fā)生裝置設(shè)置于履帶上方，數(shù)種氣源經(jīng)多氣體比例混合供給裝置和管道進(jìn)入低溫等離子體發(fā)生裝置的輝光放電腔體內(nèi)，在高頻高壓電源的作用下形成等離子體態(tài)工作氣體束流并射向履帶上的物料，進(jìn)行物理和化學(xué)方式清洗。本實(shí)用新型在常溫常壓條件下完成清洗，可方便地對(duì)半導(dǎo)體封裝引線框架、硅晶圓芯片、電子元件、印刷線路板、精密機(jī)械零件等進(jìn)行清洗，有效的解決被清洗物品材料表面氧化和有機(jī)物污染問題，極大提高了芯片的引線焊接質(zhì)量和封裝品質(zhì)。
文檔編號(hào)C23F1/12GK203085491SQ20132001465
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者程方, 程宇宸, 郭勇 申請(qǐng)人:南京華科皓納電氣科技有限責(zé)任公司, 程方